JP2009076873A - 多層配線基板及びその製造方法、ｉｃ検査装置用基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ビア導体と導体層との接続信頼性が高い多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板は、樹脂絶縁層８１、導体層８４、ビア導体９１及び突出部８５を備える。樹脂絶縁層８１には、第１面８２及び第２面８３を貫通するビア孔９０が形成される。導体層８４は、導電性金属材料からなり、樹脂絶縁層８１の第１面８２に配置される。ビア導体９１は、ビア孔９０内に配置され、導体層８４に電気的に接続される。突出部８５は、導体層８４の一部であって、多層配線基板の裏面側に曲がり、ビア孔９０の開口縁からビア孔中心軸方向に突出し、ビア導体９１に食い込んでいる。
【選択図】図４

Description

本発明は、多層配線基板及びその製造方法、ＩＣを電気的に検査するための装置に用いるＩＣ検査装置用基板及びその製造方法に関するものである。

従来の多層配線基板としては、例えば絶縁層部分が樹脂で形成された樹脂配線基板が知られている。樹脂配線基板の製造方法は種々提案されているが、特には、一括積層による方法を採用することが好適である（例えば特許文献１，２参照）。この方法によれば、回路形成済みの樹脂フィルム（具体的には、導体層やビア導体が形成された樹脂フィルム）を複数枚積層して圧着するだけで樹脂配線基板を製造できるため、製造工程数の削減が可能である。また、ビア導体が、ビア孔内に導電性金属ペーストを充填することによって形成される場合、各導体層を接続する構造としては、主として図１７〜図１９に示されるものを挙げることができる。図１７は、下層側の導体層１０１の表面にビア導体１０２を面接触させるとともに、ビア導体１０２の側面に上層側の導体層１０３の端面を面接触させることにより、両導体層１０１，１０３を電気的に接続する構造である。図１８は、ビア導体１０２を、下層側の導体層１０１の表面と上層側の導体層１０３の裏面とにそれぞれ面接触させることにより、両導体層１０１，１０３を電気的に接続する構造である。図１９は、下層側の導体層１０１と上層側の導体層１０３とを接続導通するスルーホール導体１０４を形成するとともに、スルーホール導体１０４の内部をビア導体１０２で埋めることにより、両導体層１０１，１０３を電気的に接続する構造である。
特開２００７−３５７１７号公報（図１など） 特開２００４−３６３３２５号公報（図１など）

ところが、図１７に示される構造では、ビア導体１０２と上層側の導体層１０３との接触面積が小さいため、接続信頼性に問題がある。なお、図１８，図１９に示される構造であれば、ビア導体１０２と導体層１０３との接触面積が十分に確保されるため、接続信頼性が高くなる。しかしながら、図１８に示される構造では、導体層１０３を形成した状態でビア導体１０２用のビア孔１０５を形成するため、ビア孔１０５を貫通させることができない。その結果、薬液またはプラズマアッシャー等を使用したビア孔１０５のデスミア処理が必要となるため、製造工程が複雑である。また、図１９に示される構造では、ビア導体１０２を形成する工程だけでなく、スルーホール導体１０４を形成する工程も必要となるため、この場合も製造工程が複雑である。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ビア導体と導体層との接続信頼性が高い多層配線基板、ＩＣ検査装置用基板を提供することにある。また、本発明の別の目的は、ビア導体と導体層との接続信頼性が高い多層配線基板を得ることができ、しかも製造工程を簡略化できる多層配線基板の製造方法を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、前記ビア孔内に配置され、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、前記導体層の一部であって、前記主面側または前記裏面側に曲がり、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出し、前記ビア導体に食い込んでいる突出部とを備えたことを特徴とする多層配線基板がある。

従って、上記手段１によれば、導体層の一部である突出部がビア導体に食い込んでいるため、ビア導体は、突出部の先端面だけでなく、主面側の面及び裏面側の面にも接触するようになる。これにより、ビア導体と突出部との接触面積が大きく確保されるため、接続信頼性が高くなる。また、ビア導体に突出部が食い込んでいるため、ビア導体と導体層との接続状態を確実に維持することができ、しかも耐久性や耐衝撃性が向上する。よって、多層配線基板の長寿命化を図ることができる。さらに、ビア導体と突出部との接触面積が大きいために、ビア導体及び導体層からなる回路の低抵抗化を図ることができる。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、前記ビア孔内に配置され、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、前記導体層の一部であって、前記主面側または前記裏面側に曲がり、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出する突出部とを備え、前記ビア導体はその側面に溝部を有し、前記突出部は前記溝部に嵌合していることを特徴とする多層配線基板がある。また、さらに別の手段（手段３）としては、主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、前記ビア孔内に配置され、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、前記導体層の一部であって、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出する突出部とを備え、前記ビア導体はその側面に溝部を有し、前記突出部は前記溝部に嵌合していることを特徴とする多層配線基板、がある。

従って、上記手段２，３によれば、導体層の一部である突出部がビア導体の溝部に嵌合しているため、ビア導体を、突出部の先端面、主面側の面及び裏面側の面にも接触させることができる。これにより、ビア導体と突出部との接触面積が大きく確保されるため、接続信頼性が高くなる。また、ビア導体の溝部に突出部が嵌合しているため、ビア導体と導体層との接続状態を確実に維持することができ、しかも耐久性や耐衝撃性が向上する。よって、多層配線基板の長寿命化を図ることができる。さらに、ビア導体と突出部との接触面積が大きいために、ビア導体及び導体層からなる回路の低抵抗化を図ることができる。

多層配線基板を構成する複数の主面側端子は、多層配線基板の主面上に形成される。複数の主面側端子を基板厚さ方向から見たときの形状は特に限定されないが、例えば略円形状、略矩形状、略三角形状などが挙げられる。主面側端子の数やレイアウトは、多層配線基板の用途に応じて適宜設定される。例えば、多層配線基板がＩＣ検査装置用の基板を構成する場合には、検査対象であるＩＣの端子に対応した数及びレイアウトとなるように主面側端子が形成される。

