JP2009302524A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層に接し、チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層と、
   一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、を有し、
   前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
2. 絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層に接し、チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層と、
   一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、
   前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層と前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層との間に、非晶質半導体により構成されるバッファ層と、を有し、
   前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
3. 請求項１または２において、前記ＮＨ基は、前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層に含まれる半導体原子同士を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記ＮＨ基の窒素原子は、前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層の第１の半導体原子、第２の半導体原子、及び水素原子と結合することを特徴とする薄膜トランジスタ。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０^１８ｃｍ^−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
6. 絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層に接し、非晶質半導体を含む第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層に積層され、非晶質半導体を含む第２の半導体層と、
   一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、を有し、
   前記第１の半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
7. 請求項６において、前記ＮＨ基は、前記第１の半導体層に含まれる半導体原子同士を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
8. 請求項６または７において、前記ＮＨ基の窒素原子は、前記第１の半導体層の第１の半導体原子、第２の半導体原子、及び水素原子と結合することを特徴とする薄膜トランジスタ。
9. 請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０^１８ｃｍ^−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層は、ソース領域又はドレイン領域としての機能を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。