JP2009094485A - 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1のミラー1002と、活性層を含む共振器1000と、第2のミラー1010とが積層されてなる垂直共振器型面発光レーザである。前記第2のミラー1010は、第1の層1014と、該第1の層よりも高い屈折率を有する第2の層1012とを交互に複数積層して形成されている多層膜反射鏡である。前記第2の層1012のうち少なくとも一層に、酸化領域と非酸化領域とからなる酸化狭窄構造が設けられている。
【選択図】 図1
Description
M.Grabherr,他 IEEE Photnics Technology Letters,vol.9 no.10、1997、pp1304
このような背景から、安定した単一基本横モードでの発振が望まれる。
すなわち、従来例の構成においては、酸化狭窄構造を設けることにより、DBRの中央部よりも周辺部の反射率が高くなることを見出した。この結果、中央部にパワー分布を多く有する基本モードの光に対する反射率よりも、周辺部にパワー分布を多く有する高次モードの光の反射率が高くなり、高次モードの発振を促す影響を与えているという認識に初めて至った。
特に、高出力化を意図して、酸化狭窄構造の狭窄径を拡張した場合には、酸化狭窄構造による横モード制御が不十分なものとなり、DBRの影響を受けて高次モードで発振しやすい素子構成となってしまうことになる。
前記多層膜反射鏡を構成する前記第2の層のうち少なくとも一層に、酸化領域と非酸化領域とからなり前記活性層の発光領域を制限するための酸化狭窄構造が設けられていることを特徴とする。
本実施形態に係る発明について、図1(a)を用いて説明する。
本発明に係る垂直共振器型面発光レーザでは、図1のように、酸化狭窄構造を含む高屈折率層(第2の層)1022は、必ずしも1層に限られる必要はなく、例えば、2層、3層、あるいは、それ以上の層を設けてもよい。
基板上に、前記第1のミラー1002と、前記共振器1000と、前記第2のミラー1010とがこの順に積層して、レーザ素子を提供することもできる。例えば赤色のレーザへ適用する場合には、前記基板をn型GaAsで構成し、前記第1のミラーはAlGaAsで構成されるn型半導体多層膜反射鏡で構成する。そして、前記共振器を構成する前記活性層をGaInPとし、スペーサ層をAlGaInPやAlInPとすることができる。また、前記第2のミラーはAlGaAsで構成されるp型半導体多層膜反射鏡で構成する。より詳細の材料構成や膜厚に関しては、後述の実施例において説明する。
第1の実施形態において説明した前記垂直共振器型面発光レーザを有する光源として用いることにより様々な応用装置(画像表示装置や画像形成装置)が期待される。勿論、前記レーザ素子を複数有するアレイ光源として用いることもできる。
以下に本発明の実施例1について説明する。
実施例2ではDBRを構成する高屈折率層の複数層に、酸化狭窄層を設ける構造について説明する。
1002 第1のミラー
1010 第2のミラー
1014 第1の層(低屈折率層)
1012 第2の層(高屈折率層)
1016 酸化領域
501 n型GaAs基板
502 n型Al0.9Ga0.1As/Al0.5Ga0.5As多層膜反射鏡
503 4つのGa0.45In0.55P量子井戸とそれをはさむAlGaInP層で構成される共振器
504 p型Al0.9Ga0.1As/Al0.5Ga0.5As多層膜反射鏡
505 厚さ30nmのAl0.98Ga0.02As層
506 厚さ10nmの高ドープp型GaAs層
507 選択酸化層505で酸化工程により酸化された領域
508 選択酸化層505で酸化工程により酸化されていない領域
509 電気的絶縁とポスト保護のためのSiO2
510 上部電極
511 基板裏面の下部電極
601 GaAs基板上
602 n型多層膜反射鏡
603 量子井戸及びバリア層で構成される共振器
604 p型Al0.9Ga0.1As/Al0.5Ga0.5As多層膜反射鏡
605 DBR604の第1層目Al0.5Ga0.5As層に挿入されたAl0.98Ga0.02Asの選択酸化層
606 DBR604の11層目のAl0.5Ga0.5As層に挿入されたAl0.98Ga0.02Asの選択酸化層
607 厚さ10nmの高ドープp型GaAs層
608 上部電極
609 基板裏面の下部電極
801 GaAs半導体基板
802 n−DBR
803 共振器
804 p−DBR
805 選択酸化層
806 上部電極
807 基板裏面の下部電極
808 n型Al0.2Ga0.8As高屈折率層
809 n型AlAs低屈折率層
810 p型Al0.2Ga0.8As高屈折率層
811 p型Al0.9Ga0.1As低屈折率層
Claims (6)
- 第1のミラーと、活性層を含む共振器と、第2のミラーとが積層されてなる垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記第2のミラーは、第1の層と、該第1の層よりも高い屈折率を有する第2の層とを交互に複数積層して形成されている多層膜反射鏡であり、且つ
前記多層膜反射鏡を構成する前記第2の層のうち少なくとも1層に、酸化領域と非酸化領域とからなる酸化狭窄構造が設けられていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 複数の前記第2の層に、前記酸化狭窄構造が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子。
- 前記共振器に最も近い前記第2の層に前記酸化狭窄構造が形成されていることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子。
- 複数の前記第2の層に、前記酸化狭窄構造が設けられており、前記共振器に最も近い前記第2の層に形成されている第1の酸化狭窄構造の狭窄径は、他の前記第2の層に形成されている第2の酸化狭窄構造の狭窄径よりも大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子。
- 基板上に、前記第1のミラーと、前記共振器と、前記第2のミラーとがこの順に積層されており、
前記基板はn型GaAsからなり、
前記第1のミラーはAlGaAsで構成される半導体多層膜反射鏡であり、
前記共振器を構成する前記活性層はGaInPを含み、
前記第2のミラーはAlGaAsで構成される半導体多層膜反射鏡であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載される前記垂直共振器型面発光レーザ素子を複数有するアレイ光源と、
前記アレイ光源から出力されるレーザ光を反射して走査するための光偏向器と、
前記光偏向器により偏向された光により静電潜像を形成するための感光体と、前記静電潜像を現像するための現像器を有することを特徴とする画像形成装置。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (25)
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JP4537658B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2010-09-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
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JP4621263B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
JP5388666B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2014-01-15 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ |
JP5279392B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
