JP2010010707A - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】供給した液体11の蒸発が最も起りそうな時刻、基板Wの位置、速度および加速度等に関する情報をもった予定表34を用意し、液体蒸発制御装置30によってこの予定表34に従って基板Wの少なくとも一部をヒータで加熱しまたは加湿空気を送って局部蒸発を防ぐ。
【選択図】図6
Description
1.液体閉込めシステムと基板の間;
2.液体閉込めシステムによって濡らした後の基板の表面上;
3.液体閉込めシステム内部の排気チャンネル内;および
4.基板ホルダとこの基板ホルダを具備する基板テーブルとの間の側溝または隙間内である。
第1の解決策は、浸漬システム内部の大気とエアナイフ内の空気の相対湿度差を減少することによって浸漬液の寄生蒸発を減少するために、例えば、このエアナイフを介してこの浸漬システムに加湿した圧縮清浄空気を供給することである。この先行技術によれば、オーバレイ誤差並びに浸漬液およびシール部材12の存在にリンクしたその他の問題に、基板の領域での浸漬液の蒸発速度を対象とし且つ制御する、液体蒸発制御装置によって取組んだ。液体の分子が蒸発するために周囲からエネルギーを吸収し、および、特にポンプで汲出すなら、生じる冷却が、基板Wのような重要部品の温度に重要ではあるが不均一な変動を生じることがある。熱的に誘発した歪みが基板に最終的に書込む像の誤差に繋がることがある。例えば、シール部材12を通過した後に基板上の残された浸漬液の蒸発は、3Kまでの局部温度低下を生じることがある。この結果として、少なくとも20nmの単一機械オーバレイ誤差が典型的に生じるかも知れない。
この解決策は、エアナイフのためにこの液体閉込めシステム内に必要な空気の過圧は、この圧縮した空気の膨張後100%相対湿度を達成できないことを意味するので、すごく有効ではない。これは、それにも拘らずこの解決策で蒸発が起る理由である。
放射線ビームB(例えば、UV放射線またはDUV放射線)を調整するように構成した照明システム(照明器)IL;
パターニング装置(例えば、マスク)MAを支持するように構築し、且つこのパターニング装置をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した第1位置決め装置PMに結合した支持構造体(例えば、マスクテーブル)MT;
基板(例えば、レジストを塗被したウエハ)Wを保持するように構築し、且つこの基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した第2位置決め装置PWに結合した基板テーブル(例えば、ウエハテーブル)WT;および
パターニング装置MAによって放射線ビームBに与えたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に投影するように構成した投影システム(例えば、屈折性投影レンズシステム)PSを含む。
ステップモードでは、放射線ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露光で)投影しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
走査モードでは、放射線ビームの与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露光)しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期して走査する。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮)倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の幅(非走査方向の)を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ(走査方向の)を決める。
もう一つのモードでは、プログラム可能パターニング装置を保持するマスクテーブルMTを本質的に固定し、放射線ビームに与えたパターンを目標部分C上に投影しながら、基板テーブルWTを動かしまたは走査する。このモードでは、一般的にパルス化した放射線源を使用し、プログラム可能パターニング装置を基板テーブルWTの各運動後または走査中の連続する放射線パルスの間に必要に応じて更新する。この作動モードは、上に言及した型式のプログラム可能ミラーアレイのような、プログラム可能パターニング装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
溜め10は、液体を閉込めて基板表面と投影システムの最終素子の間のスペースを満たすように、この投影システムの像界の周りに基板に対する無接触シールを形成する。この溜めは、投影システムPSの最終素子の下にその周りに配置されたシール部材12によって形成する。液体をこの投影システムの下のシール部材12内のスペースに持込む。シール部材12は、この投影システムの最終素子の少し上へ伸び、液体のバッファとなるように液体レベルがこの最終素子の上へ上昇する。シール部材12の内周は、上端がこの投影システムまたはその最終素子の形状とぴったり一致するのが好ましく且つ、例えば、丸くてもよい。下端で、この内周は、この像界の形状とぴったりと一致し、例えば、長方形であるが、そうである必要はない。
