JP2010272766A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 炭化珪素14,18に接触する接触電極16と、該接触電極と導通する配線19とを備え、接触電極16が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、配線19は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、該配線は接触電極と接触することで該接触電極と導通をとることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
縦型SiC・MOSFETでは、半導体、ゲート酸化膜等を含む基板材料の表面と裏面とに電極配線構造が形成される。電極の形成において、これまで膨大な使用実績のあるシリコンに比べて、SiCは、電極金属との接触抵抗を小さくできる材料を充分な種類見出せていない。この状況のなかで、n型SiCについては、Ni(ニッケル)系の電極材料を用い、合金化熱処理(約1000℃での熱処理)を行うことでシリサイド化したニッケルシリサイドとの接合によりオーミック接触を得ている。また、p型SiCについては、Ti(チタン)/Al(アルミニウム)、またはAlSi合金を用いることで接触抵抗を低く抑えることが可能とされている(非特許文献1)。
大電流の制御に用いられる縦型SiC・MOSFETは、n型SiCのソース領域に配置されるソース電極は、Ni系またはNiSi系材料を用いることで、オーミックコンタクトを実現する場合が多い。これは、上述の非特許文献に開示されていることと合致する。1個のチップには、MOSFETを形成する1ユニットが、多数、並列に配置され、内部配線によって、所定の電気回路が形成されている。従来のシリコン半導体装置では、たとえばAlをオーミック電極材料として用いると同時に内部配線としても共通に用いることが可能である。しかしながら、SiCの場合は、Alをオーミック電極と内部配線を共通に用いることは、Alの融点以下での良好なオーミック接触を得ることは困難であるため難しい。また、上記のNi系またはNiSi系材料は、電気抵抗がそれほど低いものではなく、また、Ni系またはNiSi系材料の適切な線材を得ることが困難である等の理由により、内部配線に用いられない。また、Ni系材料は、上記のように、p型SiCとは良好なオーミック接触が得られにくい。SiC半導体装置の場合、内部配線には、Al系(Al、AlSi、AlSiCuなど)材料を用いることが多い。この場合、長期間の使用において、内部配線に用いられる当該Al系材料と、電極に用いられるNi系またはNiSi系材料とで、電気抵抗の高い金属間化合物、たとえばNiAl3などを生じる可能性がある(非特許文献2)。
ここで、TiAlSi合金は、その他にCなど、製造途中に混入する元素を含むことができる。
(1)接触電極と配線との密着性の向上(この場合、バリア層は数nm〜数十nmという薄い膜厚とすることが多い)
(2)異方性エッチングの選択性の向上による加工性の向上
(3)熱膨張率の相違に起因する歪みの緩和
(4)耐エレクトロマイグレーション性の向上
図1は、本発明の実施の形態1における半導体装置のMOSFETを示す断面図である。本実施の形態におけるMOSFETは、半導体に炭化珪素(SiC)を用いており、n+型SiC基板11と、その上にエピタキシャル成長されたn型SiC層(ドリフト層)12とを備える。n型SiC層(ドリフト層)12の厚みは、たとえば10μm、n型不純物濃度は1×1016cm−3程度とするのがよい。SiCエピタキシャル層12の表面12aの側に、pボディ13、n+SiCのソース領域14と、そのソース領域14に接して設けられたp+SiC領域18とが位置する。pボディ13は、(n+ソース領域14/p+領域18)と、ドリフト領域12との間に介在する。
n+SiC基板11はドレイン領域を形成しており、n+SiC基板11の裏面11bには、ドレイン電極20が設けられている。
上記の熱酸化膜15aの形成(工程S7)の際にn+型SiC基板11の裏面11b上に熱酸化膜23が形成される。この熱酸化膜23は、n+型SiC基板11の保護膜として機能する。
このあと、図5に示すように、層間絶縁膜21を形成する(工程S9)。層間絶縁膜21は、ゲート電極17および酸化膜15aを覆うように、たとえばCVD法によって、厚み約1μmのSiO2膜によって形成される。次いで、図6に示すように、ソース接触電極16を形成する領域に開口部を有するレジストパターン91を形成する。そのレジストパターン91をマスクとして用いて、たとえばRIEによって、ソース接触電極を形成する領域の層間絶縁膜21およびゲート酸化膜15aを部分的に除去して、ソース接触電極を形成する部分のエピタキシャル層の表面領域16,18を露出させる。
上記の両方の電極16,20ともに、TiAlSi合金の電極を形成する。図3は、このTiAlSi合金の電極を製造するためのより詳しいフローチャートである。図3のS10aまたはS11a〜S10cまたはS11cに示すように、Ti膜、Al膜、およびSi膜を、SiCエピタキシャル層12の表面12a、およびSiC基板11の裏面11bの両方の面に、上記3種類の層を上記順序で積層する。積層方法は、スパッタリング法などを用いるのがよい。次いで、たとえばソース接触電極16を形成するときは、上述のように、レジスト膜91を除去することで、レジスト膜上に積層されていた、Ti膜、Al膜,Si膜を除去(リフトオフ)する。これによって、図7に示すように、ゲート酸化膜15から露出するSiCエピタキシャル層12の表面12a、およびSiC基板11の裏面11b、の面上に、Ti膜、Al膜、Si膜からなる3層膜が残る。
次に、Arなどの不活性雰囲気中で、550℃〜1200℃の温度域、好ましくは900℃〜1100℃の温度域に、10分間以下の時間保持する。たとえば1000℃程度に2分間程度保持する(合金化処理)。この合金化処理によって、ソース接触電極の側については、Ti膜、Al膜、Si膜およびSiCエピタキシャル層12が合金化され、当該ソース接触電極16が形成される(工程S10d)。また、ドレイン電極の側については、Ti膜、Al膜、Si膜、およびSiC基板11が合金化され、当該ドレイン電極20が形成される(工程S11d)。図7は、合金化処理を行って、ソース接触電極14およびドレイン電極20を形成する材料をTiAlSi合金としたあとの状態を示す。
図8の状態のウエハにパッシベーション保護膜29を堆積すると、図1の半導体装置10を得ることができる。
(1)TiAlSi合金によるソース接触電極16と、そのソース接触電極16に導通をとる、AlまたはAl合金のソース内部配線19との組み合わせによって、長期間使用しても、電気抵抗の増大をもたらす金属間化合物は生じない。この結果、低い電気抵抗のソース電極22を長期間、安定して維持することができる。
