JP2009176777A - 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換部11と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層10を有し、半導体層10の一方の面側に多層配線層14が形成され、半導体層10の他方の面側から光が入射される固体撮像装置であって、半導体層10の他方の面側にパッド部5が形成され、パッド部5に多層配線層14中の導電層に達する開口16が形成され、半導体層10の他方の面上から開口16内の側壁に延長して、半導体層10を絶縁被覆する絶縁膜17が形成される。
【選択図】図3
Description
図18に従来の裏面照射型固体撮像装置の要部における概略断面構成を示す。図18に示す断面図は、特に、裏面照射型固体撮像装置裏面側の周辺領域に形成したパッド部60を含む領域に位置するものである。
すなわち、高い湿度下などの環境において配線52が吸湿して劣化する虞れがある。さらに、最先端のCMOSプロセスにおいて、多層配線層51の層間膜に用いられる層間絶縁膜61として低誘電率膜などを用いるが、この低誘電率膜そのものが高い湿度により、膜質が劣化するなど、層間絶縁膜61も、湿度に対する耐性が無いという問題がある。
また、パッド部5の1つは、グランド接続部(以下、グランド接続パッド部という)5gとして用いられる。このグランド接続パッド部5gにおいて、後述するように遮光膜18がグランド配線に接続される。グランド接続パッド部5gは、他のパッド部5と同様の工程において形成される開口を有している。
この構成体を形成する方法としては、例えば、別基板上で半導体層10と多層配線層9を作成し、多層配線層9の上面に、支持基板8を貼り合わせ、Si層10が形成されている基板を除去する方法がある。
なお、図5Bに示す、図1のB−B線上に沿った断面構成においては、有効画素3aまたはオプティカルブラック領域3bが含まれていないため、Si層10において、フォトダイオード11は形成されていない。
本実施形態例においては、フォトダイオード11が形成されるSi層10に対して多層配線層9が形成される側を表面側とし、反射防止膜が形成される側を裏面側とする。
例えば、図9Aに示すように、遮光膜18は、パッド部5となる開口16においては成膜されておらず、オプティカルブラック領域3bには成膜されている。
また、図9Bに示すように、グランド接続パッド部5gとなる開口16の側壁及び底部には遮光膜18が成膜されている。そして、グランド接続パッド部5gの開口16底部において、遮光膜18とグランド配線15が接続される。従って、形成された遮光膜18は、グランド電位に固定される。本実施形態例においては、SiO2膜17を成膜する前の工程において、開口16が形成される。このため、開口16の1つを、グランド配線が露出されるグランド接続パッド部5gとして形成し、遮光膜18を成膜する工程においてグランド接続パッド部5gの開口16に遮光膜18が成膜されることにより、遮光膜18をグランド電位に固定することができる。また、このとき開口16の側壁にはSiO2膜17が成膜されているので、側壁部分に形成される遮光膜18がSi層10や多層配線層9に直接接触しない。
本実施形態例の固体撮像装置は、図1に示した固体撮像装置1と同様の構成を有するものである。従って、図16Aは、図1におけるA−A断面構成とし、図16Bは図1におけるB−B断面構成とする。
本実施形態例では、第1の実施形態と同様に、有効画素3aに対応する遮光膜22のエッチングは成されるが、パッド部5の開口16に対応する遮光膜22はエッチングされない。しかし、パッド部5の開口16に対応する遮光膜22部分が、グランド接続パッド部5gを含む他の遮光膜22と電気的に絶縁されるように、エッチングにより遮光膜22を一部除去して、絶縁部23を設ける。このように、絶縁部23を設けることにより、パッド部5の開口16に対応する遮光膜22部分が、グランド接続パッド部5gに成膜される遮光膜22を含む他の遮光膜22から切り離される。従って、本実施形態例では、パッド部5の開口16に対応する遮光膜22と、グランド接続パッド部5gの開口16に対応する遮光膜22は絶縁部23により断絶されているため、両者は絶縁状態となる。
また、Auからなるワイヤボンディング24と、半導体層を構成するSi層10との間にリーク電流が流れることを防ぐことができる。そして、多層配線層9の層間絶縁膜14が開口16に露出することも防ぐことが可能となり、多層配線層9に用いられる金属配線の吸湿及び開口16側壁に露出する層間絶縁膜14自体の吸湿も防ぐことが可能となる。さらに、パッド部5の開口16側壁に金属層(遮光膜22)を設けることにより、開口16側壁に設けた絶縁膜(SiO2膜17)のパッシベーション能力をより大きくすることができる。
Claims (11)
- 光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層を有し、
前記半導体層の一方の面側に多層配線層が形成され、前記半導体層の他方の面側から光が入射される固体撮像装置であって、
前記半導体層の他方の面側にパッド部が形成され、
前記パッド部に前記多層配線層中の導電層に達する開口が形成され、
前記半導体層の他方の面上から前記開口内の側壁に延長して、前記半導体層を絶縁被覆する絶縁膜が形成される
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記絶縁膜上に形成された遮光膜の延長部が前記導電層上に電気的に接続するように形成され、
前記導電層に接地電位が供給される
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記開口の底部に露出した前記導電層にボンディングワイヤが接続される
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁膜は、反射防止膜からなる
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁膜は、反射防止膜、パッシベーション膜及びオンチップマイクロレンズ材膜からなることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- 光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層の一方の面側に多層配線層を形成する工程と、
前記半導体層の他方の面側のパッド部に対応する部分に、前記多層配線層中の導電層に達する開口を形成する工程と、
前記半導体層の他方の面上から前記開口内の側壁に延長して、前記半導体層を絶縁被覆する絶縁膜を形成する工程
とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記導電層を接地電位が供給される導電層で形成し、
前記絶縁膜上に、前記半導体層の他方の面から前記開口の底面の導電層上に延長する遮光膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記開口の底部に露出した前記導電層にボンディングワイヤを接続する工程を有する
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜に反射防止膜、を用いる
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜に、反射防止膜、パッシベーション膜及びオンチップマイクロレンズ材膜からなる積層膜を用いる
ことを特徴とする請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と光学レンズと信号処理手段とを備え、
前記固体撮像装置は、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が形成された半導体層を有し、前記半導体層の一方の面側に多層配線層が形成され、前記半導体層の他方の面側から光が入射される固体撮像装置であって、
前記半導体層の他方の面側にパッド部が形成され、
前記パッド部に前記多層配線層中の導電層に達する開口が形成され、
前記半導体層の他方の面上から前記開口内の側壁に延長して、前記半導体層を絶縁被覆する絶縁膜が形成される
ことを特徴とするカメラ。
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US12/354,457 US8300127B2 (en) | 2008-01-21 | 2009-01-15 | Solid-state imaging device, method of fabricating solid-state imaging device, and camera |
EP09000727A EP2081229B1 (en) | 2008-01-21 | 2009-01-20 | Solid-state imaging device, method of fabricating solid-state imaging device |
KR1020090005041A KR101556628B1 (ko) | 2008-01-21 | 2009-01-21 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 카메라 |
CN201010565727.6A CN102130140B (zh) | 2008-01-21 | 2009-01-21 | 固体摄像装置 |
CN2009100010869A CN101494234B (zh) | 2008-01-21 | 2009-01-21 | 固体摄像装置、固体摄像装置制造方法以及照相机 |
US13/178,640 US8363136B2 (en) | 2008-01-21 | 2011-07-08 | Solid-state imaging device, method of fabricating solid-state imaging device, and camera |
