JP2003021668A

JP2003021668A - 検査装置およびプローブカード

Info

Publication number: JP2003021668A
Application number: JP2002131196A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Ido; 義幸井戸
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-11-18
Filing date: 2002-05-07
Publication date: 2003-01-24

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱・冷却時においても、検査対象を適切に
検査することができるプローブカードを備えた検査装置
を提供すること。【解決手段】検査用の端子が配設されたパフォーマン
ス基板と、被検査対象に接触するプローブが配設された
コンタクター基板と、プローブカードとを備え、昇温ま
たは冷却を伴う検査装置であって、前記プローブカード
は、セラミック板上に、樹脂層と導体回路が順次積層さ
れてなり、導体回路同士は、バイアホールにより接続さ
れたものからなることを特徴とする検査装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ等
に形成された導体回路が設計通りに形成されているか否
かを判断するためのプローブを備える検査装置およびプ
ローブカードに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウエハ上に形成された集積回路
の検査は、プローブをシリコンウエハの検査部に押し当
てて電流を流し、導通、絶縁等を調べることにより行わ
れている。現在、半導体チップの高集積化に伴い、シリ
コンウエハ上に形成される導体回路の集積度も高まり、
プローブによる検査ピッチが狭まり、検査装置のヘッド
（パフォーマンス基板）に、プローブを直接取り付ける
ことが困難になってきている。

【０００３】かかる課題に対応するため、中継基板（プ
ローブカード）を介在させ、ヘッド（パフォーマンス基
板）に、プローブを配設したコンタクター基板を取り付
けている。該プローブカード（中継基板）は、多層の樹
脂基板からなり、コンタクター基板の広ピッチの端子と
パフォーマンス基板の挟ピッチのプローブとを接続させ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】現在、シリコンウエハ
の状態で温度特性を試験するようになっている。即ち、
導体回路が形成されたシリコンウエハを、マイナス数十
℃まで冷却した状態で低温性能を試験し、また、百数十
℃まで加熱した状態で高温性能を試している。しかしな
がら、例えば、内部に導体回路が形成された樹脂のみか
らなるプローブカードやアルミナセラミック板からなる
プローブカードを用いた場合、かかる加熱・冷却時に、
プローブの先端が検査部位からずれて接触できなくな
り、シリコンウエハ側の故障と判断することがあった。

【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、加熱・
冷却時においても、検査対象を適切に検査することがで
きるプローブカードを備えた検査装置および該検査装置
に用いるプローブカードを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の検査装置は、検査用の端子が配設されたパ
フォーマンス基板と、被検査対象に接触するプローブが
配設されたコンタクター基板と、プローブカードとを備
えた検査装置であって、上記プローブカードは、セラミ
ック板上に、樹脂層（樹脂薄膜）と導体回路が順次積層
されてなり、導体回路同士は、バイアホールにより接続
されたものからなることを特徴とする。

【０００７】本発明の検査装置では、プローブカード
が、セラミック板上に、樹脂層（樹脂薄膜）と導体回路
が順次積層されてなるため、プローブカード全体がセラ
ミック板の熱膨張率に近くなり、シリコンウエハの熱膨
張率にほぼ等しい。このため、シリコンウエハを加熱・
冷却した際に、プローブカードがシリコンウエハと同様
の比率で熱収縮するので、プローブがシリコンウエハの
検査箇所からずれることが無くなり、適切に検査するこ
とができる。

【０００８】上記検査装置においては、上記プローブカ
ードのセラミック板は、非酸化物セラミックからなるこ
とが好ましい。

【０００９】上記プローブカードのセラミック板が、非
酸化物セラミックからなる場合には、熱伝導性が高く、
シリコンウエハの温度変化に追従し、シリコンウエハと
共に熱収縮させることができる。

【００１０】また、上記検査装置において、上記樹脂層
（樹脂薄膜）は、熱硬化性樹脂からなることが好まし
い。

【００１１】上記樹脂層（樹脂薄膜）が、熱硬化性樹脂
からなる場合には、プローブカードの表面に高い靱性を
持たせることができる。

【００１２】本発明のプローブカードは、半導体ウエハ
に形成された集積回路の検査に用いられるプローブカー
ドであって、セラミック板上に、樹脂層（樹脂薄膜）と
導体回路とが順次積層形成されてなり、導体回路同士
は、バイアホールにより接続されたものからなることを
特徴とする。

【００１３】上記プローブカードでは、強度の高いセラ
ミック板の上に樹脂層（樹脂薄膜）と導体回路とが形成
されているため、樹脂層（樹脂薄膜）と導体回路の熱膨
張率は、セラミック板の熱膨張率に支配され、セラミッ
ク板の熱膨張率とほぼ同じになり、従って、シリコンウ
エハの熱膨張率にほぼ等しくなる。このため、シリコン
ウエハを加熱・冷却した際に、プローブカードもシリコ
ンウエハと同様の比率で熱膨張、熱収縮するので、例え
ば、コンタクター基板のプローブと、プローブカードの
樹脂層表面で露出した導体回路との接触部分に接続不良
が発生することはなく、シリコンウエハに形成された導
体回路を適切に検査することができる。

【００１４】上記プローブカードにおいては、セラミッ
ク板は、窒化物セラミックからなることが好ましく、上
記樹脂層（樹脂薄膜）は、熱硬化性樹脂、とりわけポリ
イミドからなることが好ましい。窒化物セラミック、特
に窒化アルミニウムは、熱伝導性が高く、シリコンウエ
ハの温度変化に追従するからであり、ポリイミドは、プ
ローブカードの表面に高い靱性を持たせることができる
からである。

【００１５】

【発明の実施の形態】まず、本発明の検査装置について
説明する。本発明の検査装置は、検査用の端子が配設さ
れたパフォーマンス基板と、被検査対象に接触するプロ
ーブが配設されたコンタクター基板と、プローブカード
とを備え、昇温または冷却を伴う検査装置であって、上
記プローブカードは、セラミック板上に、樹脂層と導体
回路が順次積層されてなり、導体回路同士は、バイアホ
ールにより接続されたものからなることを特徴とする検
査装置である。

【００１６】上記検査装置は、プローブカードが、セラ
ミック板に樹脂層を積層してなる多層基板である点では
同じであるが、被検査対象の配置方法が異なる２種類の
検査装置に分けることができる。

【００１７】即ち、本発明の第一の検査装置は、図２に
示したような、検査用の端子の配設されたパフォーマン
ス基板と、被検査対象に接触するプローブが配設された
コンタクター基板と、上記コンタクター基板のプローブ
と、上記パフォーマンス基板の端子との間に介在するプ
ローブカードとを備える検査装置であり、本発明の第二
の検査装置は、図７に示したような、検査用の端子が配
設されたパフォーマンス基板と、被検査対象に接触する
プローブが配設されたコンタクター基板と、上記コンタ
クター基板のプローブと電気的に接続するプローブカー
ドとを備え、被検査対象を上記パフォーマンス基板と上
記プローブカードとの間に配置するように構成された検
査装置である。

【００１８】まず、本発明の第一の検査装置について図
を参照して説明する。図１は、第一の検査装置における
第一の実施態様を模式的に示した断面図である。検査装
置１０は、シリコンウエハ６０を載置し、Ｘ、Ｙ、Ｚ方
向に位置調整を行うテーブル２６と、検査用の端子の配
設されたパフォーマンス基板２４と、パフォーマンス基
板２４のＸ、Ｙ、Ｚ方向に位置調整を行う昇降装置２２
と、パフォーマンス基板２４を経てシリコンウエハ６０
に電流を印加して適否を判断するテスター２０とを備え
ている。テーブル２６の下方には、シリコンウエハ２６
を１５０℃まで加熱するヒータ２８と、−５０℃まで冷
却するぺルチェ機構を用いる冷却装置２９とが配設さ
れ、ヒータ２８には図示しない電源から電力が供給され
るようになっている。

【００１９】図２は、パフォーマンス基板２４の近傍を
拡大して示した説明図である。パフォーマンス基板２４
には、その下に順次配設されたプローブ基板３０、プロ
ーブカード４０を介して、直接、シリコンウエハ６０に
接触するプローブ５２を有するコンタクター基板５０が
配設されている。このプローブ基板３０、プローブカー
ド４０およびコンタクター基板５０の断面を図３に示
し、プローブカード４０の一部を拡大して図４に示す。

【００２０】パフォーマンス基板２４とプローブカード
４０とを接続するプローブ基板３０は、通孔３０ａの穿
設されたマシナブルセラミックからなり、通孔３０ａに
は、パフォーマンス基板２４の端子２５と、プローブカ
ード４０のスルーホール４１とを接続する金属製のプロ
ーブ３２が配置されている。

