JP2005353955A - 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、フォトダイオード20を形成した半導体基板の一方面に層間膜30を介して信号回路22を形成し、他方面側からフォトダイオード20に光を取り込む固体撮像装置において、半導体基板の他方面から半導体基板の一方面と層間膜30との境界まで形成される電極取り出し用開口23と、電極取り出し用開口23に形成される金属膜26と、層間膜30を貫通する状態で信号回路22と金属膜26とを接続するコンタクト60とを備える固体撮像装置である。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 受光領域を形成した半導体基板の一方面に層間膜を介して信号回路を形成し、他方面側から前記受光領域に光を取り込む固体撮像装置において、
前記半導体基板の他方面から前記半導体基板の一方面と前記層間膜との境界まで形成される電極取り出し用開口と、
前記電極取り出し用開口に形成される金属膜と、
前記層間膜を貫通する状態で前記信号回路と前記金属膜とを接続するコンタクトと
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記金属膜は、前記受光領域に設けられる遮光膜と同じ材料から成る
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記コンタクトはタングステンから成る
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 受光領域を形成した半導体基板の一方面に層間膜を形成する工程と、
前記層間膜を貫通して前記半導体基板の一方面まで達するコンタクトを形成する工程と、
前記コンタクトと導通する信号回路を形成する工程と、
前記半導体基板の他方面をエッチングして前記受光領域を露出させる工程と、
前記半導体基板の他方面から前記コンタクトまで達する電極取り出し用開口を形成し、この電極取り出し用開口に前記コンタクトと導通する金属膜を形成する工程と、
前記半導体基板の他方面に感光性材料を塗布し、所定の露光および現像によって前記受光領域と対応する位置に光学部材を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記金属膜を形成する工程では、前記金属膜の形成と同時に前記受光領域に対する遮光膜を形成する
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記コンタクトはタングステンから成る
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004175245A JP4466213B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004175245A JP4466213B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009197783A Division JP5077310B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 裏面照射型固体撮像装置および裏面照射型固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353955A true JP2005353955A (ja) | 2005-12-22 |
JP4466213B2 JP4466213B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=35588141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004175245A Expired - Lifetime JP4466213B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4466213B2 (ja) |
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US8426938B2 (en) | 2009-02-16 | 2013-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
US8736009B2 (en) | 2009-02-16 | 2014-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
US8217484B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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