JP2020107519A - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 226
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 199
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 23
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 21
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 33
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 3
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
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- Resistance Heating (AREA)
Abstract
Description
(ヒータシステム)
図1は、実施形態に係るヒータ1の構成を示す模式的な分解斜視図である。図2は、図1のヒータ1を含むヒータシステム101の構成を示す模式図である。図2において、ヒータ1については、図1のII−II線断面図が示されている。図1は、ヒータ1の構造を示すために便宜的にヒータ1を分解して示しており、実際の完成後のヒータ1は、図1の分解斜視図のように分解可能である必要はない。
ヒータ1は、例えば、概略板状(図示の例では円盤状)のヒータプレート9(符号は図2。多層基板の一例)と、ヒータプレート9から下方へ延びているパイプ11とを有している。
ヒータプレート9の上面13a及び下面13bは、例えば、概ね平面である。ヒータプレート9の平面形状及び各種の寸法は、加熱対象物の形状及び寸法等を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、平面形状は、円形(図示の例)又は多角形(例えば矩形)である。寸法の一例を示すと、直径は20cm以上35cm以下、厚さは4mm以上30mm以下である。
基体13の外形は、ヒータプレート9の外形を構成している。従って、上述のヒータプレート9の形状及び寸法に係る説明は、そのまま基体13の外形及び寸法の説明と捉えられてよい。基体13の材料は、例えば、セラミックである。セラミックは、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3、アルミナ)、炭化珪素(SiC)、及び窒化珪素(Si3N4)等を主成分とする焼結体である。
抵抗発熱体15は、基体13の上面13a及び下面13bに沿って(例えば平行に)延びている。また、抵抗発熱体15は、平面視において、例えば、基体13の概ね全面に亘って延びている。図1では、第1抵抗発熱体15Aは、第2絶縁層19Bと第3絶縁層19Cとの間に位置している。第2抵抗発熱体15Bは、第3絶縁層19Cと第4絶縁層19Dとの間に位置している。換言すれば、2つの抵抗発熱体15は、互いに積層的に配置されており、第2抵抗発熱体15Bは、第1抵抗発熱体15Aに対して下面13b側に位置している。
端子17は、例えば、各抵抗発熱体15の長さ方向両端に接続されている。また、図示の例では、1対の端子17が2つの抵抗発熱体15に対して共通に接続されている。別の観点では、2つの抵抗発熱体15は並列に接続されている。ただし、上記は、端子17と抵抗発熱体15との接続の一例に過ぎない。例えば、1つの抵抗発熱体15に電力を供給する3以上の端子17が設けられてもよい。また、抵抗発熱体15毎に1以上の端子17が設けられるなど、2つの抵抗発熱体15に対して別々に端子17が設けられてもよい。後述するように、抵抗発熱体15は、接続導体によって互いに接続されるから、2つの抵抗発熱体15のうち、一方に対してのみ端子17が接続されていてもよい。また、2つの抵抗発熱体15は、一部又は全部が直列に接続されていてもよい。
パイプ11は、上下(軸方向両側)が開口している中空状である。別の観点では、パイプ11は、上下に貫通する空間11sを有している。パイプ11の横断面(軸方向に直交する断面)及び縦断面(軸方向に平行な断面。図2に示す断面)の形状は適宜に設定されてよい。図示の例では、パイプ11は、軸方向の位置に対して径が一定の円筒形状である。もちろん、パイプ11は、高さ方向の位置によって径が異なっていてもよい。また、パイプ11の寸法の具体的な値は適宜に設定されてよい。特に図示しないが、パイプ11には、気体又は液体が流れる流路が形成されていてもよい。
配線部材7は、パイプ11の空間11s内に挿通されている。平面透視において、ヒータプレート9のうち空間11s内に露出する領域では、複数の端子17が基体13から露出している。そして、配線部材7は、その一端が複数の端子17に接続されている。
図3(a)は、図2の領域IIIaを拡大して示す断面図である。
図3(b)は、図3(a)の領域IIIbの拡大図である。
