JP2010062513A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010062513A JP2010062513A JP2008317497A JP2008317497A JP2010062513A JP 2010062513 A JP2010062513 A JP 2010062513A JP 2008317497 A JP2008317497 A JP 2008317497A JP 2008317497 A JP2008317497 A JP 2008317497A JP 2010062513 A JP2010062513 A JP 2010062513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor substrate
- region
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 384
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 147
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 135
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66136—PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Abstract
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、n型の半導体基板にp型半導体領域をその上面の一部に露出するように形成するp型領域形成工程と、半導体基板の上面に露出するn型半導体領域にショットキ接触するショットキ電極を形成する第1電極形成工程と、半導体基板の上面に露出するp型半導体領域にオーミック接触するオーミック電極を形成する第2電極形成工程を備えている。オーミック電極は、ショットキ電極とは異なる材料によって形成される。そして、第1電極形成工程は、第2電極形成工程よりも先に実施される。
【選択図】図1
Description
この種の半導体装置では、逆方向バイアス時において、pnダイオード構造部で発生する空乏層がショットキバリアダイオード構造部まで伸びることから、ショットキバリアダイオード構造部におけるリーク電流やサージ耐力の低さが改善される。一方、順方向バイアス時においては、ショットキバリアダイオード構造部によって、低いオン抵抗や高速な逆回復時間が実現される。
特許文献2にも、ジャンクションバリアショットキダイオード構造を有する半導体装置が記載されている。この半導体装置は、上面にメサ状のp型半導体領域を有するn型の半導体基板を備えている。半導体基板の上面には、ショットキ電極とオーミック電極がそれぞれ形成されている。ショットキ電極は、半導体基板の上面に露出するn型半導体領域にショットキ接触している。オーミック電極は、半導体基板の上面に露出するp型半導体領域にオーミック接触している。
特許文献2の半導体装置では、ショットキ電極とオーミック電極が区別して形成されている。しかしながら、特許文献2の半導体装置では、先にオーミック電極が形成され、その後にショットキ電極が形成されている。この形成手順であると、ショットキ電極を形成する際に、半導体基板の表面にオーミック電極の材料が残存するおそれがある。半導体基板とショットキ電極とのショットキ接触性は、その間に異質な物質が介在することによって大きく変化し、例えばリーク電流の増大といった問題を引き起こす。
上記の問題を鑑み、本発明は、ジャンクションバリアショットキダイオード構造を有する半導体装置の特性を向上し得る技術を提供する。
この製造方法によると、半導体基板とショットキ電極の間に、オーミック電極の材料が介在することがない。それにより、特性の優れた半導体装置を製造することができる。
本発明に係る製造方法では、ショットキ電極の形成後に、オーミック電極の形成を行う。そのことから、ショットキ電極を上方から覆うように、オーミック電極を形成することができる。オーミック電極がショットキ電極を覆うことにより、ショットキ電極とオーミック電極が一体化された構造となり、両者の導通性を十分に確保することができる。
そのことから、前記した第1電極形成工程は、p型領域形成工程よりも先に実施されることが好ましい。
具体的には、第1電極形成工程において、半導体基板の上面の一部又は全部にショットキ電極を形成する工程と、形成したショットキ電極に半導体基板の上面を露出する開口を形成する工程を実施する。次いで、p型領域形成工程では、ショットキ電極に形成した開口を通じて、半導体基板の上面からp型不純物の導入を行う。そして、第2電極形成工程では、ショットキ電極に形成した開口を通じて、半導体基板の上面に前記オーミック電極を形成する。この手法によると、半導体基板の上面にp型半導体領域が形成される範囲と、半導体基板の上面にオーミック電極が形成される範囲を、正確に一致させることができる。
上記したp型半導体領域の構造によると、p型不純物を比較的に高濃度に含む第1部分領域によって、オーミック電極との良好なオーミック接触性が実現されるとともに、p型不純物を比較的に低濃度に含む第2部分領域によって、n型半導体領域との境界面に結晶欠陥が生成されることが防止され、pnダイオード構造部におけるリーク電流の増大を抑制することができる。
この製造方法では、二種類のp型不純物を、半導体基板の同一領域に導入し、熱拡散させる。二種類のp型不純物は、拡散係数が互いに異なることから、熱拡散する範囲が互いに異なる。即ち、第1種類のp型半導体よりも、第2種類のp型半導体の方が、拡散係数が高いことから、熱拡散する範囲が広くなる。その結果、形成されるp型半導体領域の一部には、第1種類及び第2種類のp型不純物の両者が存在し、p型不純物を比較的に高濃度に含む第1部分領域が形成される。そして、第1部分領域の周囲には、第2種類のp型不純物のみが存在し、p型不純物を比較的に低濃度に含む第2部分領域が形成される。
この製造方法によると、濃度差を有する第1部分領域と第2部分領域を形成する際に、マスクを共通化することができ、第1部分領域を形成するためのマスクと、第2部分領域を形成するためのマスクを、それぞれ用意する必要がない。
