KR100788348B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다층형 마이크로렌즈를 형성하여 이미지 센서의 수광 감도를 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴의 주위에 라운드 형상의 폴리머를 형성하는 단계와, 상기 폴리머를 포함한 반도체 기판의 전면에 상기 폴리머의 라운드 형상이 반영되고, 상기 각 폴리머의 경계부 상에는 상기 평탄화층의 평탄한 형상이 반영되도록 동일한 두께의 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연막의 표면 형상이 반영되도록 실리콘 게르마늄막, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 폴리머의 측면이 노출되도록 상기 평탄한 형상이 반영된 상기 제 2 절연막, 실리콘 게르마늄막, 제 1 절연막 및 폴리머와, 상기 라운드 형상이 반영된 상기 제 2 절연막, 실리콘 게르마늄막, 제 1 절연막 및 폴리머의 에지부를 제거하는 단계와, 상기 에지부가 제거된 라운드 형상의 폴리머 및 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 라운드 형상이 반영된 실리콘 게르마늄막을 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
마이크로렌즈, 실리콘 게르마늄, 폴리머, 포토레지스트, 질화막
Description
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도
도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 4a 내지 도 4i는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 5는 도 4h의 공정을 위에서 본 이미지를 나타낸 도면
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
101 : 반도체 기판 102 : 포토 다이오드
103 : 층간 절연층 104 : 칼라 필터층
105 : 평탄화층 106 : 포토레지스트 패턴
107 : 폴리머 108 : 제 1 질화막
109 : 실리콘 게르마늄막 110 : 제 2 질화막
본 발명은 이미지 센서(image sensor)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 이미지 센서의 수광 능력을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치로써, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 소자와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 소자로 크게 나눌 수 있다.
상기 CMOS 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토 다이오드와 감지된 빛을 전기적인 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직 회로로 구성되는데, 상기 포토 다이오드의 수광량이 많을수록 상기 이미지 센서의 광 감도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다.
이러한, 광 감도를 높이기 위해서 이미지 센서의 전체 면적 중에서 포토 다이오드가 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집광시켜 주는 기술이 사용된다.
상기 집광 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토 다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토 다이오드 영역으로 조사하는 방법이다.
이 경우 마이크로렌즈의 광축과 수평한 빛이 마이크로렌즈에 의해서 굴절되 어 광축상의 일정 위치에서 그 초점이 형성되어진다.
한편, 이미지 센서용 소자를 제조함에 있어서, 이미지를 받아들이는 포토 다이오드의 개수가 해상력(resolution)을 결정하기 때문에 고(高)화소화로의 진전 및 소형화에 따른 픽셀(pixel)의 미세화가 이루어지고 있다.
따라서 이렇게 소형화 및 고화소화로의 진전에 따라 외부 화상의 입력을 이미지 플랜(image plane)에 집속함에 있어서 마이크로렌즈를 통해 집속을 하게 된다.
칼라 필터(color filter)는 색분리를 위해서 원색형 또는 보색형으로 칼라 필터층을 형성하게 되는데 원색형의 경우 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 칼라를, 보색형의 경우 시안(Cyan), 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 칼라를 형성하여 색분리가 되도록 하여 색 재현을 할 수 있도록 온-칩(on-chip) 방식으로 형성을 하게 된다.
한편, 입사되는 광을 효율적으로 활용하기 위함과 아울러 최대한 활용하기 위하여 마이크로렌즈를 형성하여 집광효율을 높이게 되는데, 상기 마이크로렌즈는 포토 레지스트(photo resist)를 열 리플로우(thermal reflow) 시켜서 형성하고 있다.
그러나 마이크로렌즈의 사이즈를 최대한 크게 하여 보다 많은 광을 집속하기 위하여 리플로우하다 보면 이웃하는 마이크로렌즈간의 브릿지(bridge)가 생기기 때문에 어느 정도의 CD(Critical Dimension)을 유지하여 균일성(uniformity)을 향상하게 된다.
상기와 같은 특징을 갖는 이미지 센서 중 CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 등가회로 및 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다. 그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다. 또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다. 따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(30,40,50)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(30)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(40)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(50)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(30,40,50) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다. 따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(30,40,50)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(11)에 적어도 하나 이상 형성되어 입 사되는 광량에 따른 전하를 생성하는 포토 다이오드(12)와, 상기 포토 다이오드(12)를 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 형성되는 층간 절연층(13)과, 상기 층간 절연층(13)상에 형성되어 각각 특정의 파장대의 빛을 통과시키는 R, G, B의 칼라 필터층(14)과, 상기 칼라 필터층(14)을 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 형성되는 평탄화층(15)과, 상기 평탄화층(15)상에 일정 곡률을 갖는 볼록 형태로 구성되어 대응하는 칼라 필터층(14)을 투과하여 포토 다이오드(12)로 빛을 집광하는 마이크로 렌즈(16)로 구성된다.