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JP5279393B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP5183555B2 (ja) | 2009-04-02 | 2013-04-17 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザアレイ |
JP4975130B2 (ja) * | 2009-05-07 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | フォトニック結晶面発光レーザ |
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JP2011061083A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP2012049282A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Canon Inc | 光学素子、該光学素子を備えた面発光レーザ、該面発光レーザを露光用光源として備えた電子写真装置 |
JP5871458B2 (ja) | 2010-11-02 | 2016-03-01 | キヤノン株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ、画像形成装置 |
CN102255240B (zh) * | 2011-06-02 | 2012-09-26 | 中国科学院半导体研究所 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 |
CN103828071B (zh) * | 2011-06-28 | 2018-08-07 | 发光装置公司 | 用于增强性能的发光二极管结构 |
JP6061541B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、画像形成装置 |
CN102637715B (zh) * | 2012-05-07 | 2015-07-22 | 中国科学院上海高等研究院 | 图像传感器 |
US9502863B2 (en) * | 2014-08-26 | 2016-11-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device |
US10516251B2 (en) * | 2016-06-28 | 2019-12-24 | Vi Systems Gmbh | Reliable high-speed oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser |
CN109473510B (zh) | 2017-09-07 | 2022-05-13 | 佳能株式会社 | 发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备 |
CN108879328A (zh) * | 2018-09-18 | 2018-11-23 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种提升激光增益的vcsel芯片及其制备方法 |
US11038321B2 (en) * | 2018-10-12 | 2021-06-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Single mode VCSELs with low threshold and high speed operation |
US20240055832A1 (en) * | 2020-02-24 | 2024-02-15 | Shenzhen Raysees AI Technology Co., Ltd. | Vcsel array with non-isolated emitters |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353561A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Canon Inc | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
JP2003508928A (ja) * | 1999-08-31 | 2003-03-04 | ハネウェル・インコーポレーテッド | 結合空洞アンチガイデッド垂直共振器表面発光レーザ(vcsel) |
JP2003298186A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子、面発光レーザ素子を用いたトランシーバ、光送受信器および光通信システム |
JP2004253408A (ja) * | 2002-02-22 | 2004-09-09 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2004327862A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2004356438A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
JP2005259951A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Nec Corp | 面発光レーザとその製造方法、および、光通信システム |
JP2007027364A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | p型半導体分布ブラッグ反射器および面発光素子および面発光モノリシックアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム |
JP2007173304A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69030304T2 (de) * | 1989-12-27 | 1997-08-14 | Canon Kk | Bildaufzeichnungsgerät, welches Lichtstrahlen verwendet |
US5568499A (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Sandia Corporation | Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors |
US5881085A (en) * | 1996-07-25 | 1999-03-09 | Picolight, Incorporated | Lens comprising at least one oxidized layer and method for forming same |
EP0905835A1 (en) | 1997-09-26 | 1999-03-31 | Xerox Corporation | Independently addressable vertical cavity surface emitting laser arrays with buried selectively oxidized native oxide aperture |
DE19813727C2 (de) * | 1998-03-27 | 2000-04-13 | Siemens Ag | Vertikalresonator-Laserdiode und Verfahren zu deren Herstellung |
US6570905B1 (en) * | 2000-11-02 | 2003-05-27 | U-L-M Photonics Gmbh | Vertical cavity surface emitting laser with reduced parasitic capacitance |