この製造方法では、マスクの開口を通じて一度目のp型不純物の導入を行い、等方性エッチングによってマスクの開口を拡大させ、その拡大させた開口を通じて二度目のp型不純物の導入を行う。その結果、形成されるp型半導体領域の一部には、p型不純物の導入が二度に亘って行われ、p型不純物を比較的に高濃度に含む第1部分領域が形成される。そして、第1部分領域の周囲には、p型不純物の導入が一度のみ行われ、p型不純物を比較的に低濃度に含む第2部分領域が形成される。
この製造方法によると、濃度差を有する第1部分領域と第2部分領域を形成する際に、一度目のp型不純物の導入で用いたマスクを、二度目のp型不純物の導入にも有効に利用することができる。二度目のp型不純物を導入する際に、一度目のp型不純物の導入で用いたマスクを除去する必要がなく、また、二度目のp型不純物の導入に用いるマスクを新規に形成する必要もない。
上記した半導体装置は、ショットキ電極をオーミック電極よりも先に形成する技術により、初めて得られる電極構造を有している。即ち、この半導体装置は、上記した製造方法によって初めて得られるものであり、半導体基板とショットキ電極との間で安定したショットキ接触性を示すものとなる。
(形態1) 半導体基板は、六方晶構造の4H−SiC又は6H−SiCであることが好ましい。
(形態2) オーミック電極は、ショットキ電極の全体を上方から覆っており、半導体基板の上面に形成された上面電極の大部分を構成していることが好ましい。
(形態3) ショットキ電極とそれを覆うオーミック電極は、他の導電性材料を介することなく直接的に接触していることが好ましい。ただし、オーミック電極は、他の導電性材料を介してショットキ電極を覆っていてもよく、オーミック電極とショットキ電極が、の導電性材料を介して電気的に接続されていてもよい。
(形態4) p型半導体領域は、基板面内の少なくとも一方向に沿って、繰り返し(断続的に)形成されていることが好ましい。例えば、p型半導体領域が基板面内の一方向に沿って繰り返し存在するように、p型半導体領域をストライプ状に形成することが好ましい。あるいは、p型半導体領域が基板面内の二方向に沿って繰り返し存在するように、p型半導体領域を格子状に形成することも好ましい。さらに、p型半導体領域が基板面内の三方向に沿って繰り返し存在するように、p型半導体領域をハニカム状に形成することも好ましい。
(形態5) オーミック電極は、アルミニウム又はニッケルを用いて形成することが好ましい。
(形態6) ショットキ電極は、ニッケル、チタン、モリブデンのいずれかを用いて形成することが好ましい。ただし、オーミック電極をニッケルによって形成する場合は、ショットキ電極をチタン又はモリブデンで形成することが好ましい。
本発明の第1実施例について図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施例である半導体装置10の構造を示す断面図である。半導体装置10は、ショットキバリアダイオード構造部12とpnダイオード構造部14が交互に形成された、いわゆるジャンクションバリアショットキダイオード(JBS)である。
図1に示すように、半導体装置10は、主に、半導体基板30と、半導体基板30の上面30aに形成された上部電極20と、半導体基板30の下面30bに形成された下部電極50を備えている。
p型半導体領域36は、ドリフト層34の上層部分に形成されており、半導体基板30の上面30aに露出している。本実施例の半導体装置10では、一例として、p型の不純物にアルミニウム(Al)が用いられており、その不純物濃度は1.0×1019/cm3に調整されている。
図3は、図1中のIII部分を拡大して示している。本実施例の半導体装置10では、一例として、p型半導体領域36の幅Aが2μmとなっており、p型半導体領域36のピッチ(間隔)Bが2μmとなっており、その厚みDが0.5μmとなっている。ただし、p型半導体領域36の各寸法は、これらの数値に限定されない。
なお、本実施例のショットキ電極22はモリブデンによって形成されており、本実施例のオーミック電極24はアルミニウムによって形成されている。
半導体装置10の第1の製造方法について説明する。図5は、半導体装置10の第1の製造方法の流れを示すフローチャートである。以下、図5に示すフローチャートに沿って、半導体装置10の第1の製造方法について詳細に説明する。なお、この製造方法では、一般的な製造方法と同様に、単一のウエハから複数の半導体装置10が同時に製造される。
先ず、ステップS10では、図6に示すように、炭化珪素からなるn型の半導体基板30を準備する。半導体基板30の結晶構造は、例えば六方晶(4H構造や6H構造)が好ましい。半導体基板30には、その下面30b側から順に、n型の不純物を高濃度に含むコンタクト層32と、n型の不純物を低濃度に含むドリフト層34を形成する。半導体基板30の製造方法は特に限定されない。本実施例では、コンタクト層32となるn型の炭化珪素ウエハ(4H構造)を用意し、その上にドリフト層34をエピタキシャル結晶成長させている。ここで、炭化珪素ウエハの不純物濃度は5×1018/cm3とし、ドリフト層34の不純物濃度は5×1015/cm3とする。また、成長させるドリフト層34の厚みは13μmとする。
次に、ステップS30では、図8に示すように、ショットキ電極膜22fの一部を除去し、複数の開口部22hを形成するエッチング処理を行う。この処理は、フォトリソグラフィによりパターニングしたマスク101を形成した後、反応性イオンエッチング(RIE)によって行うことができる。ショットキ電極膜22fに形成する開口部22hの位置は、後の工程でp型半導体領域36を形成する範囲に対応させる。従って、本実施例の製造方法では、開口部22hをストライプ状に形成する。ここで、開口部の幅Bはp型半導体領域36のピッチB(図3参照)に等しく、開口部のピッチ(間隔)Aはp型半導体領域36の幅A(図3参照)に等しい。このステップS30の工程より、ショットキ電極22の大部分の成形(周縁部を除く)が完了する。開口部22hを形成した後、マスク101は取り除いておく。
p型不純物の導入後、半導体基板30を約900℃まで加熱するアニール処理を実施する。このアニール処理により、導入されたp型不純物が活性化するとともに、ショットキ電極22の特定を安定化させることができる。
次に、ステップS70において下部電極50を形成することにより、図1に示す半導体装置10の構造を得ることができる。