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---|---|---|---|
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Related Child Applications (2)
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---|---|---|---|
JP2010138667A Division JP2010212735A (ja) | 2010-06-17 | 2010-06-17 | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212734A (ja) * | 2010-06-17 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
JP2010212735A (ja) * | 2010-06-17 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
WO2010131462A1 (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2011074156A1 (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子およびこれを備えたカメラ |
JP2011129785A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2011139073A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ |
JP2011198854A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2012084693A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2012104753A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2012174800A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Sony Corp | 半導体装置、製造装置、及び製造方法 |
JP2012244177A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法 |
US8363136B2 (en) | 2008-01-21 | 2013-01-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of fabricating solid-state imaging device, and camera |
JP2013021323A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法 |
JP2013038391A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 集積回路構造及び裏面照射型イメージセンサデバイス |
JP2014060203A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Sony Corp | 固体撮像素子及び電子機器 |
JP2014099582A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
US8829635B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-09-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device |
JP2014204048A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP2016048801A (ja) * | 2015-12-02 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US9601539B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-03-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
US9679938B2 (en) | 2009-10-29 | 2017-06-13 | Sony Corporation | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
JP2017126783A (ja) * | 2017-04-05 | 2017-07-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2017212453A (ja) * | 2017-07-11 | 2017-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
CN110931518A (zh) * | 2013-03-18 | 2020-03-27 | 索尼公司 | 封装和电子装置 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8293122B2 (en) * | 2009-01-21 | 2012-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dual metal for a backside package of backside illuminated image sensor |
JP2010182789A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
JP2010182790A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
US8426938B2 (en) | 2009-02-16 | 2013-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
JP5985136B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2010238848A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
JP5306123B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 裏面照射型固体撮像装置 |
JP2011086709A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5568969B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP5489705B2 (ja) * | 2009-12-26 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5446915B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 生体情報検出器及び生体情報測定装置 |
JP5630027B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-11-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器、半導体装置 |
JP5853351B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2016-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
US8748946B2 (en) * | 2010-04-29 | 2014-06-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Isolated wire bond in integrated electrical components |
US8318580B2 (en) * | 2010-04-29 | 2012-11-27 | Omnivision Technologies, Inc. | Isolating wire bonding in integrated electrical components |
JP5582879B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2014-09-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5585232B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
JP5693060B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
JP2012023251A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器 |
TWI463646B (zh) * | 2010-07-16 | 2014-12-01 | United Microelectronics Corp | 背照式影像感測器 |
US8847380B2 (en) * | 2010-09-17 | 2014-09-30 | Tessera, Inc. | Staged via formation from both sides of chip |