前記樹脂絶縁層を構成する樹脂材料の好適例としては、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）、フッ素樹脂、シリコーン樹脂などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス不織布やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。また、樹脂絶縁層には、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成されている。樹脂絶縁層の厚さ方向に垂直なビア孔の断面形状は特に限定されないが、例えば略円形状であることがよい。

多層配線基板を構成する導体層は、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置されている。導体層を形成する導電性金属材料としては特に限定されないが、例えば銅、アルミニウム、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の導電性金属材料を挙げることができる。特に、前記導体層は、他の導電性金属材料よりも導電性に優れた銅からなることが好ましい。なお、前記導体層は金属箔または金属板からなることがより好ましい。導体層が特に圧延によって形成された「箔」であれば、結晶が凝集していて緻密なため、導電性が高い。

前記突出部は、前記導体層の一部であって、前記主面側または前記裏面側に曲がり、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出している。ここで、ビア孔の開口縁からの突出部の突出量は、ビア孔の内径の１／２０以上１／３以下であることが好ましい。仮に、突出量がビア孔の内径の１／２０未満であると、突出部とビア導体との接触面積が少なくなるため、ビア導体と導体層との接続状態を維持できない可能性がある。一方、突出量がビア孔の内径の１／３よりも大きいと、ビア導体においてビア導体が食い込んでいる部分（ビア導体において溝部を有する部分）が細くなりすぎるため、衝撃が加わった際にビア導体が折損する可能性がある。また、突出部の曲がり角度、即ち、樹脂絶縁層の第１面（及び第２面）と突出部とがなす角度は特に限定されないが、例えば１°以上３０°以下であることが好ましい。なお、ビア導体が形成された状態で突出部を大きく曲げることは困難であり、曲げることができたとしても、信頼性を飛躍的に向上できる訳ではなく、メリットが少ない。

なお、前記突出部は、前記ビア導体の側面の全周にわたって食い込んでいてもよいし、前記ビア導体の側面の一部のみに食い込んでいてもよいが、前記ビア導体の側面の全周にわたって食い込んでいることが好ましい。このような構成であれば、ビア導体と突出部との接触面積がよりいっそう大きくなり、接続信頼性がよりいっそう高くなる。

多層配線基板を構成するビア導体は前記ビア孔内に配置されている。ビア導体は、異なる層にある導体間の導通を図るための構造物であって、具体的には、導体層に電気的に接続されている。ビア導体を形成する材料としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等）を用いても勿論よい。なお、ビア導体としては、上記の導電性金属の粒子を有機材料内に含有させて硬化させた導電性金属ペーストの硬化物や、有機材料を全くまたは殆ど含まない導電性金属粒子の凝集体を用いることが好ましい。

なお、前記ビア導体は、前記突出部が曲がっている方向とは反対側の端面が平坦面であることが好ましい。このようにすれば、ビア導体の端面を導体層の表面と面一にしやすくなるため、樹脂絶縁層において導体層が存在する面に生じる凹凸が小さくなる。よって、樹脂絶縁層を確実に複数枚積層することができるため、多層配線基板が不良品となる確率がよりいっそう低くなる。

前記ビア導体は、前記ビア孔内に配置された主大径部に対し、小径部を介して副大径部を接続した構造を有し、前記主大径部及び前記副大径部は、前記突出部をその厚さ方向から挟み込んだ状態で配置されていることが好ましい。このようにすれば、主大径部及び副大径部が、突出部の主面側の面及び裏面側の面に確実に接触するため、ビア導体と突出部との接触面積を確実に確保でき、接続信頼性が確実に高くなる。

ビア導体（主大径部、小径部、副大径部）を基板厚さ方向から見たときの形状は特に限定されないが、例えば略円形状であることがよい。この場合における主大径部及び副大径部の外径は３０μｍ以上２００μｍ以下であることがよい。また、小径部の外径は、主大径部及び副大径部の外径よりも小さいことが必須であり、具体的には１５μｍ以上１９５μｍ以下であることがよい。

また、主大径部の厚さは、副大径部の厚さよりも厚いことが好ましく、前記樹脂絶縁層の厚さとほぼ等しいことが好ましい。仮に、主大径部の厚さが樹脂絶縁層の厚さよりも厚いと、主大径部の一部が樹脂絶縁層の第１面または第２面から突出して凹凸が生じてしまう。その結果、樹脂絶縁層を複数枚積層することが困難になり、多層配線基板が不良品となる確率が高くなる。また、ビア導体が長くなるため、高抵抗化してしまう。一方、主大径部の厚さが樹脂絶縁層の厚さよりも薄いと、主大径部において小径部が接続されていない側の端面が、樹脂絶縁層の第１面または第２面に到達しなくなる。その結果、ビア導体を、隣接する樹脂絶縁層に形成された導体層に接続できなくなるため、接続信頼性が低下してしまう。

さらに、副大径部の端面が導体層の表面と面一になることが好ましい。このようにすれば、樹脂絶縁層において導体層及び副大径部が存在する面に生じる凹凸が小さくなる。よって、樹脂絶縁層を確実に複数枚積層することができるため、多層配線基板が不良品となる確率がよりいっそう低くなる。仮に、副大径部の端面が導体層の表面と面一ではない場合、樹脂絶縁層において導体層及び副大径部が存在する面に生じる凹凸が大きくなりすぎてしまうため、樹脂絶縁層を複数枚積層することが困難になり、多層配線基板が不良品となる確率が高くなる。

さらに、上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、上記手段１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板と、前記多層配線基板をその裏面側から支持すべく当該裏面側に接合され、前記多層配線基板と電気的に接続されたセラミック多層配線基板とを備え、前記複数の主面側端子に複数の導電性金属プローブが繰り返し当接しうるように構成されたＩＣ検査装置用基板がある。また、さらに別の手段（手段５）としては、上記手段１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板と、前記多層配線基板をその裏面側から支持すべく当該裏面側に接合され、前記多層配線基板と電気的に接続されたセラミック多層配線基板と、前記複数の主面側端子上にそれぞれ取り付けられ、ＩＣ側の端子に当接する複数の導電性金属製のプローブピンとを備えたＩＣ検査装置用基板がある。