即ち、例えばオーミック電極24を先に形成し、その後にショットキ電極22を形成する場合を想定する。この場合、先ず、半導体基板30に、p型半導体領域36を形成する。次いで、半導体基板30の上面30aに、オーミック電極膜(アルミニウム膜)を形成する。次いで、オーミック電極膜の一部を除去し、ドリフト層34を露出させる。次いで、露出させたドリフト層34の表面に、ショットキ電極22を形成する。この手順であると、ドリフト層34の表面に、オーミック電極24の材料(アルミニウム)が残存するおそれがある。ドリフト層34の表面にオーミック電極24の材料が残存していると、ショットキ電極22とのショットキ接触性に影響を与え、例えばリーク電流の増加といった問題が発生する。この問題を解決するためには、オーミック電極膜を形成する際に、例えばドリフト層34の表面をマスクによって覆っておくことが考えられる。しかしながら、そのマスクを形成するための工程を別に設ける必要があるとともに、そのマスクの材料がドリフト層34の表面に残存するといった新たな問題も発生する。
その一方において、本実施例の第1の製造方法のように、ショットキ電極22をオーミック電極24よりも先に形成する手順であると、ショットキ電極22とドリフト層34との間に異質な物質が残存するおそれがない。それにより、ショットキ電極22の特性が安定し、特性の優れた半導体装置10を製造することが可能となる。
半導体装置10の第2の製造方法について説明する。図12は、半導体装置10の第2の製造方法の流れを示すフローチャートである。以下、図12に示すフローチャートに沿って、半導体装置10の第1の製造方法について詳細に説明する。この製造方法においても、一般的な製造方法と同様に、単一のウエハから複数の半導体装置10が同時に製造される。
先ず、ステップS110では、先に説明した第1の製造方法のステップS10と同様に、炭化珪素からなるn型の半導体基板30を準備する(図6参照)。
次に、ステップS120では、半導体基板30にその上面30aからp型不純物(アルミニウム)を導入し、p型半導体領域36の形成を行う。p型不純物の導入は、マスク(SiO2)103を形成した後、例えばイオン注入によって行うことができる。p型不純物は、マスク103に形成された開口部103hを通じて半導体基板30に導入される。
次に、ステップS140では、図15に示すように、ショットキ電極膜22fの一部を除去し、複数の開口部22hを形成するエッチング処理を行う。この処理は、フォトリソグラフィによりパターニングしたマスク104を形成した後、反応性イオンエッチング(RIE)によって行うことができる。ショットキ電極膜22fに形成する開口部22hの位置は、p型半導体領域36を形成した範囲に対応させる。即ち、開口部22hは、ストライプ状に形成される。開口部22hを形成した後、マスク104は取り除いておく。
p型不純物の導入後、半導体基板30を約900まで加熱するアニール処理を実施する。このアニール処理により、導入されたp型不純物が活性化するとともに、ショットキ電極22の特定を安定化させることができる。
次に、ステップS160では、先に説明した第1の製造方法のステップS10と同様に、上部電極20の周縁部20cを除去する(図11参照)。
次に、ステップS170において下部電極50を形成することにより、図1に示す半導体装置10の構造を得ることができる。
本発明の第2実施例について図面を参照して説明する。図17は、本発明の第2実施例である半導体装置110の構造を示す断面図である。図18は、図17中のXVIII部の拡大図を示す。半導体装置110は、第1実施例の半導体装置10と同じく、ショットキバリアダイオード構造部112とpnダイオード構造部114が交互に形成された、いわゆるジャンクションバリアショットキダイオード(JBS)である。
第2実施例の半導体装置110の第1の製造方法について説明する。図19は、第2実施例の半導体装置110の第1の製造方法の流れを示すフローチャートである。以下、図19に示すフローチャートに沿って、半導体装置110の第1の製造方法について詳細に説明する。この製造方法においても、一般的な製造方法と同様に、単一のウエハから複数の半導体装置110が同時に製造される。
次に、ステップS240では、図23に示すように、同じマスク202の開口202hを通じて、半導体基板130に、p型不純物であるボロンをイオン注入する。ボロンを注入する領域は、第1部分領域136aを形成する領域に略等しくする。即ち、ボロンを注入する領域は、先にアルミニウムを注入した領域と略等しい。一方、注入するボロンの濃度は、第2部分領域136b濃度に合わせ、ここでは1.0×1019/cm3とする。ボロンの注入後、マスク202はフッ酸によって除去しておく。
アルミニウムとボロンは、異種のp型不純物であり、熱拡散させたときの拡散係数が互いに異なる。具体的には、炭化珪素中において、ボロンの拡散係数は2.5×10−13cm2/秒であり、アルミニウムの拡散係数は3.0×10−14cm2/秒であり、ボロンの拡散係数はアルミニウムの拡散係数よりも十分に(10倍以上)高い。従って、ボロンが熱拡散する範囲は、アルミニウムが熱拡散する範囲よりも有意に広くなる。その結果、アルミニウムとボロンをイオン注入した領域には、アルミニウムとボロンの両者が存在し、p型不純物を比較的に高濃度に含む第1部分領域136aが形成される。そして、第1部分領域136aの周囲には、ボロンのみが熱拡散して存在し、p型不純物を比較的に低濃度に含む第2部分領域136bが形成される。
このように、拡散係数の異なる二種類のp型不純物を用いることにより、濃度差を有する第1部分領域136aと第2部分領域136bを、共通のマスク202を用いて形成することができる。なお、本実施例ではボロンとアルミニウムの組み合わせを採用しているが、この組み合わせに限定されるものではなく、拡散係数が互いに異なる異種の材料であればよい。また、二種類のp型不純物を半導体基板130に導入する際には、いずれを先に導入してもよいし、あるいは、同時に導入することも可能である。
次に、ステップS270では、図26に示すように、半導体基板130の上面130aに、オーミック電極124を形成する。また、半導体基板130の下面130bに、下部電極150を形成する。オーミック電極124及び下部電極150は、例えばアルミニウムによって形成することができる。オーミック電極124は、ショットキ電極122よりも十分に厚く形成する。それにより、ショットキ電極122の略全体を、オーミック電極124が上方及び側方から覆う構造とする。
最後に、ショットキ電極122とオーミック電極124の特性を安定させるために、アニール処理を実施する。以上により、第2実施例の半導体装置110の素子構造が完成する。
第2実施例の半導体装置110の第2の製造方法について説明する。図27は、第2実施例の半導体装置110の第2の製造方法の流れを示すフローチャートである。以下、図27に示すフローチャートに沿って、半導体装置110の第2の製造方法について詳細に説明する。この製造方法においても、一般的な製造方法と同様に、単一のウエハから複数の半導体装置110が同時に製造される。
