JP2009277732A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009277732A
JP2009277732A JP2008125189A JP2008125189A JP2009277732A JP 2009277732 A JP2009277732 A JP 2009277732A JP 2008125189 A JP2008125189 A JP 2008125189A JP 2008125189 A JP2008125189 A JP 2008125189A JP 2009277732 A JP2009277732 A JP 2009277732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip microlens
opening
imaging device
state imaging
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008125189A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009277732A5 (ja
JP5422914B2 (ja
Inventor
Kentaro Akiyama
健太郎 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2008125189A priority Critical patent/JP5422914B2/ja
Priority to TW098112380A priority patent/TWI409969B/zh
Priority to EP09005639A priority patent/EP2120264B1/en
Priority to CN2009101373395A priority patent/CN101582393B/zh
Priority to KR1020090037075A priority patent/KR20090117982A/ko
Priority to US12/463,791 priority patent/US8076172B2/en
Publication of JP2009277732A publication Critical patent/JP2009277732A/ja
Publication of JP2009277732A5 publication Critical patent/JP2009277732A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5422914B2 publication Critical patent/JP5422914B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】撮像特性にむらを生じさせない信頼性の高い裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、特にパッド部の形成方法を提供するものである。
【解決手段】光入射面側にオンチップカラーフィルタ１９及びオンチップマイクロレンズ２１ａを形成した後に、前記光入射面側にパッド部の開口部２０を形成する工程を有する。
【選択図】図８

Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法、特に、その電極取出しのためのパッド部の形成方法に関する。
固体撮像装置、例えばＣＭＯＳ型の固体撮像装置においては、入射光に対する光電変換効率や感度の向上を図るため、半導体基板に光電変換部となるフォトダイオードを形成し、半導体基板の表面側に画素トランジスタ、さらには、信号回路を構成する多層配線層等を形成して、裏面側から光を入射させる裏面照射型固体撮像装置が提案されている（特許文献１、２、３参照）。
裏面照射型固体撮像装置では、半導体基板の表面側に形成された多層配線に所要の電位を供給するためのパッド部を、裏面側に設けるようにしている。図１５に、裏面照射型固体撮像装置の要部における概略断面構成を示す。図１５に示す断面構成は、特に、裏面照射型固体撮像装置の裏面側において、周辺領域に形成したパッド部６０を含む領域に位置するものである。
裏面照射型固体撮像装置７０は、半導体基板（例えば単結晶シリコン層）５３に光電変換部となるフォトダイオード（ＰＤ）５４と複数の画素トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）からなる複数の画素が形成された撮像領域と、周辺回路とを有する。また、裏面側の周辺領域には、多層配線層の所要の配線に接続されるパッド部、いわゆる電極取出しのためのパッド部６０が形成される。画素を構成する画素トランジスタは図示しないが、半導体基板５３の表面に形成される。さらに、半導体基板５３の表面側には、層間絶縁膜５０を介して多層の配線５２〔５２１，５２２，５２３〕を形成した多層配線層５１が形成される。この例では１層目配線５２１、２層目配線５２２、３層目配線５２３が形成され、これら配線はＣｕ配線、Ａｌ配線等で形成され、少なくともパッド部６０に臨む配線５２１ａはＡｌ配線で形成される。この多層配線層５１の表面側に例えばシリコン基板による支持基板６１が接着層６２を介して接合される。
一方、半導体基板５３の裏面側には、反射防止膜となる絶縁膜５５、パシベーション膜５６、オンチップカラーフィルタの下地密着層を兼ねる平坦化層５７が順に積層形成される。反射防止膜となる絶縁膜５５は、例えば下からＳｉＮ膜とＳｉＯ２膜の２層膜で形成される。平坦化層５７上に、撮像領域の画素すなわちフォトダイオード（ＰＤ）５４に対応して例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のオンチップカラーフィルタ５９が形成され、その上にオンチップマイクロレンズ５８が形成される。
撮像領域では、有効画素領域の外側に画素の黒レベルを規定するためのオプティカルブラック領域が形成される。オプティカルブラック領域では、有効画素領域での画素と同様の画素およびカラーフィルタが形成される。図示しないが、遮光膜が有効画素領域の各受光部、すなわちフォトダイオード（ＰＤ）５４およびパッド部６０を除いて、他の画素トランジスタ、周辺回路部を含む全面に形成される。パッド部６０では、多層配線層５１の所望の配線、この例では配線５２１ａを露出させる開口６２が形成される。
図１６に、パッド部６０の形成方法の一例を示す。先ず、図１６Ａに示すように、半導体基板５３にフォトダイオード(ＰＤ)５４および画素トランジスタ（図示せず）からなる画素を形成し、半導体基板５３の表面側に多層配線層５１を形成し、多層配線層５１上に接着層６２を介して支持基板６１を接合する。さらに、半導体基板５３の裏面側に反射防止膜となる絶縁膜５５、パシベーション膜５６、オンチップカラーフィルタの下地密着層を兼ねる平坦化層５７を順に積層形成する。その後、パッド部６０に対応する部分の平坦化層５７、パシベーション膜５６、絶縁膜５５、半導体基板５３および多層配線層５１の１層目配線５２１ａに至る層間絶縁膜５３をエッチング除去して開口部６２を形成する。
次に、図１６Ｂに示すように、オンチップカラーフィルタ部材となる有機系膜、例えばレジスト膜を形成し、パターニングして、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のオンチップカラーフィルタ５９を形成する。さらに、オンチップマイクロレンズ部材５８Ａとなる有機系膜、例えばレジスト膜を形成し、エッチバック工程を有する転写法によりオンチップマイクロレンズ５８を形成するようにしている。
特開２００５−３５３６３１号公報 特開２００５−３４７７０７号公報 特開２００５−３６３９５５号公報
ところで、図１６に示す製法では、パッド部６０の開口部６２を形成した後に、オンチップカラーフィルタ５９およびオンチップマイクロレンズ５８を形成しているが、オンチップカラーフィルタ部材、オンチップマイクロレンズ部材となる有機膜、例えばレジスト膜を塗布した際に、ストライエーション、つまり塗布むらが発生する。すなわち、基板裏面側の平坦化膜５７から半導体基板５３を通り配線５２１ａに至る開口部６２を形成するので、開口部６２に３μｍ以上、例えば６μｍ程度の段差が生じる。このため、スピンコーティングでレジスト膜を塗布する際に、この段差を起点にストライエーションが発生する。このストライエーションにより、完成したオンチップカラーフィルタ５９、オンチップマイクロレンズ５８に不均一性が生じる。その結果、撮像特性にむらが発生し、固体撮像装置の信頼性を損ねる懼れが生じる。
本発明は、上述の点に鑑み、光入射側の裏面にパッド部の開口を有するも、撮像特性にむらを生じさせない信頼性の高い裏面照射型の固体撮像装置の製造方法を提供するものである。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、光電変換部を形成した半導体基板の一方の面側に層間絶縁膜を介して信号回路が形成され、他方の面側から前記光電変換部に光が入射される固体撮像装置の製造方法であって、光入射面側にオンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを形成した後に、前記光入射面側にパッド部の開口部を形成する工程を有することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の製造方法では、オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを形成した後、パッド部における開口部を形成するので、オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを形成する際の有機系膜を、実質的な段差のない状態の下地に塗布形成することができる。これにより、有機系塗布膜に対して段差に起因したストライエーションが発生するのを防ぐことができる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法によれば、オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズの形成工程で、有機系塗膜にストライエーションの発生を防ぐことができるので、撮像特性にむらを発生させない、信頼性の高い裏面照射型の固体撮像装置を製造することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１〜図３に、本発明に係る製造方法で得られた固体撮像装置の一実施形態の概略構成を示す。本実施形態の固体撮像装置は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置である。
