JP2009277732A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009277732A5
JP2009277732A5 JP2008125189A JP2008125189A JP2009277732A5 JP 2009277732 A5 JP2009277732 A5 JP 2009277732A5 JP 2008125189 A JP2008125189 A JP 2008125189A JP 2008125189 A JP2008125189 A JP 2008125189A JP 2009277732 A5 JP2009277732 A5 JP 2009277732A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
imaging device
solid
manufacturing
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008125189A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5422914B2 (ja
JP2009277732A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2008125189A external-priority patent/JP5422914B2/ja
Priority to JP2008125189A priority Critical patent/JP5422914B2/ja
Priority to TW098112380A priority patent/TWI409969B/zh
Priority to EP09005639A priority patent/EP2120264B1/en
Priority to CN2009101373395A priority patent/CN101582393B/zh
Priority to KR1020090037075A priority patent/KR20090117982A/ko
Priority to US12/463,791 priority patent/US8076172B2/en
Publication of JP2009277732A publication Critical patent/JP2009277732A/ja
Publication of JP2009277732A5 publication Critical patent/JP2009277732A5/ja
Publication of JP5422914B2 publication Critical patent/JP5422914B2/ja
Application granted granted Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2008125189A 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5422914B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008125189A JP5422914B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法
TW098112380A TWI409969B (zh) 2008-05-12 2009-04-14 製造固態成像器件之方法及製造電子裝置之方法
EP09005639A EP2120264B1 (en) 2008-05-12 2009-04-22 Method of manufacturing solid-state imaging device and method of manufacturing electronic apparatus
CN2009101373395A CN101582393B (zh) 2008-05-12 2009-04-24 固体摄像器件制造方法和电子装置制造方法
KR1020090037075A KR20090117982A (ko) 2008-05-12 2009-04-28 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기의 제조 방법
US12/463,791 US8076172B2 (en) 2008-05-12 2009-05-11 Method of manufacturing solid-state imaging device and method of manufacturing electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008125189A JP5422914B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009277732A JP2009277732A (ja) 2009-11-26
JP2009277732A5 true JP2009277732A5 (enExample) 2011-06-30
JP5422914B2 JP5422914B2 (ja) 2014-02-19

Family

ID=40637175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008125189A Expired - Fee Related JP5422914B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8076172B2 (enExample)
EP (1) EP2120264B1 (enExample)
JP (1) JP5422914B2 (enExample)
KR (1) KR20090117982A (enExample)
CN (1) CN101582393B (enExample)
TW (1) TWI409969B (enExample)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5471117B2 (ja) 2009-07-24 2014-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
JP5568969B2 (ja) * 2009-11-30 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5644096B2 (ja) * 2009-11-30 2014-12-24 ソニー株式会社 接合基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法
JP2011119558A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011204797A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5853351B2 (ja) 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
JP5663925B2 (ja) 2010-03-31 2015-02-04 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US8748946B2 (en) * 2010-04-29 2014-06-10 Omnivision Technologies, Inc. Isolated wire bond in integrated electrical components
US8318580B2 (en) 2010-04-29 2012-11-27 Omnivision Technologies, Inc. Isolating wire bonding in integrated electrical components
US8532449B2 (en) * 2010-05-06 2013-09-10 Intel Corporation Wafer integrated optical sub-modules
JP5644177B2 (ja) * 2010-05-07 2014-12-24 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5553693B2 (ja) 2010-06-30 2014-07-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6173410B2 (ja) * 2010-06-30 2017-08-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP5693060B2 (ja) 2010-06-30 2015-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び撮像システム
JP5843475B2 (ja) * 2010-06-30 2016-01-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US8872298B2 (en) 2010-07-01 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit pixel array of an image sensor
TWI463646B (zh) * 2010-07-16 2014-12-01 United Microelectronics Corp 背照式影像感測器
JP2012064703A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
JP2012084609A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2012084608A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP5640630B2 (ja) * 2010-10-12 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP5857399B2 (ja) * 2010-11-12 2016-02-10 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP5541137B2 (ja) 2010-12-15 2014-07-09 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器、太陽電池、および、撮像装置の製造方法
US9165970B2 (en) 2011-02-16 2015-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Back side illuminated image sensor having isolated bonding pads
JP2012175078A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器、半導体装置
CN102760742B (zh) * 2011-04-26 2015-08-05 欣兴电子股份有限公司 电子装置及其制法
JP5826511B2 (ja) * 2011-04-26 2015-12-02 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
US8710612B2 (en) * 2011-05-20 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having a bonding pad and shield structure of different thickness
US8664736B2 (en) 2011-05-20 2014-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding pad structure for a backside illuminated image sensor device and method of manufacturing the same