上に議論したように、凝縮するより多くの液体が蒸発する理由の一つは、それが、例えば、基板Wのまたは基板テーブルWTの上面上で、大気条件に曝されることである。図6は、シール部材12に関連する基板テーブルWTを示し、矢印32は、基板テーブルWTが移動する方向、即ち、シール部材12に関する横方向を示す。どの場所で蒸発が最も多く起りそうであるかを知るために、時刻並びにシール部材12に関する基板テーブルWTの位置、速度、加速度および所定の経路、局部基板温度、局部基板テーブル温度および露光レイアウトの少なくとも一つを含む予定表34を創る。液体蒸発制御装置30を予定表34に関連して使ってもよい。この液体蒸発制御装置30は、蒸発による正味エネルギー抽出を制御する限り(蒸発それ自体を制御するのではなく)、幾つかの形を採ることができる。言換えれば、この液体蒸発制御装置の目的は、その熱エネルギーの一部を含む液体の蒸発によるこのシステムからの熱エネルギー損失を防ぐことである。例えば、液体蒸発制御装置30は、基板をシール部材の下から運び出してもこのシステムの熱平衡が一定のままであるように、入口15から供給し且つ出口14によって取出す空気16を加熱してもよい。その代りに、この蒸発制御装置30は、入口15および出口14から圧縮した加湿空気16を供給してもよい。“空気”という語によって、窒素のような、何か適当なガスを意図する。これは、特に、空気に曝せない浸漬システムで液体を使うとき真である。これは、基板Wの上面からの蒸発を減少し、それで蒸発と凝縮を釣合わせ、それによってこの浸漬システムにエネルギー平衡を創り出す。加湿空気で、抑えられるのは、基板から空気(またはこのシールに使う他のガス)への熱エネルギーの伝達ではなく、蒸発である。
代替蒸発制御装置を図7に示す。この場合、加湿したまたは加熱した空気16をまだシール部材12から導入してもよい。その上、温度状態調節した液体および/または液体蒸気流を基板ホルダに供給する。これは、基板テーブルWTの中の基板Wの下の温度を制御し、それでそれを冷却するとき蒸気が液体に凝縮するので、基板Wの下面上の低温点での凝縮速度を上げる。すると蒸気からのエネルギーを液体の凝縮した基板(およびその他の表面)へ伝達する。この基板の底面での凝縮の増加および基板の上面での蒸発の減少は、この基板を、シール部材12の保護範囲から運び出しても、その熱的平衡を維持することを保証するために微妙に釣合わせるかも知れない。
基板の上面に導入した加湿空気は、エアナイフが基板の上を通過した後膨張しがちである。これは、100%未満の相対湿度を生じる。このエアナイフとエアナイフ抽出導管との間の領域で、この加湿した空気が冷却し、冷たい空気は、暖かい空気より湿度収容力が低いので、その湿度が再び上昇する。従って、暖かい、加湿した空気をエアナイフの後に供給してもよい。このエアナイフの通過中の0.4barの低下に対して、100%相対湿度で22°Cのエアナイフ後空気を供給するために、約28°Cの水飽和空気を使ってもよい。この暖かい空気の中の蒸発した水を膨張後に再び凝縮し尽して基板上にゼロのエネルギー結果を残す。
図9aおよび9bは、液体蒸発制御装置の代替実施例を示す。第3実施例のように、基板の表面から蒸発のおそれのある液体を一掃し、且つこのシステムの熱エネルギーを減らしまたはこの基板の使用法に影響するマークを乾いたままにしておくために、この基板の表面に空気を供給するエアナイフAKがある。両実施例は、このエアナイフAKによって持込んだ空気を除去するためのエアナイフ抽出装置(図示せず)もある。この第4実施例は、空気52を抽出せずに水11を抽出する目的を持つ、マイクロ篩MSも含む。空気52と水11を分離したままにしておくことは、混合物ができないことを意味し、それで水11を再利用でき、空気52を再利用するか、捨てる。空気と水の混合物を避けることは、この空気が基板の表面を完全に乾燥することを保証もする。
図10は、基板の底への凝縮を増やし、それによって上面を加熱するのとは異なる方法で熱的平衡を回復するための、もう一つの代替実施例を示す。これら二つの実施例は、勿論、組合わせて熱的平衡の精度を高めてもよい。
図11は、基板を交換する間、シール部材12の底面を埋め合せる閉鎖板46を示す。この閉鎖板の位置、速度、加速度およびタイミングも予定表34の情報に加えてもよい。この閉鎖板の状態調節は、浸漬液をより容易に同じ温度/エネルギーに維持することを可能にする。
本発明の代替実施例では、基板の温度低下を検出したとき、蒸発制御法を積極的に適用する。温度変化は、図12に示すように浸漬液それ自体の中で検出器22で検出してもよく;または温度センサが、図13に示す位置のように、基板Wそれ自体の周りの種々の位置にあってもよい。温度センサ22aは、基板Wの上を浮遊し、図13は、この温度センサを、図8に示すような(CPU36)、CPUに接続するリード線24を示す。温度センサ22bは、基板Wの内部にあり、センサ22cは、基板Wと基板ホルダWHの間の真空42中にある。基板Wおよび基板ホルダWHに関する真空42の尺度は、説明目的で誇張してある。センサは、この液体供給システムの中にも置いてよい。温度センサは、これらの一つまたは複数の位置に、その位置のエネルギー損失のありそうな原因に依って、この基板の温度を異なる場所で検知するために配置してもよい。基板の熱的平衡が失われれば損害を受けるのはこの基板であるから、更に、一つのセンサを、できるだけ基板テーブルの表面および/または基板Wの表面に近いように、図13に示し且つ22cと表示するような位置に置いても感知できるだろうが、基板テーブルそれ自体に置いてもよい。
“レンズ”という用語は、事情が許せば、屈折式、反射式光学部品を含む、種々の型式の光学部品の何れか一つまたは組合せを指してもよい。
上記の説明は、例示を意図し、限定を意図しない。従って、当業者は、説明したこの発明に以下に示す請求項の範囲から逸脱することなく修正を施すことができることが分るだろう。
12 シール部材
22 温度センサ
22a 温度センサ
22c 温度センサ
30 液体蒸発および凝縮制御装置
34 予定表
38 発光ダイオード
40 エアナイフ
46 閉鎖円板
48 パイプ
52 空気
AK エアナイフ
C 目標部分
MS マイクロ篩
