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  1. 溝が形成された金属板と、
    前記金属板の上の絶縁層と、
    前記絶縁層の上の回路パターンと、
    前記回路パターンと電気的に連結された前記絶縁層の上の発光ダイオードと、
    を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記絶縁層の上には反射膜が形成されたことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記溝は、前記金属板の上側面及び下側面のうち、少なくともどれか一つに形成されたことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記発光ダイオードは、前記回路パターンまたは前記絶縁層の上に形成された反射膜の上に形成されたことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記溝は、前記金属板の上側面及び下側面に形成され、前記上側面に形成された溝と下側面に形成された溝は、同一垂直線上に形成されないことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 前記金属板は、前記発光ダイオードが形成された上側方向に少なくとも一部が露出されたことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードパッケージ。
  7. 前記反射膜は、酸化チタンと樹脂を主成分とし、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、及び酸化亜鉛のうち、少なくとも1つを混合して形成したことを特徴とする請求項記載の発光ダイオードパッケージ。
  8. 前記回路パターンの少なくとも一部と前記発光ダイオードを保護するモールディング部が含まれたことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードパッケージ。
  9. MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board)を準備する段階と、
    前記MCPCBに含まれた金属板を選択的に除去して溝を形成する段階と、
    前記MCPCBの上に発光ダイオードを実装する段階と、
    を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
  10. 前記MCPCBの上に反射膜を形成する段階が含まれることを特徴とする請求項9記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  11. 前記溝は、前記金属板及び前記金属板の上側に形成された絶縁層を選択的に除去して前記金属板の上側面に形成されることを特徴とする請求項9記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  12. 前記溝は、前記金属板の下側面を選択的に除去して前記金属板の下側面に形成されることを特徴とする請求項9記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  13. 前記溝は、前記金属板、前記金属板の上側に形成された絶縁層及び前記金属板の下側面を選択的に除去して、前記金属板の上側面及び下側面に形成されることを特徴とする請求項9記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  14. 前記溝は、機械的または化学的方法により形成されることを特徴とする請求項9記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  15. 前記反射膜は、酸化チタンと樹脂を主成分とし、炭酸カルシウム、硫酸バリウム及び酸化亜鉛のうち、少なくとも1つを混合して形成したホワイト樹脂をスクリーンプリンティング方式により形成することを特徴とする請求項10記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  16. 前記MCPCBを準備する段階は、前記金属板の上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層の上に回路パターンを形成する段階が含まれることを特徴とする請求項9記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  17. 溝が形成された金属板と、
    前記金属板の上の絶縁層と、
    前記絶縁層の上の回路パターンと、
    前記回路パターンと電気的に連結された前記絶縁層の上の電子素子と、
    を含むことを特徴とする装置。
  18. 前記溝は、前記金属板の上側面及び下側面のうち、少なくともどれか一つに形成されたことを特徴とする請求項17記載の装置。
  19. 前記溝は、前記金属板の上側面に形成され、前記溝が形成されない領域に前記絶縁層及び回路パターンが形成されたことを特徴とする請求項17記載の装置。
  20. 前記溝は、前記金属板の上側面及び下側面に形成され、前記の上側面に形成された溝と下側面に形成された溝は同一垂直線上に形成されないことを特徴とする請求項17記載の装置。
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