US9013022B2 (en) * 2011-08-04 2015-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad structure including glue layer and non-low-k dielectric layer in BSI image sensor chips
JP5970826B2 (ja) * 2012-01-18 2016-08-17 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器
US9721984B2 (en) * 2012-04-12 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor manufacturing methods
KR101934864B1 (ko) * 2012-05-30 2019-03-18 삼성전자주식회사 관통 실리콘 비아 구조물 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP6178561B2 (ja) * 2012-11-15 2017-08-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
KR102149772B1 (ko) * 2013-11-14 2020-08-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법
US9324755B2 (en) * 2014-05-05 2016-04-26 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with reduced stack height
DE112014006650A5 (de) * 2014-08-08 2017-01-26 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Entspiegelung der Rückseite eines Halbleiterwafers
JP6048483B2 (ja) * 2014-12-10 2016-12-21 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
TWI616692B (zh) * 2014-12-29 2018-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 光纖連接器及光耦合透鏡
KR102720747B1 (ko) * 2015-03-12 2024-10-23 소니그룹주식회사 촬상 장치, 제조 방법 및 전자 기기
US9806116B2 (en) * 2015-10-28 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Complementary metal grid and deep trench isolation in CIS application
JP6176313B2 (ja) * 2015-12-02 2017-08-09 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US10109666B2 (en) * 2016-04-13 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pad structure for backside illuminated (BSI) image sensors
TWI800487B (zh) * 2016-09-09 2023-05-01 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像元件及製造方法、以及電子機器
JP6663887B2 (ja) * 2017-07-11 2020-03-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
WO2019017147A1 (ja) * 2017-07-18 2019-01-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像装置の製造方法
JP7158846B2 (ja) * 2017-11-30 2022-10-24 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
JP2018078305A (ja) * 2017-12-07 2018-05-17 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812904B2 (ja) * 1990-11-30 1996-02-07 三菱電機株式会社 固体撮像素子の製造方法
JPH06302794A (ja) * 1993-04-19 1994-10-28 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子の製法
KR0147401B1 (ko) * 1994-02-23 1998-08-01 구본준 고체촬상소자 및 그 제조방법
KR100215878B1 (ko) * 1996-12-28 1999-08-16 구본준 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR100310102B1 (ko) * 1998-03-05 2001-12-17 윤종용 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법
KR100388803B1 (ko) * 1999-07-14 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 고체 촬상 소자 및 그 제조방법
JP2002176156A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP4421793B2 (ja) * 2001-07-13 2010-02-24 富士フイルム株式会社 ディジタルカメラ
JP3959710B2 (ja) * 2002-02-01 2007-08-15 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US7084472B2 (en) * 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
JP4383959B2 (ja) * 2003-05-28 2009-12-16 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2005347707A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005353631A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP4822683B2 (ja) * 2004-10-08 2011-11-24 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
TWI382455B (zh) * 2004-11-04 2013-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP2006147661A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光装置とその製造方法およびカメラ
KR100672994B1 (ko) * 2005-01-28 2007-01-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2006351761A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp 固体撮像素子及びその製造方法
US7553689B2 (en) * 2005-07-13 2009-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device with micro-lens and method of making the same
WO2007037294A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and fabrication method therefor
KR100801447B1 (ko) * 2006-06-19 2008-02-11 (주)실리콘화일 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법
KR100790288B1 (ko) * 2006-08-31 2008-01-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4486985B2 (ja) * 2007-08-06 2010-06-23 シャープ株式会社 固体撮像装置および電子情報機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009277732A5 (enExample)
JP6298394B2 (ja) ダブルレンズ構造とその製造方法
TWI654752B (zh) 固態成像裝置及其製造方法
US7498190B2 (en) Method for fabricating a CMOS image sensor
JP2009252949A5 (enExample)
TW200642076A (en) A photosensitive integrated circuit and fabrication method thereof
JP2012182429A5 (ja) 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
CN101752266B (zh) Cmos图像传感器的芯片级封装结构及封装方法
TW200729473A (en) Method for fabricating image sensor without LTO-based passivation layer
CN101308817A (zh) 制造图像传感器的方法
TWI222178B (en) Manufacturing method of image sensor device
JP2007088450A5 (enExample)
US8084289B2 (en) Method of fabricating image sensor and reworking method thereof
CN104979370B (zh) 具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法
CN104157662B (zh) 一种高灵敏度图像传感器像素结构及制作方法
JP2014138067A5 (enExample)
CN101266947B (zh) 图像传感器的制造方法
CN102194836B (zh) 图像感测元件的制造方法及其重新制作方法
JP2014138067A (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN104637961B (zh) 半导体结构及其制造方法
KR100640981B1 (ko) 이미지 센서의 제조방법
JP6120579B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100790288B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
TWI473257B (zh) 影像感測元件的製造方法及其重工方法
JP2014086515A5 (enExample)