上記のように、導電部材23は、例えば、金属バルク材によって作製されており、被覆部25は、基体13と同時焼成される導電ペーストによって作製されている。この相違に起因して、両者の材料は、種々の相違点が存在している。別の観点では、各材料の種々の特徴から、金属バルク材によって作製されていること、又は導電ペーストによって作製されていることを特定することができる。以下では、金属バルク材(導電部材23)が粉末冶金によって作製されている態様を例に取り、導電部材23及び被覆部25の材料の種々の相違点を挙げる。
図4は、図3(b)の領域IVの拡大断面図である。なお、ヒータプレート9の鏡面加工された断面をSEM(Scanning Electron Microscope)によって撮像することによって、この断面図と同様の写真を得ることができる。
導電部材23の金属の含有割合は、被覆部25の金属の含有割合よりも大きい。これは、既に述べたように、被覆部25には、導電ペーストに含まれていた無機絶縁物、及び/又は基体13の材料に由来する無機絶縁物が含まれることからである。無機絶縁物の具体例については既に述べた。導電部材23の金属の含有割合が被覆部25の金属の含有割合よりも大きいことは、図4のような断面写真の目視によって特定されてもよいし、後に例示する測定方法によって第1結晶粒27及び第2結晶粒29における金属の含有割合を測定することによって特定されてもよい。
導電部材23における気孔率は、被覆部25における気孔率よりも小さい。これは、既に述べたように、導電部材23は、焼結によって緻密化が進む一方で、被覆部25は、焼結しにくく、ひいては、緻密化が進みにくいことからである。導電部材23における気孔率が被覆部25における気孔率よりも小さいことは、図4のような断面写真の目視によって特定されてもよいし、後に例示する測定方法によって気孔率を測定することによって特定されてもよい。
図3(b)に戻って、抵抗発熱体15は、接続導体21に接続されている部分が基体13の上面13aに対して傾斜していてもよい。別の観点では、抵抗発熱体15は、概ね同一平面内に位置しており、抵抗発熱体15の大部分(例えば8割以上)を占めている主部15aと、主部15aに対して傾斜しており、接続導体21に接続されている傾斜部15bとを有していてよい。
図5は、ヒータプレート9の製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。また、図6(a)〜図6(d)は、製造途中のヒータプレート9の一部を示す、図3(b)に相当する断面図である。各部材の材質及び形状等は、製造過程の進行に伴って変化する。ただし、説明の便宜上、材質及び形状等の変化の前後で同一の符号を用いる。
接続導体21及びその周辺の構成の変形例について以下に述べる。以下の説明では、基本的に、実施形態との相違点についてのみ述べる。従って、特に言及がない事項については、実施形態と同様とされてよい。また、実施形態の構成と対応する構成については、実施形態の構成と差異があっても、便宜上、実施形態の構成に付した符号と同一の符号を付すことがある。
図7(a)は、第1変形例に係る構成を示す、図3(b)に相当する図である。
図7(b)は、第2変形例に係る構成を示す、図3(b)に相当する図である。
図8(a)は、第3変形例に係る構成を示す、図3(b)に相当する図である。
図8(b)は、第4変形例に係る構成を示す、図3(b)に相当する図である。図8(c)は、第5変形例に係る構成を示す、図3(b)に相当する図である。
図9(a)は、第6変形例に係る構成を示す、図3(b)に相当する図である。
図9(b)は、第7変形例に係る構成を示す、図9(a)と同様の図である。
Claims (15)
- 第1面及びその背面の第2面を有している絶縁性の基体と、
前記基体内にて前記第1面に沿っている第1導体と、
前記基体内、かつ前記第1導体に対して前記第2面側にて前記第1面に沿っている第2導体と、
前記基体内にて前記第1導体と前記第2導体とを接続している接続導体と、
を有しており、
前記接続導体は、前記第1導体よりも前記第2面側から前記第1導体よりも前記第1面側へ亘っていることにより当該接続導体の側面にて前記第1導体に接続されており、前記接続導体の前記第1面側の端部は、前記基体内に位置しており、当該端部は、電流が流れる他の導体に接続されていない
多層基板。 - 前記接続導体は、
前記第1導体と前記第2導体との距離以上の長さを有している導電部材と、
前記導電部材を構成する材料とは異なる導電性の材料からなり、前記導電部材の表面の少なくとも一部に接している被覆部と、を有している
請求項1に記載の多層基板。 - 前記導電部材は、互いに接触している導電性の複数の第1結晶粒を有しており、
前記被覆部は、互いに接触している導電性の複数の第2結晶粒を有しており、
前記複数の第1結晶粒の平均結晶粒径は、前記複数の第2結晶粒の平均結晶粒径よりも大きい
請求項2に記載の多層基板。 - 前記被覆部の金属の含有割合が前記導電部材の金属の含有割合よりも低い
請求項2又は3に記載の多層基板。 - 前記被覆部の気孔率が前記導電部材の気孔率よりも高い
請求項2〜4のいずれか1項に記載の多層基板。 - 前記導電部材及び前記被覆部は、互いに同一種類の金属を主成分として含んでいる