PS 投影システム
W 基板
WH 基板ホルダ
WT 基板テーブル
Claims (65)
- パターン化した放射線ビームを基板テーブル上の窪みの中の基板ホルダ上に保持した基板の目標部分上に投影するように構成したリソグラフィ装置であって、
投影システムの最終素子と前記基板の間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすように構成した液体供給システム、
上記液体を上記スペース内に実質的に封じ込めるように準備したシール部材、
上記基板テーブルを前記シール部材に対して所定の経路に沿って動かし、それによって前記基板の表面上の上記目標部分を動かすように準備した基板テーブル変位システム、
この基板が局部冷却を受けそうな、この基板変位システムの位置およびタイミングを含む予定表、および
前記液体供給システムによって供給した液体の蒸発または凝縮によるエネルギー損失の正味速度を、蒸発または凝縮制御技術を前記予定表と同期させることによって、制御するように準備した液体蒸発および凝縮制御装置を含むリソグラフィ装置。 - 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置が、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、この局部基板温度、並びにこの基板テーブル温度に従って上記基板の少なくとも一部を加熱するように構成した基板ヒータを含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置が、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、この局部基板温度、並びにこの基板テーブル温度に従って前記基板テーブルの少なくとも一部を加熱するように構成した基板テーブルヒータを含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置が、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、局部基板温度、並びにこの基板テーブル温度に従って前記液体供給システムの少なくとも一部を加熱するように構成した液体供給システムヒータを含む装置。
- 請求項4に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記液体供給システムヒータが液体供給システムの壁に組込んだ二つの電気ヒータおよび基板と投影システムの最終素子との間のスペースに温度センサを含み、これらのヒータは、この温度センサが測定したこの液体の温度変動に応じてこの液体供給システムの中の液体を加熱するように構成してある装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置であって、前記投影システムによる投影の間に基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフをさらに含み、そこで前記蒸発制御技術がこのエアナイフに圧縮した加湿空気を供給することを含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御技術がこの液体閉込めシステムに圧縮した加湿空気を供給することを含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置であって、前記投影システムによる投影の間に基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフをさらに含み、そこで前記蒸発制御技術が前記エアナイフの中の空気を加熱することを含む装置。
- 請求項8に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記エアナイフの中の空気を発光ダイオードを使って加熱する装置。
- 請求項8に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記エアナイフとエアナイフ抽出導管との間の領域に暖かい加湿空気を供給する装置。
- 請求項8に記載のリソグラフィ装置であって、前記液体閉込めシステムの上流で暖かい加湿空気から復水を分離するための復水分離器をさらに含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置であって、この投影システムによる投影の間にこの基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフ、この基板の表面からこの空気流を除去するためのエアナイフ抽出システムおよびこの空気とは別にこの基板の表面から液体を除去するためにこの基板の上に吊したマイクロ篩を含み、そこでこの蒸発制御技術がこのエアナイフとこのマイクロ篩の相対高さを、液体と空気の両方を、この液体、この空気およびこの基板の間のエネルギーがこの基板を最適温度に保つような速度および比率で除去するように最適化することを含む装置。
- 請求項12に記載のリソグラフィ装置に於いて、この基板の上のこのエアナイフの高さが200μm未満である装置。
- 請求項12に記載のリソグラフィ装置に於いて、この基板の上のこのエアナイフの高さが約125μmである装置。
- 請求項12に記載のリソグラフィ装置に於いて、この基板の上のこのマイクロ篩の高さが約50μmである装置。
- 請求項12に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記基板の上のエアナイフの高さが基板の上のこのマイクロ篩の高さより約50ないし100μm高い装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、前記基板が冷されそうで、従って基板からの液体の蒸発が起りそうな時刻、並びに時間の関数としての蒸発力およびこの基板テーブルまたは基板上の位置を含む装置。