本実施形態に係る固体撮像装置１は、図１に示すように、撮像領域３と周辺回路６、７と周辺の複数のパッド部５を有して構成される。
撮像領域３は、複数の単位画素が行列状に多数配列され、行単位でアドレス線等が設けられており、列単位で信号線等が設けられている。撮像領域３は、有効画素領域３ａと、画素の黒レベルを規定するオプティカルブラック領域３ｂとを有して形成される。オプティカルブラック領域３ｂも、有効画素３ａを構成する画素と同様の構成を有する画素から構成される。オプティカルブラック領域３ｂを構成する画素は、有効画素３ａの外側に配列される。そして、有効画素領域３ａの各画素の光電変換部（受光部）とパッド部５を除く他の全面は遮光膜により覆われている。
撮像領域３における各画素は、光電変換部となる例えばフォトダイオード（ＰＤ）と、複数の画素トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）で構成される。画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタと、リセットトランジスタと、増幅トランジスタと、選択トランジスタの４トランジスタで構成することができる。あるいは転送トランジスタと、リセットトランジスタと、増幅トランジスタの３トランジスタで構成することもできる。その他のトランジスタ構成とすることもできる。
図２に、単位画素の断面構造の一例を示す。この例では、第１導電型例えばｎ型の半導体基板に相当するシリコン半導体層１０に第２導電型となる例えばｐ型の画素分離領域３２を形成し、各画素領域に光電変換部となるフォトダイオード（ＰＤ）１１と複数の画素トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を形成して単位画素３１が構成される。フォトダイオード１１は、ｐ型画素分離領域３２と複数の画素トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が形成される比較的深いｐ型半導体ウェル領域３５とに囲まれたｎ型の半導体層１０と、表裏面側の暗電流を抑制するためのｐ＋アキュミュレーション層３３、３４とで形成される。フォトダイオード１１を構成するｎ型の半導体層１０は、裏面側の高濃度のｎ＋電荷蓄積領域１０ａと半導体層１０で形成される低濃度のｎ型領域１０ｂとにより構成される。半導体層１０の裏面側に延びるｎ型領域１０ｂは、画素トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が形成されたｐ型半導体ウェル領域３５の下まで延長して形成される。
複数の画素トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、前述と同様に、例えば４トランジスタで形成することができる。図示では、転送トランジスタをＴｒ１で示し、その他のリセットトランジスタ、増幅トランジスタおよび選択トランジスタをＴｒ２で示す。画素トランジスタＴｒ１は、フローティングディフージョン（ＦＤ）となるｎ＋ソース・ドレイン領域３７と、フォトダイオード１１のｎ＋電荷蓄積領域１０ａと、ゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極４１とにより形成される。画素トランジスタＴｒ２は、対のソース・ドレイン領域３８、３９と、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極４２とにより形成される。
半導体層１０の表面側には、層間絶縁膜１４を介して多層の配線Ｍ１〜Ｍ３を形成した多層配線層９が形成され、さらに、多層配線層９上に例えばシリコン基板による支持基板８が接着層１５を介して接合される。１層目〜３層目の配線Ｍ１〜Ｍ３は、所謂信号回路を構成するもので、例えばダマシン法によるＣｕ配線、あるいはＡｌ配線で形成されるが、後述するように少なくともパッド部に臨んでワイヤボンディング時のＡｕ細線と接続する配線（１層目の配線Ｍ１に相当する）はＡｌ配線で形成される。プロセス上、１層目配線Ｍ１は全てＡｌで形成するのが好ましい。
また、半導体層１０の裏面には、反射防止膜４５となる絶縁膜が形成される。この反射防止膜４５は、例えば半導体層１０側からシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１２とシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜１３の積層膜で形成される。この反射防止膜４５上にフォトダイオード１１の受光部に対応する部分を除いて遮光膜１６が形成され、さらにパシベーション膜１７、オンチップカラーフィルタの下地密着層を兼ねる平坦化膜１８が順次形成される。パシベーション膜１７は、上記平坦化膜を構成するものであってもよい。遮光膜１６は、金属膜で形成される。さらに、平坦化膜１８上に例えば原色の赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）のオンチップカラーフィルタ１９が形成され、その上にオンチップマイクロレンズ２１が形成される。
一方、周辺回路６、７としては、図示しないが、垂直駆動回路、カラム信号処理回路、水平駆動回路、出力回路、制御回路等を有して構成される。制御回路は、垂直同期信号、水平同期信号およびマスタクロックに基いて、垂直駆動回路、カラム信号処理回路および水平駆動回路などの動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成し、垂直駆動回路、カラム信号処理回路および水平駆動回路等に入力する。垂直駆動回路は、例えばシフトレジスタによって構成され、撮像領域３の各画素を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線を通して各画素の光電変換部において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路に供給する。カラム信号処理回路は、画素の例えば列毎に配置され、１行分の画素から出力される信号を画素列毎にオプティカルブラック領域の黒基準画素からの信号によってノイズ除去や信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路の出力段には、水平選択スイッチが水平信号線との間に接続されて設けられる。水平駆動回路は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路の各々から画素信号を水平信号線に出力させる。出力回路は、カラム信号処理回路の各々から水平信号線を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。
パッド部５は、図３（図１のＡ−Ａ線上の断面図）に示すように、オンチップマイクロレンズが形成された裏面側の周辺部に、オンチップマイクロレンズ部材の表面からＡｌ配線に達する開口部２０が形成される。Ａｌ配線の表裏面には、図示しないがバリアメタル膜、例えばＴｉＮ膜、ＴｉＮ／Ｔｉ膜、ＴｉＮ／Ｔｉ／ＴｉＮ膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜などが被覆される。この開口部２０では、Ａｕ細線によるワイヤボンディングの際にＡｕ細線が半導体層１０に電気的に短絡して不都合を生じさせないために、例えば開口部を取り囲むように半導体層１０内に例えば絶縁分離層２７を形成して置くこともできる。
次に、図４〜図９を用いて、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施形態を説明する。同図は、図１のＡ−Ａ線上の断面構造である。
まず、図４Ａに示すように、半導体基板に相当する半導体層、例えばシリコン半導体層１０と、シリコン半導体層１０の表面側に形成した多層配線層９と、多層配線層９の表面側に接着層１５を介して接合した支持基板８とからなる構成体を作製する。シリコン半導体層１０の撮像領域には、光電変換部となるフォトダイオード（ＰＤ）１１と複数の画素トランジスタからなる複数の画素が２次元状に配列形成されている。
この構成体を形成する方法としては、例えば、シリコン半導体基板の一の面側に複数の画素を形成し、その一の面側上に多層配線層９を形成し、さらに接着層１５を介して例えばシリコン基板による支持基板８を張り合わせ、シリコン半導体基板の他方の面側からシリコン半導体層１０として残る厚さまで除去する方法がある。