【００２１】また、図４に示すように、プローブカード
４０は、内部にスルーホール４１が形成されたセラミッ
ク板４２と、バイアホール４６、１４６、２４６および
導体回路４８、１４８、２４８が形成された層間樹脂絶
縁層（樹脂薄膜）４４、１４４、２４４とからなる。な
お、最表層の樹脂層４９、層間樹脂絶縁層４４、１４
４、２４４は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマ
レイミドートリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン、オレ
フィン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂から選ば
れる少なくとも１種以上が望ましい。また、最表面の導
体回路は樹脂で被覆されていてもよい。

【００２２】そして、セラミック板４２の内部に形成さ
れたスルーホール４１は、層間樹脂絶縁層４４に形成さ
れたバイアホール４６に接続されており、バイアホール
４６は、導体回路４８を介して層間樹脂絶縁層１４４に
形成されたバイアホール１４６に接続されている。同様
に、バイアホール１４６は、導体回路１４８を介して層
間樹脂絶縁層２４４に形成されたバイアホール２４６に
接続されている。そして、バイアホール２４６に接続さ
れた導体回路２４８の一部は露出し、露出した導体回路
２４８に、コンタクター基板５０のプローブ５２の上端
が当接し、パフォーマンス基板２４の端子２５とコンタ
クター基板５０のプローブ５２との接続が図られるよう
になっている。

【００２３】ここで、セラミック板４２の厚さは、４ｍ
ｍであり、６０μｍ角のスルーホール４１が、パフォー
マンス基板２４の端子２５の配置ピッチＰ１（８００μ
ｍ）に対応させて形成されている。一方、層間樹脂絶縁
層４４、１４４、２４４は、それぞれ厚さ１０μｍに形
成されている。

【００２４】コンタクター基板５０は、直径１００μｍ
の通孔５０ａが穿設された厚さ４ｍｍ角のマシナブルセ
ラミックからなり、通孔５０ａには、直径１００μｍの
プローブ５２が挿入されている。プローブ５２は、シリ
コンウエハ６０の検査用パッド６２のピッチＰ２（８０
μｍ）に合わせて配置されている。プローブ５２は、内
部が筒状に形成されたアウタープローブ５２Ａとインナ
ープローブ５２Ｂとからなり、インナープローブ５２Ｂ
は、アウタープローブ５２Ａ内に摺動可能に配置され、
ばね５２Ｃにより下方（シリコンウエハ６０側）に付勢
されている。

【００２５】プローブ５２に伸長機構を内蔵させること
で、インナープローブ５２Ｂの上下動を可能にし、高さ
にばらつきのあるパッド６２へ適切に接触し得るように
してあるのである。なお、プローブ基板３０、プローブ
カード４０およびコンタクター基板５０は、図示しない
治具により、パフォーマンス基板２４に一体的に固定さ
れている。

【００２６】次に、本発明の第一の検査装置１０による
シリコンウエハ６０の検査について、図１および図４を
参照して説明する。先ず、テーブル２６にシリコンウエ
ハ６０を載置し、シリコンウエハ上に形成された位置決
めマークを図示しない光学装置で読み取り、テーブル２
６の位置調整を行う。その後、昇降装置２２により、パ
フォーマンス基板２４を押し下げ、コンタクター基板５
０のプローブ５２を、シリコンウエハ６０の所定のパッ
ド６２へ押し当てる。なお、図４中では、シリコンウエ
ハ６０の測定箇所を図示する便宜上、パットを盛り上が
るように描いてあるが、実際のシリコンウエハでは、こ
のパッド６２は、形成された回路上の単なる特定部位で
あり、特に盛り上がっていない点に注意されたい。

【００２７】次に、テスター２０が、パフォーマンス基
板２４−プローブ基板３０−プローブカード４０−コン
タクター基板５０を介して、シリコンウエハ６０の所定
のパッド６２に電流を印加し、導体回路が導通している
か否か、絶縁が必要な部分は絶縁されているか否か等に
関する特性試験を常温下で行う。

【００２８】引き続き、冷却装置２９にて冷却を開始
し、シリコンウエハ６０をマイナス５０℃まで冷却す
る。この際に、マシナブルセラミックからなるコンタク
ター基板５０、および、プローブカードのセラミック板
４２は、熱伝導性が高く、シリコンウエハの温度変化に
追従して、マイナス５０℃まで冷却される。ここで、マ
シナブルセラミックからなるコンタクター基板５０は、
シリコンウエハを構成するシリコンと熱膨張率が近く、
また、プローブカード４０を構成するセラミック板４２
は、シリコンと熱膨張率が近い窒化アルミニウムからな
る。このため、冷却試験においても、コンタクター基板
５０およびプローブカード４０が、シリコンウエハと同
程度収縮するため、シリコンウエハのパッド６２と、コ
ンタクター基板５０のパッド５２と、プローブカード４
０の導体回路２４８とがずれることがなく、適正に試験
を行うことができる。

【００２９】次に、ヒータ２８に電流が流され、シリコ
ンウエハ６０が１５０℃まで加熱される。この際、コン
タクター基板５０およびプローブカード４０も１５０℃
程度まで加熱されるが、コンタクター基板５０およびプ
ローブカード４０が、シリコンウエハと同程度膨張する
ため、シリコンウエハのパッド６２と、コンタクター基
板５０のパッド５２と、プローブカード４０の導体回路
２４８とがずれることがなく、試験を適正に行うことが
できる。なお、プローブカード４０の層間樹脂絶縁層４
４、１４４、２４４は、ポリイミドからなるため、高温
試験においても高い靱性を保つことができる。

【００３０】なお、プローブカード４０には、熱膨張率
の比較的大きな層間樹脂絶縁層４４、１４４、２４４が
形成されているが、各層間樹脂絶縁層の厚みは１０μｍ
で、４層合計しても４０μｍであるのに対して、セラミ
ック板４２は、厚みが４ｍｍである。従って、プローブ
カード４０は、セラミック板４２の熱収縮率や熱膨張に
従い収縮、膨張する。

【００３１】次に、上述した第一の実施形態の改変例に
ついて図５を参照して説明する。図４を参照して説明し
たように、コンタクター基板５０は、８０μｍピッチで
検査を行うため、プローブとして伸長機構を内蔵するプ
ローブ５２を用いた。これに対して、この改変例では、
６０μｍピッチでシリコンウエハ６０のパッド６２を検
査する。このため、この改変例では図５に示すように、
コンタクター基板１５０に６０μｍピッチで通孔（直径
２５μｍ）１５０ａが形成され、通孔１５０ａに２０μ
ｍ径のプローブ１５２が摺動可能に嵌挿されている。即
ち、この改変例では、プローブ１５２を上下に摺動可能
に支持することにより、パッド６２の高さのばらつきを
吸収できるようにしてある。

【００３２】次に、本発明の第一の検査装置における第
二の実施形態について、図６を参照して説明する。第二
の実施形態に係る検査装置は、図１を参照して説明した
第一実施形態の検査装置と同様な構成からなる。但し、
第二の実施形態では、プローブカード４０の一部、即
ち、シリコンウエハ６０に微細なピッチでパッド６２が
形成されている部分のみに、コンタクター基板１５０が
取り付けられ、シリコンウエハ６０に大きなピッチでパ
ッド６２が形成されている部分には、導電性ピン（プロ
ーブ）１３４が直接取り付けられている。当該第二の実
施形態では、検査装置を廉価に構成できる利点がある。

【００３３】上述した第一、第二の実施形態では、本発
明の検査装置をシリコンウエハに形成された導体回路の
検査に用いる例を挙げたが、本発明の検査装置は、シリ
コン等のセラミックを用いる被検査対象、例えば、半導
体チップ等の検査に用い得ることは言うまでもない。

【００３４】図７は、本発明の第二の検査装置を模式的
に示した断面図であるが、本発明の検査装置は、各部材
がこの図に示したように配置されていてもよい。すなわ
ち、この検査装置では、シリコンウエハよりも大きく形
成されたパフォーマンス基板２４が最も下側に配設さ
れ、このパフォーマンス基板２４の中央部分にシリコン
ウエハ６０が載置される。そして、シリコンウエハ６０
の上に、シリコンウエハ６０に接触するためのプローブ
５２を有するコンタクター基板５０が配設され、さらに
コンタクター基板５０の上側に、プローブカード４０が
配置され、コンタクター基板５０を介してシリコンウエ
ハ６０とプローブカード４０とが接続されるようになっ
ている。

【００３５】また、シリコンウエハ６０の周囲には、プ
ローブ基板３０が配置され、パフォーマンス基板２４と
プローブカード４０とを接続している。このプローブ基
板３０は、被検査体であるシリコンウエハ６０およびコ
ンタクター基板５０を、その内部に配置できるよう、リ
ング状であることが望ましい。