従って、手段４，５によれば、ビア導体と導体層との接続信頼性が高い多層配線基板を用いてＩＣ検査装置用基板を構成しているため、ＩＣ検査装置用基板の接続信頼性も高くなる。また、ビア導体に突出部が食い込んでいるため、主面側端子に導電性金属プローブが繰り返し当接する際に掛かる衝撃、あるいはＩＣに当接するプローブピンを介して主面側端子に繰り返し掛かる衝撃に起因した問題（例えば、ビア導体の抜け落ちなど）の発生を防止できる。よって、多層配線基板、ひいてはＩＣ検査装置用基板の長寿命化を図ることができる。

手段４，５のセラミック多層配線基板は、例えば複数のセラミック層を積層してなるものである。ここで、セラミック多層配線基板の主材料となるセラミックの具体例としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が挙げられる。このほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が挙げられる。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段６）としては、手段１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、第１面及び第２面を有し前記第１面に金属箔を貼付してなる金属箔付きの樹脂フィルムを用意し、前記第２面側にレーザ照射を行うことにより、前記樹脂フィルムを貫通するビア孔を形成するとともに、そのビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出した突出部を形成する穴あけ工程と、前記突出部を残した状態で前記金属箔を選択的に除去して導体層を形成するパターニング工程と、前記ビア孔内に前記第１面側から導電性金属ペーストを充填してビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記ビア導体形成後の前記樹脂フィルムを複数枚積層して圧着する積層圧着工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。

従って、手段６の製造方法によると、ビア孔及び突出部が形成された状態で、ビア導体形成工程を行ってビア導体を形成することにより、突出部がビア導体に食い込んだ状態となる。このため、ビア導体は、突出部の先端面だけでなく、主面側の面及び裏面側の面にも接触するようになる。これにより、ビア導体と突出部との接触面積が大きく確保されるため、接続信頼性が高くなる。

また、穴あけ工程においてレーザ照射を行うことにより、樹脂フィルム及び金属箔を貫通する孔が形成されるため、薬液またはプラズマアッシャー等を使用したビア孔のデスミア処理が不要となる。しかも、スルーホール導体を形成する工程を必須としないため、多層配線基板の製造工程を簡略化することができる。

例えば、穴あけ工程において樹脂フィルムの第１面側からレーザ照射を行うと、レーザの持っているエネルギの殆どが光を透過しない金属箔の孔あけに用いられ、レーザが金属箔の裏側に透過しにくい。その結果、金属箔には、ビア孔よりも大径の孔が形成されるため、突出部を形成できない。一方、手段４の製造方法では、穴あけ工程において樹脂フィルムの第２面側からレーザ照射を行っている。従って、レーザの持っているエネルギが、金属箔の孔あけよりも先に光を透過する樹脂フィルムの孔あけに用いられるため、大径のビア孔を形成しやすい。その結果、金属箔には、ビア孔よりも小径の孔が形成されるようになる。なお、この小径の孔の形成が、ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出した突出部を形成することになるため、ビア孔を形成しつつ突出部も確実に形成することができる。

また、積層圧着工程において樹脂フィルムの厚さ方向に力を加えることにより、突出部を主面側または裏面側に曲げることができるとともに、ビア導体において突出部が曲がっている方向とは反対側の端面を平坦面にすることができる。これに伴い、多層配線基板の主面に生じる凹凸が少なくなるため、主面上に複数の主面側端子を確実に形成できる。従って、多層配線基板が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。

なお、前記ビア導体形成工程前に前記パターニング工程を行ってもよいし、前記パターニング工程前に前記ビア導体形成工程を行ってもよいが、前記ビア導体形成工程前に前記パターニング工程を行うことが好ましい。仮に、パターニング工程前にビア導体形成工程を行うと、第１面から導電性金属ペーストの一部が突出して凹凸が生じてしまう。このため、パターニング工程において金属箔上にパターニング用のフィルムを貼付したとしても、フィルムの剥離性が悪くなってしまい、作業性が低下してしまう。

また、前記穴あけ工程では、前記樹脂フィルムの前記第２面の手前側位置に焦点を設定してレーザ照射を行うことが好ましい。このようにすれば、レーザの持っているエネルギが、樹脂フィルムの第１面付近で若干弱められるため、金属箔にビア孔よりも小径の孔（即ち突出部）を容易に形成することができる。

ここで、レーザ照射に用いられるレーザとしては、ＹＡＧレーザ等のＵＶレーザや、炭酸ガスレーザなどが挙げられるが、ＹＡＧレーザを用いることが好ましい。炭酸ガスレーザは、熱溶融によって加工するものであるため、ＹＡＧレーザよりも加工性に劣ってしまう。具体的に言うと、炭酸ガスレーザを用いる場合、樹脂フィルムが必要以上に溶融されてしまうため、小径のビア孔を形成することが困難である。また、炭酸ガスレーザの波長では、レーザが銅箔の表面で反射してしまうため、レーザで銅箔を貫通させることが困難である。しかも、ビア孔を形成した際の樹脂残りが大きい。例えば、樹脂フィルムのみを貫通させ、銅箔を貫通させないようにした場合、ビア孔内（銅箔の表面）に残る樹脂の厚さは一般的に２μｍとなる。一方、ＹＡＧレーザは、分子分解によって加工を行うものであるため、加工性に優れている。即ち、炭酸ガスレーザを用いる場合に比べてビア孔を正確に形成することができ、銅箔も確実に貫通させることができる。また、ビア孔を形成した際の樹脂残りが少なくなる。例えば、樹脂フィルムのみを貫通させ、銅箔を貫通させないようにした場合、ビア孔内に（銅箔の表面）に残る樹脂の厚さは一般的に０．５μｍとなる。