多層配線層９においては、信号回路やその他の配線を含む複数層の配線Ｍ１〜Ｍ３が層間絶縁膜１４を介して形成されており、層間絶縁膜１４には、例えばシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜が用いられる。図４Ａにおける多層配線層９は、１層目配線Ｍ１、２層目配線Ｍ２、３層目配線Ｍ３の計３層の配線を構成する例である。配線Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３は、Ｃｕ、Ａｌなどで形成することができる。配線Ｍ１のうちの配線Ｍ１ａは、後述する電極取り出しのためのパッド部において、例えばＡｕ細線がワイヤボンディングされる例えばＡｕ細線と相性のよいＡｌ配線で形成される。Ａｌ配線の表裏面は、図示しないが、前述したようにバリアメタル膜が形成される。
次に、図４Ｂに示すように、シリコン半導体層１０の裏面上に反射防止膜４５となる絶縁膜を形成する。この反射防止膜４５は、シリコン半導体層１０側から例えばシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１２とシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜１３の積層膜で形成する。
次に、図５Ｃに示すように、反射防止膜４５上にパシベーション膜１７を形成し、さらに、図５Ｄに示すように、パシベーション膜１７上に、オンチップカラーフィルタとの密着を良くするための下地密着層を兼ねた平坦化膜１８を形成する。
次に、図６Ｅに示すように、平坦化膜１８上にカラーフィルタ１９を形成する。この例のオンチップカラーフィルタ１９は、例えば、原色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）から成る。オンチップカラーフィルタ１９は次のようにして形成することができる。段差のない平坦化膜１８上に第１色のカラーフィルタ用の有機系膜、例えばレジスト膜をコーター・デベロッパーにより塗布した後、パターニングして第１色カラーフィルタを形成する。次に、第２色のカラーフィルタ用のレジスト膜を塗布しパターニングして第２色カラーフィルタを形成し、同様にして第３色カラーフィルタを形成する。段差のない状態で平坦化膜１８上にカラーフィルタ用のレジスト膜を形成するので、塗布されたレジスト膜にはストライエーションが発生しない。
次に、図６Ｆに示すように、オンチップカラーフィルタ１９上を含む全面に、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａをコーター・デベロッパーにより塗布形成する。このオンチップマイクロレンズ部材２１Ａとしては、有機系膜、例えばネガ型レジスト膜が用いられる。オンチップマイクロレンズ部材２１Ａを塗布した後、リソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、パッド部を形成すべき部分のオンチップマイクロレンズ部材２１Ａを選択的に除去して開口２３を形成する。このレジスト膜によるオンチップマイクロレンズ部材２１Ａは、パッド部の開口部のような大きな段差が形成されない状態、つまり実質的に段差のない状態で下地面に塗布されるので、塗布されたオンチップマイクロレンズ部材２１Ａにはストライエーションが発生しない。
次に、図７Ｇに示すように、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａ上、すなわち、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａのオンチップカラーフィルタ１９に対応する上面に、各画素毎にオンチップマイクロレンズに相当する所要の曲率を有するレンズ形状部材２４を形成する。このレンズ形状部材２４は、例えばポジ型レジスト膜を用い、このポジ型レジスト膜を塗布し、各画素に対応するようにパターニングした後、リフロー処理して形成する。
次に、図７Ｈに示すように、全面エッチバック処理を行う。このエッチバック処理でレンズ形状部材２４のレンズ形状をオンチップマイクロレンズ部材２１Ａに転写する。この転写により１次のオンチップマイクロレンズ２１ａが形成されるが、最終的なオンチップマイクロレンズ２１ではない。同時に、この全面エッチバック処理により、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａの開口２３を通して平坦化膜１８、パシベーション膜１７、反射防止膜４５およびシリコン半導体層１０の一部途中までをエッチング除去して、１次の開口部２０ａを形成する。このエッチバック処理で、転写された１次のオンチップマイクロレンズ２１ａ及び他部のオンチップマイクロレンズ部材２１Ａの表面は、硬化される。
次に、図８Ｉに示すように、開口２３を除くオンチップマイクロレンズ部材２１Ａ及び１次のオンチップマイクロレンズ２１ａ上にレジストマスク２５を形成する。
次に、図８Ｊに示すように、このレジストマスク２５を介してドライエッチングにより、１次の開口部２０ａ内のシリコン半導体層１０のみを全てエッチング除去し、２次の開口部２０ｂを形成する。すなわち、多層配線層９の層間絶縁膜１４に至る全てのシリコン半導体層１０をエッチング除去する。このときのレジストマスク２５は、通常の半導体プロセスで使用されるレジストであればどれでもよい。
次に、図９Ｋに示すように、レジストマスク２５を剥離・除去する。オンチップマイクロレンズ部材２１Ａのレジストと、レジストマスク２５のレジストは互いに材質が異なり、しかもエッチバック処理でオンチップマイクロレンズ部材２１Ａ及び１次オンチップマイクロレンズ２１ａの表面が硬化されていることにより、レジストマスク２５の剥離は容易に行える。
また、図８Ｊのエッチング工程では、ＳＦ６ 及びＯ２ 系のガスを用いてシリコン半導体層１０をドライエッチングすることにより、反応生成物の発生を防ぐことができる。あるいは、反応生成物の発生を極力抑えることができ、レジストマスク２５表面への反応生成物の付着を極めて少なくすることができる。これにより、有機溶剤例えばシンナー、あるいはアッシング処理と有機溶剤例えばシンナーによって、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａに異常を起こさずに、レジストマスク２５のみを容易に剥離・除去することができる。
因みに、図１４に示すように、レジストマスク１０１を介して、シリコン半導体層１０２だけでなく、シリコン半導体層１０２とワイヤボンディングを行う多層配線層１０３のＡｌ配線１０４との間の層間絶縁膜１０５までエッチングしたとする。この場合、Ａｌ配線１０４が臨むようにエッチングされるため、レジストマスク１０１の表面に、反応生成物１０６が多量に付着する。この反応生成物１０６の主なものは、Ａｌ配線１０４表面のバリアメタル膜（前述した例えばＴｉＮ膜）１０７がエッチングされて発生した反応生成物である。この反応生成物１０６が多量に付着すると、シンナー、アッシング処理などによるレジストマスクの剥離が困難になる。
第１実施形態の図８Ｊの工程では、ＳＦ６ 及びＯ２ 系のガスを用いてシリコン半導体層１０のみのエッチングで止め、Ａｌ配線Ｍ１ａを露出させるまでエッチングしないので、その後のレジストマスク２５の剥離が容易になる。
次に、図９Ｌに示すように、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａを形成するために行ったエッチバック条件と同様の条件で、２回目の全面エッチバック処理を行い、最終的なオンチップマイクロレンズ２１を形成する。同時にこの全面エッチバック処理で、２次の開口部２０ｂ内において、シリコン半導体層１０とワイヤボンディングするＡｌ配線Ｍ１ａとの間の層間絶縁膜１４をエッチング除去し、Ａｌ配線が露出する最終的な開口部２０を形成する。この開口部２０の形成で目的のパッド部５を形成する。
なお、予め、開口部２０の周囲に相当するシリコン半導体層１０に絶縁分離層２７を形成して置くことにより、開口部２０内にＡｕ細線などのボンディングワイヤをボンディングしたときに、ボンディングワイヤとシリコン半導体層１０とが接触しても、他部のシリコン半導体層１０との電気的短絡は阻止できる。
第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法によれば、パッド部５の開口部２０を形成する前に、基板表面（いわゆる下地面）に実質的な段差のない状態で、オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを形成するための有機系膜である例えばレジスト膜を塗布することになる。このレジスト塗布作業において、下地面には段差がないので、レジスト膜に対して、パッド部における開口部段差に起因したストライエーションの発生を防ぐことができる。ストライエーションを防ぐことにより、均一性のよいオンチップカラーフィルタ１９及びオンチップマイクロレンズ２１の形成ができ、撮像特性にむらがない信頼性の高い固体撮像装置を製造することができる。
１次のオンチップマイクロレンズ２１ａを転写するエッチバック処理で、同時に平坦化膜１８、パシベーション膜１７、反射防止膜４５およびシリコン半導体層１０の一部までエッチングして１次の開口部２０ａを形成することにより、最終的な開口部２０を形成するためのエッチング工程が簡素化される。因みに、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａに開口２３を形成せず、後から一括してパッド部の開口部２０ｂを形成するような場合、通常のドライエッチングを用いるときは、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａのエッチングと、平坦化膜１８、パシベーション膜１７および反射防止膜４５までのエッチングと、シリコン半導体層１０のエッチングとは、それぞれエッチングガスを選択して行うことになり、エッチング工程が煩雑になる。