【００３６】このように、本発明の第二の検査装置で
は、被検査体であるシリコンウエハ６０、および、コン
タクター基板５０は、プローブカード４０とパフォーマ
ンス基板２４との間に配置されることになる。

【００３７】この検査装置では、プローブカード４０
は、プローブ基板３０およびコンタクター基板５０の上
に配置されているため、その外周に、プローブ基板３０
を介してパフォーマンス基板２４と接続するためのパッ
ドが形成されており、内側部分に、コンタクター基板５
０と接続するためのパッドが形成されている。また、プ
ローブカード４０は、円板状であることが望ましい。こ
のようなプローブカード４０は、プローブ基板３０およ
びコンタクター基板５０の上に配置されているため、一
主面のみでプローブ基板３０およびコンタクター基板５
０の端子と接触可能であり、スルーホールは不要とな
る。

【００３８】次に、本発明のプローブカードについて説
明する。本発明のプローブカードは、半導体ウエハに形
成された集積回路の昇温または冷却を伴う検査に用いら
れるプローブカードであって、セラミック板上に、樹脂
層と導体回路とが順次積層形成されてなり、導体回路同
士は、バイアホールにより接続されたものからなること
を特徴とする。

【００３９】本発明のプローブカードは、上述したよう
に、シリコンウエハ上に形成された導体回路の良否を判
断するための検査装置に用いられるプローブカードであ
り、この検査装置は、上記目的で用いられるものであれ
ば、その構成は特に限定されるものではないが、例え
ば、上記検査装置で説明した構成からなるものが挙げら
れる。

【００４０】このプローブカードでは、上述したよう
に、セミック板上に樹脂層と導体回路とが順次、積層形
成されているため、樹脂のみでプローブカードを構成し
た場合に比べて熱膨張・収縮でプローブとプローブカー
ドのパッドの位置ずれがない。また、樹脂層の方がセラ
ミックに比べて誘電率が低く、高周波数の信号の伝搬遅
延がなく、高周波数の信号でも試験することができる、
また、樹脂層によりに靱性が付与されるため、プローブ
カードを押しつけた場合でも、セラミックや導体回路に
破損が生じない。

【００４１】さらに、信号層を構成する導体回路の上層
および下層にグランド層（メッシュ状あるいは面状にな
った導体回路）を形成することで、信号層のインピーダ
ンス整合をさせやすくし、１ＧＨｚ以上の高周波数帯域
でも測定が可能になる。さらに、樹脂層を介して多層化
することで、パッド数を増加させることができる。

【００４２】このプローブカードでは、上記セラミック
基板の少なくとも一方の主面の全面を覆うように樹脂層
が形成されてなることが望ましい。例えば、特開平６−
１４０４８４号では、セラミック基板の周縁を除く部分
に樹脂層が形成されており、このような形態では、加
熱、冷却の際に樹脂層が形成された部分と形成されてい
ない部分の境界で歪んだり、クラックが発生したりする
ため、加熱、冷却をともなう測定試験はできない。

【００４３】なお、上記セラミック基板には、スルーホ
ールが形成されていてもよい。スルーホールを形成する
ことで、図２に示したように、検査装置の構造とするこ
とができるため、プローブカードの面積をシリコンウエ
ハよりも小さくすることができ、シリコンウエハに形成
された集積回路を区画毎に試験することができる。

【００４４】セラミック板の材料は特に限定されるもの
ではなく、例えば炭化物セラミック、窒化物セラミッ
ク、酸化物セラミック等が挙げられる。上記炭化物セラ
ミックとしては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウ
ム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等が
挙げられる。上記窒化物セラミックとしては、例えば
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。上記酸化物セラミックとしては、例
えば、アルミナ、シリカ、ジルコニア、コージェライト
等が挙げられる。

【００４５】これらのなかでは、窒化物セラミック、炭
化物セラミック等の非酸化物系セラミックが好ましく、
これらのなかでは窒化物セラミックがより好ましく、特
に窒化アルミニウムが好ましい。熱伝導率が高く、セラ
ミック板とした際に、温度追従性に優れるからである。

【００４６】また、上記セラミック板は、焼結助剤を含
有していてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、ア
ルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸
化物等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、Ｃ
ａＯ、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｌｉ₂ Ｏ、Ｒｂ₂ Ｏが好ま
しい。これらの含有量としては、０．１〜２０重量％が
好ましい。また、アルミナを含有していてもよい。

【００４７】上記非酸化物セラミック中には、５重量％
以下の酸素が含有されていてもよい。５重量％程度の酸
素量であれば、焼結を促進させるとともに、耐電圧を確
保でき、高温での反り量を小さくすることができるから
である。

【００４８】上記非酸化物セラミックの表面から放射さ
れるα線量は、５０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下が望ましく、
２．０ｃ／ｃｍ² ・ｈｒ以下が最適である。５０ｃ／ｃ
ｍ² ・ｈｒを超えるといわゆるソフトエラーが発生して
検査に誤りが発生するからである。

【００４９】上記セラミック板では、表面のＪＩＳＢ
０６０１に基づく面粗度Ｒｍａｘは、０．０１μｍ＜
Ｒｍａｘ＜１００μｍであることが望ましく、Ｒａは、
０．００１＜Ｒａ＜１０μｍであることが望ましい。

【００５０】上記セラミック板は、その面粗度がＪＩＳ
Ｂ０６０１Ｒａ＝０．０１〜１０μｍが最適であ
る。表面の導体回路との密着性を考慮すると大きい方が
よいのであるが、大き過ぎると表皮効果（高周波数の信
号電流は導体回路の表面に局在化して流れる）により、
高周波数での測定が困難であり、また、小さい場合は密
着性に問題が発生するからである。

【００５１】セラミック板の形状は特に限定されない
が、直方体（平面視：矩形状）、多角柱形状、円板形状
等が好ましく、その直径、最長対角線の長さは、１０〜
５００ｍｍが好ましい。セラミック板の厚さは、５０ｍ
ｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましい。セラ
ミック板の厚さが厚すぎると、装置の小型化を図ること
ができず、また、熱容量が大きくなって、昇温・降温速
度が低下し、温度マッチング特性が劣化するからであ
る。また、セラミック板の厚さを薄くすることにより、
プローブカードの電気抵抗を小さくすることができ、誤
った判断の発生を防止することができる。

【００５２】セラミック板の平面度は、直径−１０ｍ
ｍ、または、最長対角線長さ−１０ｍｍの測定距離で５
００μｍ以下が好ましい。５００μｍを超えると測定時
の押圧でも反りを矯正できないからである。

【００５３】セラミック板のヤング率Ｅは、２５〜６０
０℃で６０ＧＰａ＜Ｅ＜４５０ＧＰａが望ましい。高温
におけるセラミック板の反りを防止するためである。セ
ラミック板の曲げ強度σf は、２５〜６００℃で２００
ＭＰａ＜σf ＜５００ＭＰａが望ましい。押圧時にセラ
ミック板が破損するのを防止するためである。なお、押
圧時には、セラミック板に、０．１〜１０ｋｇ／ｃｍ²
程度の圧力がかかる。

【００５４】上記セラミック板の気孔率は、５％以下が
望ましい。また、最大気孔の気孔径が５０μｍ以下であ
ることが望ましい。１００℃以上の温度での耐電圧を確
保し、機械的な強度が大きくなり、押圧時等における反
り量を小さくすることができるからである。また、熱伝
導率が高くなり、迅速に昇温・降温するため、温度マッ
チングに優れる。

【００５５】なお、最大気孔とは、任意の１０箇所を電
子顕微鏡で撮影し、その視野の中で最も大きな気孔を選
び、その最大気孔の平均値を最大気孔の気孔径として定
義したものである。また、気孔率は０％であってもよ
い。気孔は存在しないことが理想的である。

【００５６】気孔径が５０μｍを超えると高温、特に高
温での耐電圧特性を確保するのが難しくなり、短絡等が
発生するおそれがある。最大気孔の気孔径は、１０μｍ
以下が望ましい。高温（例えば、１００℃以上）での反
り量が小さくなるからである。

【００５７】上記気孔率はアルキメデス法により測定す
る。焼結体を粉砕して有機溶媒中あるいは水銀中に粉砕
物を入れて体積を測定し、粉砕物の重量と体積から真比
重を求め、真比重と見かけの比重から気孔率を計算する
のである。