なお、前記金属箔は、導体層を形成するものであるため、導体層と同じ導電性金属材料によって形成される。金属箔としては特に限定されないが、例えば銅、アルミニウム、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の導電性金属材料からなる金属箔を挙げることができる。特に、前記金属箔は、他の導電性金属材料よりも導電性に優れた銅からなる銅箔であることが好ましい。また、前記導電性金属ペーストは、ビア導体を形成するものであるため、ビア導体と同じ材料によって形成される。導電性金属ペーストを形成する材料としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができる。特に、前記導電性金属ペーストは、エポキシ樹脂内に酸化しにくい銀粒子を含有する銀ペーストであることが好ましい。このようにすれば、ビア導体の低抵抗化を図りやすくなる。また、ビア導体と突出部との接続が確実になる。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段７）としては、手段４または５に記載のＩＣ検査装置用基板の製造方法であって、第１面及び第２面を有し前記第１面に金属箔を貼付してなる金属箔付きの樹脂フィルムを用意し、前記第２面側にレーザ照射を行うことにより、前記樹脂フィルムを貫通するビア孔を形成するとともに、そのビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出した突出部を形成する穴あけ工程と、前記突出部を残した状態で前記金属箔を選択的に除去して導体層を形成するパターニング工程と、前記ビア孔内に前記第１面側から導電性金属ペーストを充填してビア導体を形成するビア導体形成工程とを行った後、前記ビア導体形成後の前記樹脂フィルムをセラミック多層配線基板の主面上にて複数枚積層し、前記セラミック多層配線基板とともに圧着する積層圧着工程を行うことを特徴とするＩＣ検査装置用基板の製造方法がある。従って、手段７の製造方法によると、ビア孔及び突出部が形成された状態で、ビア導体形成工程を行ってビア導体を形成することにより、突出部がビア導体に食い込んだ状態となる。このため、ビア導体は、突出部の先端面だけでなく、主面側の面及び裏面側の面にも接触するようになる。これにより、ビア導体と突出部との接触面積が大きく確保されるため、接続信頼性が高くなる。また、穴あけ工程においてレーザ照射を行うことにより、樹脂フィルム及び金属箔を貫通する孔が形成されるため、薬液またはプラズマアッシャー等を使用したビア孔のデスミア処理が不要となる。しかも、スルーホール導体を形成する工程を必須としないため、多層配線基板の製造工程を簡略化することができる。

以下、本発明をＩＣ検査装置用基板に具体化した一実施形態を図１〜図１１に基づき詳細に説明する。
図１〜図３に示す本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０は、複数箇所にＩＣが形成されたシリコンウェハの電気検査を行うための装置（ＩＣ検査用治具）の一部に使用される部品である。ＩＣ検査装置用基板１０は、多層配線基板７１と、同多層配線基板７１と電気的に接続されたセラミック多層配線基板１１とを備えている。セラミック多層配線基板１１は、複数のセラミック層１４を積層してなるアルミナ（セラミック材料）の焼結体であって、平面視で略正方形状の外形を呈する板状物である。本実施形態のセラミック多層配線基板１１は、一辺の長さが６５ｍｍに設定され、かつ厚さが４．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下に設定されている。

図３に示されるセラミック多層配線基板１１の内部において、セラミック層１４同士の界面には、タングステンのメタライズ層からなる複数の内層電極３１が形成されている。また、セラミック多層配線基板１１の主面１２上には、複数の主面側端子２１が略全域にわたって形成され、セラミック多層配線基板１１の裏面１３上には、複数の裏面側端子２２がほぼ全域にわたって格子状に形成されている（図１参照）。なお、本実施形態の主面側端子２１及び裏面側端子２２は、複数種の導電性金属薄膜を積層してなる構造となっている。裏面側端子２２は平面視円形状をなし、その直径は０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ程度に設定されている。そして、複数の裏面側端子２２上には、ＩＣ検査用治具の外部接続端子用のピン６２が取り付けられている。

また、セラミック多層配線基板１１の内部には、セラミック多層配線基板１１の厚さ方向に延びる複数のビア孔４１が形成されている。これらのビア孔４１は断面円形状をなしており、それらの内径は１００μｍに設定されている。そして、複数のビア孔４１内には、タングステンのメタライズからなるビア導体４２が配置されている。ビア導体４２の裏面１３側に露出する端面は、裏面側端子２２と接合されている。また、ビア導体４２はセラミック多層配線基板１１の内部において内層電極３１と接合されている。従って、複数のビア導体４２によって、内層電極３１と裏面側端子２２との間が電気的に接続されている。

図３に示されるように、前記多層配線基板７１は、主面７２及び裏面７３を有し、平面視で略正方形状の外径を呈する板状物である。本実施形態の多層配線基板７１は、一辺の長さが６５ｍｍに設定され、かつ厚さが１３６μｍに設定されている。なお、多層配線基板７１主面７２は、使用時において検査対象であるウェハ（図示略）側に向けて配置されるようになっている。一方、多層配線基板７１の裏面７３には、多層配線基板７１をその裏面７３側から支持するセラミック多層配線基板１１が接合されている。

また、多層配線基板７１の主面７２上の中央部分には、複数の主面側端子７４が格子状に形成されている（図２参照）。なお、本実施形態の主面側端子７４は、複数種の導電性金属薄膜を積層してなる構造となっている。主面側端子７４は平面視円形状をなし、その直径は０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度に設定されている。そして図３に示されるように、複数の主面側端子７４上には、ウェハ上に形成された各ＩＣの端子群に対して当接可能な導電性金属プローブ６１が繰り返し当接しうるようになっている。

図３〜図５に示されるように、多層配線基板７１は、第１層〜第４層の樹脂絶縁層８１（厚さ２５μｍ）を積層した構造を有している。各樹脂絶縁層８１は、ポリイミド（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＶＴ）からなる絶縁基材を主体として形成され、第１面８２及び第２面８３を有している。また、各樹脂絶縁層８１には、第１面８２及び第２面８３を貫通するビア孔９０が複数箇所に形成されている。これらのビア孔９０は断面円形状をなしており、それらの内径は１００μｍに設定されている。

