JP2010514223A - 半導体チップの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、半導体チップの活性領域内へのクラックの開始及び伝播を低減させる改善された半導体チップに向けられる。半導体ウェハは、複数の半導体チップを分離するダイシング用チャネル(102)と、各半導体チップの一部分を貫通する孔(220)とを含む。この孔は、ダイシング用チャネル(102)の交点に配置される。一旦半導体ウェハからダイシングされると、各半導体チップは、90度の角度のコーナー部をもたずに形成される。
【選択図】 図3
Description
102:ダイシング用チャネル
104:クラックストップ部
106:三角形ゾーン
108:コーナー部
110、210、310、410:半導体チップ
112:活性領域
220:孔
Claims (6)
- 半導体チップを形成する方法であって、
ダイシング用チャネル(102)によって分離された複数の半導体チップを含む半導体ウェハ内に孔(220)を形成するステップであって、前記孔(220)は、前記ダイシング用チャネル(102)の交点に、前記半導体チップの一部分を貫通して形成される、ステップと、
前記ダイシング用チャネル(102)と、前記ダイシング用チャネル(102)の交点における前記半導体チップの前記一部分とを通ってダイシングするステップと、
を含む方法。 - 前記形成するステップは、レーザ穿孔、ボッシュ・プロセス・ディープ穿孔、フォトリソグラフィに続く反応性イオン・エッチング、及びイオン・ミリングの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ダイシングするステップは、機械的ソー・ブレード・ダイシング及びレーザ・ダイシングの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記孔(220)の形状は、円形、菱形、八角形、凹形状の1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ダイシングするステップは、実質的に90度のコーナー部をもたない半導体チップをもたらす、請求項1に記載の方法。
- 前記ダイシングするステップは、ハード・パッシベーション・コンタクト領域へのアンダーフィルが減少した複数の半導体チップをもたらす、請求項1に記載の方法。
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