【００５８】気孔率や最大気孔の気孔径は、焼結時の加
圧時間、圧力、温度、ＳｉＣやＢＮなどの添加物で調整
することができる。上述のように、ＳｉＣやＢＮは焼結
を阻害するため、気孔を導入させることができる。気孔
が存在すると、靱性値が上昇する。従って、余り強度が
下がらない程度に、気孔を存在させてもよい。

【００５９】上記セラミック板の内部に気孔が存在する
場合には、この気孔は、閉気孔であることが望ましい。
また、セラミック板を通過するヘリウムの量（ヘリウム
リーク量）は、１０^-7Ｐａ・ｍ³／ｓｅｃ以下であるこ
とが望ましい。ヘリームリーク量の小さい緻密なセラミ
ック板とすることにより、内部に形成されたスルーホー
ル等が空気中の酸素等により腐食されるのを防止するこ
とができるからである。

【００６０】セラミック板の厚さのばらつきは、±３％
以内が好ましい。コンタクター基板のプローブとの接触
不良をなくすためには、セラミック板の表面が平坦であ
る必要があるからである。

【００６１】また、熱伝導率のばらつきは±１０％以内
が好ましい。温度の不均一等に起因する反り等を防止す
ることができるからである。

【００６２】上記セラミック板は、明度がＪＩＳＺ
８７２１の規定に基づく値でＮ４以下のものであること
が望ましい。このような明度を有するものが隠蔽性を有
するため外観がよく、また、輻射熱量が大きく、迅速に
昇温するからである。

【００６３】ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を
０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明
度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度
となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で
表示したものである。そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ
１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点
１位は０または５とする。

【００６４】このような特性を有するセラミック板は、
セラミック板中にカーボンを１００〜５０００ｐｐｍ含
有させることにより得られる。カーボンには、非晶質の
ものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボンは、セ
ラミック板の高温における体積抵抗率の低下を抑制する
ことでき、結晶質のカーボンは、セラミック板の高温に
おける熱伝導率の低下を抑制することができるため、そ
の製造する基板の目的等に応じて適宜カーボンの種類を
選択することができる。

【００６５】非晶質のカーボンは、例えば、Ｃ、Ｈ、Ｏ
だけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空気中で
焼成することにより得ることができ、結晶質のカーボン
としては、グラファイト粉末等を用いることができる。
また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気下で熱分解させた
後、加熱加圧することによりカーボンを得ることができ
るが、このアクリル系樹脂の酸価を変化させることによ
り、結晶性（非晶性）の程度を調整することもできる。

【００６６】本発明のプローブカードは、通常、図３〜
６に示したプローブカードと同様に構成され、セラミッ
ク板の内部にスルーホールが形成されている。このスル
ーホールは、タングステン、モリブデンなどの高融点金
属、タングステンカーバイド、モリブデンカーバイドな
どの導電性セラミック等により形成されている。

【００６７】スルーホールの直径は、０．１〜１０ｍｍ
が望ましい。断線を防止しつつ、クラックや歪みを防止
できるからである。スルーホールの形状としては特に限
定されないが、例えば、円柱状、角柱状（四角柱、円柱
等）が挙げられる。

【００６８】本発明のプローブカードでは、セラミック
板の内部や表面にも、配線のピッチを拡大するための導
体回路が、セラミック板の主面と平行になるように形成
されていてもよく、プローブ基板のプローブ３２と接続
するための端子パッドが形成されていてもよい。導体回
路を形成することにより、樹脂層におけるピッチの拡大
幅を小さくすることができ、導体回路の形成が容易にな
る。また、導体回路は、プローブカードの一主面のみに
形成されていてもよい。この導体回路や端子パッドも、
タングステン、モリブデンなどの高融点金属、タングス
テンカーバイド、モリブデンカーバイドなどの導電性セ
ラミック等からなることが望ましい。

【００６９】ただし、場合によっては、これらの導体層
は、金、銀、白金等の貴金属やニッケル等の金属からな
るものであってもよい。これらスルーホール、導体回
路、端子パッド等の面積抵抗率は、１〜５０μΩ／□が
好ましい。面積抵抗率が、５０μΩ／□を超えると、ス
ルーホール等が発熱したり、電圧降下等により検査装置
が誤った判断を下す場合がある。

【００７０】セラミック板の表面または内部にスルーホ
ールや導体回路を形成するためには、金属や導電性セラ
ミックからなる導体ペーストを用いることが好ましい。
即ち、セラミック板の内部にスルーホールや導体回路を
形成する場合には、グリーンシートに形成した貫通孔に
導体ペーストを充填したり、グリーンシート上に上記導
体ペースト層を形成した後、グリーンシートを積層、焼
成することにより、内部にスルーホールや導体回路を形
成する。

【００７１】また、最上層や最下層となるグリーンシー
トの上に導体ペースト層を形成して焼成することによ
り、セラミック板の表面に導体回路を形成することがで
きる。

【００７２】一方、セラミック板を製造した後、その表
面に上記導体ペースト層を形成し、焼成することよって
も、導体回路や端子パッドを形成することができる。

【００７３】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミック粒子のほかに、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むも
のが好ましい。

【００７４】上記金属粒子や導電性セラミック粒子の材
料としては、上述したものが挙げられる。これら金属粒
子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１０
０μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸
化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しに
くくなり、抵抗値が大きくなるからである。

【００７５】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、導体回路等とセラミック板との密着
性を確実にすることができるため有利である。

【００７６】上記導体ペーストに使用される樹脂として
は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げら
れる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアル
コール等が挙げられる。増粘剤としては、セルロース等
が挙げられる。

【００７７】導体ペースト層をセラミック板の表面に形
成する際には、上記導体ペースト中に上記金属粒子のほ
かに金属酸化物を添加し、上記金属粒子および上記金属
酸化物を焼結させたものとすることが好ましい。このよ
うに、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させることに
より、セラミック板と金属粒子等とをより密着させるこ
とができる。

【００７８】上記金属酸化物を混合することにより、セ
ラミック板との密着性が改善される理由は明確ではない
が、金属粒子表面や非酸化物からなるセラミック板の表
面は、その表面がわずかに酸化されて酸化膜が形成され
ており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して
一体化し、金属粒子とセラミックとが密着するのではな
いかと考えられる。また、セラミック板を構成するセラ
ミックが酸化物の場合は、当然に表面が酸化物からなる
ので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００７９】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、金属
粒子等とセラミック板との密着性を改善することができ
るからである。

【００８０】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが好ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特にセラミック板と
の密着性を改善することができる。

【００８１】上記構成のセラミック板上には、樹脂層
（層間樹脂絶縁層）と導体回路とが、順次、積層形成さ
れ、これらの導体回路がバイアホールにより接続された
層（以下、積層樹脂層という）が形成されている。

【００８２】層間樹脂絶縁層（樹脂層）を構成する樹脂
は、耐熱性に優れたものが好ましく、このような耐熱性
に優れる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、カルド型ポリマー等が
挙げられ、これらは感光化されていることが望ましい。
また、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が感光化されて
いることが望ましい。薄膜の形成のし易さ、機械的特
性、セラミック板４２との密着性等を考慮すると、カル
ド型ポリマー、ポリイミド樹脂等が好ましい。

【００８３】上記カルド型ポリマーとは、環状の基が高
分子主鎖に直接結合した構造をもつポリマーの総称であ
り、上記カルド型ポリマーは、その構造、即ち、主鎖に
直角にかさ高い置換基が存在することに起因して、ポリ
マー主鎖の回転束縛、主鎖および側鎖のコンフォメーシ
ョン規制、分子間パッキングの阻害、側鎖の芳香族置換
基導入による芳香族性の増加等の現象が生じ、そのた
め、硬化後のガラス転移温度が高いものとなる。

【００８４】また、このような構造をもつカルド型ポリ
マーは、そのかさ高い置換基のために主鎖の運動性が抑
制され、３００℃未満で硬化されたものであっても架橋
密度が高く、優れた耐熱性を有する。さらに、かさ高い
置換基は、分子鎖の近接を阻害するため、優れた溶剤溶
解性を有する。

【００８５】上記カルド型ポリマーは、カルボニル基
（ケトン、エステル、酸無水物、イミド等）をもつ環状
化合物とフェノール、アニリン等の芳香族化合物やその
誘導体とを縮合反応により共重合させることにより得る
ことができる。

【００８６】上記感光性カルド型ポリマーは、上記のよ
うな構造を有するカルド型ポリマーのなかで感光性を有
するものであり、具体例としては、例えば、下記化学式
（１）で表される化合物と、

【００８７】

【化１】

【００８８】下記一般式（２）で表される化合物；

【００８９】

【化２】

【００９０】（式中、Ｒ¹ は、酸素、カルボニル基、テ
トラフルオロエチレン基、または、単結合を表す。）、
ピロメリト酸無水物、および、テレフタル酸やその酸塩
化物から選択される少なくとも１種とを共重合させるこ
とにより得られる感光性カルド型ポリエステルが挙げら
れる。

