JPH03236258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 ウェハを複数のチップに分割する工程を含む半導体装置
の製造方法に関し、 ウェハの素子形成面から露出した金属膜の腐食を防止す
ることを目的とし、 半導体素子が形成されたウェハ上面のダイシングライン
の両端近傍に、前記ウェハの下面に達する複数の貫通孔
を形成した後、前記貫通孔を結ぶ線に沿って前記ウェハ
を下面からダイシングし、前記ウェハを分割する工程を
を含み構成する。

（産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、ウェハを複数のチップに分割する工程を含む半導体装
置の製造方法に関する。

（従来の技術〕 半導体ウェハに複数形成された半導体装置を個々に分割
する場合には、半導体装置を区画するつエバ上面のダイ
シングラインにダイサの刃を当てて溝を形成し、この溝
に沿ってウェハを切断するようにしている。

ところで、ダイサによってウェハを切断する場合には、
第３図に例示するように、ダイサ３０とウェハ３１との
摩擦によってウェハ３１が加熱されるため、このままで
はウェハ３０に形成した半導体装置が熱破壊を起こすこ
とになる。

そこで、ウェハ３１の温度上昇を防止するために、ウェ
ハ３１に冷却水を注ぎながらダイシングを行うようにし
ている。

〔発明が解決しようとする課題］ しかし、この方法によれば、半導体装置に形成されるボ
ンディングパソトや電極配線層、あるいはその他の金属
層がウェハ３１の表面から露出している場合に、それら
の金属膜が水によって腐食するといった問題がある。

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、ウェハから露出した金属膜の腐食を防止できるダイシ
ング工程を含む半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記した課題は、第１．２図に例示するように、半導体
素子が形成されたウェハｌ上面のダイシングライン２．
３の両端近傍に、前記ウェハ１の下面に達する複数の貫
通孔５を形成した後、前記貫通孔５を結ぶ線に沿って前
記ウェハ１を下面からダイシングし、前記ウェハ１を分
割する工程を含む半導体装置の製造方法、 または、半導体素子が形成されたウェハ１上面のダイシ
ングライン２．３の両端近傍に、前記ウェハ１の下面に
達する貫通孔５を形成するとともに、前記ダイシングラ
イン２．３に沿って前記ウェハ１に浅い溝６を形成した
後に、前記貫通孔５を結ぶ線に沿って前記ウェハ１を下
面からダイシングし、前記ウェハ１を分割する工程を有
する半導体装置の製造方法によって達成される。

（作　用〕 本発明によれば、ウェハ１に形成されたダイシングライ
ン２．３の両端に貫通孔５を設け、貫通孔５を結ぶ線に
沿ってウェハ１の下面をダイシングするようにしている
。

このため、ダイシングライン２．３に平行な溝１０をウ
ェハ１下面に形成することが可能になるとともに、ウェ
ハ１表面を覆いながらダイシングを行うことが可能にな
り、ダイシングの際に、ウェハ１表面に形成された金属
膜を冷却水から保護することができる。

また、予め浅い溝６をウェハ１上面のダイシングライン
２．３に入れておけば、ウェハ１を切断する際に切断線
が素子形成領域に達することがなく、ウェハｌに形成さ
れた半導体装置は保護される。

〔実施例〕

そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。

第１．２図は、本発明の一実施例の工程を示す平面図及
び側断面図であって、図中符号１は、シリコン等の半導
体よりなる厚さ５００ｕｍ程度のウェハで、このウェハ
１の上面には、複数のダイシングライン２．３が縦横に
設けられており、ダイシングライン２．３によって区画
された各領域には半導体装置４が形成されている（第１
図（ａ）。

第２図（ａ））。

次に、縦横のダイシングライン２．３に沿ってウェハ１
を分割する工程について説明する。

まず、Ｎｄ−ＷＡＧレーザ装置等を使用して、ウェハ１
周辺に位置する各ダイシングライン２．３０両端部近傍
にレーザ光を照射して、ウェハ１の下面に達する切欠は
状の貫通孔５を形成する（第１図（ｂ）、第２図（ｂ）
）、このように切欠は状の貫通孔５の場合、ダイサーを
用いて形成することもできる。

