JP2010103158A - 双方向スイッチ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】双方向スイッチは、第1のオーミック電極15、第1のゲート電極17、第2のゲート電極18及び第2のオーミック電極16を有する複数の単位セル11を備えている。第1のゲート電極15は、第1の引き出し配線31を介して第1のゲート電極パッド43と電気的に接続されている。第2のゲート電極18は、第2の引き出し配線32を介して第2のゲート電極パッド44と電気的に接続されている。第1のゲート電極パッド43との間の配線距離が最も短い第1のゲート電極17を有する単位セル11は、第2のゲート電極パッド44との間の配線距離が最も短い第2のゲート電極18を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1(a)〜(b)は第1の実施形態に係る双方向スイッチであり、(a)は平面構成を示し、(b)は(a)のIb−Ib線における断面構成を示している。
L1は、第1のゲート電極パッド43の接続部分33が第1の引き出し配線31と接するエッジ部分と第2のゲート電極パッド44の接続部分34が第2の引き出し配線32と接するエッジ部分との位置のずれ量つまり、第1のゲート電極17の配線距離の起点と第2のゲート電極18の配線距離の起点とのずれ量であり、LG1G2は第1のゲート電極17と第2のゲート電極18との間隔である。
第2のゲート電極パッドが第2の引き出し配線における第1のゲート電極パッドと反対側に形成されている従来の双方向スイッチの場合には、このような関係は成り立たない。
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図8は第2の実施形態に係る双方向スイッチの平面構成を示している。図8において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
15 第1のオーミック電極
16 第2のオーミック電極
17 第1のゲート電極
18 第2のゲート電極
20 中心線
21 基板
22 半導体層
22A 活性領域
22B 高抵抗領域
23 バッファ層
24 チャネル層
25 バリア層
27 絶縁膜
31 第1の引き出し配線
32 第2の引き出し配線
33 接続部分
34 接続部分
36 第3の引き出し配線
37 接続部分
38 第4の引き出し配線
39 接続部分
41 第1のオーミック電極パッド
42 第2のオーミック電極パッド
43 第1のゲート電極パッド
44 第2のゲート電極パッド
51 裏面電極
52 配線金属
Claims (11)
- 基板の上に形成された半導体層並びに該半導体層の上に互いに間隔をおいて順次形成された第1のオーミック電極、第1のゲート電極、第2のゲート電極及び第2のオーミック電極を有する複数の単位セルと、
前記半導体層の上に形成され、前記第1のゲート電極同士を電気的に接続して前記第1のゲート電極と交差する方向に延びる第1の引き出し配線と、
前記単位セルを挟んで第1の引き出し配線と反対側に形成され、前記第2のゲート電極同士を接続して前記第2のゲート電極と交差する方向に延びる第2の引き出し配線と、
前記第1の引き出し配線と電気的に接続された第1のゲート電極パッドと、
前記第2の引き出し配線と電気的に接続された第2のゲート電極パッドとを備え、
前記複数の単位セルのうちの、前記第1のゲート電極パッドとの間の配線距離が最も短い第1のゲート電極を有する単位セルは、前記第2のゲート電極パッドとの間の配線距離が最も短い第2のゲート電極を有することを特徴とする双方向スイッチ。 - 前記第1のゲート電極パッドは、前記第1の引き出し配線における一方の端部に形成され、
前記第2のゲート電極パッドは、前記第2の引き出し配線における前記第1のゲート電極パッドと同じ側の端部に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の双方向スイッチ。 - 前記第1のゲート電極パッドが形成された側から数えてn番目の単位セルとn+1番目の単位セルとにおける前記第1のゲート電極及び第2のゲート電極の配線距離の間には、以下の式(1)に示す関係が成り立つことを特徴とする請求項2に記載の双方向スイッチ。
|(LG1(n+1)−LG1(n))−(LG2(n+1)−LG2(n))| = 2LG1G2 ・・・ (1)
但し、nは自然数であり、LG1(n)はn番目の前記単位セルに含まれる前記第1のゲート電極と前記第1のゲート電極パッドとの配線距離であり、前記LG1(n+1)はn+1番目の前記単位セルに含まれる前記第1のゲート電極と前記第1のゲート電極パッドとの配線距離であり、LG2(n)はn番目の前記単位セルに含まれる前記第2のゲート電極と前記第2のゲート電極パッドとの配線距離であり、LG2(n+1)はn+1番目の前記単位セルに含まれる前記第2のゲート電極と前記第2のゲート電極パッドとの配線距離であり、LG1G2は前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間隔である。 - 複数の前記単位セルのそれぞれにおいて、前記第1のゲート電極と前記第1のゲート電極パッドとの間の配線距離と、前記第2のゲート電極と前記第2のゲート電極パッドとの間の配線距離とは等しいことを特徴とする請求項1に記載の双方向スイッチ。
- 前記第1のゲート電極パッド及び第2のゲート電極パッドは、前記半導体基板における前記第1の引き出し配線及び第2の引き出し配線が延びる方向の中心線に対して対称となるように形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の双方向スイッチ。
- 前記第1のゲート電極パッド及び第2のゲート電極パッドは、前記半導体基板の中心点に対して対称となるように形成されていることを特徴とする請求項4に記載の双方向スイッチ。
- 前記第1のゲート電極パッド及び第2のゲート電極パッドは、それぞれ前記第1の引き出し配線及び第2の引き出し配線と一体に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の双方向スイッチ。
- 前記第1のオーミック電極と電気的に接続された第1のオーミック電極パッドと、
前記第2のオーミック電極と電気的に接続された第2のオーミック電極パッドとをさらに備え、
前記半導体層は、活性領域と該活性領域を囲む高抵抗領域とを有し、
前記第1のオーミック電極パッド及び第2のオーミック電極パッドの少なくとも一部は、前記活性領域の上に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の双方向スイッチ。 - 前記第1のゲート電極パッド及び第2のゲート電極パッドの少なくとも一部は、前記活性領域の上に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の双方向スイッチ。
- 前記第1のオーミック電極と電気的に接続された第1のオーミック電極パッドと、
前記第2のオーミック電極と電気的に接続された第2のオーミック電極パッドとをさらに備え、
前記第2のオーミック電極パッドは、前記半導体層の上に形成され、
前記第1のオーミック電極パッドは、前記半導体基板の前記半導体層が形成された面とは反対側の面の上に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の双方向スイッチ。 - 前記半導体層は、前記基板側から順次形成された第1の窒化物半導体層及び該第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層とを有していることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の双方向スイッチ。
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