JP6014322B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
従来のp型オーミック電極の形成方法では、先ず、図19に示すように、SiC基板101の表面にn型SiCエピタキシャル層102をエピタキシャル成長させたSiCエピタキシャルウェハを用意する。
(1) 炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の面上に形成されたn型炭化珪素エピタキシャル層と、
前記n型炭化珪素エピタキシャル層の表層に形成されたp型不純物拡散領域と、
前記p型不純物拡散領域の面上に形成されたp型オーミック電極と、
前記p型不純物拡散領域及び前記p型オーミック電極を覆うように前記n型炭化珪素エピタキシャル層の面上に形成されたショットキー電極とを備える炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記p型オーミック電極を形成する際に、前記n型炭化珪素エピタキシャル層の前記p型不純物拡散領域が形成された面上を覆う酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜が形成された面上にレジストを塗布した後、このレジストをパターニングすることによって、前記p型不純物拡散領域が形成された位置に開口部を有する第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンの開口部から露出した部分の酸化膜をウェットエッチングにより除去することによって、この酸化膜に前記p型不純物拡散領域を露出させる孔部を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記第1のレジストパターンが除去された面上にレジストを塗布した後、このレジストをパターニングすることによって、前記酸化膜の孔部が形成された位置に開口部を有する第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンが形成された面上を覆う電極膜を形成した後、前記第2のレジストパターンを、この上に形成された電極膜と共に除去することによって、前記孔部の内側に形成された電極膜と前記酸化膜との間に隙間を有するp型オーミック電極を形成する工程と、
前記p型オーミック電極に対して熱処理を施す工程と、
前記酸化膜を除去する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
(2) 前記第1のレジストパターンには、前記p型オーミック電極の外形よりも大きい開口部を形成し、
前記第2のレジストパターンには、前記第1のレジストパターンの開口部よりも小さい開口部を形成し、且つ、この開口部を上層から下層に向かって漸次外形が大きくなる逆テーパー形状とすることを特徴とする前項(1)に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
(3) 前記酸化膜に形成される孔部が前記第1のレジストパターンの開口部よりも大きくなるまでウェットエッチングを行うことを特徴とする前項(1)又は(2)に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
(4) 前記電極膜と前記酸化膜との間に形成される隙間を1.5〜2μmの範囲とすることを特徴とする前項(1)〜(3)の何れか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
(5) 前記酸化膜として、SiO2を用い、前記電極膜として、Ti−Alを用いることを特徴とする前項(1)〜(4)の何れか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
先ず、本発明を適用して製造される炭化珪素半導体装置について説明する。
図1は、炭化珪素半導体装置1の一例として示すショットキーバリアダイオードの断面図である。
次に、上記図1に示す炭化珪素半導体装置1の製造方法について説明する。
なお、図2〜図16は、上記炭化珪素半導体装置1の製造工程を順に説明するための断面図である。
Claims (5)
- 炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の面上に形成されたn型炭化珪素エピタキシャル層と、
前記n型炭化珪素エピタキシャル層の表層に形成されたp型不純物拡散領域と、
前記p型不純物拡散領域の面上に形成されたp型オーミック電極と、
前記p型不純物拡散領域及び前記p型オーミック電極を覆うように前記n型炭化珪素エピタキシャル層の面上に形成されたショットキー電極とを備える炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記p型オーミック電極を形成する際に、前記n型炭化珪素エピタキシャル層の前記p型不純物拡散領域が形成された面上を覆う酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜が形成された面上にレジストを塗布した後、このレジストをパターニングすることによって、前記p型不純物拡散領域が形成された位置に開口部を有する第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンの開口部から露出した部分の酸化膜をウェットエッチングにより除去することによって、この酸化膜に前記p型不純物拡散領域を露出させる孔部を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記第1のレジストパターンが除去された面上にレジストを塗布した後、このレジストをパターニングすることによって、前記酸化膜の孔部が形成された位置に開口部を有する第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンが形成された面上を覆う電極膜を形成した後、前記第2のレジストパターンを、この上に形成された電極膜と共に除去することによって、前記孔部の内側に形成された電極膜と前記酸化膜との間に隙間を有するp型オーミック電極を形成する工程と、
前記p型オーミック電極と前記酸化膜の間に隙間を確保した状態で、前記p型オーミック電極に対して熱処理を施す工程と、
前記酸化膜を除去する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1のレジストパターンには、前記p型オーミック電極の外形よりも大きい開口部を形成し、
前記第2のレジストパターンには、前記第1のレジストパターンの開口部よりも小さい開口部を形成し、且つ、この開口部を上層から下層に向かって漸次外形が大きくなる逆テーパー形状とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記酸化膜に形成される孔部が前記第1のレジストパターンの開口部よりも大きくなるまでウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記電極膜と前記酸化膜との間に形成される隙間を1.5〜2μmの範囲とすることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記酸化膜として、SiO2を用い、前記電極膜として、Ti−Alを用いることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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