【００９１】また、上記一般式（１）で表される化合物
と、下記一般式（３）で表される化合物と、

【００９２】

【化３】（式中、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ は、それぞれ同一また
は異なって、水素または炭素数１〜５の炭化水素基を表
し、Ｒ⁶ は、水素、カルボキシル基または炭素数２〜８
のアルコキシカルボニル基を表す。）

【００９３】上記一般式（２）で表される化合物、ピロ
メリト酸無水物、および、テレフタル酸やその酸塩化物
から選択される少なくとも１種とを共重合させることに
より得られる感光性カルド型ポリイミド等も挙げられ
る。これらのなかでは、感光性カルド型ポリイミド樹脂
が望ましい。比較的低温で硬化せることにより得られる
硬化体であっても、そのガラス転移温度が高いからであ
る。

【００９４】また、上記感光性カルド型ポリマーの硬化
後のガラス転移温度は、２５０〜３００℃が望ましい。
上記範囲程度のガラス転移温度は、感光性カルド型ポリ
マーを２００℃前後の硬化温度で硬化させることにより
達成することができるため、層間樹脂絶縁層形成時に樹
脂基板に悪影響（樹脂基板の軟化、溶解等）を引き起こ
すことがなく、形成された層間樹脂絶縁層が、形状保持
性、耐熱性に優れるからである。

【００９５】このような樹脂を用いて積層樹脂層を形成
する際には、例えば、製造したセラミック板４２に感光
性ポリイミド樹脂を塗布した後、露光現像処理によりス
ルーホール４１に至るバイアホール用貫通孔を穿設して
から、加熱して硬化させる。塗布方法としては、例え
ば、スピンコート法、ロールコータ法、ディップ法、カ
ーテンコータ法等が挙げられるが、均一な厚さの膜を比
較的容易に形成することができる点から、スピンコート
法が好ましい。

【００９６】また、樹脂層を２回重ねて形成することに
より、ピンホールの発生をより確実に防止することがで
きる。なお、バイアホールは、レーザ光を照射すること
により、形成してもよい。

【００９７】また、セラミック板上に樹脂層を形成する
前に、セラミック板の表面に導体回路を形成してもよ
い。セラミック板の表面に導体回路を形成することによ
り、他の主面に形成された配線の間隔を広げることがで
きるからである。

【００９８】上記工程を経て形成されたバイアホール用
貫通孔を有する層間樹脂絶縁層上に導体層を形成した
後、エッチング等を行うことにより、例えば、図４に示
すように、バイアホール４６、導体回路４８を形成す
る。導体回路４８の材料としては、電気伝導度が高いも
のであれば特に限定されず、例えば、銅、クロム、ニッ
ケル、亜鉛、金、銀、スズ、鉄等が挙げられるが、これ
らのなかでは、めっき処理が比較的容易で電気伝導度の
高い回路の形成が可能な銅が好ましい。

【００９９】層間樹脂絶縁層上に導体層を形成する前に
は、層間樹脂絶縁層と導体層との密着性を確保するため
に、層間樹脂絶縁層表面に改質処理を施すことが好まし
い。上記層間樹脂絶縁層を改質する方法としては、酸素
プラズマ等を用いてプラズマエッチングを行う方法、コ
ロナ放電を利用する方法等が挙げられる。例えば、プラ
ズマ処理を行うことにより、表面に水酸基が形成され、
密着性が改善される。

【０１００】この後、上記層間樹脂絶縁層上に導体回路
を形成するが、その際には、上記層間樹脂絶縁層の全体
に、いわゆるベタの導体層を形成した後、その上にエッ
チングレジストを形成し、その後、エッチングを行うこ
とにより、上記導体回路を形成することができる。

【０１０１】このようなベタの導体回路を形成する方法
としては、例えば、無電解めっき、電解めっき等のめっ
き法、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の方法が挙げら
れるが、これらのなかでは、スパッタリング法、めっき
法が好ましい。また、スパッタリング法とめっき法とを
併用してもよい。スパッタリング法により、層間樹脂絶
縁層の表面に、密着性に優れた導体層を形成することが
でき、電解めっきにより、比較的厚い導体層を形成する
ことができるからである。

【０１０２】上記処理を更に複数回繰り返すことによ
り、層間樹脂絶縁層と導体回路とが、順次、積層形成さ
れ、これらの導体回路がバイアホールにより接続された
積層樹脂層を形成することができる。そして、最上層の
樹脂層に貫通孔を形成することにより、導体回路の一部
を露出させ、その下に配設されるコンタクター基板５０
のプローブと接触させることができるようにする。な
お、導体回路の上に樹脂層を形成することなく、そのま
ま導体回路を露出させてもよい。

【０１０３】次に、図８に基づき、本発明のプローブカ
ードの製造方法について説明する。なお、上記プローブ
カードを構成するセラミック板の製造法については、別
の製造方法も考えられるので、ここでは、この方法を製
法Ａとする。（１）グリーンシートの作製工程まず、窒化物セラミックや酸化物セラミックの粉末をバ
インダ、溶媒等と混合してペーストを調製し、これを用
いてグリーンシートを作製する。上述したセラミック粉
末としては、窒化アルミニウム等を使用することがで
き、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤を加えても
よい。また、グリーンシートを作製する際、結晶質や非
晶質のカーボンを添加してもよい。

【０１０４】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。

【０１０５】これらを混合して得られるペーストをドク
ターブレード法でシート状に成形してグリーンシート４
００を作製する。グリーンシート４００の厚さは、０．
１〜５ｍｍが好ましい。次に、得られたグリーンシート
に、必要に応じて、スルーホールを形成する貫通孔とな
る部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を
形成した後に、上記加工を行ってもよい。

【０１０６】（２）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程スルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填
層４１０とする。また、必要により、最下層となるグリ
ーンシートのスルーホール用の充填層が形成されている
部分に、上述した導体ペーストを用い、パッドとなる導
体ペースト層４２０を形成する。パッドとなる層は、セ
ラミック板を製造した後、スパッタリング等により形成
してもよい。

【０１０７】なお、内部に導体回路を形成する場合に
は、内層となるグリーンシート上に導体ペースト層を形
成すればよい。

【０１０８】これらの導電ペースト中には、金属粒子ま
たは導電性セラミック粒子が含まれている。金属粒子の
材料としては、例えば、タングステンまたはモリブデン
等が挙げられ、導電性セラミックとしては、例えば、タ
ングステンカーバイドまたはモリブデンカーバイドが挙
げられる。

【０１０９】上記金属粒子であるタングステン粒子また
はモリブデン粒子等の平均粒子径は、０．１〜５μｍが
好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍ
を超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。

【０１１０】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が
挙げられる。

【０１１１】（３）グリーンシートの積層工程次に、このグリーンシート４００を複数枚積層し、圧着
して、積層体を作製する（図８（ａ）参照）。

【０１１２】（４）グリーンシート積層体の焼成工程次に、グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリ
ーンシート４００および内部や外部の導体ペースト中の
金属等を焼結させ、スルーホール４１等を有するセラミ
ック板４２を作製する。加熱温度は、１０００〜２００
０℃が好ましく、加圧の圧力は、１０〜２０ＭＰａが好
ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガ
スとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用するこ
とができる。

【０１１３】（５）次に、上記工程により得られたセラ
ミック板４２の両面にチタン、モリブデン、ニッケル、
クロムなどの金属をスパッタリング、めっき等により導
体層を設け、さらに、フォトリソグラフィーにより、エ
ッチングレジストを形成する。次に、エッチング液で導
体層の一部を溶解させ、エッチングレジストを剥離して
導体回路４３を形成する（図８（ｂ）参照）。導体回路
４３の厚さは、１〜１０μｍが好ましい。樹脂層を形成
しない側の導体回路４３表面には、無電解めっきによ
り、ニッケルや貴金属（金、白金，銀、パラジウム）層
などの非酸化性金属層（図示せず）を設けておくことが
望ましい。非酸化性金属層の厚さは、１〜１０μｍがよ
い。

【０１１４】（６）少なくとも一方の面に層間樹脂絶縁
層４４を形成する（図８（ｃ）参照）。樹脂は感光性樹
脂が望ましく、アクリル化されたエポキシ樹脂、アクリ
ル化されたポリイミド樹脂が好ましい。層間樹脂絶縁層
４４は、樹脂フィルムを積層してもよく、液状の樹脂を
スピンコートすることにより形成してもよい。