(2)TiAlSi合金という1種類のソース接触電極16によって、ソースn+SiC領域14およびp+型領域18の両方にオーミック接触することができるので、製造工程を簡単化することができ、さらにレジスト膜の形成回数の減少による寸法精度の向上による利点(集積度の向上、歩留まり向上、品質向上)を得ることができる。
n型ドレイン電極20についても、ソース接触電極16と、同じ機会に並行して、TiAlSi合金によって形成することができる。これによる製造工程の簡単化も得ることができる。本実施の形態では、nチャネルが形成されるように導電型を定めたが、pチャネルが形成されるように導電型を上述した内容と逆に定めてもよい。また、MOSFET10におけるn+SiC基板11の導電性をp+としたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であってもよい。
図9は、本発明の実施の形態2における半導体装置であるSiC・MOSFETを示す図である。実施の形態1との相違は、ソース接触電極16と、ソース内部配線19との間に、バリア層25を介在させた点にある。その他の構成は、実施の形態1と同じである。本発明においては、ソース接触電極16はTiAlSi合金で形成され、ソース内部配線19はAlまたはAl合金で形成されるので、両者の金属が反応して電気抵抗が高い金属間化合物を生成することはないので、バリア層25は、両者の元素の拡散をブロックする必要度は小さい。このため、バリア層25を、ソース接触電極16およびソース内部配線19の密着性向上を主目的として、数nm程度の厚みのTi層としてもよい。また、使用環境の高温化などに対処するために、ソース接触電極16とソース内部配線19との反応を、より確実に防止することを目的に、数十nm〜数千nmの厚みの次の材料の層であってもよい。すなわち、{チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、チタン窒化物、タンタル窒化物、タングステン窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン珪化物、タンタル珪化物、タングステン珪化物、ニオブ珪化物、バナジウム珪化物、ジルコニウム珪化物}の少なくとも一種の層であってもよい。
(1)薄いTi膜等を用いることで、密着性の向上
(2)RIE等におけるエッチング選択性の向上による加工性向上
(3)ソース接触電極16とソース内部配線19の熱膨張差の緩和
図10は、本発明の実施の形態3における半導体装置である接合型電界効果トランジスタJFET(Junction Field Effect Transistor)30を示す断面図である。SiC・JFET30は、次のエピタキシャル積層構造を持つ。(n型基板31/第1のp型層32/n型層33/第2のp型層34)
第1のp型層32は、たとえば厚み10μm程度、p型不純物濃度は7.5×1015cm−3程度とするのがよい。n型層33は、たとえば厚み0.45μm程度、n型不純物濃度2×1017cm−3程度とするのがよい。第2のp型層34は、たとえば厚み0.25μm程度、p型不純物濃度2×1017cm−3程度とするのがよい。
第2のp型層34の表面34aから、当該第2のp型層を貫通して、n型層33に突き出る領域35,36,37を備える。突き出た領域35,36,37の底部先端と、第1のp型層32との間には、十分な厚みのn型層33が介在するようにする。
中央部において下方に(SiC基板31に向かって)突き出る領域は、p+型ゲート領域36であり、ゲート接触電極41/ゲート内部配線46と電気的に接続されている。ゲート接触電極41/ゲート内部配線46によってゲート電極62が形成される。また、n+ドレイン領域37は、ドレイン接触電極/ドレイン内部配線47に電気的に接続されている。ドレイン接触電極/ドレイン内部配線47によって、ドレイン電極63が形成される。n+ソース領域35は、ソース接触電極39/ソース内部配線45と電気的に接続される。
n+ソース領域35およびn+ドレイン領域37においては、たとえばn型不純物濃度1×1020cm−3であり、n型層33のn型不純物濃度よりも数オーダー高い。p+ゲート領域36においては、たとえばp型不純物濃度1×1018cm−3であり、第1のp型層32および第2のp型層34のp型不純物濃度よりも数オーダー高い。
接触電極44,39,41,42の間は、酸化膜38によって被覆され、接触電極間の絶縁性が確保されている。内部配線45,46,47の間は、パッシベーション膜64、たとえばSiO2膜によって被覆、充填され、絶縁性が確保されている。パッシベーション膜64は、内部配線45,46,47の間の絶縁だけでなく、外部との絶縁をし、かつJFET30を外部環境から保護する。
また、ソース内部配線45、ゲート内部配線46、およびドレイン内部配線47は、すべて、同一のAlまたはAl合金で形成されている。これによって、すべての接触電極39,41,42,44と、内部配線45,46,47との組み合わせにおいて、長期間使用しても、電気抵抗を増大させる金属間化合物などを生じない。
ゲート接触電極41に負電圧を印加してゆくと、p+ゲート領域36とn型層33との界面であるpn接合に逆バイアス電圧が充分かかり、空乏層が、不純物濃度が低いほうのn型層33に広がってゆく。この結果、チャネル領域およびドリフト領域は空乏化され、n+ソース領域35とn+ドレイン領域37とは電気的に遮断され、電流は流れない(オフ状態)。
JFET30は、上記の機構によって、電流のオンオフ制御を行う。
溝部71は、実施の形態1のMOSFET10にはなかった構造であるが、たとえば溝部71に対応する部分に開口を有するマスク層を、第2のp型層34の表面34aに設けて、SF6ガスを用いたドライエッチングによって形成することができる。
このあとn+ソース領域等のイオン注入による形成を行う。たとえば、n+ソース領域35およびn+ドレイン領域37は、実施の形態1で説明したように、酸化膜パターンの形成→n型不純物のイオン注入、により形成される。p+ゲート領域36およびp+電位保持領域43についても、不純物の種類が異なるだけで、酸化膜パターンをマスクとして用いてイオン注入する点では同じである。ただし、溝部に形成されるp+電位保持領域43の深さがp+ゲート領域36よりも浅い場合には、機会を分けてイオン注入することになる。このあと、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で1700℃×30分間程度の活性化アニール処理を行うことは、実施の形態1,2と同様である。
酸化膜38は、活性化アニール処理後に、酸素雰囲気中で1300℃×30分間の処理により、フィールド酸化膜として形成される。