次に、ステップS320では、図29に示すように、炭化珪素からなるn型の半導体基板130を準備する。このステップS310は、先に説明した第1の製造方法のステップS210と同じ工程であり、準備する半導体基板130も同じものである。
次に、ステップS320では、図30に示すように、半導体基板130の上面130aに、複数の開口202hを有するマスク202を形成する。このステップS320は、先に説明した第1の製造方法のステップS220と同じ工程であり、形成するマスク202も同じものである。即ち、マスク202は、酸化シリコンで形成することができ、その暑さを例えば2.5μmとすることができる。また、マスク202には、p型半導体領域136の第1部分領域136aに合わせて、複数の開口202hを形成する。
次に、ステップS340では、図31に示すように、マスク202に対して等方性のウエットエッチングを実施する。このウエットエッチングは、マスク202を完全に除去するものではなく、マスク202をその表面側から部分的に除去し、マスク202の開口202hを拡大させるものである。このウエットエッチングにより、マスク202の開口202hを、第2部分領域136bを含めたp型半導体領域136の大きさに対応するまで拡大する。即ち、開口202hの幅については、第2部分領域136bの幅A2に略等しくなるまで、マスク202のウエットエッチングを実施する。なお、開口202hは、幅方向だけでなく、長手方向にも拡大する。
ここで、ウエットエッチングに用いるエッチャントは、マスク202を形成した材料に応じて適宜選択するとよい。例えば、マスク202を形成した材料が酸化シリコンである場合、エッチャントにはフッ酸を用いることが好ましい。また、このステップS340では、ウエットエッチングに限られず、マスク202を等方的にエッチングできるものであれば、反応ガスを用いたドライエッチングを実施してもよい。
その後、半導体基板130にアニール処理を行い、イオン注入したアルミニウムイオンを活性化させ、結晶構造内に拡散させる。その結果、半導体基板130に、複数のp型半導体領域136が形成される。形成されたp型半導体領域136には、その一部に、アルミニウムの導入が二度に亘って行われ、アルミニウムを比較的に高濃度に含む第1部分領域136aが形成される。そして、第1部分領域136aの周囲には、アルミニウムの導入が一度のみ行われ、アルミニウムを比較的に低濃度に含む第2部分領域136bが形成される。
次に、ステップS370では、図34に示すように、半導体基板130の上面130aに、オーミック電極124を形成する。また、半導体基板130の下面130bに、下部電極150を形成する。オーミック電極124及び下部電極150は、例えばアルミニウムによって形成することができる。オーミック電極124は、ショットキ電極122よりも十分に厚く形成する。それにより、ショットキ電極122の略全体を、オーミック電極124が上方及び側方から覆う構造とする。
最後に、ショットキ電極122とオーミック電極124の特性を安定させるために、アニール処理を実施する。以上により、第2実施例の半導体装置110の素子構造が完成する。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12、112:ショットキバリアダイオード構造部
14、114:pnダイオード構造部
20、120:上部電極
20c:周縁部
22、122:ショットキ電極
24、124:オーミック電極
30、130:半導体基板
30a、130a:半導体基板の上面
30b、130b:半導体基板の下面
32、132:コンタクト層
34、134:ドリフト層
36、136:p型半導体領域
136a:p型半導体領域の第1部分領域
136b:p型半導体領域の第2部分領域
50、150:下部電極
Claims (15)
- 半導体装置の製造方法であって、
n型の半導体基板にp型半導体領域をその半導体基板の上面の一部に露出するように形成するp型領域形成工程と、
前記半導体基板の上面に露出するn型半導体領域にショットキ接触するショットキ電極を形成する第1電極形成工程と、
前記半導体基板の上面に露出するp型半導体領域にオーミック接触するオーミック電極を、ショットキ電極とは異なる材料によって形成する第2電極形成工程を備え、
前記第1電極形成工程は、前記第2電極形成工程よりも先に実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2電極形成工程で形成されるオーミック電極は、前記第1電極形成工程で形成されるショットキ電極の少なくとも一部を、上方から覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1電極形成工程は、前記p型領域形成工程よりも先に実施されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型領域形成工程では、前記第1電極形成工程で形成したショットキ電極をマスクに用いて、p型不純物の導入を行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1電極形成工程は、前記半導体基板の上面の一部又は全部に前記ショットキ電極を形成する工程と、形成した前記ショットキ電極に前記半導体基板の上面を露出する開口を形成する工程を有し、
前記p型領域形成工程では、前記ショットキ電極に形成した開口を通じて、前記半導体基板の上面からp型不純物の導入を行い、
前記第2電極形成工程では、前記ショットキ電極に形成した開口を通じて、前記半導体基板の上面に前記オーミック電極を形成する、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板には、n型不純物を比較的に低濃度に含むドリフト層と、n型不純物を比較的に高濃度に含むコンタクト層が、その上面側から順に形成されており、
前記ドリフト層では、上面側におけるn型不純物の濃度よりも、コンタクト層側におけるn型不純物の濃度の方が、高くなっていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記p型領域形成工程で形成するp型半導体領域は、p型不純物を比較的に高濃度に含む第1部分領域と、p型不純物を比較的に低濃度に含む第2部分領域を有し、
前記第1部分領域は、前記半導体基板の上面に露出するとともに、前記半導体基板のn型半導体領域から離間しており、