本実施形態では、１回目の全面エッチバック処理後に、シリコン半導体層１０のみを選択的にエッチング除去して２次の開口部２０ｂを形成している。そして、そのシリコン半導体層１０のドライエッチングをＳＦ６とＯ２ のガス系を用いて行っているので、反応生成物の発生を防ぎ、その後に除去されるレジストマスク２５の除去性を高めることができる。しかも、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａおよびオンチップマイクロレンズ部材２１Ａの表面がエッチバック処理により硬化していることと相俟って、レジストマスク除去工程で、レジストマスク２５のみを、容易に剥離することができる。このレジストマスク２５の除去工程では、有機溶剤例えばシンナー、もしくはアッシング処理と有機溶剤例えばシンナーにより、オンチップマイクロレンズ２１ａに異常を起こさずにレジストマスク２５のみを除去することができる。
また、２回目の全面エッチバック処理で最終的なオンチップマイクロレンズ２１の形成と共に、信号回路側の１層目のＡｌ配線Ｍ１ａとシリコン半導体層１０間の薄い層間絶縁膜１４を除去して、電極取り出し部となるＡｌ配線Ｍ１ａを露出させているので、Ａｌ配線Ｍ１ａのエッチング量を減らすことができる。
図１０〜図１３に、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第２実施形態を示す。同図 は、図１のＡ―Ａ線上の断面に相当する。
図１０Ａの前段までの工程は、前述した図４Ａ〜図６Ｅまでの工程と同様である。本実施形態においては、図１０Ａに示すように、オンチップカラーフィルタ１９を形成した後、オンチップカラーフィルタ１９上を含む全面にオンチップマイクロレンズ部材２１Ａとなる有機系膜、例えばネガ型レジスト膜をコーター・デベロッパーにより塗布する。このオンチップマイクロレンズ部材２１Ａは、第１実施形態と同様に、実質的に段差がない下地面に塗布されるので、塗布されたオンチップマイクロレンズ部材２１Ａにストライエーションが発生しない。
次に、図１０Ｂに示すように、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａ上、すなわち、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａのオンチップカラーフィルタ１９に対応する上面に、各画素毎にオンチップマイクロレンズに相当する所要の曲率を有するレンズ形状部材２４を形成する。このレンズ形状部材２４は、ポジ型レジスト膜を塗布し、各画素に対応するようにパターニングした後、リフロー処理して形成する。
次に、図１１Ｃに示すように、全面エッチバック処理を行う。このエッチバック処理でレンズ形状部材２４のレンズ形状をオンチップマイクロレンズ部材２１Ａに転写する。この転写により１次のオンチップマイクロレンズ２１ａが形成されるが、最終的なオンチップマイクロレンズではない。このエッチバック処理で、転写された１次のオンチップマイクロレンズ２１ａおよびオンチップマイクロレンズ部材２１Ａの表面は、硬化される。
次に、図１１Ｄに示すように、パッド部を形成する位置に開口２５ａを有するレジストマスク２５を、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａ上およびオンチップマイクロレンズ部材２１Ａ上の全面に形成する。このときのレジストマスク２５は、前述と同様に通常の半導体プロセスで使用されるレジストであればどれでもよい。
次に、図１２Ｅに示すように、このレジストマスク２５を介してオンチップマイクロレンズ部材２１Ａの表面からシリコン半導体層１０の全てまでをドライエッチングして１次の開口部２０ｄを形成する。このときのドライエッチングでは、オンチップマイクロレンズ部材２１Ａのエッチングと、平坦化膜１８、パシベーション膜１７および反射防止膜４５のエッチングと、シリコン半導体層１０のエッチングとにおいて、それぞれ用いるエッチングガス系が異なる。
次に、図１２Ｆに示すように、レジストマスク２５を有機溶剤例えばシンナー、あるいはアッシング処理と有機溶剤例えばシンナーにより、剥離・除去する。前工程でのエッチングは、シリコン半導体層１０までであり、Ａｌ配線Ｍ１ａが露出するまで行わないので、反応生成物の発生を防ぐことができ、あるいは反応生成物の発生を極めて少なく抑えてレジストマスク表面への反応生成物の付着を極めて少なくすることができる。これにより、有機溶剤例えばシンナー、あるいはアッシング処理と有機溶剤例えばシンナーによって、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａに異常を起こさずに、レジストマスク２５のみを容易に剥離、除去することができる。
次に、図１３に示すように、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａを形成するために行ったエッチバック条件と同様の条件で、２回目の全面エッチバック処理を行い、最終的なオンチップマイクロレンズ２１を形成する。同時に、この全面エッチバックにより、シリコン半導体層１０とワイヤボンディングするＡｌ配線Ｍ１ａとの間の層間絶縁膜１４がエッチバック除去され、Ａｌ配線が露出する最終的な開口部２０を形成する。この開口部２０の形成で目的のパッド部５を形成する。
なお、予め、開口部２０の周囲に相当するシリコン半導体層１０に絶縁分離層２７を形成して置くことにより、開口部２０内にＡｕ細線などのボンディングワイヤをボンディングしたときに、ボンディングワイヤとシリコン半導体層１０とが接触しても、他部のシリコン半導体層１０との電気的短絡は阻止できる。
第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法によれば、パッド部の開口部を形成する前に、基板表面（いわゆる下地面）に実質的な段差のない状態で、オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを形成するための有機系膜である例えばレジスト膜を塗布している。このレジスト塗布作業において、下地面に段差がないので、レジスト膜に対して、パッド部における開口部段差に起因したストライエーションの発生を防ぐことができる。ストライエーションを防ぐことにより、むらのないオンチップカラーフィルタ１９及びオンチップマイクロレンズ２１の形成ができ、撮像特性にむらがない信頼性の高い固体撮像装置を製造することができる。
また、レジストマスク２５を介した選択エッチングでは、表面のオンチップマイクロレンズ部材２１ＡからＡｌ配線Ｍ１ａが露出しないシリコン半導体層１０までをドライエッチングし、１次の開口部２０ｄを形成している。このことにより、反応生成物の発生を防ぎ、レジストマスク２５の除去性を高めることができる。しかも、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａおよびオンチップマイクロレンズ部材２１Ａの表面がエッチバック処理により硬化していることと相俟って、レジストマスク２５のみを、容易に剥離・除去することができる。すなわち、１次のオンチップマイクロレンズ２１ａに影響を与えずにレジストマスクのみを剥離・除去することができる。
また、２回目の全面エッチバック処理で、最終的なオンチップマイクロレンズ２１の形成と共に、パッド部５のＡｌ配線Ｍ１ａを露出させているので、Ａｌ配線Ｍ１ａのエッチング量を減らすことができる。
裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置の概略構成図である。 単位画素の断面図である。 パッド部分を示す図１のＡ−Ａ線上の断面図である。 Ａ〜Ｂ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施の形態を示す製造工程図（その１）である。 Ｃ〜Ｄ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施の形態を示す製造工程図（その２）である。 Ｅ〜Ｆ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施の形態を示す製造工程図（その３）である。 Ｇ〜Ｈ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施の形態を示す製造工程図（その４）である。 Ｉ〜Ｊ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施の形態を示す製造工程図（その５）である。 Ｋ〜Ｌ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実施の形態を示す製造工程図（その６）である。 Ａ〜Ｂ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第２実施の形態を示す製造工程図（その１）である。 Ｃ〜Ｄ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第２実施の形態を示す製造工程図（その２）である。 Ｅ〜Ｆ 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第２実施の形態を示す製造工程図（その３）である。 本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第２実施の形態を示す製造工程図（その４）である。 本発明の説明に供する説明図である。 裏面照射型固体撮像装置の要部の断面図である。 Ａ〜Ｂ 従来の裏面照射型固体撮像装置のパッド部の形成方法の一例を示す製造工程図である。
符号の説明
１・・固体撮像装置、３・・撮像領域、５・・パッド部、６，７・・周辺回路、８・・支持基板、９・・多層配線層、１０・・シリコン半導体層、１１・・フォトダイオード（ＰＤ）、Ｔｒ１、Ｔｒ２・・画素トランジスタ、１４・・層間絶縁膜、Ｍ１〜Ｍ３・・配線、Ｍ１ａ・・Ａｌ配線、１５・・接着層、１７・・パシベーション膜、１８・・平坦化膜、１９・・オンチップカラーフィルタ、２０・・開口部、２０ａ・・１次の開口部、２０ｂ・・２次の開口部、２１・・オンチップマイクロレンズ、２１Ａ・・オンチップマイクロレンズ部材、２１ａ・・１次のオンチップマイクロレンズ、２３・・開口、２４・・レンズ形状部材、２５・・レジストマスク、４５・・反射防止膜

