JP2014219401A - Memsセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1に記載される種類の装置は、図5に示されるような別のダイ位置に配置される磁気アセンブリ30で埋めたウェハを作製することによって製造される。追加の対角線ダイシングをウェハに適用して八角形のセンサダイを作製し、次に従来の手順を用いてダイを組み立てて、たとえば、シリコーンエラストマ接着剤層により装着して標準的なカンパッケージを作製した。特許文献1に記載の装置との差異は、MEMSセンサの表面上の金属トラッキングの位置を変更したという比較的些細な修正だけであった。次いで、これらの八角形装置をテストし、従来の正方形チップ装置の性能と直接比較できるように温度に伴う直交バイアスの変動を測定した。図9に示す結果データは図2のデータと直接比較することができる。
52…ガラス台座層
54…ガラススペーサ層
Claims (15)
- 半導体基板層から形成されるとともに、前記半導体基板層が電気絶縁基板層を備える台座に搭載され、前記電気絶縁基板層が前記半導体基板に接合されて矩形センサチップを形成する振動感知構造を備え、
前記台座が前記センサチップをハウジングに搭載するための少なくとも1つの電気絶縁スペーサ層をさらに備え、前記電気絶縁スペーサ層が八角形である、
MEMSセンサ。 - 前記八角形のスペーサ層が、前記半導体基板層を直接搭載する前記電気絶縁基板層よりも厚いことを特徴とする請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記八角形のスペーサ層が前記電気絶縁基板層に搭載され、かつ前記基板層が切断されて前記台座を形成する前に、前記八角形のスペーサ層に空隙が形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSセンサ。
- 前記八角形のスペーサ層が別個に形成され、次いで前記矩形センサチップに搭載されることを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSセンサ。
- 前記八角形のスペーサ層が非対称形状を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
- 前記振動感知構造を、cos2θ共振モードである一次面内共振モードで振動させるように構成された駆動トランスデューサを備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
- 前記センサが振動構造ジャイロスコープであり、前記振動感知構造が、略平面状の輪形共振器と、前記半導体基板から間隔をおいて配置された前記輪形共振器を支持するとともに前記輪形共振器を1つまたはそれ以上の面内共振モードで発振させるように構成された複数の可撓支持部材と、を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
- 前記輪形共振器の面に略垂直な軸を中心に印加される角速度に応答して生成される、直交二次面内共振モードから生じる前記輪形共振器の発振を検知する感知トランスデューサを備えることを特徴とする請求項7に記載のMEMSセンサ。
- MEMSセンサダイの製造方法であって、
半導体基板層に振動感知構造を形成することと、
矩形センサダイが前記半導体基板層の面で直交するxおよびy切断線によって画定されるように、前記半導体基板層を電気絶縁基板層に搭載させることと、
前記電気絶縁基板層を、前記xおよびy切断線の少なくともいくつかの接合点に形成される空隙を有するスペーサ層に搭載させることと、
前記複数の層をダイスカットして、八角形のスペーサ層に搭載される矩形センサチップを備えるセンサダイを形成させることと、
を備えたMEMSセンサダイの製造方法。 - 前記スペーサ層の前記xおよびy切断線の各接合点に空隙を形成することと、前記層を前記xおよびy切断線に沿ってダイスカットして、前記八角形のスペーサ層に搭載される矩形センサチップを備えるセンサダイを形成することと、を備えることを特徴とする請求項9に記載のMEMSセンサダイの製造方法。
- 前記センサダイのうち1つを選択することと、前記スペーサ層をセンサパッケージに接合してパッケージセンサを形成することと、をさらに備えることを特徴とする請求項9または10に記載のMEMSセンサダイの製造方法。
- 前記八角形のスペーサ層が前記半導体基板層を直接搭載する前記電気絶縁基板層よりも厚いことを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載のMEMSセンサダイの製造方法。
- 前記振動感知構造が、振動構造ジャイロスコープ用の略平面状輪形共振器であることを特徴とする請求項9〜12のいずれか一項に記載のMEMSセンサダイの製造方法。
- 前記半導体基板層がシリコンで形成されることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載のMEMSセンサまたはMEMSセンサダイの製造方法。
- 前記電気絶縁基板層がガラスで形成されることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載のMEMSセンサまたはMEMSセンサダイの製造方法。
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