JP2009224425A - 不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009224425A JP2009224425A JP2008065097A JP2008065097A JP2009224425A JP 2009224425 A JP2009224425 A JP 2009224425A JP 2008065097 A JP2008065097 A JP 2008065097A JP 2008065097 A JP2008065097 A JP 2008065097A JP 2009224425 A JP2009224425 A JP 2009224425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- gate electrode
- region
- memory device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 222
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 107
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 73
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 66
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 55
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 112
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 111
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 111
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 26
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 16
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 101150100075 PSD1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 and for example Chemical compound 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N ac1ldcw0 Chemical compound Cl.C1CN(C)CCN1C1=C(F)C=C2C(=O)C(C(O)=O)=CN3CCSC1=C32 LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 101150035846 psd2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 241000588731 Hafnia Species 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28123—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects
- H01L21/28141—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects insulating part of the electrode is defined by a sidewall spacer, e.g. dummy spacer, or a similar technique, e.g. oxidation under mask, plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42324—Gate electrodes for transistors with a floating gate
- H01L29/42328—Gate electrodes for transistors with a floating gate with at least one additional gate other than the floating gate and the control gate, e.g. program gate, erase gate or select gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
Abstract
【解決手段】同一のシリコン基板1上に、制御ゲート電極CGsおよび側壁メモリゲート電極MGsを有するスプリットゲート型メモリセルM1Aと、シングルメモリゲート電極MGuを有するシングルゲート型メモリセルM2とを備える不揮発性半導体記憶装置において、第1領域R1に制御ゲート絶縁膜ICsを介して制御ゲート電極CGsを形成し、第1領域R1には電荷蓄積膜IMsを介して側壁メモリゲート電極MGsを形成し、同時に、第2領域R2には電荷蓄積膜IMuを介してシングルメモリゲート電極MGuを形成する。その際、側壁メモリゲート電極MGsとシングルメモリゲート電極MGuとは同一の工程で形成し、制御ゲート電極CGsと側壁メモリゲート電極MGsとは、互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されるようにして形成する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態1では、まず、本発明者らが検討した不揮発性メモリの構成、および、そのメモリ動作に見られる課題について、詳細に説明する。
本実施の形態2では、上記実施の形態1で示した製造方法とは別の方法で、2種類の構造のメモリセルを同一基板上に形成する技術を例示する。別の方法で製造される結果として、上記実施の形態1とは異なる構造を有する不揮発性半導体記憶装置が形成される。ここでは、まず、図18を用いて本実施の形態2で例示する不揮発性半導体記憶装置の構造を説明する。
本実施の形態3では、高速性を有するスプリットゲート型メモリセルと、高書き換え耐性を有するシングルゲート型メモリセルとを同一チップ上に備える不揮発性半導体記憶装置において、実用に適した各メモリセルの配置技術などを例示する。
2 分離部
3 第1導体膜
4,5,7,8,10 フォトレジスト膜
6 第1保護膜
9 第2導体膜
11,11A,13 ビットコンタクト
12,12A,14 ソースコンタクト
BL ビット線
cc 制御回路
CGs 制御ゲート電極(第1ゲート電極)
CH コンタクトホール
CP コンタクトプラグ
FLd データ用メモリ領域
FLp プログラム用メモリ領域
GE ゲート電極
ICs 制御ゲート絶縁膜(第1ゲート絶縁膜)
IG ゲート絶縁膜
IL 層間絶縁膜
IM1 第1絶縁膜
IM2 第2絶縁膜
IM3 第3絶縁膜
IMs,IMu 電荷蓄積膜(電荷蓄積絶縁膜)
IP 保護絶縁膜
IS エッチストップ絶縁膜
M1A,M1B,Ms スプリットゲート型メモリセル(第1記憶素子)
Ms1〜Ms3 セル
M2,Mu シングルゲート型メモリセル(第2記憶素子)
Mem メモリブロック
MGs 側壁メモリゲート電極(第2ゲート電極)
MGu シングルメモリゲート電極(第3ゲート電極)
ML 配線層
ne1,ne2,ne3 n型エクステンション領域
nsd1,nsd2,nsd3 n型ソース/ドレイン領域
nv 負電圧発生回路
nw1 第1nウェル(第1半導体領域)
nw2 第2nウェル
nwa n型第1拡散層
nwb n型第2拡散層
pe1 p型エクステンション領域
psd1,psd2 p型ソース/ドレイン領域
pv 正電圧発生回路
pw1 第1pウェル
pw2 第2pウェル(第2半導体領域)
pw3 第3pウェル
pwr 電源回路
Qc MISトランジスタ
QMc 制御ゲートトランジスタ
QMm1,QMm2 メモリゲートトランジスタ
Qn n型トランジスタ
Qp p型トランジスタ
R1 第1領域
R2 第2領域
R3 第3領域
R4 第4領域
S1 主面
sc シリサイド層
SL ソース線
ss 切り換えスイッチ
sws サイドウォールスペーサ
Vd ドレイン電圧
Vgc 制御ゲート電圧
Vgm メモリゲート電圧
Vs ソース電圧
WL ワード線
WLc 制御ワード線
WLm メモリワード線
Claims (20)
- (a)主面に第1領域および第2領域を有する、第1導電型の半導体基板を準備する工程と、
(b)前記第1領域における前記半導体基板の主面上に、第1ゲート絶縁膜を介して第1ゲート電極を形成する工程と、
(c)前記第1領域および前記第2領域における前記半導体基板の主面を覆うようにして、電荷蓄積絶縁膜と第1導体膜とを順に形成する工程と、
(d)前記(c)工程の後、前記第1導体膜を加工することで、前記第1領域には第2ゲート電極を形成し、前記第2領域には第3ゲート電極を形成する工程とを有し、
前記(c)および(d)工程は、前記(b)工程の前または後に行い、
前記第1領域において、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とは、互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されるようにして形成し、
前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極は、前記第1領域において第1記憶素子を構成する要素の一部であり、