【０１１５】（７）樹脂層を形成した後、加熱乾燥さ
せ、ついで露光、現像処理を行い、開口を形成する。さ
らに、樹脂液を再びスピンコートし、加熱乾燥させ、つ
いで露光、現像処理を行い、開口を形成する。このよう
に、１つの層間樹脂絶縁層４４を２回に分けて形成する
理由は、どちらか一方の樹脂層にピンホールが形成され
てしまっても、もう一方の樹脂層で絶縁性を確保するこ
とができるからである。なお、セラミック板の表面に形
成された導体回路間に樹脂を充填しておき、導体回路に
起因する凹凸をなくし、平坦化しておいてもよい。ま
た、レーザ光により開口を設けてもよい。

【０１１６】（８）次に、樹脂層表面を酸素プラズマ処
理などで改質処理を実施する。表面に水酸基が形成され
るため、金属との密着性が改善される。次に、クロム、
銅などのスパッタリングを実施する。スパッタリング層
の厚さは、０．１〜５μｍが好ましい。つぎにめっきレ
ジストをフォトリソグラフィーで形成し、電解めっきに
よりＣｕ、Ｎｉ層を形成する。厚さは、２〜１０μｍが
望ましい。この後、めっきレジストを剥離し、エッチン
グを行うことにより、めっきレジスト下にあった導体層
を溶解、除去し、バイアホール４６を有する導体回路４
８を形成する（図８（ｄ）参照）。

【０１１７】この後、上記（６）〜（８）の工程を繰り
返すことにより、セラミック板の上に、層間樹脂絶縁層
４４、１４４、２４４、４９と導体回路４８、１４８、
２４８（バイアホール４６、１４６、２４６を含む）と
が複数層積層形成されたプローブカードが製造される
（図８（ｅ）参照）。セラミック板の上に導体回路と樹
脂層とを形成する場合、形成する導体回路または樹脂層
は、一層であってもよく、図８に示したように２層以上
であってもよい。

【０１１８】なお、図８（ｄ）に示したバイアホール４
６では、バイアホール用開口に沿って、ほぼ同じ厚さで
導体層が形成されているが、バイアホール用開口の内部
には、ほぼ金属が充填され、バイアホール４６の上面が
導体回路４８とほぼ同じレベルで平坦な形状の、いわゆ
るフィールドビアが形成されていてもよい。

【０１１９】また、セラミック板を製造する際には、上
記した製造方法の他に、以下のような製造方法（以下、
製法Ｂという）を採用してもよい。即ち、

【０１２０】（１）上述した窒化物セラミックまたは炭
化物セラミックの粉末に必要に応じてイットリア等の焼
結助剤やバインダ等を配合してスラリーを調製した後、
このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、
この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板状な
どに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。次に、
生成形体を６００〜１６００℃までの温度で仮焼し、ド
リルなどでスルーホールとなる貫通孔を形成する。

【０１２１】（２）基板に導体ペーストを印刷する工程導体ペーストは、一般に、金属粒子または導電性ペース
トもしくはこれらの混合物、樹脂、溶剤からなる粘度の
高い流動物である。この導体ペーストをスクリーン印刷
などを用い、導体回路やスルーホール部分に印刷を行う
ことにより、導体ペースト層、スルーホールを形成す
る。なお、導体回路形成は、下記する（３）の焼結工程
の終了後であってもよい。

【０１２２】（３）次に、この仮焼体を加熱、焼成して
焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、
所定の形状に加工することにより、基板を作製するが、
焼成後にそのまま使用することができる形状としてもよ
い。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔の
ない基板を製造することが可能となる。加熱、焼成は、
焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックまたは
炭化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。

【０１２３】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定される
ものではない。

【０１２４】（実施例１）プローブカードの製造（図
８参照）（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒
径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（Ｙ₂ Ｏ
₃ 、平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバイン
ダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタ
ノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を
混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成
形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート４００
を作製した。

【０１２５】（２）次に、このグリーンシート４００を
８０℃で５時間乾燥させた後、スルーホール４１となる
貫通孔等をパンチングにより形成した。

【０１２６】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。

【０１２７】平均粒子径３μｍのタングステン粒子１０
０重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テル
ピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部
を混合して導体ペーストＢを調製した。

【０１２８】そして、スルーホールとなる部分に導体ペ
ーストＢを充填し、充填層４１０を形成した。上記処理
の終わったグリーンシート４００の２７枚を、１３０
℃、８ＭＰａの圧力で積層、圧着した（図８（ａ）参
照）。

【０１２９】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５Ｍ
Ｐａで１０時間ホットプレスし、厚さ５ｍｍの窒化アル
ミニウム焼結体を得た。これを一辺が、６０ｍｍの正方
形に切り出し、内部に直径２００μｍの円柱状のスルー
ホール４１を有するセラミック板４２を得た。

【０１３０】（５）セラミック板４２の両側表面に、ス
パッタリング装置（徳田製作所社製ＣＦＳ−ＲＰ−１０
０）を用い、厚さ０．１μｍのＴｉ、２．０μｍのＭ
ｏ、１．０μｍのＮｉを、この順序でスパッタリングし
た。さらにレジストをラミネートし、次に、露光現像処
理してエッチングレジストとした。５５℃のＨＦ／ＨＮ
Ｏ₃ 水溶液でエッチング処理し、Ｔｉ層、Ｍｏ層、Ｎｉ
層からなる導体回路４３を形成した（図８（ｂ）参
照）。

【０１３１】（６）セラミック板４２を１２０℃、３０
分間塗布前加熱処理した。次に、感光性ポリイミド（旭
化成社製Ｉ−８８０２Ｂ）を全面にスピンコータで塗
布し、８０℃で２０分加熱乾燥させ、つぎに３５０℃で
加熱して硬化させてポリイミド層を形成し、導体回路間
の凹凸をなくして平滑化した。

【０１３２】（７）さらに、感光性ポリイミド（旭化成
製Ｉ−８８０２Ｂ）をスピンコータで塗布し、８０℃
で２０分加熱乾燥させ、マスクを積層して２００ｍＪに
て露光し、ジメチレングリコールジエチルエーテル（Ｄ
ＭＤＧ）で現像処理した。さらに、３５０℃で加熱して
ポストベークして硬化させた。

【０１３３】（８）（７）の工程と同じ処理を実施し、
厚さ１０μｍのポリイミドからなる層間樹脂絶縁層４４
（以下、ポリイミド層という）を形成した（図８（ｃ）
参照）。このポリイミド層４４には、直径１００μｍの
バイアホール用開口を形成した。（９）ポリイミド層表面を酸素プラズマ処理した。さら
に、表面を１０％硫酸で洗浄した。

【０１３４】（１０）ついで前述のスパッタリング装置
で、厚さ０．１μｍのＣｒ層、厚さ０．５μｍの銅層
を、この順序でそれぞれ形成した。（１１）ついでレジストフィルムをラミネートし、露
光、現像処理してめっきレジストを形成した。

【０１３５】（１２）さらに、８０ｇ／ｌ硫酸銅と１８
０ｇ／ｌ硫酸からなる電解銅めっき浴および１００ｇ／
ｌのスルファミン酸ニッケルを含む電解ニッケル浴を用
いて電流密度１Ａ／ｄｍ²の電解めっきを施し、銅の厚
さ５．５μｍ、Ｎｉの厚さ１μｍの導体を形成した。

【０１３６】（１３）さらにめっきレジストを除去し、
塩酸／水＝２／１（４０℃）の水溶液でＣｒとＣｕ層を
除去して、バイアホール４６を含む導体回路４８（図８
（ｄ）参照）とした。

【０１３７】さらに、上記（６）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、上層のポリイミド層１４４、２４４
を形成し、その上にバイアホール１４６、２４６を含む
導体回路１４８、２４８を形成し、その上に開口４９ａ
を有するポリイミド層４９を形成した（図８（ｅ）参
照）。

【０１３８】（１４）樹脂表面を粘着材が塗布されたフ
ィルムでマスクした後、塩化ニッケル２．３１×１０^-2
ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８４×１０^-2ｍ
ｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．５５×１０^-2ｍｏｌ
／ｌからなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき浴、
シアン化金カリウム７．６１×１０^-3ｍｏｌ／ｌ、塩化
アンモニウム１．８７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム１．１６×１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナト
リウム１．７０×１０^-1ｍｏｌ／ｌからなる金めっき浴
を用いて、それぞれ厚さ５μｍのＮｉ層および厚さ０．
０３μｍのＡｕ層からなる非酸化性金属膜（図示せず）
を形成した。このプローブカードは、第１層と第３層が
グランド層となっており、第２層が信号層である。

【０１３９】（実施例２）プローブカードの製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（Ｙ₂ Ｏ₃ 平
均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ
１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレー
ドライを行い、顆粒状の粉末を作製した。