- 請求項17に記載のリソグラフィ装置であって、更に、前記投影システムによる投影の間にこの基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフをさらに含み、そこでこの予定表は、この基板が冷されそうなときとしての時刻およびこの基板上のエアナイフの位置を含む装置。
- 請求項17に記載のリソグラフィ装置であって、前記予定表が、一連の基板の中の本基板のシーケンス番号をさらに含む装置。
- 請求項17に記載のリソグラフィ装置であって、この予定表が、更に、実際の基板タイミングを予備計算した最適タイミングと比較する、センサからの入力を含む装置。
- 請求項17に記載のリソグラフィ装置であって、前記予定表が、更に、この基板を照射する放射線のパラメータに関する入力を含む装置。
- 請求項17に記載のリソグラフィ装置であって、前記液体閉込めシステムがこの基板の上にないとき、この液体を液体閉込めシステム内に保つための閉鎖円板をさらに含み、そこでこの予定表は、この基板が冷されそうなときとして、この閉鎖円板がこの液体を閉込めないときの時刻を含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、この基板が冷されそうで、従ってこの基板からの液体の蒸発が起りそうな基板上の位置を含む装置。
- 請求項23に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、更に、時間の関数としての蒸発力およびこの基板および基板テーブル上の位置を含む装置。
- 請求項23に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、この液体閉込めシステムに関するこの基板の相対位置を含む装置。
- 請求項23に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、この基板の上面の位置を含む装置。
- 請求項23に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、この基板の底面の位置を含む装置。
- 請求項23に記載のリソグラフィ装置に於いて、予定表は、この液体閉込めシステムの排気チャンネルの位置を含む装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体蒸発制御装置が温度センサを含む装置。
- 請求項29に記載のリソグラフィ装置に於いて、温度センサがこの液体閉込めシステム内にある装置。
- 請求項29に記載のリソグラフィ装置に於いて、温度センサがこの基板の上を浮遊する装置。
- 請求項29に記載のリソグラフィ装置に於いて、温度センサが基板と基板テーブルの間にある装置。
- 請求項29に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記温度センサがこの基板テーブルの中にある装置。
- 請求項1に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記液体供給システムは、投影システムの最終素子とこの基板との間の液体を一定の温度に保つように、この液体供給システムの温度を安定化するために、加熱または冷却した流体を含む少なくとも一つの水路を含む装置。
- 請求項34に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記水路は、この投影システムの最終素子とこの基板の間のスペースを少なくとも部分的に満たすのと同じ液体がこの水路を少なくとも部分的に満たすように、この液体供給システムに接続してある装置。
- 請求項34に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記水路は、この水路の中の液体が、この投影システムの最終素子とこの基板の間のスペースを少なくとも部分的に満たす液体と同じでないように、この液体供給システムの供給源から切離してある装置。
- パターン化した放射線ビームを基板テーブル上の窪みの中の基板ホルダ上に保持した基板の目標部分上に投影するように構成したリソグラフィ装置であって、
投影システムの最終素子と前記基板の間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすように構成した液体供給システム、
前記液体を上記スペース内に実質的に封じ込めるように準備したシール部材、
前記基板テーブルを前記シール部材に対して所定の経路に沿って動かし、それによって前記基板の表面上の前記目標部分を動かすように配置した基板テーブル変位システム、および
前記液体供給システムによって供給した液体の蒸発または凝縮によるエネルギー損失の正味速度を、蒸発または凝縮制御技術を同期させることによって、制御するように準備した液体蒸発および凝縮制御装置を含むリソグラフィ装置。 - 請求項37に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記蒸発制御装置がこの基板ホルダの方への水流によってこの基板を熱的に状態調節することを含む装置。
- 請求項37によるリソグラフィ装置に於いて、上記蒸発制御装置がこの基板テーブルの方への水流によってこの基板テーブルを熱的に状態調節することを含む装置。
- 請求項37によるリソグラフィ装置に於いて、上記蒸発制御装置がこの液体封じ込めスペースから最も遠い基板の表面に流体を持込むことによるこの基板テーブルを熱的に状態調節することを含み、この流体は、このリソグラフィ装置の通常の運転温度で凝縮するようである装置。