次いで、ソース配線61、ゲート配線46、ドレイン配線47を形成する。これらの配線は、各配線を形成する部分に開口を有するレジストパターンを形成し、AlまたはAl合金を蒸着することで、形成する。AlまたはAl合金を蒸着後に、レジストパターンを除去することで、レジストパターン上のAlまたはAl合金をリフトオフする。
上記の製造方法によれば、4種類の接触電極39,41,42,44は、すべてTiAlSi合金で形成し、配線45,46,47はAlまたはAl合金で形成する。このため、NiAl3のような電気抵抗が高い金属間化合物が生じることがない。
Claims (12)
- 接触電極と、該接触電極と導通する配線とを備える、炭化珪素の半導体装置であって、
前記接触電極が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、前記炭化珪素に接触し、
前記配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、前記接触電極と接触することで該接触電極と前記導通をとることを特徴とする、半導体装置。 - 前記接触電極と前記配線とが直接接触しないように、該接触電極と該配線との間にバリア層を介在させ、前記配線および接触電極は、該バリア層に接触することで前記導通をとることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記バリア層が、{チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、チタン窒化物、タンタル窒化物、タングステン窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン珪化物、タンタル珪化物、タングステン珪化物、ニオブ珪化物、バナジウム珪化物、ジルコニウム珪化物}のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記接触電極は、前記炭化珪素にオーミック接触することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記接触電極は、前記炭化珪素のn型領域およびp型領域の両方にオーミック接触することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置が、MOSFETであり、前記接触電極が、ソース電極またはドレイン電極であり、該接触電極がソース電極の場合、該ソース電極は、ソース領域および該ソース領域と反対導電型の反転部形成領域へのコンタクト領域の両方に接触するものであり、前記配線が、ソース内部配線またはドレイン配線であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置が、JFETであり、前記接触電極が、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極であり、前記配線が、ソース配線、ゲート配線、およびドレイン配線であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に、炭化珪素エピタキシャル層を形成する工程と、
前記炭化珪素エピタキシャル層上に、チタン、アルミニウム、およびケイ素を含有する合金の電極をオーミック接触するように形成する工程と、
前記電極に接触して、アルミニウムまたはアルミニウム合金の配線を設けることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記電極を形成する工程では、前記炭化珪素エピタキシャル層上に、(1)チタン層を形成し、次いで該チタン層上にアルミニウム層を形成し、さらに該アルミニウム層上に珪素層を形成した上で、または、(2)チタン、アルミニウムおよび珪素の混合層を形成した上で、熱処理をして合金化することを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記合金電極の形成の後、前記配線を設ける前に、前記合金電極に接触して、バリア層を形成する工程を備え、前記配線は前記バリア層に接触するように設けることを特徴とする、請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素エピタキシャル層の形成後で、前記合金電極の形成前に、前記炭化珪素エピタキシャル層に、該炭化珪素のn型領域およびp型領域を形成し、前記合金電極を、前記n型領域およびp型領域の両方にオーミック接触するように形成することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記合金電極が2つ以上あり、前記炭化珪素エピタキシャル層の形成後で、前記合金電極の形成前に、前記炭化珪素エピタキシャル層に、該炭化珪素のn型領域およびp型領域の両方を形成し、前記n型領域にオーミック接触する第1の合金電極およびp型領域にオーミック接触する第2の合金電極を同じ処理機会に同じ材料で形成することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013080584A1 (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2013168484A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2015191065A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Hrl Laboratories, Llc | Ta based ohmic contact |
JP2017011129A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2018125443A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP7452076B2 (ja) | 2020-02-19 | 2024-03-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2479372B (en) * | 2010-04-07 | 2013-07-24 | Ge Aviat Systems Ltd | Power switches for aircraft |
CN102859661B (zh) * | 2010-04-14 | 2015-12-16 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅半导体器件及其制造方法 |
JP5633328B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2014-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5728954B2 (ja) | 2011-01-13 | 2015-06-03 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6042658B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-12-14 | トヨタ自動車株式会社 | SiC半導体素子の製造方法 |