여기서 도면에 도시하지 않았지만, 상기 층간 절연층(13)내에는 포토 다이오드 영역의 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 방지하기 위한 차광층(Optical Shielding Layer)이 구성된다.
그리고 광을 감지하기 위한 소자로 포토 다이오드 형태가 아니고, 포토 게이트 형태로 구성되는 것도 가능하다.
여기서, 상기 칼라 필터층(14)은 R(red), G(green), B(blue)의 칼라 필터로 구성되며, 상기 각 칼라 필터는 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 형성된다.
그런데 이미지 센서의 소형화, 다(多)화소화로의 변화에 따라 단위 면적 당 더 많은 화소를 만들고 있으며 화소 크기가 작아짐에 따라 상부에 온-칩(on-chip)으로 형성하는 칼라 필터 및 마이크로렌즈의 사이즈 또한 작아진다. 단위화소 크기가 작아짐에 따라 빛을 받아들이는 포토 다이오드 영역의 축소에 따라 감도는 줄어들게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 다층형 마이크로렌즈를 형성하여 이미지 센서의 수광 감도를 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴의 주위에 라운드 형상의 폴리머를 형성하는 단계와, 상기 폴리머를 포함한 반도체 기판의 전면에 상기 폴리머의 라운드 형상이 반영되고, 상기 각 폴리머의 경계부 상에는 상기 평탄화층의 평탄한 형상이 반영되도록 동일한 두께의 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연막의 표면 형상이 반영되도록 실리콘 게르마늄막, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 폴리머의 측면이 노출되도록 상기 평탄한 형상이 반영된 상기 제 2 절연막, 실리콘 게르마늄막, 제 1 절연막 및 폴리머와, 상기 라운드 형상이 반영된 상기 제 2 절연막, 실리콘 게르마늄막, 제 1 절연막 및 폴리머의 에지부를 제거하는 단계와, 상기 에지부가 제거된 라운드 형상의 폴리머 및 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 라운드 형상이 반영된 실리콘 게르마늄막을 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 나타 낸 공정 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 복수개의 광감지 소자들 예를 들면, 포토 다이오드(1022)들 및 각종 트랜지스터(도 1을 참조)가 형성된 반도체 기판(101)상에 층간 절연층(103)을 형성한다.
여기서, 상기 층간 절연층(103)은 다층으로 형성될 수도 있고, 도시되지 않았지만, 하나의 층간 절연층을 형성한 후에 포토 다이오드(102) 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 막기 위한 차광층을 형성 한 후에 다시 층간 절연층이 형성된다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 층간 절연층(103)상에 가염성 레지스트를 사용하여 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 진행하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층(R, G, B)(104)들을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층(104)은 1 ~ 5㎛의 두께를 갖도록 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 사용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층(104)을 단일층으로 형성한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 칼라 필터층(104)을 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 신뢰성(reliability) 및 패키지(package)시 EMC, 외부로부터의 수분이나 중금속 침투를 방지하기 위하여 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)막을 증착하여 평탄화층(105)을 형성한다.
한편, 이미지 센서는 광학적인 투과가 매우 중요하기 때문에 상기 평탄화층(105)의 두께에 의한 박막들의 간섭 현상을 배제하기 위하여 1000 ~ 6000Å의 두께 로 형성한다.
여기서, 상기 평탄화층(105)을 형성한 상태에서 배선을 위한 본딩 패드(bonding PAD)를 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 평탄화층(105)을 패드 및 스크라이브 라인(scribe line) 부분을 오픈(open) 시키고, 건식 또는 습식으로 식각하여 소정의 원하는 본딩 패드(도시되지 않음)를 형성할 수도 있다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화층(105)을 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 포토레지스트를 도포한다.
이어, 노광 및 현상 공정으로 상기 포토레지스트를 선택적으로 패터닝하여 포토레지스트 패턴(106)을 형성한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트 패턴(106)의 표면에 불소(F) 계열의 가스를 이용하여 각 픽셀에 대응되도록 라운드 형상의 폴리머(polymer)(107)를 형성한다.
이때 상기 폴리머(107)는 상기 포토레지스트 패턴(106) 주위에 발생함으로써 렌즈 형상을 갖고 형성된다.
도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 폴리머(107)를 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 CVD법으로 상기 폴리머(107) 상에는 상기 폴리머(107)의 라운드 형상이 반영되고, 각 폴리머(107)의 경계부 상에는 상기 평탄화층(105)의 평탄한 형상이 반영되도록 동일한 두께의 제 1 질화막(108)을 형성한다.
도 4g에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 질화막(108)상에 상기 제 1 질화막(108) 표면 형상이 반영되는 실리콘 게르마늄(SiGe)막(109) 및 제 2 질화막(110)을 차례로 형성한다.
여기서, 상기 실리콘 게르마늄막(109) 대신에 포토레지스트를 사용할 수 있다.
한편, 상기 실리콘 게르마늄막 또는 포토레지스트 및 질화막 등을 다층으로 형성할 수도 있다.