前記第3ゲート電極は、前記第2領域において第2記憶素子を構成する要素の一部であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記(c)工程に至る前に、更に、
(e)前記第2領域に、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型である第1半導体領域を形成する工程と、
(f)前記第1半導体領域内に、第1導電型の第2半導体領域を形成する工程とを有し、
前記(d)工程において、前記第3ゲート電極は、平面的に前記第2半導体領域内に配置されるようにして、前記第1導体膜を加工し、
前記第2記憶素子は、平面的に前記第2半導体領域内に配置されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記電荷蓄積絶縁膜として、第1絶縁膜、第2絶縁膜、および、第3絶縁膜を順に形成し、
前記第2絶縁膜は電荷を蓄積する絶縁膜であり、
前記第2絶縁膜を挟む前記第1絶縁膜および前記第3絶縁膜は、前記第2絶縁膜に蓄積された電荷の外部への漏出を防ぐ絶縁膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記第1絶縁膜は厚さ4〜6nmの酸化シリコンを主体とする絶縁膜であり、
前記第2絶縁膜は厚さ5〜10nmの窒化シリコンを主体とする絶縁膜、または、厚さ8〜12nmの酸化金属を主体とする絶縁膜であり、
前記第3絶縁膜は厚さ5〜9nmの前記酸化シリコンを主体とする絶縁膜、または、厚さ5〜9nmの酸化アルミニウムを主体とする絶縁膜であり、
前記酸化金属は、前記酸化シリコンよりも高い比誘電率を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記酸化金属は、酸化ハフニウムであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記(c)および(d)工程を前記(b)工程の後に行うことで、前記半導体基板と前記第2ゲート電極との間に形成される前記電荷蓄積絶縁膜は、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間にも一体的に形成され、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とは、前記電荷蓄積絶縁膜によって互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されるようにして形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項6記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記(c)工程後、前記(d)工程に至る前に、更に、
(g)前記第1領域および前記第2領域の前記第1導体膜を覆うようにして、第1保護膜を形成する工程と、
(h)前記第1領域の前記第1保護膜を等方的なエッチングにより除去する工程とを有し、
前記(d)工程では、前記第1導体膜の加工に加え、前記第3ゲート電極上に前記第1保護膜が残るようにして前記第1保護膜を加工し、
前記第1保護膜と前記第1導体膜とでは、前記等方的なエッチングに対しての速度が異なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記(c)および(d)工程は、前記(b)工程の前に行い、
(i)前記(d)工程後、前記第2ゲート電極を覆うようにして保護絶縁膜を形成する工程を有し、
前記(i)工程の後に、前記(b)工程において前記第1ゲート電極を形成することで、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間には前記保護絶縁膜が形成され、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とは、前記保護絶縁膜によって互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されるようにして形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - (a)主面に第1領域および第2領域を有する第1導電型の半導体基板と、
(b)前記第1領域に配置された第1記憶素子と、
(c)前記第2領域に配置された第2記憶素子とを有し、
前記第1記憶素子は、
(b1)前記半導体基板の主面上に、第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
(b2)前記半導体基板の主面上に、電荷蓄積絶縁膜を介して形成された第2ゲート電極とを有し、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とは、互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置され、
前記第2記憶素子は、
(c1)前記半導体基板の主面上に、前記電荷蓄積絶縁膜を介して形成された第3ゲート電極を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置において、更に、
(d)前記半導体基板の主面上に配置された電源回路を有し、
前記第1記憶素子および前記第2記憶素子は、前記電源回路に電気的に接続され、
前記第1記憶素子および前記第2記憶素子には、一つの前記電源回路によって電圧が供給されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項10記載の不揮発性半導体記憶装置において、更に、
(e)前記第1記憶素子と前記電源回路との電気的な接続間、および、前記第2記憶素子と前記電源回路との電気的な接続間にそれぞれ配置された、切り替えスイッチを有し、
前記電源回路は、更に、
(d1)正電圧を供給する正電圧発生回路と、
(d2)負電圧を供給する負電圧発生回路とを有し、
前記切り替えスイッチは、前記第1記憶素子または前記第2記憶素子に対して、前記電源回路から供給される正電圧または負電圧を切り換える機能を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項11記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1領域は、第1情報を記憶するための第1メモリ領域として割り当てられ、
前記第2領域は、第2情報を記憶するために第2メモリ領域として割り当てられ、
前記第1情報は、前記第2情報と比較して高速で読み出す情報であり、
前記第2情報は、前記第1情報と比較して高頻度で書き換える情報であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項12記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1記憶素子は、前記第1領域においてNOR型に複数配列し、
前記第2記憶素子は、前記第2領域においてNOR型、または、NAND型に複数配列していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置において、更に、
(f)前記第2領域に形成された、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型である第1半導体領域と、
(g)前記第1半導体領域内に形成された、第1導電型の第2半導体領域とを有し、
前記第2記憶素子は、平面的に前記第2半導体領域内に配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項14記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記電荷蓄積絶縁膜は、
第1絶縁膜、第2絶縁膜、および、第3絶縁膜を有し、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜との間に挟まれるようにして配置され、
前記半導体基板に近い方から順に、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜となるように配置され、
前記第2絶縁膜は電荷を蓄積する絶縁膜であり、
前記第2絶縁膜を挟む前記第1絶縁膜および前記第3絶縁膜は、前記第2絶縁膜に蓄積された電荷の外部への漏出を防ぐ絶縁膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項15記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1絶縁膜は厚さ4〜6nmの酸化シリコンを主体とする絶縁膜であり、
前記第2絶縁膜は厚さ5〜10nmの窒化シリコンを主体とする絶縁膜、または、厚さ8〜12nmの酸化金属を主体とする絶縁膜であり、
前記第3絶縁膜は厚さ5〜9nmの前記酸化シリコンを主体とする絶縁膜、または、厚さ5〜9nmの酸化アルミニウムを主体とする絶縁膜であり、
