JP2010141306A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上に、ゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
   シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、希ガスとを混合し、高周波電力を印加して前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
   シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体を混合し、高周波電力を印加して、前記第１の半導体層上に半導体層を堆積して、前記ゲート絶縁層上に第２の半導体層を形成し、
   前記第２の半導体層上に、不純物元素を含む半導体層を形成し、
   前記不純物元素を含む半導体層上に導電層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
2. 請求項１において、前記第１の半導体層は微結晶半導体領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
3. 請求項１または２において、前記第２の半導体層は、第１の微結晶半導体領域と、前記第１の微結晶半導体領域上の第２の微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
4. 請求項１または２において、前記第２の半導体層は、第１の微結晶半導体領域と、前記第１の微結晶半導体領域上の第２の微結晶半導体領域及び第１の非晶質半導体領域と、前記第２の微結晶半導体領域及び前記第１の非晶質半導体領域上の第２の非晶質半導体領域とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体の他に希ガスを混合して前記第２の半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記希ガスはアルゴンであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、前記窒素を含む気体はアンモニアであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。