また、各樹脂絶縁層８１の第１面８２には、『導電性金属材料』である銅からなる複数の導体層８４（厚さ９μｍ）が形成されている。なお、導体層８４の一部は、ビア孔９０の開口縁からビア孔中心軸方向に突出する突出部８５となっている。ここで、ビア孔９０の開口縁からの突出部８５の突出量は、ビア孔９０の内径（１００μｍ）の１／１０程度、即ち１０μｍ程度となっている。そして、突出部８５は、多層配線基板７１の裏面７３側に曲がっている。なお、突出部８５の曲がり角度θ１（図４参照）、即ち、樹脂絶縁層８１の第１面８２と突出部８５の裏面とがなす角度は、１５°程度に設定されている。

図３〜図５に示されるように、各ビア孔９０内には、『導電性金属ペースト』である銀ペースト（ハリマ化成株式会社製 ＴＨＲ−５００Ａ）の硬化物からなるビア導体９１が設けられている。なお、銀ペーストは、エポキシ樹脂内に多数の銀粒子を含有したものである（図５参照）。各ビア導体９１は、突出部８５が曲がっている方向の端面（即ち、第２面８３側の端面）と、突出部８５が曲がっている方向とは反対側の端面（即ち、第１面８２側の端面）とが平坦面となっている。また、第１層〜第３層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、その側面９２に溝部９３（図４参照）を有している。そして、第１層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端面が前記主面側端子２１に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が第１層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に電気的に接続されている。第２層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端部が第１層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が第２層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に電気的に接続されている。同様に、第３層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端部が第２層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が第３層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に電気的に接続されている。さらに、第４層の樹脂絶縁層８１に設けられたビア導体９１は、第２面８３側の端部が第３層の樹脂絶縁層８１に形成された導体層８４に面接触した状態で電気的に接続されるとともに、第１面８２側の端部が前記主面側端子７４に面接触した状態で電気的に接続されている。

図４に示されるように、ビア導体９１は、ビア孔９０内に配置された主大径部９５に対し、小径部９６を介して副大径部９７を接続した構造を有している。大径部９５，９７及び小径部９６は、断面円形状をなしている。本実施形態において、大径部９５，９７の外径は互いに等しくなっており、具体的には１００μｍに設定されている。一方、小径部９６の外径は、大径部９５，９７の外径よりも小さくなっており、具体的には９５μｍ程度に設定されている。また、主大径部９５の厚さは、副大径部９７の厚さよりも厚く、樹脂絶縁層８１の厚さ（２５μｍ）とほぼ等しくなっている。

また、主大径部９５及び副大径部９７は、前記突出部８５をその厚さ方向から挟み込んだ状態で配置されている。即ち、突出部８５は、ビア導体９１の側面９２に食い込んだ状態となっている。なお、突出部８５は、ビア導体９１の側面９２の全周にわたって食い込んでいる。また、主大径部９５の副大径部９７側の端面、副大径部９７の主大径部９５側の端面、及び、小径部９６の側面によって前記溝部９３が構成されるため、突出部８５は溝部９３に嵌合した状態であるとも言える。

次に、上記のＩＣ検査装置用基板１０の製造方法を説明する。まず、セラミック多層配線基板１１をあらかじめ準備しておく。ここで、セラミック多層配線基板１１の製造方法を説明する。
（１−１）積層体準備工程

この製造方法では、積層体準備工程を行って所望構造のセラミック積層体（図示略）を準備するが、具体的には以下のようにする。

ａ）まず、セラミック原料であるアルミナ粉末、有機溶剤、有機バインダ等をポットで湿式混合することにより、グリーンシートの形成に用いるスラリーを得る。次に、このグリーンシート形成用スラリーを原料とし、従来周知のキャスティング装置を用いて、所定のシートの上に同スラリーを薄く均一な厚さでキャスティングする。その後、シート状にキャスティングされたスラリーを加熱乾燥し、グリーンシートを形成する。このようなシート成形法に代えて、プレス成形法により同様のグリーンシートを作製することもできる。なお、グリーンシートは所定の長さにカットされ、複数枚のグリーンシートとなる。

ｂ）次に、このようにして得られた複数枚のグリーンシートに対し、レーザ照射加工、パンチング加工、ドリリング加工等による穴あけを行って、所定の位置に複数の貫通孔を多数形成する。ここで後にセラミック層１４となるべきグリーンシートには、ビア孔４１の形成位置に貫通孔が形成される。

ｃ）次に、穴あけ後のグリーンシートに対し、あらかじめ用意しておいた内層電極形成用のタングステンペーストを従来周知のペースト印刷装置を用いてパターン印刷する。その結果、後に内層電極３１となるべき内層電極形成層が所定位置に形成される。また、あらかじめ用意しておいたビア導体形成用のタングステンペーストを従来周知のペースト圧入充填装置を用いて、ビア孔４１となるべき貫通孔内に圧入充填する。その結果、ビア孔４１内に後にビア導体４２となるべきビア導体形成部が形成される。なお、ペーストパターン印刷及びペースト圧入充填の順序は逆にしてもよい。

ｄ）ペースト乾燥後、複数枚のグリーンシートを積み重ねて配置し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを圧着、一体化してセラミック積層体を形成する。
（１−２）脱バインダ工程

積層体準備工程の後、セラミック積層体を大気中にて２００〜３００℃で２０〜６０時間加熱することで脱脂を行い、セラミック積層体中に含まれるバインダを分解除去する。脱脂後、セラミック積層体を焼成装置に移し、アルミナが焼結しうる温度（約１６００℃）で約２４時間加熱して焼成を行う。その結果、アルミナ及びペースト中のタングステンが同時焼結する。この焼成により、グリーンシートがセラミック層１４となり、ビア導体形成部がビア導体４２となり、内層電極形成層が内層電極３１となる。なお、セラミック積層体は、焼結により緻密化して機械的強度が高くなる。また、セラミック積層体には好適な電気的特性（絶縁特性）が付与される。
（１−３）研磨工程

この後、焼結したセラミック積層体（セラミック多層配線基板１１）の主面１２及び裏面１３を従来周知の表面研磨装置を用いて研磨し、主面１２及び裏面１３の平坦度を高くする。本実施形態では、平坦度が１５０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．２μｍ以下となるように研磨を行う。
（１−４）端子形成工程