前記酸化金属は、前記酸化シリコンよりも高い比誘電率を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項16記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記酸化金属は、酸化ハフニウムであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記半導体基板と前記第2ゲート電極との間に形成されている前記電荷蓄積絶縁膜は、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間にも一体的に形成され、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とは、前記電荷蓄積絶縁膜によって互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項18記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第2記憶素子は、更に、
(c2)前記第3ゲート電極上に形成された第1保護膜を有し、
前記第1保護膜は、前記第3ゲート電極が有する第1導体膜に対して、等方的なエッチングに対する速度が異なる膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間には、保護絶縁膜が形成され、
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とは、前記保護絶縁膜によって互いに電気的に絶縁された状態で、互いに隣り合って配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008065097A JP2009224425A (ja) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置 |
TW098102090A TWI390679B (zh) | 2008-03-14 | 2009-01-20 | 非揮發性半導體記憶裝置之製造方法及非揮發性半導體記憶裝置 |
KR1020090012467A KR20090098675A (ko) | 2008-03-14 | 2009-02-16 | 불휘발성 반도체 기억 장치의 제조 방법 및 불휘발성 반도체 기억 장치 |
CN2009100080397A CN101533803B (zh) | 2008-03-14 | 2009-02-19 | 非易失性半导体存储装置的制造方法和非易失性半导体存储装置 |
US12/389,361 US20090231921A1 (en) | 2008-03-14 | 2009-02-19 | Manufacturing method of nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008065097A JP2009224425A (ja) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009224425A true JP2009224425A (ja) | 2009-10-01 |
Family
ID=41062881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008065097A Pending JP2009224425A (ja) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090231921A1 (ja) |
JP (1) | JP2009224425A (ja) |
KR (1) | KR20090098675A (ja) |
CN (1) | CN101533803B (ja) |
TW (1) | TWI390679B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014103345A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5007017B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2012-08-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4659527B2 (ja) | 2005-06-20 | 2011-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20110001179A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP5268979B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法。 |
US20120223381A1 (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-06 | Lu Hau-Yan | Non-volatile memory structure and method for manufacturing the same |
JP5985293B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2016-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9024377B2 (en) * | 2011-12-14 | 2015-05-05 | Nanya Technology Corp. | Semiconductor device capable of reducing influences of adjacent word lines or adjacent transistors and fabricating method thereof |
KR101978450B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2019-05-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 |
JP6029989B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8853768B1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating MONOS semiconductor device |
JP2015185613A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6440507B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2018-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9773733B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-09-26 | Mie Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device |
JP6434841B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-12-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9741868B2 (en) * | 2015-04-16 | 2017-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Self-aligned split gate flash memory |
CN107026170B (zh) * | 2016-11-29 | 2020-02-14 | 亿而得微电子股份有限公司 | 单闸极多次写入非挥发性内存的操作方法 |
CN108831829B (zh) * | 2018-06-19 | 2020-10-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种分裂栅结构下的侧墙栅极隔离刻蚀膜层工艺 |
JP2021068799A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN114284285B (zh) * | 2021-06-02 | 2024-04-16 | 青岛昇瑞光电科技有限公司 | 一种nor型半导体存储器件及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218212A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2005332502A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびicカード |
JP2006310720A (ja) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Macronix Internatl Co Ltd | 反転ビット線、電荷をトラップする不揮発性メモリ、およびその動作方法 |
JP2007311695A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275657A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US6330190B1 (en) * | 1996-05-30 | 2001-12-11 | Hyundai Electronics America | Semiconductor structure for flash memory enabling low operating potentials |