【０１４０】（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。こ
の生成形体を１４００℃で仮焼し、処理の終わった成形
体にドリルにより、スルーホール用の貫通孔を形成し、
その内部に、実施例１で用いた導体ペーストＢを充填し
た。（３）上記工程を経た成形体から一辺が、６０ｍｍの正
方形を切り出し、内部に直径２００μｍの円柱状のスル
ーホールを有するセラミック板とした。

【０１４１】（４）セラミック板の両側表面に、スパッ
タリング装置（徳田製作所社製ＣＦＳ−ＲＰ−１０
０）を用い、厚さ０．１μｍのＴｉ、２．０μｍのＭ
ｏ、１．０μｍのＮｉを、この順序でスパッタリングし
た。さらにレジストをラミネートし、次に、露光現像処
理してエッチングレジストとした。５５℃のＨＦ／ＨＮ
Ｏ₃水溶液でエッチング処理し、Ｔｉ層、Ｍｏ層、Ｎｉ
層からなる導体回路を形成した。

【０１４２】（５）次に、セラミック板の主面に、予め
その粘度を３０Ｐａ・ｓに調整しておいた感光性カルド
型ポリマーの溶液を全面にスピンコート法で塗布した
後、温度１５０℃で２０分間乾燥させることにより感光
性カルド型ポリマーの半硬化膜からなる樹脂層を形成し
た。

【０１４３】なお、ここで用いた感光性カルド型ポリマ
ーは、上記化学式（１）で表されるビス−フェノールフ
ルオレン−ヒドロキシアクリレートと上記一般式（３）
おいて、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴、Ｒ⁵ およびＲ⁶ が水素であ
るビス−アニリン−フルオレンとピロメリト酸無水物と
を、モル比＝１：４：５で反応させて得られるランダム
共重合体である。

【０１４４】次いで、バイアホール用開口部に相当する
部分に黒円が描画されたフォトエッチング用マスクを、
上記感光性カルド型ポリマーからなる樹脂層４４０上に
載置した後、紫外線を４００ｍｊ／ｃｍ² の条件で照射
することにより、露光・現像処理を施し、バイアホール
用開口を形成した。その後、２５０℃、１２０分間の条
件で本硬化を行い、層間樹脂絶縁層を形成した。なお、
ここで形成した層間樹脂絶縁層の厚さは、１０μｍであ
った。また、層間樹脂絶縁層のガラス転移温度は、２６
０℃であった。この後、層間樹脂絶縁層の表面を酸素プ
ラズマ処理した。さらに、表面を１０％硫酸で洗浄し
た。

【０１４５】（６）ついで前述のスパッタリング装置
で、厚さ０．１μｍのＣｒ層、厚さ０．５μｍの銅層
を、この順序でそれぞれ形成した。ついでレジストフィ
ルムをラミネートし、露光、現像処理してめっきレジス
トを形成した。

【０１４６】（７）次に、薄膜導体層をめっきリードと
して下記の条件で電解銅めっきを行い、上記めっきレジ
スト非形成部に電解銅めっき層を形成した。

【０１４７】〔電解銅めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２℃±２℃

【０１４８】（８）さらに、１００ｇ／ｌのスルファミ
ン酸ニッケルを含む電解ニッケル浴を用いて電流密度１
Ａ／ｄｍ² の電解めっきを施し、銅の厚さ５．５μｍ、
Ｎｉの厚さ１μｍの導体を形成した。

【０１４９】（９）さらにめっきレジストを除去し、塩
酸／水＝２／１（４０℃）の水溶液でＣｒとＣｕ層を除
去して、端子パッド（５０μｍ平方）およびバイアホー
ルを含む導体回路とした。

【０１５０】（１０）次に、上記（５）〜（９）に記載
された工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹
脂絶縁層および導体回路（バイアホールを含む）を形成
し、続いて、上記（５）に記載された工程を繰り返すこ
とにより、開口部を有する最上層の樹脂層を形成した。

【０１５１】（１３）次に、樹脂表面を粘着材が塗布さ
れたフィルムでマスクした後、塩化ニッケル２．３１×
１０^-2ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８４×１
０^-2ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．５５×１０^-2
ｍｏｌ／ｌからなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっ
き浴、シアン化金カリウム７．６１×１０^-3ｍｏｌ／
ｌ、塩化アンモニウム１．８７×１０-1ｍｏｌ／ｌ、ク
エン酸ナトリウム１．１６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１．７０×１０^-1ｍｏｌ／ｌからなる金
めっき浴を用いて、それぞれ厚さ５μｍのＮｉ層および
厚さ０．０３μｍのＡｕ層からなる非酸化性金属膜（図
示せず）を形成し、プローブカードを得た。このプロー
ブカードは、第１層と第３層がグランド層となってお
り、第２層が信号層である。

【０１５２】（実施例３）（１）ＳｉＣ粉末（平均粒径０．５μｍ）１００重量
部、Ｃ（平均粒径：０．４μｍ）０．５重量部、アクリ
ル系樹脂バインダ１２重量部およびアルコールからなる
組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製し
た。（２）顆粒状の粉末を金型に入れ、円板状に成形して生
成形体（グリーン）を得た。この生成形体を１９００℃
で２０ＭＰａで加圧焼結させ、直径３１０ｍｍのセラミ
ック基板とした。つぎに、表面にガラスペスート（昭栄
化学工業社製Ｇ−５１７７）を塗布し、７００℃で焼
成し、表面に厚さ２μｍのコート層を設けた。

【０１５３】（３）セラミック板の両側表面に、スパッ
タリング装置（徳田製作所社製ＣＦＳ−ＲＰ−１０
０）を用い、厚さ０．１μｍのＴｉ、２．０μｍのＭ
ｏ、１．０μｍのＮｉを、この順序でスパッタリングし
た。さらにレジストをラミネートし、次に、露光現像処
理してエッチングレジストとした。５５℃のＨＦ／ＨＮ
Ｏ₃水溶液でエッチング処理し、Ｔｉ層、Ｍｏ層、Ｎｉ
層からなる導体回路を形成した。

【０１５４】（４）次に、セラミック板の主面に、予め
その粘度を３０Ｐａ・ｓに調整しておいた感光性カルド
型ポリマーの溶液を全面にスピンコート法で塗布した
後、温度１５０℃で２０分間乾燥させることにより感光
性カルド型ポリマーの半硬化膜からなる樹脂層を形成し
た。なお、ここで用いた感光性カルド型ポリマーは、上
記化学式（１）で表されるビス−フェノールフルオレン
−ヒドロキシアクリレートと上記一般式（３）おいて、
Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ およびＲ⁶ が水素であるビス−
アニリン−フルオレンとピロメリト酸無水物とを、モル
比＝１：４：５で反応させて得られるランダム共重合体
である。

【０１５５】（５）次いで、バイアホール用開口部に相
当する部分に黒円が描画されたフォトエッチング用マス
クを、上記感光性カルド型ポリマーからなる樹脂層４４
０上に載置した後、紫外線を４００ｍｊ／ｃｍ² の条件
で照射することにより、露光・現像処理を施し、バイア
ホール用開口を形成した。その後、２５０℃、１２０分
間の条件で本硬化を行い、層間樹脂絶縁層を形成した。
なお、ここで形成した層間樹脂絶縁層の厚さは、１０μ
ｍであった。また、層間樹脂絶縁層のガラス転移温度
は、２６０℃であった。この後、層間樹脂絶縁層の表面
を酸素プラズマ処理した。さらに、表面を１０％硫酸で
洗浄した。

【０１５６】（６）ついで前述のスパッタリング装置
で、厚さ０．１μｍのＣｒ層、厚さ０．５μｍの銅層
を、この順序でそれぞれ形成した。ついでレジストフィ
ルムをラミネートし、露光、現像処理してめっきレジス
トを形成した。

【０１５７】（７）次に、薄膜導体層をめっきリードと
して下記の条件で電解銅めっきを行い、上記めっきレジ
スト非形成部に電解銅めっき層を形成した。〔電解銅めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２℃±２℃

【０１５８】（８）さらに、１００ｇ／ｌのスルファミ
ン酸ニッケルを含む電解ニッケル浴を用いて電流密度１
Ａ／ｄｍ² の電解めっきを施し、銅の厚さ５．５μｍ、
Ｎｉの厚さ１μｍの導体を形成した。（９）さらにめっきレジストを除去し、塩酸／水＝２／
１（４０℃）の水溶液でＣｒとＣｕ層を除去して、端子
パッド（５０μｍ平方）およびバイアホールを含む導体
回路とした。