請求項2〜5のいずれか1項に記載の多層基板。 - 前記導電部材は、
当該導電部材の、前記第1面から前記第2面への方向の中央部分を含んでいる第1部位と、
当該導電部材の、前記第1面及び前記第2面の一方の面側の端部を含んでおり、前記第1部位の径よりも径が小さい第2部位と、を有している
請求項2〜6のいずれか1項に記載の多層基板。 - 前記第2部位は、前記一方の面側ほど径が小さくなる形状を有している
請求項7に記載の多層基板。 - 前記基体は、前記接続導体との間に空隙を有している
請求項1〜8のいずれか1項に記載の多層基板。 - 前記基体は、前記接続導体に対して前記第1面側及び前記第2面側の少なくとも一方に前記空隙を有している
請求項9に記載の多層基板。 - 前記第1導体は、層状導体であり、
前記第1面に沿っている第1主部と、
前記接続導体に近い側が前記第1面側又は前記第2面側に位置するように前記第1主部に対して傾斜しているとともに前記接続導体に接続されている第1傾斜部と、を有している
請求項1〜10のいずれか1項に記載の多層基板。 - 前記第2導体は、層状導体であり、
前記第1面に沿っている第2主部と、
前記接続導体に近い側が前記第1面側又は第2面側に位置するように前記第2主部に対して傾斜しているとともに前記接続導体に接続されている第2傾斜部と、を有しており、
前記第1傾斜部は、前記接続導体に近い側が前記第1面側に位置するように前記第1主部に対して傾斜しており、
前記第2傾斜部は、前記接続導体に近い側が前記第2面側に位置するように前記第2主部に対して傾斜している
請求項11に記載の多層基板。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の多層基板と、
前記第1導体及び前記第2導体に電気的に接続されている電力供給部と、
を有しており、
前記第1導体及び前記第2導体の少なくとも一方は抵抗発熱体である
ヒータシステム。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の多層基板の製造方法であって、
前記基体のうち少なくとも前記第1導体よりも前記第1面側の位置から前記第2導体の位置までの部分となる複数のセラミックグリーンシートと、前記第1導体となる第1導電ペースト層と、前記第2導体となる第2導電ペースト層とを積層して第1積層体を得る第1積層ステップと、
前記第1導電ペースト層よりも前記第1面側の位置から前記第2導電ペースト層の位置まで亘っているとともに、前記第1積層体の前記第1面側の面及び前記第2面側の面の少なくとも一方に開口している穴を前記第1積層体に形成する穴形成ステップと、
前記接続導体となる、金属バルク材及び導電ペーストの少なくとも一方を前記穴に配置する配置ステップと、
前記穴の開口を塞ぐようにセラミックグリーンシートを前記第1積層体に重ねて第2積層体を得る第2積層ステップと、
前記第2積層体を焼成する焼成ステップと、
を有している多層基板の製造方法。 - 前記配置ステップでは、前記金属バルク材及び前記導電ペーストを前記穴に配置する
請求項14に記載の多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018246029A JP7075335B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 多層基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018246029A JP7075335B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 多層基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020107519A true JP2020107519A (ja) | 2020-07-09 |
JP7075335B2 JP7075335B2 (ja) | 2022-05-25 |
Family
ID=71450907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018246029A Active JP7075335B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 多層基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7075335B2 (ja) |
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- 2018-12-27 JP JP2018246029A patent/JP7075335B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP7075335B2 (ja) | 2022-05-25 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
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