なお、貫通孔は切欠は状にするのが好ましいが、端部の
近傍であれば、必ずしも端部に接触していなくてもよい
。

この後に、ダイサやレーザ等を用い、ダイシングライン
２．３に沿ってウェハ１上面に深さｌＯ〜２０μｍ程度
の浅い溝６を形成する（第２図（Ｃ））。

次に、第２図（ｄ）に示すように、ウェハ１の上面をシ
ート７上の接着剤８に貼り付けてその面を保護する。

そして、貫通孔５を目印にして、ダイシングライン２．
３と平行になる仮想綿をウェハ１下面に描き、この仮想
線に沿ってウェハ１の下面側からダイサ９を当てて１０
０〜１５０μｍの深い溝１０を形成する（第１図（Ｃ）
、第２図（ｄ））、なお、接着剤８として、紫外線硬化
性を有する材料、その他剥離容易な材料を用いる。

このダイシングを行う場合には、ダイサ９との摩擦によ
りウェハ１が加熱されることを防止するために、ウェハ
１の下面に冷却水を注ぐことになるが、ウェハ１の上面
がシート７によって覆われているために、半導体装置４
から露出するハンプやその他の金属層が水により腐食す
ることが抑制される。

次に、ウェハ１をシート７から剥離し、第２図（ｅ）に
示すように、ウェハ１を弾性基台ｌｌ上に載置した後に
、弾性材よりなるローラ１２をウェハ１に当ててこれを
基台１１に押圧させて転がすと、ウェハ１は溝１０に沿
って折れ曲がり、ダイシングライン２．３に切断面１３
が形成される（第２図（ｅ））。

この結果、ウェハｌがチップ状に切断され、複数の半導
体装置４が個々に分割される（第１図（ｄ））。

この場合、ウェハ１表面のダイシングライン２゜３に浅
い溝６が設けられているために、その溝６と下面の溝１
０との間に応力がかかって切断面１３が形成することに
なり、切断線が半導体装Ｗ４に達することがなく、半導
体装置４の破壊が防止される。

なお、上記した実施例では第２図（ｄ）に示すように、
ウェハ１の上面に達しない程度の深い溝１０を形成する
ようにしたが、シート７に達する深さにダイサ９を入れ
るようにして、ダイサ９によってウェハｌを直に分割す
ることもできる。

また、上記した実施例では、ウェハ１の上面に浅い溝６
を形成したが、この工程を省略して、ウェハ１の下面に
だけ溝１０を形成し、その溝１０に沿ってウェハ１を分
割することも可能である。

（発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、ウェハに形成された
ダイシングラインの両端に貫通孔を設け、貫通孔を結ぶ
線に沿ってウェハの下面をダイシングするようにしたの
で、ダイシングラインに平行な溝をウェハの下面に形成
することが可能になるとともに、ウェハ表面を覆いなが
らダイシングを行うことができ、ダイシングの際にウェ
ハ表面の金属膜を冷却水から保護することができる。

また、予め浅い溝をウェハ上面のダイシングラインに入
れておけば、ウェハを切断する際に切断線が素子形成領
域に達することがなく、ウェハに形成された半導体装置
は保護される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の工程を示す平面図、 第２図は、本発明の一実施例の工程を示す側断面図、 第３図は、従来方法の一例を示す断面図である。 （符号の説明） １・・・ウェハ、 ２．３・・・ダイシングライン、 ４・・・半導体装置、 ５・・・貫通孔、 ６・・・溝、 ９・・・ダイサ、 ｌＯ・・・溝、 １１・・・基台、 １２・・・ローラ。 出　願　人　　富士通株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体素子が形成されたウェハ上面のダイシング
   ラインの両端近傍に、前記ウェハの下面に達する複数の
   貫通孔を形成した後、 前記貫通孔を結ぶ線に沿って前記ウェハを下面からダイ
   シングし、前記ウェハを分割する工程を含む半導体装置
   の製造方法。
2. （２）半導体素子が形成されたウェハ上面のダイシング
   ラインの両端近傍に、前記ウェハの下面に達する貫通孔
   を形成するとともに、 前記ダイシングラインに沿って前記ウェハに浅い溝を形
   成した後に、 前記貫通孔を結ぶ線に沿って前記ウェハを下面からダイ
   シングし、前記ウェハを分割する工程を有する半導体装
   置の製造方法。