Claims (9)

  1. 光電変換部を形成した半導体基板の一方の面側に層間絶縁膜を介して信号回路が形成され、他方の面側から前記光電変換部に光が入射される固体撮像装置の製造方法であって、
    光入射面側にオンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを形成した後に、前記光入射面側にパッド部の開口部を形成する工程を有する
    ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズは、それぞれ有機系膜を塗布する工程を有して形成する
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記オンチップマイクロレンズの形成工程においては、
    前記オンチップカラーフィルタを含む面上に、パッド部を形成すべき部分に開口を有する有機系膜によるオンチップマイクロレンズ部材を形成する工程と、
    前記オンチップマイクロレンズ部材上の所要部にレンズ形状部材を形成する工程と、
    全面エッチバックして、前記オンチップマイクロレンズ部材に１次のオンチップマイクロレンズを転写し、同時に前記オンチップマイクロレンズ部材の開口を通じて、上面から前記半導体基板の途中までエッチングして１次の開口部を形成する工程を有する
    ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記１次の開口部を形成した後、
    前記１次のオンチップマイクロレンズおよび前記オンチップマイクロレンズ部材の面上に、前記１次の開口部を除いてレジストマスクを形成する工程と、
    前記レジストマスクを介して、前記１次の開口部内の前記半導体基板のみを選択的にドライエッチングで除去して２次の開口部を形成する工程を有する
    ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記２次の開口部を形成した後、
    前記レジストマスクを除去する工程を有する
    ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記レジストマスクを除去した後、
    全面エッチバックして最終的なオンチップマイクロレンズを形成し、同時に前記２次の開口部の底面の前記層間絶縁膜を除去してワイヤボンディングされる前記信号回路が露出する最終的な開口部を形成する工程を有する
    ことを特徴とする請求項５記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記１次の開口部内の半導体基板のエッチングを、ＳＦ６ とＯ２ のガス系を用いて行い、
    前記レジストマスクの除去を、有機溶剤、もしくはアッシング処理と有機溶剤により行う
    ことを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記オンチップマイクロレンズ上に形成したレジストマスクを介して、パッド部に対応する部分の前記半導体基板を底部まで選択的にドライエッチングで除去して１次の開口部を形成する工程と、
    前記レジストマスクを、有機溶剤、もしくはアッシング処理と有機溶剤で除去する工程を有する
    ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記レジストマスクを除去した後、
    全面エッチバックして最終的なオンチップマイクロレンズを形成し、同時に前記開口部の底面の前記層間絶縁膜を除去してワイヤボンディングされる前記信号回路が露出する最終的な開口部を形成する工程を有する
    ことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
JP2008125189A 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5422914B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008125189A JP5422914B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法
TW098112380A TWI409969B (zh) 2008-05-12 2009-04-14 製造固態成像器件之方法及製造電子裝置之方法
EP09005639A EP2120264B1 (en) 2008-05-12 2009-04-22 Method of manufacturing solid-state imaging device and method of manufacturing electronic apparatus
CN2009101373395A CN101582393B (zh) 2008-05-12 2009-04-24 固体摄像器件制造方法和电子装置制造方法
KR1020090037075A KR20090117982A (ko) 2008-05-12 2009-04-28 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기의 제조 방법
US12/463,791 US8076172B2 (en) 2008-05-12 2009-05-11 Method of manufacturing solid-state imaging device and method of manufacturing electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008125189A JP5422914B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009277732A true JP2009277732A (ja) 2009-11-26
JP2009277732A5 JP2009277732A5 (ja) 2011-06-30
JP5422914B2 JP5422914B2 (ja) 2014-02-19

Family

ID=40637175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008125189A Expired - Fee Related JP5422914B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 固体撮像装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8076172B2 (ja)
EP (1) EP2120264B1 (ja)
JP (1) JP5422914B2 (ja)
KR (1) KR20090117982A (ja)
CN (1) CN101582393B (ja)
TW (1) TWI409969B (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011070693A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 パナソニック株式会社 固体撮像装置
WO2012001915A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus
WO2012001911A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, members for the same, and imaging system
WO2012001916A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and imaging system
JP2012104753A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
EP2466643A2 (en) 2010-12-15 2012-06-20 Sony Corporation Imaging apparatus, electronic apparatus, photovoltaic cell, and method of manufacturing imaging apparatus
JP2012231027A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2013038391A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 集積回路構造及び裏面照射型イメージセンサデバイス
JP2014099563A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Canon Inc 固体撮像装置の製造方法
US8829635B2 (en) 2011-02-24 2014-09-09 Sony Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device
US8872298B2 (en) 2010-07-01 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit pixel array of an image sensor
