JP6505180B2 - 平坦なマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
101…半導体基板
101B…裏面側表面
101F…表面側表面
103…光電変換素子
105…遮光層
107…平坦化層
109…カラーフィルター層
109R…赤色カラーフィルター成分
109G…緑色カラーフィルター成分
109B…青色カラーフィルター成分
110…マイクロレンズアレイ
111…レンズ材料層
111F…マイクロレンズの平坦上面
111S…マイクロレンズの湾曲側壁
111ML…マイクロレンズ
113…ハードマスク
113A…ハードマスクセグメント
113B…レンズ状パターン
113C…ハードマスクの残存部分
115…パッシベーション膜
117…保護層
117A…保護層の残存部分
117F…保護層の残存部分の平坦上面
119…フォトレジスト
119A…フォトレジストの残存部分
120…配線層
121…金属層
122…ビア
123…誘電体層
125…パッシベーション膜
I−1…入射光
I−2…入射光
P…画素
130…第1のドライエッチングプロセス
140…第2のドライエッチングプロセス
150…ドライエッチングプロセス
160…リフトオフプロセス
200…固体撮像素子
Claims (10)
- 固体撮像素子の製造方法であって、
複数の光電変換素子を有する半導体基板を提供するステップ、
前記半導体基板の上にカラーフィルター層を形成するステップ、
前記カラーフィルター層の上にレンズ材料層を形成するステップ、
前記レンズ材料層の上にレンズ状パターンを有するハードマスクを形成するステップ、
前記ハードマスクおよび前記レンズ材料層の両方をエッチングして、前記レンズ材料層から平坦上面のマイクロレンズを形成し、前記マイクロレンズの平坦上面の上に前記ハードマスクの一部を残すステップ、および
前記マイクロレンズに残った前記ハードマスクの一部を除去するステップを含む方法。 - 前記ハードマスクおよび前記レンズ材料層の両方のエッチングは、フッ素含有のエッチングガスを用いた第1のドライエッチングプロセスで行われ、
前記第1のドライエッチングプロセスの間、前記ハードマスクの材料は、前記レンズ材料層の材料のエッチングレートと異なるエッチングレートを有し、
前記ハードマスクと前記レンズ材料層のエッチングレート比は、1:1〜1.2:1の範囲にある請求項1に記載の方法。 - 前記マイクロレンズの上に残っている前記ハードマスクの一部を除去した後、前記マイクロレンズの上にパッシベーション膜をコンフォーマルに形成するステップを更に含み、
前記パッシベーション膜は、化学蒸着プロセスによって形成され、
前記パッシベーション膜の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、またはその組み合わせである請求項1または請求項2に記載の方法。 - 前記ハードマスクの材料は、感光性有機材料を含み、
前記ハードマスクの形成は、フォトリソグラフィープロセスおよびリフロープロセスを用いて、感光性有機材料を使って、ハードマスクのレンズ状パターンを形成する請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。 - 固体撮像素子の製造方法であって、
複数の光電変換素子を有する半導体基板を提供するステップ、
前記半導体基板の上にカラーフィルター層を形成するステップ、
前記カラーフィルター層の上にレンズ材料層を形成するステップ、
前記レンズ材料層の上にパターン化されたフォトレジストを形成するステップ、
前記パターン化されたフォトレジストの上にレンズ状パターンを有するハードマスクを形成するステップ、
前記ハードマスク、前記パターン化されたフォトレジスト、および前記レンズ材料層をエッチングして、平坦上面のマイクロレンズを形成し、前記マイクロレンズは、前記レンズ材料層から形成され、前記マイクロレンズの平坦上面の上に前記パターン化されたフォトレジストの一部および前記ハードマスクの一部を残すステップ、および
前記マイクロレンズの平坦上面の上の前記パターン化されたフォトレジストの一部および前記ハードマスクの一部を除去するステップを含む固体撮像素子の方法。 - 前記レンズ材料層および前記パターン化されたフォトレジストの間に保護層を形成するステップを更に含み、
前記ハードマスク、前記パターン化されたフォトレジスト、および前記レンズ材料層のエッチングは、フッ素含有エッチングガスを用いたドライエッチングプロセスで行われ、
前記保護層はドライエッチングプロセスによってエッチングされ、前記保護層の一部を前記マイクロレンズの平坦上面の上に残し、
前記ドライエッチングプロセスの前記ハードマスクと前記パターン化されたフォトレジスト、前記保護層、および前記レンズ材料層のエッチングレート比は、1.2:1.2:1.3:1〜1.3:1.3:1.4:1の範囲にある請求項5に記載の方法。 - 前記マイクロレンズの平坦上面の上の前記パターン化されたフォトレジストの一部および前記ハードマスクの一部を除去するステップは、リフトオフプロセスを用いて行われ、前記マイクロレンズの前記平坦面上に残った前記保護層の一部は、前記リフトオフプロセスによって除去されない請求項6に記載の方法。
- 前記マイクロレンズの平坦上面の上、且つ前記マイクロレンズの側壁の上に残った前記保護層の一部の上にパッシベーション膜をコンフォーマルに形成するステップを更に含み、
前記パッシベーション膜は、前記保護層の厚さより小さい厚さを有し、前記保護層は、第1の化学蒸着プロセスによって形成され、
前記パッシベーション膜は、第2の化学蒸着プロセスによって形成される請求項6に記載の方法。 - 複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上に配置されたカラーフィルター層と、
前記カラーフィルター層の上に配置された平坦上面を有するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズの平坦上面の上の保護層と、
前記保護層の上且つ前記マイクロレンズの側壁の上にコンフォーマルに形成されたパッシベーション膜とを備え、
前記マイクロレンズの平坦上面は、前記光電変換素子の真上にあり、
前記マイクロレンズの平坦上面の領域の大きさは、前記光電変換素子の領域の大きさと等しい固体撮像素子。 - 前記パッシベーション膜は、前記保護層の厚さより小さい厚さを有する請求項9に記載の固体撮像素子。
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