JP5464192B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP2013122982A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013232561A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置 |
JP2013235895A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6068918B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2017-01-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015032614A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9991376B2 (en) | 2013-09-20 | 2018-06-05 | Monolith Semiconductor Inc. | High voltage MOSFET devices and methods of making the devices |
US9214572B2 (en) * | 2013-09-20 | 2015-12-15 | Monolith Semiconductor Inc. | High voltage MOSFET devices and methods of making the devices |
JP6237046B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-11-29 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US10258256B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-04-16 | TechMah Medical | Bone reconstruction and orthopedic implants |
JP6125420B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-05-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
JP6256148B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9728608B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, inverter circuit, and vehicle |
JP2017059600A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6922202B2 (ja) | 2016-12-07 | 2021-08-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR102335489B1 (ko) * | 2016-12-13 | 2021-12-03 | 현대자동차 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10957791B2 (en) * | 2019-03-08 | 2021-03-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power device with low gate charge and low figure of merit |
CN110349839B (zh) * | 2019-06-21 | 2021-03-12 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法 |
CN113889534A (zh) * | 2021-09-27 | 2022-01-04 | 南方科技大学 | 无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法 |
CN114799394A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-07-29 | 贵州理工学院 | 一种泡沫钛原位生成Ti7Al5Si12增强钎缝的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01268121A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | シリコン系半導体素子のオーミック電極形成方法 |
JPH0332061A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2002075909A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置 |
JP2008244456A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009059803A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2009094203A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61137367A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US5221853A (en) * | 1989-01-06 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | MOSFET with a refractory metal film, a silicide film and a nitride film formed on and in contact with a source, drain and gate region |
SE504916C2 (sv) * | 1995-01-18 | 1997-05-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande för att åstadkomma en ohmsk kontakt jämte halvledarkomponent försedd med dylik ohmsk kontakt |