JP2012084609A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP5716347B2 (ja) * | 2010-10-21 | 2015-05-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9165970B2 (en) * | 2011-02-16 | 2015-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Back side illuminated image sensor having isolated bonding pads |
US8710612B2 (en) * | 2011-05-20 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device having a bonding pad and shield structure of different thickness |
KR20120135627A (ko) * | 2011-06-07 | 2012-12-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP6205110B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2017-09-27 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール |
CN103531597B (zh) * | 2012-07-03 | 2016-06-08 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 降低了侧壁引发的泄漏的背面照明图像传感器 |
US8710607B2 (en) | 2012-07-12 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for image sensor packaging |
CN103685881B (zh) * | 2012-09-19 | 2018-09-21 | Lg伊诺特有限公司 | 照相机模块 |
US9722099B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light sensing device with outgassing hole in a light shielding layer and an anti-reflection film |
JP6120094B2 (ja) | 2013-07-05 | 2017-04-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP5956968B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2016-07-27 | 株式会社東芝 | 受光素子および光結合型信号絶縁装置 |
US9247116B2 (en) * | 2014-03-14 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device with light guiding structure |
JP2015179700A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
US9324755B2 (en) * | 2014-05-05 | 2016-04-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with reduced stack height |
JP6650779B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2020-02-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
US10109666B2 (en) | 2016-04-13 | 2018-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pad structure for backside illuminated (BSI) image sensors |
JP2018011018A (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
WO2019017147A1 (ja) * | 2017-07-18 | 2019-01-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像装置の製造方法 |
US11227836B2 (en) | 2018-10-23 | 2022-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad structure for enhanced bondability |
CN110429091B (zh) * | 2019-07-29 | 2023-03-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种具有挡光结构的全局像元结构及形成方法 |
KR20210097849A (ko) | 2020-01-30 | 2021-08-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209677A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2005353955A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821168A (en) * | 1997-07-16 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
JP3324581B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2002-09-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4776752B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2011-09-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4040261B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
JP4383959B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2009-12-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP4046069B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
JP4389626B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2005347707A (ja) | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2005353631A (ja) | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP4270105B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2009-05-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
TWI382455B (zh) * | 2004-11-04 | 2013-01-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
JP4714502B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US7829908B2 (en) | 2005-11-11 | 2010-11-09 | Nikon Corporation | Solid-state image sensors and display devices having anti-reflection film |
KR100731128B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
TWI284390B (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method of charge store device |
JP4774311B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-09-14 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置 |
JP2007299840A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4697068B2 (ja) | 2006-06-27 | 2011-06-08 | ソニー株式会社 | 無線通信システム、無線通信装置及び無線通信方法、並びにコンピュータ・プログラム |
JP2008172580A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
JP4609497B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
-
2008
- 2008-01-21 JP JP2008010904A patent/JP4609497B2/ja active Active