- 請求項40に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記流体は、液体供給システムの中の液体より低圧、好ましくは約2300Paの水である装置。
- 請求項40に記載のリソグラフィ装置に於いて、流体は、アセトン、エーテルおよびアルコールの少なくとも一つを含むガスである装置。
- 請求項40に記載のリソグラフィ装置に於いて、流体をこの基板テーブルの中の導管を介してこの基板の表面にポンプで出し入れする装置。
- 請求項43に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記流体を二相混合物の形で注入する装置。
- 請求項37に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置は、前記基板ホルダの中に液体および蒸気の入った或る容積を組込むことによりこの基板テーブルの温度を制御することを含む装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記容積がパイプである装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記液体が水であり、この蒸気が水蒸気である装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体が炭化水素含有冷媒であり、この蒸気が炭化水素蒸気である装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体がR134a,1,1,1,2-テトラフルオロエタンである装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体が炭化水素含有冷媒の混合物であり、この蒸気が炭化水素蒸気の混合物である装置。
- 請求項50に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体がR401aである装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体がアンモニアであり、この蒸気がアンモニア蒸気である装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置であって、前記液体を加熱するためのヒータを含む装置。
- 請求項53に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記ヒータがこの液体の中に配置してある装置。
- 請求項53に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記ヒータが基板テーブルの下に配置してある装置。
- 請求項53に記載のリソグラフィ装置であって、前記ヒータのための入力パラメータを提供するために温度および/または圧力センサをさらに含む装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、この容積は、空気がなく且つ非凝縮性流体であり、および大気から封止してある装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記容積は、前記基板に向いたこの基板ホルダ表面にできるだけ近い、複数のチャンネルを含む装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置であって、前記基板に向いたこの基板ホルダの表面に中空窪みを含む装置。
- 請求項59に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記中空窪みは、この容積からこの基板の底面まで蒸気を通すように、前記容積と基板の間に通路を含む装置。
- 請求項45に記載のリソグラフィ装置であって、基板テーブルにスポンジ状材料をさらに含む装置。
- 請求項37に記載のリソグラフィ装置であって、前記基板ホルダと前記基板の間に真空をさらに含み、そこで液体蒸発技術が前記真空の中へ水飽和空気を供給することを含む装置。
- 請求項37に記載のリソグラフィ装置であって、前液体供給システムとの接触中に吸着したこの基板テーブルからガスを脱着するために脱着装置をさらに含むリソグラフィ装置。
- 請求項37に記載のリソグラフィ装置であって、前液体供給システムとの接触中に相を変えたこの基板テーブルのあらゆる部分をその元の相に戻すために再生装置をさらに含むリソグラフィ装置。
- デバイス製造方法であって、
基板を保持するように構築した基板テーブルを設ける工程、
パターン化した放射線ビームをこの基板の目標部分上に投影するように構成した投影システムを設ける工程、
前記投影システムの最終素子と前記基板の間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすように構成した液体供給システムを設ける工程、
前記液体を投影システムの前記最終素子と前記基板の間の前記スペース内に実質的に封じ込めるように準備したシール部材を設ける工程、
前記液体供給システムによって供給した液体の蒸発によるエネルギー損失の速度を制御する工程、
前記基板テーブルを前記シール部材に対して所定の経路に沿って動かし、それによって前記基板の表面上の前記目標部分を動かすように準備した基板テーブル変位システムを設ける工程、
前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、局部基板温度、この基板テーブル温度に従って前記基板の少なくとも一部を加熱する工程、および
加熱と蒸発速度の制御の間を同時に切替える工程を含む方法。
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