研磨工程後、セラミック多層配線基板１１の主面１２にて露出するビア導体４２の主面側端面上に、ビア導体４２の直径よりも大きい円形状の主面側端子２１を形成する。同様に、セラミック多層配線基板１１の裏面１３にて露出するビア導体４２の裏面側端面の上に、ビア導体４２の直径よりも大きい円形状の裏面側端子２２を形成する。その具体的な手順を以下に示す。

まず、セラミック多層配線基板１１の主面１２全体及び裏面１３全体に、導電性金属からなる１層または２層以上の下地金属層を形成する。下地金属層として使用可能な金属の例を挙げると、チタン、モリブデン、クロム、コバルト、タングステン、ニッケル、タンタル、ニオブ等がある。本実施形態ではチタン及びモリブデンからなる２層構造の下地金属層を選択するとともに、これらをスパッタで形成している。次いで、下地金属層上に所定のめっきレジストを設けた状態で電解銅めっきを行って銅めっき層を形成した後、そのめっきレジストを除去し、さらにエッチングを行って下地金属層の露出部分を除去する。その結果、ビア導体４２の主面側端面上及び裏面側端面上に対応した箇所に、チタンスパッタ層、モリブデンスパッタ層及び銅めっき層からなる複数の積層金属部が形成される。次に、電解ニッケルめっきを行って積層金属部を覆うニッケルめっき層を形成し、さらに電解金めっきを行ってニッケルめっき層を覆う金めっき層を形成する。その結果、複数の主面側端子２１及び複数の裏面側端子２２を備えるセラミック多層配線基板１１が完成する。

次に、多層配線基板７１の製造方法を説明する。
（２−１）穴あけ工程

穴あけ工程では、厚さ２５μｍの樹脂フィルム１６１の第１面８２に厚さ９μｍの銅箔１６２（金属箔）を貼付してなる銅箔付き樹脂フィルムを用意する（図６参照）。次に、樹脂フィルム１６１の第２面８３側に対して、ＹＡＧレーザ（ＥＳＩ社製 ５１５０）等を用いたレーザ照射を行う。具体的には、樹脂フィルム１６１の第２面８３の手前側位置（本実施形態では、第２面８３よりも０．７５ｍｍ手前側の位置）に焦点を設定してレーザ照射を行い、レーザ光を円移動させて孔をあけるトレパニング加工を行う。なお、このときのレーザ出力は、０．３〜０．５Ｗ程度に設定されている。これにより、樹脂フィルム１６１を貫通するビア孔９０が形成されるとともに、そのビア孔９０の開口縁からビア孔中心軸方向に突出した突出部８５が形成される（図７参照）。なお、図７に示す矢印はレーザの照射方向を示している。
（２−２）パターニング工程

続くパターニング工程では、突出部８５を残した状態で銅箔１６２を選択的に除去して導体層８４を形成する。具体的には、樹脂フィルム１６１の第１面８２の銅箔１６２のエッチングを行って導体層８４を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。詳述すると、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらに厚さ２５μｍのドライフィルム１６３（日立化成工業株式会社製 ＲＹ−３３２５）をラミネートし（図８参照）、同ドライフィルム１６３に対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルム１６３を所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔１６２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルム１６３を剥離する。この時点で、導体層８４が形成される。そして、導体層８４の表面の粗化（ＣＺ処理）を行う。
（２−３）ビア導体形成工程

続くビア導体形成工程では、印刷装置（マイクロテック株式会社製）を用いた従来周知の印刷法により、ビア孔９０内に第１面８２側から銀ペーストを充填してビア導体９１を形成する（図９参照）。即ち、本実施形態では、ビア導体形成工程前にパターニング工程が行われている。具体的には、樹脂フィルム１６１を耐熱性アクリルテープ１６４（パナック株式会社製 ＨＴ−５０ＳＣＢＡ）上に載置する。次に、ビア孔９０に対応した位置に開口部（内径１１０μｍ）を有する印刷マスク（厚さ２０μｍのメタルマスク）を用い、印圧を０．１５ＭＰａ、印刷スピードを１５ｍｍ／ｓｅｃに設定して、銀ペーストを印刷し、ビア孔９０内に銀ペーストを充填させる。このとき、銀ペーストの一部が導体層８４から突出するとともに、突出部分の一部が突出部８５の表面（導体層８４において第１面８２に接していない側の面）に付着する。さらに、銀ペーストの一部が突出部８５の裏面側に回り込み、突出部８５の裏面（導体層８４において第１面８２に接する側の面）に付着する。そして、印刷装置から取り外した後、銀ペーストを加熱して溶剤等を蒸発させ、固形化させる。次いで、１００℃程度の温度で約３０分間加熱して仮硬化を行う。その結果、銀ペーストを構成するエポキシ樹脂が硬化収縮し、エポキシ樹脂に含まれる多数の銀粒子が互いに圧接することにより、銀ペーストの硬化物からなるビア導体９１が形成される。その後、耐熱性アクリルテープ１６４を剥離する。
（２−４）積層圧着工程

続く積層圧着工程では、まず、平板状の下治具（図示略）上にセラミック多層配線基板１１を積層し、セラミック多層配線基板１１の主面１２上に第１層〜第４層の樹脂絶縁層８１（樹脂フィルム１６１）を順番に積層する（図１０参照）。なお、各樹脂絶縁層８１には、下治具に突設された複数の位置決めピン（図示略）が挿通される。このため、各樹脂絶縁層８１の平面方向への位置ずれが防止される。その後、セラミック多層配線基板１１と４枚の樹脂絶縁層８１とからなる積層物に、平板状の上治具（図示略）を載置する。そして次に、２０００〜３０００Ｐａ以下の真空下で加熱（３６０℃）を行いながら、１時間のあいだ積層方向（接合方向）に押圧力（５ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、セラミック多層配線基板１１及び各樹脂絶縁層８１が積層方向に沿って押圧されるとともに、熱により樹脂絶縁層８１の一部が塑性変形する。さらに、導体層８４の各突出部８５が下側（セラミック多層配線基板１１側）に曲がり、ビア導体９１が圧縮されることにより、ビア導体９１の第１面８２側の端面と導体層８４との間に生じている段差が小さくなる。その結果、セラミック多層配線基板１１及び各樹脂絶縁層８１（多層配線基板７１）が接合（熱圧着）される（図１１参照）。
（２−５）主面側端子形成工程

