JP2013258286A - 半導体ウェーハ、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハ100Aの第1主面上においてマトリクス状に配列される複数の素子形成領域101,101、・・・を区分するように格子状に配列され、ダイシングブレードによりダイシングされるダイシング領域110を有する半導体ウェーハ100Aにおいて、ダイシング領域110の配列方向を2次元座標上におけるx軸に沿った方向及びy軸に沿った方向としたとき、ダイシング領域110が交差する各々の交差部150には、それぞれ第1改質層120Aが所定の範囲で形成され、第1改質層120Aは、当該第1改質層120Aが形成される範囲におけるx軸に沿った方向の幅及びy軸に沿った方向の幅が、それぞれダイシンブレードの幅よりも広い幅を有するように形成されている。
【選択図】図1
Description
第1従来技術は、半導体ウェーハ900の第2主面900bにおいては、欠けの発生を防止することができるとしているが、第1主面900aの側はダイシングブレードによって切削溝を形成する際にダイシングを行うため、図8で示したように、既にダイシングされた面に対して直交する方向(x軸に沿った方向)にダイシングする際には、半導体ウェーハの角部において欠けが生じ易くなるという課題がある。
図1は、実施形態1に係る半導体ウェーハ100Aを説明するために示す図である。図1(a)は半導体ウェーハ100Aの一方面(第1主面という。)を平面視した場合を示す図であり、図1(b)は半導体ウェーハ100Aの第1主面における破線枠A内を拡大して示す図であり、図1(c)は破線枠Aに対応する半導体ウェーハ100Aの他方面(第2主面という。)を拡大して示す図である。
なお、ダイシングラインL1,L2の配列方向(x軸に沿った方向又はy軸に沿った方向)をダイシング領域110の配列方向という場合もある。
すなわち、第1改質層120Aが形成されている領域は脆くなっているため、個片化された半導体装置180は、第1改質層120Aが形成されている領域(図4において灰色で示した領域)を容易に除去することができ、それによって、当該半導体装置180は、4隅の角部が面取りされて丸みを帯びた形状となる。
図6は、実施形態2に係る半導体ウェーハ100Bを説明するために示す図である。図6(a)は半導体ウェーハ100Bの第1主面を平面視した場合を示す図であり、図6(b)は半導体ウェーハ100Bの第1主面における破線枠A内を拡大して示す図であり、図6(c)は破線枠Aに対応する半導体ウェーハ100Bの第2主面を拡大して示す図である。
Claims (12)
- 半導体ウェーハの一方面にマトリクス状に配列される複数の素子形成領域を区分するように格子状に配列され、ダイシングブレードによりダイシングされるダイシング領域を有する半導体ウェーハにおいて、
前記格子状に配列されたダイシング領域の配列方向を2次元座標上におけるx軸に沿った方向及びy軸に沿った方向としたとき、
前記格子状に配列された前記ダイシング領域が交差するダイシング領域の各々の交差部には、それぞれ第1改質層が所定の範囲で形成され、
前記第1改質層は、当該第1改質層が形成される範囲における前記x軸に沿った方向の幅及びy軸に沿った方向の幅が、それぞれ前記ダイシンブレードの幅よりも広い幅を有するように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1に記載の半導半導体ウェーハにおいて、
前記ダイシングブレードが前記ダイシング領域においてダイシングを行う際のx軸に沿った方向へのダイシングライン及びy軸に沿った方向へのダイシングラインの交点となる位置を前記交差部の中心としたとき、
前記第1改質層が形成される範囲におけるx軸に沿った方向の幅及びy軸方向の幅は、
前記交差部の中心においては、前記x軸に沿った方向及びy軸に沿った方向それぞれにおいて、少なくとも前記ダイシング領域の幅と同等の幅を有し、前記x軸に沿った方向及びy軸に沿った方向において前記各交差部の中心から遠ざかるに従って前記幅が狭まって行くように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項2に記載の半導半導体ウェーハにおいて、
前記x軸に沿った方向及びy軸に沿った方向において前記第1改質層の幅が最も狭まった位置を前記第1改質層の各先端位置としたとき、
前記第1改質層は、当該第1改質層の各々の先端位置のうち前記x軸に沿った方向及びy軸に沿った方向の異なった方向に存在する先端位置同士を結ぶ線が円弧を描くように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項3に記載の半導半導体ウェーハにおいて、
前記円弧は、前記第1改質層の内側に凹むような円弧であることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項2に記載の半導半導体ウェーハにおいて、
前記x軸に沿った方向及びy軸に沿った方向において前記第1改質層の幅が最も狭まった位置を前記第1改質層の各先端位置としたとき、
前記第1改質層は、当該第1改質層の各々の先端位置のうち前記x軸に沿った方向及びy軸に沿った方向の異なった方向に存在する先端位置同士を結ぶ線が直線となるように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体ウェーハにおいて、
前記ダイシングブレードの刃が入り込む側の面を前記一方面としたとき、第1改質層は、前記各交差部において、少なくとも前記一方面の側に形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体ウェーハにおいて、
前記各々の交差部における隣り合う交差部の間のダイシング領域には、前記各々の交差部に形成されている前記第1改質層の間に線状の第2改質層が形成され、当該第2改質層は、前記ダイシングブレードの刃の厚みに相当する幅か、わずかに大きい幅を有することを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項7に記載の半導体ウェーハにおいて、
前記ダイシングブレードの刃が抜け出る側の面を前記半導体ウェーハの他方面としたとき、前記第2改質層は、少なくとも前記他方面の側に形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体ウェーハにおいて、
前記半導体ウェーハは、炭化珪素(SiC)ウェーハであることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体ウェーハにおいて、
前記半導体ウェーハは、窒化ガリウム(GaN)ウェーハであることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 複数の半導体装置に対応する複数の素子形成領域に、前記複数の半導体装置に対応する各素子が形成されている半導体ウェーハをダイシングブレードによりダイシングすることによって前記半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェーハは、請求項1〜10のいずれかに記載の半導体ウェーハであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の半導体装置に対応する複数の素子形成領域に、前記複数の半導体装置に対応する各素子が形成されている半導体ウェーハをダイシングブレードによりダイシングすることにより製造される半導体装置であって、
前記半導体ウェーハは、請求項1〜10のいずれかに記載の半導体ウェーハであることを特徴とする半導体装置。
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