US5969383A (en) * | 1997-06-16 | 1999-10-19 | Motorola, Inc. | Split-gate memory device and method for accessing the same |
KR19990088517A (ko) * | 1998-05-22 | 1999-12-27 | 마 유에 예일 | 비휘발성메모리셀구조및비휘발성메모리셀을작동시키는방법 |
US6617204B2 (en) * | 2001-08-13 | 2003-09-09 | Macronix International Co., Ltd. | Method of forming the protective film to prevent nitride read only memory cell charging |
US6674138B1 (en) * | 2001-12-31 | 2004-01-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of high-k dielectric materials in modified ONO structure for semiconductor devices |
JP2003347436A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4489359B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4477886B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2010-06-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US7158411B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-01-02 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated code and data flash memory |
JP2006066009A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
US7479425B2 (en) * | 2005-01-20 | 2009-01-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd | Method for forming high-K charge storage device |
US7242622B2 (en) * | 2005-12-06 | 2007-07-10 | Macronix International Co., Ltd. | Methods to resolve hard-to-erase condition in charge trapping non-volatile memory |
JP2007194511A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US7548458B2 (en) * | 2007-04-27 | 2009-06-16 | Macronix International Co., Ltd. | Methods of biasing a multi-level-cell memory |
-
2008
- 2008-03-14 JP JP2008065097A patent/JP2009224425A/ja active Pending
-
2009
- 2009-01-20 TW TW098102090A patent/TWI390679B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-02-16 KR KR1020090012467A patent/KR20090098675A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-19 US US12/389,361 patent/US20090231921A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-19 CN CN2009100080397A patent/CN101533803B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218212A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2005332502A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびicカード |
JP2006310720A (ja) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Macronix Internatl Co Ltd | 反転ビット線、電荷をトラップする不揮発性メモリ、およびその動作方法 |
JP2007311695A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014103345A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101533803A (zh) | 2009-09-16 |
US20090231921A1 (en) | 2009-09-17 |
CN101533803B (zh) | 2011-05-25 |
TW200950004A (en) | 2009-12-01 |
KR20090098675A (ko) | 2009-09-17 |
TWI390679B (zh) | 2013-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009224425A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置 | |
US10062706B2 (en) | Semiconductor device | |
US10043814B2 (en) | Semiconductor substrate with a single protruding portion with multiple different widths and insulation thickness | |
KR20180035656A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5538024B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP6778607B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2021121036A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI644396B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP6998267B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11672121B2 (en) | Semiconductor memory device including separated epitaxial layers | |
TW201622111A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
TWI390713B (zh) | 非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法 | |
CN106469733B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP2018056422A (ja) | 半導体装置 | |
TW201834212A (zh) | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
US10644017B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
JP6786440B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2019117913A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6787798B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5982055B1 (ja) | メモリセル、不揮発性半導体記憶装置、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2012216857A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2019102560A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2022082914A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW201301445A (zh) | 記憶體結構及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130226 |