前記第2部分領域は、前記第1部分領域の周囲に位置するとともに、前記半導体基板のn型半導体領域に隣接していることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記p型領域形成工程は、
前記半導体基板の上面に、p型半導体領域の形成範囲よりも狭い開口を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口を通じて、前記半導体基板に第1種類のp型不純物を導入する工程と、
前記マスクの開口を通じて、前記半導体基板に第1種類のp型不純物よりも拡散係数が高い第2種類のp型不純物を導入する工程と、
前記半導体基板に導入した第1種類及び第2種類のp型不純物を熱拡散させる熱処理工程と、
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記p型領域形成工程は、
前記半導体基板の上面に、p型半導体領域の形成範囲よりも狭い開口を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口を通じて、前記半導体基板にp型不純物を導入する工程と、
前記p型不純物の導入後、前記マスクに等方性エッチングを行い、その開口を拡大させる工程と、
前記マスクの拡大後の開口を通じて、前記半導体基板にp型不純物を導入する工程と、
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板は、炭化珪素で構成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された半導体装置。
- 上面の一部にp型半導体領域が露出するn型の半導体基板と、
前記半導体基板の上面に露出するn型半導体領域にショットキ接触しているショットキ電極と、
前記半導体基板の上面に露出するp型半導体領域にオーミック接触しているオーミック電極を備え、
前記オーミック電極は、前記ショットキ電極と異なる材料で形成されているとともに、前記ショットキ電極の少なくとも一部を上方から覆う構造を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記p型半導体領域は、p型不純物を比較的に高濃度に含む第1部分領域と、p型不純物を比較的に低濃度に含む第2部分領域を有し、
前記第1部分領域は、前記半導体基板の上面に露出するとともに、前記半導体基板のn型半導体領域から離間しており、
前記第2部分領域は、前記第1部分領域の周囲に位置するとともに、前記半導体基板のn型半導体領域に隣接していることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記第1部分領域には、第1種類のp型不純物と、前記第1種類のp型不純物よりも拡散係数が高い第2種類のp型不純物が存在し、
前記第2部分領域には、前記第1種類及び前記第2種類のp型不純物のうち、前記第2種類のp型不純物のみが存在することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。 - 前記第1種類のp型不純物は、アルミニウムであり、
前記第2種類のp型不純物は、ボロンであることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317497A JP5546759B2 (ja) | 2008-08-05 | 2008-12-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102009034953.7A DE102009034953B4 (de) | 2008-08-05 | 2009-07-28 | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung |
US12/461,205 US8168485B2 (en) | 2008-08-05 | 2009-08-04 | Semiconductor device making method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008201495 | 2008-08-05 | ||
JP2008201495 | 2008-08-05 | ||
JP2008317497A JP5546759B2 (ja) | 2008-08-05 | 2008-12-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010062513A true JP2010062513A (ja) | 2010-03-18 |
JP5546759B2 JP5546759B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=41501546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008317497A Expired - Fee Related JP5546759B2 (ja) | 2008-08-05 | 2008-12-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8168485B2 (ja) |
JP (1) | JP5546759B2 (ja) |
DE (1) | DE102009034953B4 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011119585A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011258662A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2012044006A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012044005A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012199537A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-10-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキーバリアダイオード |
JP2013168549A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015032627A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017152523A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体素子およびそれを用いるパワー半導体モジュール |
JP2018010988A (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2020092282A (ja) * | 2020-02-25 | 2020-06-11 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
US10964825B2 (en) | 2011-07-28 | 2021-03-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11929400B2 (en) | 2019-07-29 | 2024-03-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157547A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Showa Denko Kk | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
KR101051578B1 (ko) * | 2009-09-08 | 2011-07-22 | 삼성전기주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR101702982B1 (ko) * | 2010-07-19 | 2017-02-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
DE112013003692T5 (de) * | 2012-03-30 | 2015-04-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
TW201430957A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-01 | Anpec Electronics Corp | 半導體功率元件的製作方法 |
EP3038162B1 (en) * | 2014-12-24 | 2019-09-04 | ABB Schweiz AG | Junction barrier Schottky rectifier |
US9502522B1 (en) * | 2016-02-29 | 2016-11-22 | Chongqing Pingwei Enterprise Co., Ltd. | Mass production process of high voltage and high current Schottky diode with diffused design |
JP6786956B2 (ja) | 2016-08-25 | 2020-11-18 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP7427886B2 (ja) | 2019-09-06 | 2024-02-06 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US11309438B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-04-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
JP7371507B2 (ja) | 2020-01-22 | 2023-10-31 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US11164979B1 (en) * | 2020-08-06 | 2021-11-02 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor device |
CN113410138B (zh) * | 2021-06-15 | 2023-06-30 | 西安微电子技术研究所 | 一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法 |
EP4340035A1 (en) * | 2022-09-15 | 2024-03-20 | Nexperia B.V. | Mps diode having non-uniformly spaced wells and method for manufacturing the same |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5649461B2 (ja) * | 1976-12-27 | 1981-11-21 | ||
JPS58188158A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPH0786621A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 複合ダイオード |
JP2002359378A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003510817A (ja) * | 1999-09-22 | 2003-03-18 | サイスド エレクトロニクス デヴェロプメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト | 炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法 |
JP2005243715A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007324218A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 半導体整流素子 |
JP2008103436A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Rohm Co Ltd | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