JP2015092592A (ja) * 2014-12-10 2015-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP2016048801A (ja) * 2015-12-02 2016-04-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US9601539B2 (en) 2010-03-31 2017-03-21 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
JP2017212453A (ja) * 2017-07-11 2017-11-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
WO2018047635A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
JP2018078305A (ja) * 2017-12-07 2018-05-17 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US10453886B2 (en) 2010-03-25 2019-10-22 Sony Corporation Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus
JP2019195082A (ja) * 2010-06-30 2019-11-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5471117B2 (ja) 2009-07-24 2014-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
JP5568969B2 (ja) * 2009-11-30 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5644096B2 (ja) 2009-11-30 2014-12-24 ソニー株式会社 接合基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法
JP2011204797A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
US8318580B2 (en) 2010-04-29 2012-11-27 Omnivision Technologies, Inc. Isolating wire bonding in integrated electrical components
US8748946B2 (en) * 2010-04-29 2014-06-10 Omnivision Technologies, Inc. Isolated wire bond in integrated electrical components
US8532449B2 (en) * 2010-05-06 2013-09-10 Intel Corporation Wafer integrated optical sub-modules
JP5644177B2 (ja) * 2010-05-07 2014-12-24 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
TWI463646B (zh) * 2010-07-16 2014-12-01 United Microelectronics Corp 背照式影像感測器
JP2012064703A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
JP2012084609A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2012084608A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP5640630B2 (ja) * 2010-10-12 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
US9165970B2 (en) 2011-02-16 2015-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Back side illuminated image sensor having isolated bonding pads
CN102760742B (zh) * 2011-04-26 2015-08-05 欣兴电子股份有限公司 电子装置及其制法
US8664736B2 (en) 2011-05-20 2014-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding pad structure for a backside illuminated image sensor device and method of manufacturing the same
US8710612B2 (en) 2011-05-20 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having a bonding pad and shield structure of different thickness
JP5970826B2 (ja) * 2012-01-18 2016-08-17 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器
US9721984B2 (en) * 2012-04-12 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor manufacturing methods
KR101934864B1 (ko) * 2012-05-30 2019-03-18 삼성전자주식회사 관통 실리콘 비아 구조물 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR102149772B1 (ko) * 2013-11-14 2020-08-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법
US9324755B2 (en) * 2014-05-05 2016-04-26 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with reduced stack height
DE112014006650A5 (de) * 2014-08-08 2017-01-26 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Entspiegelung der Rückseite eines Halbleiterwafers
TWI616692B (zh) * 2014-12-29 2018-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 光纖連接器及光耦合透鏡
US9806116B2 (en) * 2015-10-28 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Complementary metal grid and deep trench isolation in CIS application
US10109666B2 (en) * 2016-04-13 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pad structure for backside illuminated (BSI) image sensors
US20200144322A1 (en) * 2017-07-18 2020-05-07 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging apparatus and method of manufacturing imaging apparatus
JP7158846B2 (ja) * 2017-11-30 2022-10-24 キヤノン株式会社 半導体装置および機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302794A (ja) * 1993-04-19 1994-10-28 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子の製法
JP2002176156A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP2003229551A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2005347707A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005353631A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2006351761A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp 固体撮像素子及びその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812904B2 (ja) * 1990-11-30 1996-02-07 三菱電機株式会社 固体撮像素子の製造方法
KR0147401B1 (ko) * 1994-02-23 1998-08-01 구본준 고체촬상소자 및 그 제조방법