積層圧着工程後、多層配線基板７１の主面７２にて露出するビア導体９１の主面側端面の上に、ビア導体９１の直径よりも大きい円形状の主面側端子７４をそれぞれ形成する。その具体的な手順を以下に示す。

まず、多層配線基板７１の主面７２の中央部分に、導電性金属からなる１層または２層以上の下地金属層をスパッタで形成する。次いで、下地金属層上に所定のめっきレジストを設けた状態で電解銅めっきを行って銅めっき層を形成した後、そのめっきレジストを除去し、さらにエッチングを行って下地金属層の露出部分を除去する。その結果、ビア導体９１の主面側端面上に、チタンスパッタ層、モリブデンスパッタ層及び銅めっき層からなる複数の積層金属部が形成される。次に、電解ニッケルめっきを行って積層金属部を覆うニッケルめっき層を形成し、さらに電解金めっきを行ってニッケルめっき層を覆う金めっき層を形成する。その結果、複数の主面側端子７４が形成された多層配線基板７１が完成し、ＩＣ検査装置用基板１０が完成する。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０では、導体層８４の一部である突出部８５がビア導体９１に食い込んでいるため、ビア導体９１は、突出部８５の先端面だけでなく、主面７２側の面及び裏面７３側の面にも接触するようになる。これにより、ビア導体９１と突出部８５との接触面積が大きく確保されるため、接続信頼性が高くなり、ひいては、ＩＣ検査装置用基板１０の接続信頼性も高くなる。また、ビア導体９１に突出部８５が食い込んでいるため、ビア導体９１と導体層８４との接続状態を確実に維持することができ、しかも耐久性や耐衝撃性が向上する。例えば、主面側端子７４に導電性金属プローブ６１が繰り返し当接する際に掛かる衝撃に起因した問題（例えば、ビア導体９１の抜け落ちなど）の発生を防止できる。よって、多層配線基板７１、ひいてはＩＣ検査装置用基板１０の長寿命化を図ることができる。さらに、ビア導体９１と突出部８５との接触面積が大きいために、ビア導体９１及び導体層８４からなる回路の低抵抗化を図ることができる。

（２）本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０は、セラミック多層配線基板１１と多層配線基板７１とを積層した構造となっている。このため、セラミック多層配線基板１１を、ユニバーサルな基板（共通部分）とすることができるとともに、多層配線基板７１を、顧客の要求に合わせたカスタム品とすることができる。よって、セラミック多層配線基板１１をあらかじめ準備しておき、受注があった際に多層配線基板７１のみを製造すれば済むため、ＩＣ検査装置用基板１０の短納期化（リードタイム短縮）を図ることができる。

（３）本実施形態の製造方法では、穴あけ工程においてレーザ照射を行うことにより、樹脂フィルム１６１及び銅箔１６２を貫通する孔（ビア孔９０）が形成されるため、従来行われていたビア孔のデスミア処理が不要となる。しかも本実施形態では、図１９に示されるようなスルーホール導体１０４を形成する工程を必須としないため、多層配線基板７１の製造工程を簡略化することができる。

なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、ビア導体形成工程前にパターニング工程を行っていたが、ビア導体形成工程後にパターニング工程を行ってもよい。この場合、ビア孔９０及び突出部８５が形成された樹脂フィルム１６１（図１２参照）に対してビア導体形成工程を行い、ビア孔９０内にビア導体９１を形成する（図１３参照）。さらに、パターニング工程を行い、突出部８５を残した状態で銅箔１６２を選択的に除去して導体層８４を形成する（図１４参照）。

・上記実施形態の多層配線基板７１は、４層の樹脂絶縁層８１から構成されていたが、１〜３層の樹脂絶縁層８１から構成されていてもよいし、５層以上の樹脂絶縁層８１から構成されていてもよい。

・上記実施形態では、導体層８４の一部に設けられた突出部８５が、裏面７３側に曲がっていたが、これとは逆方向（即ち主面７２側）に曲がっていてもよい。あるいは、図１５に示される他の実施形態のＩＣ検査装置用基板１０Ａにおける多層配線基板７１Ａのように、導体層８４の一部に設けられた突出部８５が、主面７２側にも裏面７３側にも曲がっておらず、直線的な形状になっていてもよい。このような形態は、例えば、積層圧着工程時に加える押圧力を上記実施形態のときよりも若干小さく設定することで実現することが可能である。そして、このような形態であっても、導体層８４の一部である突出部８５がビア導体９１の溝部に嵌合しているため、ビア導体９１を、突出部８５の先端面、主面側の面及び裏面側の面にも接触させることができる。これにより、ビア導体９１と突出部８５との接触面積が大きく確保され、接続信頼性が高くなる。また、ビア導体９１の溝部９３に突出部８５が嵌合しているため、ビア導体９１と導体層８４との接続状態を確実に維持することができ、しかも耐久性や耐衝撃性が向上する。よって、セラミック多層配線基板１１の長寿命化を図ることができる。さらに、ビア導体９１と突出部８５との接触面積が大きいために、ビア導体９１及び導体層８４からなる回路の低抵抗化を図ることができる。

・例えば図１６に示される他の実施形態のＩＣ検査装置用基板１０Ｂのように構成してもよい。このＩＣ検査装置用基板１０Ｂの場合、複数の導電性金属プローブ６１が、セラミック多層配線基板１１の主面１２側ではなく裏面１３側に位置するようになっている。複数の導電性金属プローブ６１は、複数の裏面側端子２２に対して機械的に接触するようになっている。その代わりに、図１６において複数の主面側端子７４上には、ＩＣ側の端子に当接する複数の導電性金属製のプローブピン６５が取り付けられている。そして、この構成によると、ＩＣに当接するプローブピン６５を介して主面側端子７４に繰り返し衝撃が掛かりやすいが、ビア導体９１に突出部８５を食い込ませた構造を採用しているため、ビア導体９１の抜け落ちなどの発生を防止することができる。よって、多層配線基板７１、ひいてはＩＣ検査装置用基板１０Ｂの長寿命化を図ることができる。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、前記ビア孔内に配置された導電性金属ペーストの硬化物または導電性金属粒子の凝集体からなり、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、前記導体層の一部であって、前記主面側または前記裏面側に曲がり、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出し、前記ビア導体の側面に食い込んでいる突出部とを備えたことを特徴とする多層配線基板。

本発明を具体化した一実施形態のＩＣ検査装置用基板を示す概略裏面図。 ＩＣ検査装置用基板を示す概略主面図。 ＩＣ検査装置用基板を示す概略断面図。 多層配線基板の要部を示す拡大断面図。 多層配線基板の要部を示す拡大写真。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 他の実施形態におけるＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 他の実施形態におけるＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 他の実施形態におけるＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 他の実施形態におけるＩＣ検査装置用基板を示す要部拡大断面図。 他の実施形態におけるＩＣ検査装置用基板を示す概略断面図。 従来技術における多層配線基板の要部を示す拡大断面図。 従来技術における多層配線基板の要部を示す拡大断面図。 従来技術における多層配線基板の要部を示す拡大断面図。

符号の説明

１０，１０Ａ，１０Ｂ…ＩＣ検査装置用基板
１１…セラミック多層配線基板
６１…導電性金属プローブ
６５…プローブピン
７１，７１Ａ…多層配線基板
７２…主面
７３…裏面
７４…主面側端子
８１…樹脂絶縁層
８２…第１面
８３…第２面
８４…導体層
８５…突出部
９０…ビア孔
９１…ビア導体
９２…ビア導体の側面
９３…溝部
９５…主大径部
９６…小径部
９７…副大径部
１６１…樹脂フィルム
１６２…金属箔としての銅箔

Claims (13)

1. 主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、
   第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、
   導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、
   前記ビア孔内に配置され、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、
   前記導体層の一部であって、前記主面側または前記裏面側に曲がり、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出し、前記ビア導体に食い込んでいる突出部と
   を備えたことを特徴とする多層配線基板。
2. 主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、
   第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、
   導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、
   前記ビア孔内に配置され、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、
   前記導体層の一部であって、前記主面側または前記裏面側に曲がり、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出する突出部と
   を備え、前記ビア導体はその側面に溝部を有し、前記突出部は前記溝部に嵌合していることを特徴とする多層配線基板。
3. 前記突出部は、前記ビア導体の側面の全周にわたって食い込んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
4. 前記ビア導体は、前記突出部が曲がっている方向とは反対側の端面が平坦面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
5. 前記ビア導体は、前記ビア孔内に配置された主大径部に対し、小径部を介して副大径部を接続した構造を有し、
   前記主大径部及び前記副大径部は、前記突出部をその厚さ方向から挟み込んだ状態で配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
6. 主面及び裏面を有し、前記主面上に複数の主面側端子が形成された多層配線基板であって、
   第１面及び第２面を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するビア孔が形成された樹脂絶縁層と、
   導電性金属材料からなり、前記樹脂絶縁層の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方に配置された導体層と、
   前記ビア孔内に配置され、前記導体層に電気的に接続されるビア導体と、
   前記導体層の一部であって、前記ビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出する突出部と
   を備え、前記ビア導体はその側面に溝部を有し、前記突出部は前記溝部に嵌合していることを特徴とする多層配線基板。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板と、前記多層配線基板をその裏面側から支持すべく当該裏面側に接合され、前記多層配線基板と電気的に接続されたセラミック多層配線基板とを備え、前記複数の主面側端子に複数の導電性金属プローブが繰り返し当接しうるように構成されたＩＣ検査装置用基板。
8. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板と、前記多層配線基板をその裏面側から支持すべく当該裏面側に接合され、前記多層配線基板と電気的に接続されたセラミック多層配線基板と、前記複数の主面側端子上にそれぞれ取り付けられ、ＩＣ側の端子に当接する複数の導電性金属製のプローブピンとを備えたＩＣ検査装置用基板。
9. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
   第１面及び第２面を有し前記第１面に金属箔を貼付してなる金属箔付きの樹脂フィルムを用意し、前記第２面側にレーザ照射を行うことにより、前記樹脂フィルムを貫通するビア孔を形成するとともに、そのビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出した突出部を形成する穴あけ工程と、
   前記突出部を残した状態で前記金属箔を選択的に除去して導体層を形成するパターニング工程と、
   前記ビア孔内に前記第１面側から導電性金属ペーストを充填してビア導体を形成するビア導体形成工程と、
   前記ビア導体形成後の前記樹脂フィルムを複数枚積層して圧着する積層圧着工程と
   を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
10. 前記ビア導体形成工程前に前記パターニング工程を行うことを特徴とする請求項９に記載の多層配線基板の製造方法。
11. 前記金属箔は銅箔であり、前記導電性金属ペーストは銀ペーストであることを特徴とする請求項９または１０に記載の多層配線基板の製造方法。
12. 前記穴あけ工程では、前記樹脂フィルムの前記第２面の手前側位置に焦点を設定してレーザ照射を行うことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
13. 請求項７または８に記載のＩＣ検査装置用基板の製造方法であって、
    第１面及び第２面を有し前記第１面に金属箔を貼付してなる金属箔付きの樹脂フィルムを用意し、前記第２面側にレーザ照射を行うことにより、前記樹脂フィルムを貫通するビア孔を形成するとともに、そのビア孔の開口縁からビア孔中心軸方向に突出した突出部を形成する穴あけ工程と、
    前記突出部を残した状態で前記金属箔を選択的に除去して導体層を形成するパターニング工程と、
    前記ビア孔内に前記第１面側から導電性金属ペーストを充填してビア導体を形成するビア導体形成工程と
    を行った後、
    前記ビア導体形成後の前記樹脂フィルムをセラミック多層配線基板の主面上にて複数枚積層し、前記セラミック多層配線基板とともに圧着する積層圧着工程を行う
    ことを特徴とするＩＣ検査装置用基板の製造方法。