【０１５９】（１０）次に、上記（５）〜（９）に記載
された工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹
脂絶縁層および導体回路（バイアホールを含む）を形成
し、続いて、上記（５）に記載された工程を繰り返すこ
とにより、開口部を有する最上層の樹脂層を形成した。（１１）次に、樹脂表面を粘着材が塗布されたフィルム
でマスクした後、塩化ニッケル２．３１×１０^-2ｍｏｌ
／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８４×１０^-2ｍｏｌ／
ｌ、クエン酸ナトリウム１．５５×１０^-2ｍｏｌ／ｌか
らなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき浴、シアン
化金カリウム７．６１×１０^-3ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモ
ニウム１．８７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウ
ム１．１６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム
１．７０×１０^-1ｍｏｌ／ｌからなる金めっき浴を用い
て、それぞれ厚さ５μｍのＮｉ層および厚さ０．０３μ
ｍのＡｕ層からなる非酸化性金属膜（図示せず）を形成
し、プローブカードを得た。

【０１６０】（１２）さらにパッドを含む導体回路上に
さらに感光性ポリイミドを塗布し、露光現像処理してパ
ッド部分を露出させて、プローブカードとした。このプ
ローブカードは、第１層と第３層がグランド層となって
おり、第２層が信号層である。

【０１６１】（試験例１）アルミナ粉末（平均粒子径
１．０μｍ）１００重量部、アクリルバインダ１１．５
重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエ
タノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペ
ーストを用い、ドクターブレード法により成形を行っ
て、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート４００を作製
し、このグリーンシートを積層、１６００℃で焼成する
ことによりスルーホールを有するセラミック板を製造
し、さらに、感光性ポリイミドを基板の外周を除いて印
刷したほかは、実施例１と同様にして、プローブカード
を製造した。

【０１６２】（比較例１）（１）アルミナ粉末（平均粒子径１．０μｍ）１００重
量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５
重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるア
ルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクタ
ーブレード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシート４００を作製し、このグリーンシートを
積層した後、１６００℃で焼成することによりスルーホ
ールを有するセラミック板を製造した。

【０１６３】（２）セラミック板の両側表面に、スパッ
タリング装置（徳田製作所社製ＣＦＳ−ＲＰ−１０
０）を用い、厚さ０．１μｍのＴｉ、２．０μｍのＭ
ｏ、１．０μｍのＮｉを、この順序でスパッタリングし
た。さらにレジストをラミネートし、次に、露光現像処
理してエッチングレジストとした。５５℃のＨＦ／ＨＮ
Ｏ₃水溶液でエッチング処理し、Ｔｉ層、Ｍｏ層、Ｎｉ
層からなる導体回路を形成した。

【０１６４】実施例１〜３および試験例１、比較例１に
係るプローブカードを、図１に示した検査装置のセット
し、予め合格品であるとわかっている１００個のシリコ
ンウエハを用い、シリコンウエハを１５０℃まで昇温し
た後、−５０℃まで冷却する工程を繰り返し、シリコン
ウエハに形成された集積回路の動作状態を検査した。

【０１６５】実施例１〜３に係るプローブカードを用い
た検査装置では、高温や低温においても、１００回の検
査で、全て製品が合格であるとの判断を下し、高温や低
温においても、コンタクター基板５０のプローブ５２と
プローブカード４０の露出した導体回路２４８との接触
が良好であることが実証された。従って、セラミック板
４２上に形成された層間樹脂絶縁層は、セラミック板４
２の熱膨張、収縮に伴い、同じ比率で膨張、収縮を繰り
返しているものと推定される。

【０１６６】一方、試験例１、比較例１に係るプローブ
カードでは、不合格品であるとの判断を下し、高温では
検査装置が誤った判断を下す確率が高いことがわかっ
た。この原因は、アルミナの熱膨張係数が大きいため、
高温や低温において、コンタクター基板５０のプローブ
５２とプローブカードの露出した導体回路との接触が不
良になるためであると考えられる。

【０１６７】また、プローブカードには、反りが発生し
ており、これも接触不良の原因の一つになったと推定さ
れる。反りの発生要因としては、セラミック基板の全面
に樹脂層が形成されていないためではないかと推定され
る。さらに、実施例１〜３、試験例１、比較例１につい
て、１５０℃、１ＧＨｚの高周波数帯域の信号で試験を
実施したところ、実施例１から３については問題なく判
定できたが、試験例では反りのため判定できず、比較例
１について信号の波形がくずれて測定できなかった。

【０１６８】

【発明の効果】以上記述したように、本発明によれば、
プローブカードは、セラミック板に樹脂薄膜を積層して
なるため、シリコンウエハの熱膨張率に等しい。このた
め、シリコンウエハを加熱・冷却した際に、プローブカ
ードがシリコンウエハと同様に熱収縮するので、プロー
ブがシリコンウエハの検査箇所からずれることが無くな
り、また、反りもないため適切に検査することができ
る。さらに、パッド数を増やしたり、インピーダンス整
合が取りやすいため、高周波数の信号での試験が可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の検査装置における第一の実施形
態を示す説明図である。

【図２】プローブ基板、プローブカードおよびコンタク
ター基板の断面図である。

【図３】プローブ基板、プローブカードおよびコンタク
ター基板の拡大断面図である。

【図４】プローブ基板、プローブカードおよびコンタク
ター基板の拡大断面図である。

【図５】上記第一の検査装置における第一の実施形態の
改変例に係るプローブ基板、プローブカードおよびコン
タクター基板の拡大断面図である。

【図６】本発明の第一の検査装置における第二の実施形
態の改変例に係るプローブ基板、プローブカードおよび
コンタクター基板の拡大断面図である。

【図７】本発明の第二の検査装置における実施形態を示
す説明図である。

【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のプローブカードの
製造工程の一部を示した断面図である。

【符号の説明】

１０検査装置２０テスター２４パフォーマンス基板３０プローブ４０プローブカード４１スルーホール４２セラミック板４３端子パッド４４、１４４、２４４樹脂層（層間樹脂絶縁層）４６、１４６、１４６バイアホール４８、１４８、２４８導体回路５０コンタクター基板５２プローブ６０シリコンウエハ６２パッド

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 ＫＦターム(参考） 2G003 AA10 AG04 AG08 AH07 2G011 AC14 AC32 AE03 2G132 AA00 AE04 AE22 AF02 AF07 AL03 AL11 4M106 AA01 BA01 CA60 CA62 DD01 DD10 DH44 DH45

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検査用の端子が配設されたパフォーマン
ス基板と、被検査対象に接触するプローブが配設された
コンタクター基板と、プローブカードとを備えた検査装
置であって、前記プローブカードは、セラミック板上
に、樹脂層と導体回路が順次積層されてなり、導体回路
同士は、バイアホールにより接続されたものからなるこ
とを特徴とする検査装置。
【請求項２】検査用の端子が配設されたパフォーマン
ス基板と、被検査対象に接触するプローブが配設された
コンタクター基板と、前記コンタクター基板のプローブ
と、前記パフォーマンス基板の端子との間に介在するプ
ローブカードとを備えた検査装置であって、前記プロー
ブカードは、セラミック板上に、樹脂層と導体回路が順
次積層されてなり、導体回路同士は、バイアホールによ
り接続されたものからなることを特徴とする検査装置。
【請求項３】検査用の端子が配設されたパフォーマン
ス基板と、被検査対象に接触するプローブが配設された
コンタクター基板と、前記コンタクター基板のプローブ
と電気的に接続するプローブカードとを備え、被検査対
象を前記パフォーマンス基板と前記プローブカードとの
間に配置するように構成された検査装置であって、前記
プローブカードは、セラミック板上に、樹脂層と導体回
路が順次積層されてなり、導体回路同士は、バイアホー
ルにより接続されたものからなることを特徴とする検査
装置。
【請求項４】前記プローブカードのセラミック板は、
非酸化物セラミックからなることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１に記載の検査装置。
【請求項５】前記樹脂層は、熱硬化性樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の検査
装置。
【請求項６】半導体ウエハに形成された集積回路の検
査に用いられるプローブカードであって、セラミック板
上に、樹脂層と導体回路とが順次積層形成されてなり、
導体回路同士は、バイアホールにより接続されたものか
らなることを特徴とするプローブカード。
【請求項７】前記セラミック板にはスルーホールが形
成されてなる請求項６に記載のプローブカード。
【請求項８】前記セラミック板は、非酸化物セラミッ
クからなることを特徴とする請求項６または７に記載の
プローブカード。
【請求項９】前記樹脂層は、熱硬化性樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項６〜８のいずれか１に記載のプロ
ーブカード。
【請求項１０】前記セラミック基板は、円板状である
請求項６〜９のいずれか１に記載のプローブカード。