- 2008-12-29 TW TW097151260A patent/TWI407554B/zh active
-
2009
- 2009-01-15 US US12/354,457 patent/US8300127B2/en active Active
- 2009-01-20 EP EP09000727A patent/EP2081229B1/en active Active
- 2009-01-21 CN CN2009100010869A patent/CN101494234B/zh active Active
- 2009-01-21 KR KR1020090005041A patent/KR101556628B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-21 CN CN201010565727.6A patent/CN102130140B/zh active Active
-
2011
- 2011-07-08 US US13/178,640 patent/US8363136B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209677A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2005353955A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8363136B2 (en) | 2008-01-21 | 2013-01-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of fabricating solid-state imaging device, and camera |
WO2010131462A1 (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
US9818785B2 (en) | 2009-10-29 | 2017-11-14 | Sony Corporation | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US9679938B2 (en) | 2009-10-29 | 2017-06-13 | Sony Corporation | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
US9917128B2 (en) | 2009-10-29 | 2018-03-13 | Sony Corporation | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
KR101770077B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2017-08-21 | 소니 주식회사 | 반도체 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US10438985B2 (en) | 2009-10-29 | 2019-10-08 | Sony Corporation | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
WO2011074156A1 (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子およびこれを備えたカメラ |
US9865631B2 (en) | 2009-12-18 | 2018-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
US9245919B2 (en) | 2009-12-18 | 2016-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
JP2011129785A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2011139073A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ |
JP2011198854A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置 |
US8659687B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-02-25 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion film stack-type solid-state imaging device and imaging apparatus |
US10529760B2 (en) | 2010-03-31 | 2020-01-07 | Sony Cororation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
US9666632B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-05-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
US9601539B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-03-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
JP2010212735A (ja) * | 2010-06-17 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
JP2010212734A (ja) * | 2010-06-17 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
JP2012084693A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
US9006018B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-04-14 | Sony Corporation | Method of manufacturing a solid-state imaging device |
JP2012104753A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2012174800A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Sony Corp | 半導体装置、製造装置、及び製造方法 |
US8829635B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-09-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device |
KR101261745B1 (ko) | 2011-05-20 | 2013-05-07 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 본딩 패드를 갖는 반도체 디바이스 및 이의 제조 방법 |
JP2012244177A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2015057853A (ja) * | 2011-05-20 | 2015-03-26 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd. | ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2013021323A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法 |
KR101430793B1 (ko) | 2011-08-04 | 2014-08-18 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Bsi 이미지 센서 칩의 패드 구조 |
US9653508B2 (en) | 2011-08-04 | 2017-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad structure exposed in an opening through multiple dielectric layers in BSI image sensor chips |
JP2013038391A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 集積回路構造及び裏面照射型イメージセンサデバイス |
US9013022B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad structure including glue layer and non-low-k dielectric layer in BSI image sensor chips |
US10535696B2 (en) | 2011-08-04 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad structure exposed in an opening through multiple dielectric layers in BSI image sensor chips |
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