KR100215878B1 (ko) * 1996-12-28 1999-08-16 구본준 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR100310102B1 (ko) * 1998-03-05 2001-12-17 윤종용 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법
KR100388803B1 (ko) * 1999-07-14 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 고체 촬상 소자 및 그 제조방법
JP4421793B2 (ja) * 2001-07-13 2010-02-24 富士フイルム株式会社 ディジタルカメラ
US7084472B2 (en) * 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
JP4383959B2 (ja) * 2003-05-28 2009-12-16 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP4822683B2 (ja) * 2004-10-08 2011-11-24 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
TWI382455B (zh) * 2004-11-04 2013-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP2006147661A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光装置とその製造方法およびカメラ
KR100672994B1 (ko) * 2005-01-28 2007-01-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7553689B2 (en) * 2005-07-13 2009-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device with micro-lens and method of making the same
WO2007037294A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and fabrication method therefor
KR100801447B1 (ko) * 2006-06-19 2008-02-11 (주)실리콘화일 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법
KR100790288B1 (ko) * 2006-08-31 2008-01-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4486985B2 (ja) * 2007-08-06 2010-06-23 シャープ株式会社 固体撮像装置および電子情報機器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302794A (ja) * 1993-04-19 1994-10-28 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子の製法
JP2002176156A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP2003229551A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2005347707A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005353631A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2006351761A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp 固体撮像素子及びその製造方法

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011070693A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US11222914B2 (en) 2010-03-25 2022-01-11 Sony Corporation Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus
US10453886B2 (en) 2010-03-25 2019-10-22 Sony Corporation Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus
US10529760B2 (en) 2010-03-31 2020-01-07 Sony Cororation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
US9666632B2 (en) 2010-03-31 2017-05-30 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
US9601539B2 (en) 2010-03-31 2017-03-21 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
US9508775B2 (en) 2010-06-30 2016-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus
US9899449B2 (en) 2010-06-30 2018-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and imaging system
US10367022B2 (en) 2010-06-30 2019-07-30 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, members for the same, and imaging system
JP2019195082A (ja) * 2010-06-30 2019-11-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US10304899B2 (en) 2010-06-30 2019-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and imaging system
WO2012001915A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus
US11102440B2 (en) 2010-06-30 2021-08-24 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and imaging system
WO2012001911A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, members for the same, and imaging system
JP7140718B2 (ja) 2010-06-30 2022-09-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
WO2012001916A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and imaging system
US8947566B2 (en) 2010-06-30 2015-02-03 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus
JP2012015277A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Canon Inc 固体撮像装置、及び撮像システム
JP2012015278A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Canon Inc 固体撮像装置、固体撮像装置用の部材、及び撮像システム
US9142587B2 (en) 2010-06-30 2015-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, members for the same, and imaging system
US9209220B2 (en) 2010-06-30 2015-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus
US9252169B2 (en) 2010-06-30 2016-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and imaging system
JP2012033878A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Canon Inc 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US9397132B2 (en) 2010-06-30 2016-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, members for the same, and imaging system