US6350704B1 (en) * | 1997-10-14 | 2002-02-26 | Micron Technology Inc. | Porous silicon oxycarbide integrated circuit insulator |
DE19925233A1 (de) * | 1998-06-08 | 1999-12-09 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit ohmscher Kontaktierung und Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung |
GB0118000D0 (en) * | 2001-07-24 | 2001-09-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacture of semiconductor devices with schottky barriers |
US7262434B2 (en) * | 2002-03-28 | 2007-08-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer |
US7221010B2 (en) * | 2002-12-20 | 2007-05-22 | Cree, Inc. | Vertical JFET limited silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors |
JP5033305B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2012-09-26 | 株式会社日立製作所 | 炭化珪素半導体装置 |
JP5098294B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-12-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR20090089362A (ko) * | 2006-11-10 | 2009-08-21 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5286677B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2013-09-11 | トヨタ自動車株式会社 | P型4H−SiC基板上のオーミック電極の形成方法 |
CN102007595B (zh) * | 2008-04-15 | 2013-12-25 | 住友电气工业株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5682556B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2015-03-11 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-05-22 JP JP2009124617A patent/JP4858791B2/ja active Active
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-
2015
- 2015-06-19 US US14/744,407 patent/US20150287598A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01268121A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | シリコン系半導体素子のオーミック電極形成方法 |
JPH0332061A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2002075909A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置 |
JP2008244456A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009059803A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2009094203A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013080584A1 (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8916462B2 (en) | 2011-12-02 | 2014-12-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2013168484A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013235893A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US9177856B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
WO2015191065A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Hrl Laboratories, Llc | Ta based ohmic contact |
US9646839B2 (en) | 2014-06-11 | 2017-05-09 | Hrl Laboratories, Llc | Ta based ohmic contact |
JP2017011129A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10347725B2 (en) | 2015-06-23 | 2019-07-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device that facilitates a reduction in the occurrences of cracking in a semiconductor layer accompanying thermal stress |
JP2018125443A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
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