도 4h에 도시한 바와 같이, 포토 및 식각 공정을 통해 렌즈의 4면 중 일 부분을 식각하여 제거한다. 다시 말해, 상기 폴리머(107)의 측면이 노출되도록 상기 폴리머(107) 경계부 상의 상기 평탄화층(105)의 평탄한 형상이 반영된 제 2 절연막(110), 실리콘 게르마늄막(109), 제 1 절연막(108) 및 폴리머(107)와, 라운드 형상이 반영된 제 2 절연막(110), 실리콘 게르마늄막(109), 제 1 절연막(108) 및 폴리머(107)의 에지부를 포함하여 제거한다.
이때 상기 식각 공정은 습식 식각을 이용한다.
한편, 상기 4면 중 1면 또는 2,3면을 식각함으로써 이후에 습식 식각을 위한 용액이 안으로 들어갈 수 있도록 한다.
즉, 도 5는 도 4h의 공정을 위에서 본 이미지를 나타낸 도면이다.
도 4i에 도시한 바와 같이, 상기 반도체 기판(101)에 형성된 상기 라운드 형상의 폴리머(107) 및 포토레지스트 패턴(106)을 선택적으로 제거한다.
여기서, 상기 폴리머(107) 및 포토레지스트 패턴(106)을 제거한 후 SC-1 또는 SC-2를 이용한 세정 공정을 실시한다.
이어, 상기 라운드 형상이 반영된 실리콘 게르마늄막(109)을 제거하는데, 이때 상기 실리콘 게르마늄막(109)은 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2) 및 불소 화합물(NF3, CF4 등)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 기체 플라즈마를 이용하거나 암모니아수(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 질산(HNO3) 및 불산(HF)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 용액과, 탈 이온수(H2O)를 포함하는 혼합액을 이용한 습식 식각으로 제거한다.
따라서 본 발명에 의한 마이크로렌즈는 평탄화층(105)상에 일정 공간을 갖으면서 제 1 질화막(108)과 제 2 질화막(110)이 적층된 형태를 갖게 된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 제 1 질화막(108)과 제 2 질화막(110)으로 이 루어진 마이크로렌즈를 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고 실리콘 게르마늄막/질화막 순서로 다층으로 적층하여 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 질화막을 사용하여 마이크로렌즈를 형성하고 있지만, 이에 한정하지 않고 산화막 등의 절연막을 사용하여 마이크로렌즈를 형성할 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 폴리머 생성과 포토레지스트, 실리콘 게르마늄 그리고 질화막을 이용하여 다층 마이크로렌즈를 형성함으로써 수광 감도를 향상시키어 이미지 센서의 특성을 향상시킬 수 있다.
Claims (10)
- 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계;상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴의 주위에 라운드 형상의 폴리머를 형성하는 단계;상기 폴리머를 포함한 반도체 기판의 전면에 상기 폴리머의 라운드 형상이 반영되고, 상기 각 폴리머의 경계부 상에는 상기 평탄화층의 평탄한 형상이 반영되도록 동일한 두께의 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막의 표면 형상이 반영되도록 실리콘 게르마늄막, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 폴리머의 측면이 노출되도록 상기 평탄한 형상이 반영된 상기 제 2 절연막, 실리콘 게르마늄막, 제 1 절연막 및 폴리머와, 상기 라운드 형상이 반영된 상기 제 2 절연막, 실리콘 게르마늄막, 제 1 절연막 및 폴리머의 에지부를 제거하는 단계;상기 에지부가 제거된 라운드 형상의 폴리머 및 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 라운드 형상이 반영된 실리콘 게르마늄막을 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 절연막은 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머는 불소 계열의 가스를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머 및 포토레지스트 패턴을 제거한 후 SC-1 또는 SC-2를 이용하여 세정 공정을 실시하는 단계를 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머 및 포토레지스트 패턴은 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄막은 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄막은 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2) 및 불소 화합물을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 기체 플라즈마를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄막은 암모니아수(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 질산(HNO3) 및 불산(HF)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 용액과, 탈 이온수(H2O)를 포함하는 혼합액을 이용한 습식 식각을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 1000 ~ 6000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계;상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 포토레지스트 패턴의 주위에 라운드 형상의 폴리머를 형성하는 단계;상기 폴리머를 포함한 반도체 기판의 전면에 상기 폴리머의 라운드 형상이 반영되고, 상기 각 폴리머의 경계부 상에는 상기 평탄화층의 평탄한 형상이 반영되도록 동일한 두께의 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막의 표면 형상이 반영되도록 제 2 포토레지스트, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 제 1 포토레지스트 패턴을 포함하는 폴리머의 측면이 노출되도록 상기 평탄한 형상이 반영된 제 2 절연막, 제 2 포토레지스트, 제 1 절연막 및 폴리머와, 상기 라운드 형상이 반영된 제 2 절연막, 제 2 포토레지스트, 제 1 절연막 및 폴리머의 에지부를 제거하는 단계;상기 에지부가 제거된 라운드 형상의 폴리머 및 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 라운드 형상이 반영된 제 2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
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