US8872298B2 (en) 2010-07-01 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit pixel array of an image sensor
JP2012104753A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
US8958073B2 (en) 2010-12-15 2015-02-17 Sony Corporation Imaging apparatus, electronic apparatus, photovoltaic cell, and method of manufacturing imaging apparatus
RU2498459C2 (ru) * 2010-12-15 2013-11-10 Сони Корпорейшн Устройство для считывания изображения, электронное устройство, фотогальванический элемент и способ изготовления устройства для считывания изображения
JP2012127795A (ja) * 2010-12-15 2012-07-05 Sony Corp 撮像装置、電子機器、太陽電池、および、撮像装置の製造方法
EP2466643A2 (en) 2010-12-15 2012-06-20 Sony Corporation Imaging apparatus, electronic apparatus, photovoltaic cell, and method of manufacturing imaging apparatus
US8829635B2 (en) 2011-02-24 2014-09-09 Sony Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device
JP2012231027A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2013038391A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 集積回路構造及び裏面照射型イメージセンサデバイス
JP2014099563A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Canon Inc 固体撮像装置の製造方法
JP2015092592A (ja) * 2014-12-10 2015-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP2016048801A (ja) * 2015-12-02 2016-04-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JPWO2018047635A1 (ja) * 2016-09-09 2019-06-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
KR20190045187A (ko) * 2016-09-09 2019-05-02 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 소자 및 제조 방법, 및 전자 기기
WO2018047635A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
KR102493216B1 (ko) * 2016-09-09 2023-01-30 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 소자 및 제조 방법, 및 전자 기기
TWI800487B (zh) * 2016-09-09 2023-05-01 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像元件及製造方法、以及電子機器
US12119366B2 (en) 2016-09-09 2024-10-15 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid state imaging device, solid state imaging device manufacturing method, and electronic apparatus
JP2017212453A (ja) * 2017-07-11 2017-11-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP2018078305A (ja) * 2017-12-07 2018-05-17 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TW201001739A (en) 2010-01-01
EP2120264B1 (en) 2013-01-30
EP2120264A2 (en) 2009-11-18
CN101582393A (zh) 2009-11-18
CN101582393B (zh) 2012-10-17
EP2120264A3 (en) 2012-02-22
KR20090117982A (ko) 2009-11-17
US20090280596A1 (en) 2009-11-12
TWI409969B (zh) 2013-09-21
JP5422914B2 (ja) 2014-02-19
US8076172B2 (en) 2011-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5422914B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP4603851B2 (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法
KR101899595B1 (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기
US10090349B2 (en) CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same
TWI497696B (zh) 半導體器件，其製造方法及電子裝置
JP4987917B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
US20120256319A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and electronic apparatus
KR100504563B1 (ko) 이미지 센서 제조 방법
JP2009176777A (ja) 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ
JP6505180B2 (ja) 平坦なマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法
JP4972924B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ
US11532658B2 (en) Image sensor grid and method of fabrication of same
JP2006339566A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP4486043B2 (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法
KR20200091252A (ko) 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP5229354B2 (ja) 固体撮像装置
KR100729744B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 제조 방법
US8003505B2 (en) Image sensor and method of fabricating the same
US20240162263A1 (en) Imaging device
KR100672693B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
JP2006319133A (ja) カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子の製造方法、カラーフィルタ、固体撮像素子
JP2006344656A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
KR20060011410A (ko) 포커싱을 개선한 시모스 이미지센서 및 그 제조방법
KR20060020387A (ko) 광 집적도를 향상시킨 시모스 이미지센서의 제조방법
KR100866254B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110512

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130411

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131029

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131111

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees