JP4616230B2 - Ｉｃ検査装置用基板 - Google Patents

Description

本発明は、ＩＣを電気的に検査するための装置に用いるＩＣ検査装置用基板に関するものである。

従来、図１０に示されるようなＩＣ検査装置用基板１００が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このＩＣ検査装置用基板１００では、主面上の端子１０１にＩＣ検査用治具の導電金属製プローブ１１１を当接させた状態で、ＩＣの電気特性等が測定される。なお、端子１０１は、チタンスパッタ層１０２、モリブデンスパッタ層１０３、銅スパッタ層１０４、銅めっき層１０５、ニッケルめっき層１０６及び金めっき層１０７から構成されている。チタンスパッタ層１０２は、ＩＣ検査装置用基板１００の主面上に形成された厚さ０．２μｍ程度の層である。モリブデンスパッタ層１０３は、チタンスパッタ層１０２上に形成された厚さ０．３μｍ程度の層である。銅スパッタ層１０４は、モリブデンスパッタ層１０３上に形成された厚さ０．５μｍ程度の層である。銅めっき層１０５は、銅スパッタ層１０４上に形成された厚さ十数μｍ〜２０μｍ程度の層である。ニッケルめっき層１０６は、銅めっき層１０５を被覆する厚さ２．０μｍ程度の層である。金めっき層１０７は、ニッケルめっき層１０６を被覆する厚さ３．０μｍ程度の層である。
特開２００１−２６４３８４号公報（図３、［００１４］など）

ところが、上記のＩＣ検査用治具の使用時において、端子１０１に導電金属製プローブ１１１を繰り返し当接させているうちに、端子１０１の最外層にある金めっき層１０７のエッジ部にダレ１０８（図１１参照）が発生することがある。そして、このダレ１０８の量が大きくなると、隣接する端子１０１に接触してショートしてしまうため、結果としてＩＣ検査装置用基板１００やＩＣ検査用治具（導電金属製プローブ１１１）が使用不能となってしまう。ゆえに、ＩＣ検査装置用基板１００やＩＣ検査用治具の寿命を延ばすための何らかの対策が望まれている。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダレの量を低減でき、ひいては、ダレによるショートを抑えることで長寿命化を可能とするＩＣ検査装置用基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段としては、主面及び裏面を有する絶縁性の基板本体と、前記基板本体の主面上に突出するように配置され、複数の導電金属製プローブが繰り返し当接しうる複数の主面側端子と、前記基板本体の裏面上に配置された複数の裏面側端子と、前記基板本体に設けられ、前記複数の主面側端子と前記複数の裏面側端子とを電気的に接続する複数のビア導体とを備えたＩＣ検査装置用基板において、前記複数の主面側端子の端子間距離が、前記複数の裏面側端子の端子間距離よりも小さい５０μｍ以下に設定され、隣接する前記複数の主面側端子の側面間には隙間が生じており、前記複数の主面側端子が、前記主面上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成された厚さ１０μｍ以下の銅層と、前記下地金属層及び前記銅層を被覆するニッケル層と、前記ニッケル層を被覆する厚さ１．５μｍ以下の金層とを含んで構成され、前記下地金属層は、最上層が銅スパッタ層であることを特徴とするＩＣ検査装置用基板がある。

従って、上記手段によれば、主面側端子の最外層に導電金属製プローブよりも柔らかい金層が存在するため、主面側端子に導電金属製プローブが繰り返し当接した際に金層にダレ（押し潰されて周囲に広がるような塑性変形をいう）が生じやすい。しかも、複数の主面側端子の端子間距離が５０μｍ以下であるため、生じたダレが隣接する主面側端子に接触してショートしやすい。そこで上記手段では、金層の厚さを従来よりも薄く設定しているため、導電金属製プローブが繰り返し当接した際に金層に発生するダレの量を低減できる。また銅層も、導電金属製プローブより柔らかいため、導電金属製プローブが繰り返し当接した際にダレにつながる変形が生じる可能性がある。そこで上記手段では、銅層の厚さを従来よりも薄く設定しているため、銅層の変形を防止できる。その結果、ダレが隣接する主面側端子に接触することに起因したショートを防止できるため、ＩＣ検査装置用基板や導電金属製プローブが破損しにくくなる。よって、ＩＣ検査装置用基板や導電金属製プローブの長寿命化が可能となる。なお、「端子間距離」とは、主面側端子の外周縁と、それに隣接する主面側端子の外周縁との距離の最小値をいう。

上記手段のＩＣ検査装置用基板は、主面及び裏面を有する絶縁性の基板本体を構成要素としている。基板本体は、例えばセラミック材料を用いて構成されていることが好ましい。このようにすれば、主面に搭載される主面側端子や裏面に搭載される裏面側端子は高剛性の基板本体によって支持される。従って、主面側端子に導電金属製プローブが当接した際に基板本体が変形しにくくなるため、主面側端子及び裏面側端子を安定的に支持できる。

ここで基板本体を構成するセラミック材料の具体例としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が挙げられる。このほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が挙げられる。

基板本体は板状であって、平面視で例えば矩形状を呈している。基板本体の寸法は特に限定されるべきではないが、例えば一辺の長さを４０ｍｍ以上５０ｍｍ未満にすることなどが挙げられる。

ＩＣ検査装置用基板を構成する複数の主面側端子は基板本体の主面上に配置され、複数の裏面側端子は基板本体の裏面上に配置される。複数の主面側端子及び複数の裏面側端子を基板厚さ方向から見たときの形状は特に限定されないが、例えば略円形状、略矩形状、略三角形状などが挙げられる。なお、上記手段は、前記複数の主面側端子は、最大径が１５０μｍ以下かつ中心間距離（即ち、複数の主面側端子のピッチ）が２００μｍ以下である場合に適用されることがよい。このようにすれば、複数の主面側端子の端子間距離が短くなり、金層に生じたダレが隣接する主面側端子に接触してショートしやすくなる。このため、金層の厚さを１．５μｍｍ以下にし、かつ銅層の厚さを１０μｍ以下にしてダレを防止することの意義が大きくなる。しかも、複数の主面側端子の最大径が１５０μｍよりも大きいと、複数の主面側端子の中心間距離を小さく設定できないため、基板本体の主面上に多くの主面側端子を配置できなくなる。また、複数の主面側端子の中心間距離が２００μｍよりも大きいと、前記金層の厚さを１．５μｍにすることによって得られる効果が小さくなる。なお、複数の主面側端子は等しいピッチで格子状に配置されることが好ましい。

主面側端子及び裏面側端子を形成する材料としては特に限定されないが、特に基板本体がセラミック材料を用いて構成されている場合において、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン等のようにセラミックと同時に焼結しうる金属を用いて同時焼成により形成されることが好ましい。低温焼成セラミックの焼結体を選択した場合には、端子形成用材料として、さらに銅や銀などの使用が可能となる。なお、主面側端子及び裏面側端子は、セラミックの焼成後に各種方法（例えばスパッタ、めっき、ＣＶＤ、印刷等）により別個に形成されてもよい。また、主面側端子及び裏面側端子の数やレイアウトは、検査対象であるＩＣの端子に対応した数及びレイアウトとなるように適宜設定される。

前記複数の主面側端子は、前記主面上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成された厚さ１０μｍ以下の銅層と、前記銅層を被覆するニッケル層と、前記銅層を被覆する厚さ１．５μｍ以下の金層とを含んで構成されている。前記下地金属層は、異なる種類の金属層が積層してなり、厚さが１μｍ以下であることが好ましい。仮に、下地金属層の厚さが１μｍよりも大きいと、主面側端子が厚くなりすぎてしまう。ここで、下地金属層として使用可能な金属の例を挙げると、チタン、モリブデン、銅、クロム、コバルト、タングステン、ニッケル、タンタル、ニオブ等がある。なお、下地金属層は、各種方法（例えばスパッタ、めっき、ＣＶＤ、印刷等）により形成することが可能である。

また、前記銅層の厚さは５μｍ以上１０μｍ以下であり、前記金層の厚さは０．０３μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。なお、銅層の厚さが５μｍ未満であると、銅層が薄くなりすぎるため、低抵抗の主面側端子の形成が困難になる。一方、銅層の厚さが１０μｍよりも大きくなると、導電金属製プローブが繰り返し当接した際に変形しやすくなり、しかも主面側端子が厚くなりすぎてしまう。また、金層の厚さが１．５μｍよりも大きくなると、ダレの量が大きくなってしまう。一方、金層の厚さが０．０３μｍ未満であると、導電金属製プローブが主面側端子に当接した際に金層が剥れやすくなる。従って、金層の剥れを防止するためには、金層の厚さは、例えば０．６０μｍ以上１．５μｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層、ニッケル層、金層は、異方性金属成膜方法（例えばめっき、ＣＶＤ等）により形成することが可能である。しかし、特に銅層及び金層において上記の厚さを得るためには、異方性金属成膜方法の中でもめっきによって形成されることが好ましい。

ＩＣ検査装置用基板を構成する複数のビア導体は、基板本体の厚さ方向に延びる複数のビア孔内に配置されている。ここでビア孔は、基板本体の主面及び裏面において開口している。従って、そのビア孔内に形成されたビア導体の端面は、基板本体の主面及び裏面と面一の状態になっている。複数のビア導体は、異なる層にある導体間の導通を図るための構造物であって、具体的には、主面側端子と裏面側端子との間を電気的に接続している。

複数のビア導体を基板厚さ方向から見たときの形状は特に限定されないが、例えば略円形状であることがよく、その場合における外径は１０μｍ以上１００μｍ以下であることがよい。また、複数のビア導体のピッチ（即ち、隣接する複数のビア導体同士の中心間距離）は特に限定されないが、生産性向上及び製造コスト低減の観点から、複数の主面側端子の中心間距離と等しいことが好ましい。従って、例えば複数の主面側端子の中心間距離が例えば２００μｍ以下である場合には、複数のビア導体の中心間距離も２００μｍ以下とすることが好適である。なお、複数のビア導体は等しいピッチで格子状に配置されることが好ましい。

複数のビア導体を形成する材料としては特に限定されないが、特に基板本体がセラミック材料を用いて構成されている場合において、セラミックと同時に焼結しうる金属、例えば、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン等の使用が好適である。なお、低温焼成セラミックの焼結体を選択した場合、ビア導体の形成用材料として、さらに銅や銀などの使用が可能となる。

以下、本発明のＩＣ検査装置用基板を具体化した一実施形態を図１〜図９に基づき詳細に説明する。

図１〜図３に示す本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０は、複数箇所にＩＣが形成されたシリコンウェハの電気検査を行うための装置（ＩＣ検査用治具）の一部に使用される部品である。ＩＣ検査装置用基板１０を構成する絶縁性の基板本体１１は、複数のセラミック層１４を積層してなるアルミナ（セラミック材料）の焼結体であって、平面視で略正方形状の外形を呈する板状物である。本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０は、一辺の長さが４５ｍｍに設定され、かつ厚さが３．６ｍｍ以上４．０ｍｍ以下に設定されている。なお、ＩＣ検査装置用基板１０の主面１２は、使用時において検査対象であるウェハ（図示略）側に向けて配置されるようになっている。

基板本体１１の内部において、セラミック層１４同士の界面には、タングステンのメタライズ層からなる複数の内層電極３１が形成されている。また、基板本体１１の主面１２上の中央部分には、複数の主面側端子２１が格子状に形成されている（図２参照）。一方、基板本体１１の裏面１３上には、複数の裏面側端子２２がほぼ全域にわたって格子状に形成されている（図１参照）。図３に示されるように、複数の主面側端子２１上には、ウェハ上に形成された各ＩＣの端子群に対して当接可能な導電金属製プローブ６１が繰り返し当接しうるようになっている。一方、複数の裏面側端子２２上には、導電金属製プローブ６１が取り付けられる代わりに、ＩＣ検査用治具の外部接続端子用のピン６２が取り付けられている。なお、導電金属製プローブ６１は、金よりも硬い金属材料によって形成されている。

基板本体１１において主面側端子２１及び裏面側端子２２が形成された箇所の内部には、基板本体１１の厚さ方向に延びる複数のビア孔４１が形成されている。これらのビア孔４１は断面円形状をなしており、それらの内径は６０μｍに設定されている。本実施形態では、主面１２及び裏面１３の両方にて開口するビア孔４１と、主面１２のみまたは裏面１３のみにて開口するビア孔４１とが存在している。そして、複数のビア孔４１内には、タングステンのメタライズからなるビア導体４２が配置されている。ビア導体４２のうち主面１２側にて露出する端面は、主面側端子２１と接合されている。ビア導体４２のうち裏面１３側にて露出する端面は、裏面側端子２２と接合されている。また、ビア導体４２は基板本体１１の内部において内層電極３１と接合されている。従って、複数のビア導体４２によって、主面側端子２１と裏面側端子２２との間、内層電極３１と主面側端子２１との間、あるいは内層電極３１と裏面側端子２２との間が電気的に接続されている。

図１〜図４に示されるように、複数の主面側端子２１及び複数の裏面側端子２２は、タングステンのメタライズ層ではなく、複数種の導電性金属薄膜を積層してなる構造となっている。主面側端子２１は平面視円形状をなし、その直径は１２５μｍに設定されている。一方、裏面側端子２２は平面視円形状をなし、その直径は０．８ｍ〜１．０ｍｍ程度に設定されている。また、複数の主面側端子２１の端子間距離は２５μｍに設定されており、複数の主面側端子２１の中心間距離（ピッチ）は１５０μｍに設定されている。

図４に示されるように、主面側端子２１は、３層の下地金属層５０、銅めっき層５４（銅層）、ニッケルめっき層５５（ニッケル層）及び金めっき層５６（金層）によって構成されている。下地金属層５０は、異なる種類の金属層であるチタンスパッタ層５１、モリブデンスパッタ層５２及び銅スパッタ層５３を積層することにより構成されている。チタンスパッタ層５１は、ＩＣ検査装置用基板１０の前記主面１２上に形成された厚さ０．２μｍ程度の層である。モリブデンスパッタ層５２は、チタンスパッタ層５１上に形成された厚さ０．３μｍ程度の層である。銅スパッタ層５３は、モリブデンスパッタ層５２上に形成された厚さ０．５μｍ程度の層である。従って、下地金属層５０は、トータル厚さが１μｍとなるスパッタ層である。

また図４に示されるように、銅めっき層５４は、電解銅めっきによって銅スパッタ層５３を被覆するように形成されためっき層であって、その厚さは１０μｍ以下（本実施形態では８．１２μｍ）に設定されている。ニッケルめっき層５５は、電解ニッケルめっきによって銅めっき層５４の上面及び側面と、下地金属層５０の側面とを被覆するように形成されためっき層であって、その厚さは１．５μｍ以上（本実施形態では１．７０μｍ）に設定されている。金めっき層５６は、電解金めっきによってニッケルめっき層５５を被覆するように形成されためっき層であって、その厚さは１．０μｍ程度に設定されている。

なお図３に示されるように、前記裏面側端子２２は前記主面側端子２１と同じ層構造を有している。しかし、裏面側端子２２を構成するニッケルめっき層の厚さは、ニッケルめっき層５５よりも厚い２．０μｍ以上に設定され、裏面側端子２２を構成する金めっき層の厚さは、金めっき層５６よりも厚い１．５μｍ以上に設定されている。従って、裏面側端子２２は、主面側端子２１よりも全体の厚さが厚くなっている。

次に、上記のＩＣ検査装置用基板１０の製造方法を図５〜図９に基づいて説明する。
（１）積層体準備工程

この製造方法では、積層体準備工程を行って所望構造のセラミック積層体１１０を準備するが、具体的には以下のようにする。

ａ）まず、セラミック原料であるアルミナ粉末、有機溶剤、有機バインダ等をポットで湿式混合することにより、グリーンシート１１４の形成に用いるスラリーを得る。次に、このグリーンシート形成用スラリーを原料とし、従来周知のキャスティング装置を用いて、所定のシートの上に同スラリーを薄く均一な厚さでキャスティングする。その後、シート状にキャスティングされたスラリーを加熱乾燥し、グリーンシートを形成する。このようなシート成形法に代えて、プレス成形法により同様のグリーンシートを作製することもできる。なお、グリーンシートは所定の長さにカットされ、複数枚のグリーンシート１１４とされる。

ｂ）次に、このようにして得られた複数枚のグリーンシート１１４に対し、レーザー照射加工、パンチング加工、ドリリング加工等による穴明けを行って、所定の位置に複数の貫通孔を多数形成する。ここで後にセラミック層１４となるべきグリーンシート１１４には、ビア孔４１の形成位置に貫通孔が形成される。

ｃ）次に、穴明け後のグリーンシートに対し、あらかじめ用意しておいた内部電極形成用のタングステンペーストを従来周知のペースト印刷装置を用いてパターン印刷する。その結果、後に内層電極３１となるべき内層電極形成層１３１が所定位置に形成される。また、あらかじめ用意しておいたビア導体形成用のタングステンペーストを従来周知のペースト圧入充填装置を用いて、ビア孔４１となるべき貫通孔１４１内に圧入充填する。その結果、ビア孔４１内に後にビア導体４２となるべきビア導体形成部１４２が形成される。なお、ペーストパターン印刷及びペースト圧入充填の順序は逆にしてもよい。

ｄ）ペースト乾燥後、複数枚のグリーンシート１１４を積み重ねて配置し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシート１１４を圧着、一体化してセラミック積層体１１０を形成する（図５参照）。

ｅ）上述したａ〜ｄの手順に代え、先にグリーンシート１１４のシート圧着工程を実施し、その後でビア孔４１に対するタングステンペーストの圧入充填を行ってもよい。あるいは、先にグリーンシート１１４のシート圧着工程を実施し、その後でセラミック積層体１１０にビア孔４１を貫通形成し、そこにタングステンペーストの圧入充填を行ってもよい。
（２）脱バインダ工程

積層体準備工程の後、セラミック積層体１１０を大気中にて２００〜３００℃で２０〜６０時間加熱することで脱脂を行い、セラミック積層体１１０中に含まれるバインダを分解除去する。脱脂後、セラミック積層体１１０を焼成装置に移し、アルミナが焼結しうる温度（約１６００℃）で約２４時間加熱して焼成を行う。その結果、アルミナ及びペースト中のタングステンが同時焼結する（図６参照）。この焼成により、グリーンシート１１４がセラミック層１４となり、ビア導体形成部１４２がビア導体４２となり、内層電極形成層１３１が内層電極３１となる。なお、セラミック積層体１１０は、焼結により緻密化して機械的強度が高くなる。また、セラミック積層体１１０には好適な電気的特性（絶縁特性）が付与される。
（３）研磨工程

この後、焼結したセラミック積層体１１０（基板本体１１）の主面１２及び裏面１３を従来周知の表面研磨装置を用いて研磨し、主面１２及び裏面１３の平坦度を高くする。本実施形態では、平坦度が１５０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．２μｍ以下となるように研磨を行う。
（４）端子形成工程

研磨工程後、基板本体１１の主面１２にて露出するビア導体４２の表面側端面の上に、ビア導体４２の直径よりも大きい円形状の主面側端子２１をそれぞれ形成する。同様に、基板本体１１の裏面１３にて露出するビア導体４２の裏面側端面の上に、ビア導体４２の直径よりも大きい円形状の裏面側端子２２をそれぞれ形成する。その具体的な手順を以下に示す。

まず、基板本体１１の主面１２の中央部分及び裏面１３の全体に、３層の金属層からなる下地金属層５０となる金属層を形成する。詳述すると、最初に、チタンからなるスパッタ層（チタンスパッタ層５１となるスパッタ層）をスパッタで形成する。次に、チタンからなるスパッタ層上に、モリブデンからなるスパッタ層（モリブデンスパッタ層５２となるスパッタ層）をスパッタで形成する。さらに、モリブデンからなるスパッタ層上に、銅からなるスパッタ層（銅スパッタ層５３となるスパッタ層）をスパッタで形成する。

次いで、基板本体１１の主面１２上（及び裏面１３上）に、感光性を付与しためっきレジスト材（図示略）を設ける。さらに、めっきレジスト材上に、所定のマスクパターンが形成された露光用マスク（図示略）を配置する。そして、露光用マスクを介してめっきレジスト材を露光し、露光しためっきレジスト材を現像してめっきレジストを形成する。次いで、電解銅めっきを行って銅めっき層５４となるめっき層を形成する。なお、電解銅めっきは、所定の厚みになるように時間を設定した状態で行われ、このときの電流密度は１〜４Ａ／ｍ^２、温度は２０〜３０℃である。さらに、めっきレジストを除去した後、エッチングを行う。その結果、チタンスパッタ層５１、モリブデンスパッタ層５２、銅スパッタ層５３及び銅めっき層５４からなる積層体が形成される（図７参照）。次に、電解ニッケルめっきを行って銅めっき層５４を覆うニッケルめっき層５５を形成する（図８参照）。なお、電解ニッケルめっきは、所定の厚みになるように時間を設定した状態で行われ、このときの電流密度は０．１〜２．０Ａ／ｍ^２、温度は５０〜７０℃である。さらに、電解金めっきを行ってニッケルめっき層５５を覆う金めっき層５６を形成する（図９参照）。なお、電解金めっきは、所定の厚みになるように時間を設定した状態で行われ、このときの電流密度は０．２〜１．０Ａ／ｍ^２、温度は５０〜７０℃である。その結果、複数の主面側端子２１及び複数の裏面側端子２２を備えるＩＣ検査装置用基板１０が完成する。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態のＩＣ検査装置用基板１０では、主面側端子２１の最外層に導電金属製プローブ６１よりも柔らかい金めっき層５６が存在するため、導電金属製プローブ６１が繰り返し当接した際に金めっき層５６にダレ（図１１のダレ１０８参照）が生じやすい。しかも、複数の主面側端子２１の端子間距離が２５μｍであるため、生じたダレが隣接する主面側端子２１に接触してショートしやすい。そこで本実施形態では、金めっき層５６の厚さを従来よりも薄く設定している（１．０μｍ程度）ため、導電金属製プローブ６１が繰り返し当接した際に金めっき層５６に発生するダレの量を低減できる。また銅めっき層５４も、導電金属製プローブ６１より柔らかいため、導電金属製プローブ６１が繰り返し当接した際にダレにつながる変形が生じる可能性がある。そこで本実施形態では、銅めっき層５４の厚さを従来よりも薄く設定している（８．１２μｍ）ため、銅めっき層５４の変形を防止できる。その結果、ダレが隣接する主面側端子２１に接触することに起因したショートを防止できるため、ＩＣ検査装置用基板１０やＩＣ検査用治具（導電金属製プローブ６１）が破損しにくくなる。よって、ＩＣ検査装置用基板１０やＩＣ検査用治具（導電金属製プローブ６１）の長寿命化が可能となる。

（２）また本実施形態では、主面側端子２１の最外層にある金めっき層５６を、薄くなり過ぎない程度（１．０μｍ程度）に形成している。このため、導電金属製プローブ６１が主面側端子２１に当接した際に金めっき層５６が剥れにくくなり、主面側端子２１の耐久性が向上する。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、基板本体１１の裏面１３に主面側端子２１と同じ層構造を有する裏面側端子２２が形成されていたが、裏面側端子２２は主面側端子２１とは異なる層構造であってもよい。また、裏面側端子２２は省略されていてもよい。

・上記実施形態では、設計容易性の観点から、主面側端子２１及び裏面側端子２２の形状を平面視円形状としたが、それ以外の形状（例えば平面視長方形状、平面視正方形状、平面視六角形状、平面視楕円形状など）にすることも許容される。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）主面及び裏面を有する絶縁性の基板本体と、前記基板本体の主面上に配置され、複数の導電金属製プローブが繰り返し当接しうる複数の主面側端子と、前記基板本体の裏面上に配置された複数の裏面側端子と、前記基板本体に設けられ、前記複数の主面側端子と前記複数の裏面側端子とを電気的に接続する複数のビア導体とを備えたＩＣ検査装置用基板において、前記複数の主面側端子の端子間距離が５０μｍ以下であり、前記複数の主面側端子が、前記主面上に形成された１層以上の下地金属層と、前記下地金属層上に形成された厚さ１０μｍ以下の銅めっき層と、前記銅めっき層を被覆するニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層を被覆する厚さ１．５μｍ以下の金めっき層とを含んで構成されていることを特徴とするＩＣ検査装置用基板。

（２）主面及び裏面を有する絶縁性の基板本体と、前記基板本体の主面上に配置され、複数の導電金属製プローブが繰り返し当接しうる複数の主面側端子と、前記基板本体の裏面上に配置された複数の裏面側端子と、前記基板本体に設けられ、前記複数の主面側端子と前記複数の裏面側端子とを電気的に接続する複数のビア導体とを備えたＩＣ検査装置用基板において、前記複数の主面側端子の端子間距離が５０μｍ以下であり、前記複数の主面側端子が、前記主面上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成された厚さ１０μｍ以下の銅層と、前記銅層を被覆するニッケル層と、前記ニッケル層を被覆する厚さ１．５μｍ以下の金層とを含んで構成されており、前記下地金属層は、異なる種類の金属層が積層してなり、トータル厚さが１μｍ以下のスパッタ層であることを特徴とするＩＣ検査装置用基板。

（３）主面及び裏面を有する絶縁性の基板本体と、前記基板本体の主面上に配置され、複数の導電金属製プローブが繰り返し当接しうる複数の主面側端子と、前記基板本体の裏面上に配置された複数の裏面側端子と、前記基板本体に設けられ、前記複数の主面側端子と前記複数の裏面側端子とを電気的に接続する複数のビア導体とを備えたＩＣ検査装置用基板において、前記複数の主面側端子の端子間距離が５０μｍ以下であり、前記複数の主面側端子が、前記主面上に形成されたチタンスパッタ層と、前記チタンスパッタ層上に形成されたモリブデンスパッタ層と、前記モリブデンスパッタ層上に形成された銅スパッタ層と、前記銅スパッタ層上に形成された厚さ１０μｍ以下の銅めっき層と、前記銅めっき層を被覆するニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層を被覆する厚さ１．５μｍ以下の金めっき層とを含んで構成されていることを特徴とするＩＣ検査装置用基板。

本発明を具体化した一実施形態のＩＣ検査装置用基板を示す概略裏面図。 ＩＣ検査装置用基板を示す概略主面図。 ＩＣ検査装置用基板を示す概略断面図。 ＩＣ検査装置用基板を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を説明するための概略断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 ＩＣ検査装置用基板の製造方法を示す要部拡大断面図。 従来技術におけるＩＣ検査装置用基板を示す要部拡大断面図。 従来技術の問題点を示す要部拡大断面図。

符号の説明

１０…ＩＣ検査装置用基板
１１…基板本体
１２…主面
１３…裏面
２１…主面側端子
２２…裏面側端子
４２…ビア導体
５０…下地金属層
５１…金属層としてのチタンスパッタ層
５２…金属層としてのモリブデンスパッタ層
５３…金属層としての銅スパッタ層
５４…銅層としての銅めっき層
５５…ニッケル層としてのニッケルめっき層
５６…金層としての金めっき層
６１…導電金属製プローブ

Claims (5)

1. 主面及び裏面を有する絶縁性の基板本体と、前記基板本体の主面上に突出するように配置され、複数の導電金属製プローブが繰り返し当接しうる複数の主面側端子と、前記基板本体の裏面上に配置された複数の裏面側端子と、前記基板本体に設けられ、前記複数の主面側端子と前記複数の裏面側端子とを電気的に接続する複数のビア導体とを備えたＩＣ検査装置用基板において、
   前記複数の主面側端子の端子間距離が、前記複数の裏面側端子の端子間距離よりも小さい５０μｍ以下に設定され、隣接する前記複数の主面側端子の側面間には隙間が生じており、
   前記複数の主面側端子が、前記主面上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成された厚さ１０μｍ以下の銅層と、前記下地金属層及び前記銅層を被覆するニッケル層と、前記ニッケル層を被覆する厚さ１．５μｍ以下の金層とを含んで構成され、
   前記下地金属層は、最上層が銅スパッタ層である
   ことを特徴とするＩＣ検査装置用基板。
2. 前記複数の主面側端子は、最大径が１５０μｍ以下かつ中心間距離が２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＣ検査装置用基板。
3. 前記金層の厚さは０．０３μｍ以上１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＣ検査装置用基板。
4. 前記下地金属層は、異なる種類の金属層が積層してなり、厚さが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＣ検査装置用基板。
5. 前記基板本体はセラミック材料を用いて構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＩＣ検査装置用基板。

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