US6990135B2 (en) * | 2002-10-28 | 2006-01-24 | Finisar Corporation | Distributed bragg reflector for optoelectronic device |
US6810065B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-10-26 | Optical Communication Productions, Inc. | Low electrical resistance n-type mirror for optoelectronic devices |
EP1257025A3 (en) * | 2001-04-18 | 2005-04-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface emitting semiconductor laser device |
US6914925B2 (en) * | 2001-08-10 | 2005-07-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device |
US6987791B2 (en) * | 2002-10-30 | 2006-01-17 | Finisar Corporation | Long wavelength vertical cavity surface emitting lasers |
JP4124017B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
US20050265415A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Lambkin John D | Laser diode and method of manufacture |
US7596165B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-29 | Finisar Corporation | Distributed Bragg Reflector for optoelectronic device |
JP4378352B2 (ja) | 2005-04-28 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 周期構造体の製造方法 |
JP5194432B2 (ja) | 2005-11-30 | 2013-05-08 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子 |
JP4908837B2 (ja) | 2005-12-13 | 2012-04-04 | キヤノン株式会社 | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
US7408967B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-08-05 | Emcore Corporation | Method of fabricating single mode VCSEL for optical mouse |
JP4743867B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ |
JP2007234824A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Canon Inc | 垂直共振器型面発光レーザ |
JP2007299895A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システム、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム |
JP4110181B2 (ja) | 2006-09-01 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2008244431A (ja) | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Canon Inc | 面発光レーザアレイ及びその製造方法、面発光レーザアレイを備えている画像形成装置 |
-
2008
- 2008-09-02 JP JP2008224646A patent/JP4974981B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 US US12/209,250 patent/US7796662B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2008-09-18 AT AT08016480T patent/ATE554519T1/de active
- 2008-09-19 CN CN2008101497020A patent/CN101394064B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003508928A (ja) * | 1999-08-31 | 2003-03-04 | ハネウェル・インコーポレーテッド | 結合空洞アンチガイデッド垂直共振器表面発光レーザ(vcsel) |
JP2002353561A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Canon Inc | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
JP2004253408A (ja) * | 2002-02-22 | 2004-09-09 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2003298186A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子、面発光レーザ素子を用いたトランシーバ、光送受信器および光通信システム |
JP2004327862A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2004356438A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
JP2005259951A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Nec Corp | 面発光レーザとその製造方法、および、光通信システム |
JP2007027364A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | p型半導体分布ブラッグ反射器および面発光素子および面発光モノリシックアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム |
JP2007173304A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197377A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101394064A (zh) | 2009-03-25 |
EP2040345B1 (en) | 2012-04-18 |
US20090080489A1 (en) | 2009-03-26 |
US7796662B2 (en) | 2010-09-14 |
ATE554519T1 (de) | 2012-05-15 |
EP2040345A1 (en) | 2009-03-25 |
JP4974981B2 (ja) | 2012-07-11 |
CN101394064B (zh) | 2011-12-14 |
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