WO2008053627A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6313482B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-11-06 | North Carolina State University | Silicon carbide power devices having trench-based silicon carbide charge coupling regions therein |
EP1203410B1 (de) * | 1999-08-06 | 2011-11-02 | Infineon Technologies AG | Halbleitererzeugnis mit einem schottky-kontakt |
US7074643B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-07-11 | Cree, Inc. | Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same |
JP2005191227A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US8901699B2 (en) * | 2005-05-11 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Silicon carbide junction barrier Schottky diodes with suppressed minority carrier injection |
US8026568B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-09-27 | Velox Semiconductor Corporation | Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance |
US7274083B1 (en) | 2006-05-02 | 2007-09-25 | Semisouth Laboratories, Inc. | Semiconductor device with surge current protection and method of making the same |
JP4396724B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2010-01-13 | 株式会社デンソー | ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP4420062B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2010-02-24 | 株式会社デンソー | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2009158519A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-12 JP JP2008317497A patent/JP5546759B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-28 DE DE102009034953.7A patent/DE102009034953B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-04 US US12/461,205 patent/US8168485B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5649461B2 (ja) * | 1976-12-27 | 1981-11-21 | ||
JPS58188158A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPH0786621A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 複合ダイオード |
JP2003510817A (ja) * | 1999-09-22 | 2003-03-18 | サイスド エレクトロニクス デヴェロプメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト | 炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法 |
JP2002359378A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005243715A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007324218A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 半導体整流素子 |
JP2008103436A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Rohm Co Ltd | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
WO2008053627A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011119585A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011258662A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2012044006A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012044005A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012199537A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-10-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキーバリアダイオード |
US11355651B2 (en) | 2011-07-28 | 2022-06-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10964825B2 (en) | 2011-07-28 | 2021-03-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11664465B2 (en) | 2011-07-28 | 2023-05-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013168549A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015032627A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017152523A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体素子およびそれを用いるパワー半導体モジュール |
JP2018010988A (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US11929400B2 (en) | 2019-07-29 | 2024-03-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
JP2020092282A (ja) * | 2020-02-25 | 2020-06-11 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP2022002333A (ja) * | 2020-02-25 | 2022-01-06 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP7166416B2 (ja) | 2020-02-25 | 2022-11-07 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP2022191488A (ja) * | 2020-02-25 | 2022-12-27 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP7455925B2 (ja) | 2020-02-25 | 2024-03-26 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8168485B2 (en) | 2012-05-01 |
JP5546759B2 (ja) | 2014-07-09 |
DE102009034953A1 (de) | 2010-02-11 |
US20100032730A1 (en) | 2010-02-11 |
DE102009034953B4 (de) | 2022-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5546759B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009158519A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5665912B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5763514B2 (ja) | スイッチング素子の製造方法 | |
JP2007036052A (ja) | 半導体整流素子 | |
JP2009224603A (ja) | ダイオードの製造方法 | |
JP2003318413A (ja) | 高耐圧炭化珪素ダイオードおよびその製造方法 | |
JP5047133B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6125748B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009224485A (ja) | ダイオードとその製造方法 | |
JP5669712B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4929594B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4532853B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5377548B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
JP5665361B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6014322B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6138619B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US8901622B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
US10854762B2 (en) | Semiconductor device | |
US9041143B2 (en) | Semiconductor devices | |
JP2007184439A (ja) | 半導体装置 | |
JP7276078B2 (ja) | ショットキーバリアダイオードとその製造方法 | |
JP2015002315A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6256008B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5806129B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110627 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140514 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5546759 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |