CN112838041A - 载置台和检查装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制载置被检查体的载置台因载荷而产生的移位的载置台和检查装置。提供如下载置台：该载置台载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，该载置台包括：第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；第2冷却板，其设于所述透过构件之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述透过构件之间。

Description

载置台和检查装置
技术领域
本公开涉及载置台和检查装置。
背景技术
专利文献1公开了具有以下构件的技术：加热源，其具有对处理室内的晶圆照射光的多个发光元件；光透过构件，其使发光元件的光透过；冷却构件，其与加热源直接接触；以及冷却机构，其用于对冷却构件进行冷却。
专利文献1：日本特开2008-227435号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供能够抑制载置被检查体的载置台因载荷而产生的移位的技术。
用于解决问题的方案
根据本公开的一技术方案，提供如下载置台：该载置台载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，该载置台包括：第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；第2冷却板，其设于所述透过构件之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述透过构件之间。
发明的效果
根据一技术方案，能够抑制载置被检查体的载置台因载荷而产生的移位。
附图说明
图1是表示检查装置1的结构例的图。
图2是图1的检查装置1的俯视图。
图3是表示图1的检查装置1的晶圆输送机构的结构例的图。
图4是表示第1实施方式的载置台100的结构的一例的剖视图。
图5是表示在玻璃板150产生裂纹155的状态的一例的图。
图6是表示第1实施方式的第1变形例的载置台100M1的结构的一例的剖视图。
图7是表示第1实施方式的第2变形例的载置台100M2的结构的一例的剖视图。
图8是将图7的局部放大并例示性地表示的图。
图9是表示在第1实施方式的第2变形例的载置台100M2中分别在玻璃板150和顶板160产生裂纹155A和裂纹165A的状态的一例的图。
图10是表示第1实施方式的第3变形例的载置台100M3的结构的一例的剖视图。
图11是表示第1实施方式的第4变形例的载置台100M4的结构的一例的剖视图。
图12是表示第2实施方式的载置台200的结构的一例的剖视图。
图13是表示第2实施方式的变形例的载置台200M的结构的一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。另外，在本说明书和附图中，有时对实质上相同的结构标注相同的附图标记而省略重复的说明。在以下，使用图中的上下方向或上下关系进行说明，但并不是表示普遍的上下方向或上下关系。
＜第1实施方式＞
参照图1～图3，对检查装置1进行说明。图1是表示检查装置1的结构例的图。图2是图1的检查装置1的俯视图。图3是表示图1的检查装置1的晶圆输送机构的结构例的图。
检查装置1具有加载部10、检查部20以及装置控制器30。检查装置1在装置控制器30的控制下，从加载部10向检查部20输送作为被检查体的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”)，并对形成于晶圆W的电子器件施加电信号而检查各种电特性。在这样的检查中，形成于晶圆W的电子器件是被检查器件(DUT：Device Under Test)。
加载部10具有加载端口11、对准器12以及晶圆输送机构13。
加载端口11载置收纳有晶圆W的盒C。盒C例如是FOUP(Front Opening UnifiedPod：前开式晶圆传送盒)。
对准器12以形成于晶圆W的定向平面(orientation flat)、凹口等缺口为基准进行晶圆W的位置对准。
晶圆输送机构13在载置于加载端口11的盒C、对准器12以及设于后述的检查部20的载置台100之间输送晶圆W。晶圆输送机构13具有臂单元131、旋转驱动机构132以及上下驱动机构133。
臂单元131设为上下两层，具有能够独立地在水平方向上移动的臂131a、131b。各臂131a、131b用于保持晶圆W。
旋转驱动机构132设于臂单元131的下部，用于驱动臂单元131使其旋转。旋转驱动机构132例如包括步进马达。
上下驱动机构133设于旋转驱动机构132的下部，用于驱动臂单元131和旋转驱动机构132使其上下。上下驱动机构133例如包括步进马达。另外，晶圆输送机构13不限定于图3所示的形态，也可以是例如具有多关节臂、上下驱动机构等的形态。
在加载部10，首先，晶圆输送机构13将收纳在盒C的晶圆W向对准器12输送。接着，对准器12进行晶圆W的位置对准。接着，晶圆输送机构13将进行了位置对准的晶圆W从对准器12向设于检查部20的载置台100输送。
检查部20与加载部10相邻地配置。检查部20具有载置台100、升降机构22、XY工作台23、探针卡24、对准机构25、泵26、温度传感器27以及温度控制器28。
载置台100在上表面载置晶圆W。载置台100例如包括真空卡盘、静电卡盘。载置台100具有制冷剂流路，从泵26向制冷剂流路供给水、加尔登(Galden，注册商标)等制冷剂。由此，载置台100被冷却。
升降机构22设于载置台100的下部，用于使载置台100相对于XY工作台23升降。升降机构22例如包括步进马达。
XY工作台23设于升降机构22的下部，用于使载置台100和升降机构22在2轴方向(图中的X方向和Y方向)上移动。XY工作台23固定于检查部20的底部。XY工作台23例如包括步进马达。
探针卡24配置于载置台100的上方。在探针卡24的靠载置台100的一侧形成有多个探针24a。探针卡24以能够装卸的方式安装于头板24b。探针卡24借助测试头T与测试器(未图示)连接。
对准机构25具有摄像机25a、导轨25b、对准桥25c以及光源25d。摄像机25a朝下地安装在对准桥25c的中央，对载置台100、晶圆W等进行摄像。摄像机25a例如是CCD摄像机或CMOS摄像机。导轨25b将对准桥25c支承为能够在水平方向(图中的Y方向)上移动。对准桥25c被左右一对导轨25b支承，沿着导轨25b在水平方向(图中的Y方向)上移动。由此，摄像机25a借助对准桥25c在待机位置和探针卡24的中心的正下方(以下称为“探针中央”)之间移动。在对准时，位于探针中央的摄像机25a当载置台100在XY方向上移动的期间从上方对载置台100上的晶圆W的电极焊盘进行摄像，并进行图像处理，在显示装置40显示摄像图像。光源25d设于对准桥25c的下部，用于对载置台100照射光。光源25d例如是排列有许多发光二极管(LED：Light Emitting Diode)而成的LED光源，在利用摄像机25a进行晶圆W的摄影时照射光。光源25d作为摄影时的照明来使用。
在完成晶圆W的XY方向上的对准时，对准机构25使摄像机25a向待机位置移动。在摄像机25a处于待机位置时，摄像机25a不存在于探针卡24的正下方，而在Y方向上错开。在该状态下，若升降机构22使载置台100相对于XY工作台23上升，则多个探针24a与载置台100上的晶圆W的电极焊盘接触，成为能够进行晶圆W的电子器件的电特性的检查的状态。探针24a是接触端子的一例。
泵26例如是加压输送制冷剂的机械式的泵。使从泵26输出的制冷剂在泵26与载置台100内的制冷剂流路之间循环。制冷剂例如是无色且光能够透过的液体即水、加尔登(Galden，注册商标)。
温度传感器27用于检测载置台100的温度。温度传感器27例如是埋设于载置台100内的热电偶。
温度控制器28设于载置台100的下方。温度控制器28例如是计算机。温度控制器28执行具有以下步骤的温度控制方法：利用温度传感器27检测载置台100的温度的步骤；以及基于温度传感器27检测出的载置台100的温度，进行载置台100的LED模块的点亮控制和泵26的驱动控制的步骤。
在进行晶圆W的电子器件的电特性的检查时，为了使探针24a和晶圆W的电极焊盘之间的电接触可靠，成为利用升降机构22将晶圆W向上侧按压的状态。即，成为以对晶圆W的电极焊盘施加载荷的方式按压探针24a的状态。此时，有时对每一个探针24a施加大约1g～大约5g的载荷。
例如，在对晶圆W所包含的30mm见方(俯视时为纵30mm×横30mm)的一个电子器件进行检查时，若对每一个探针24a施加大约1g～大约5g的载荷，则当探针24a和电极焊盘的数量较多时，有时对晶圆W施加大约100kg～数百kg以上的载荷。
因此，载置台100需要能够承受上述这样的载荷的强度，要求具有以下这样的结构：即使变形也控制在不会对电特性的检查产生妨碍的范围(因变形导致的移位量的容许范围)内。
此外，在进行电特性的检查时，有时一个电子器件(DUT)的发热量在大约100W～数百W以上。因此，载置台100要求具有用于将电子器件的温度调节为相对于检查时的设定温度而言的规定的温度范围内(例如±3℃以内)的冷却(吸热)构造和加热构造。为了将发热量大的电子器件保持在相对于设定温度而言的规定的温度范围内，需要高速地进行吸热和加热。
以下，对应对这些要求的载置台100的详细内容进行说明。
图4是表示第1实施方式的载置台100的结构的一例的剖视图。载置台100包括底板110、控制基板115、中间板120、LED模块130、透明树脂层140、玻璃板150、顶板160、管171、连接部172、管173以及O形密封圈174。
以下，使用图中的上下方向进行说明。此外，俯视是指从上方向下方平面地观察。
底板110是形成为载置台100的底座(基台)的俯视时呈圆形的构件，作为一例为氧化铝(Al2O3)等陶瓷制。底板110具有：圆盘状的基部111；外周壁部112，其沿外周向上方突出；以及保持部113，其自基部111的上表面突出。
外周壁部112的上端固定于中间板120的下表面，保持部113保持控制基板115和中间板120。在中间板120固定于底板110之上的状态下，由基部111、外周壁部112以及中间板120包围起来的空间被封闭。在该空间配置有控制基板115。
控制基板115是安装进行LED模块130的点亮控制等的微型计算机等(省略图示)的布线基板。控制基板115借助未图示的布线等与温度控制器28(参照图1)连接。
中间板120是配置于底板110之上的俯视时呈圆形的构件，作为一例为铜(Cu)制。作为一例，中间板120通过螺纹紧固等固定于底板110之上。中间板120是第1冷却板的一例。
中间板120具有圆盘状的基部121、沿着外周向上侧突出的外周壁部122以及制冷剂流路123。制冷剂流路123是第1制冷剂流路的一例。此外，在中间板120设有供连接控制基板115和LED模块130的布线穿过的贯通孔(未图示)。该贯通孔以使中间板120的上表面和下表面相连的方式贯通。
在基部121的上表面安装有多个LED模块130。此外，外周壁部122的上端被粘接剂等固定于玻璃板150。
基部121之上的空间是LED模块130的安装部。外周壁部122相对于基部121的高度比LED模块130的高度高，因此，安装于基部121的LED模块130和玻璃板150在高度方向上分开。在LED模块130和玻璃板150之间的空间填充有透明树脂层140。
制冷剂流路123在图4中仅示出局部，但为了冷却LED模块130，实际上在基部121的内部，设为在俯视时遍及基部121的大致整体。经由管171如箭头所示那样向制冷剂流路123供给制冷剂180A。作为制冷剂180A，例如，可以使用水、加尔登(Galden，注册商标)，可以利用泵26(参照图1)向制冷剂流路供给。
各LED模块130具有多个LED130A和安装于各LED130A的透镜135。LED模块130是加热源的一例，LED130A是发光元件的一例。作为LED130A，可以使用输出近红外线光的构件。在各LED130A的光输出部安装有透镜135。透镜135是为了调节从LED130A输出来的光的指向性并抑制光的色散、缩小照射范围而设置的。
LED模块130是为了对载置于顶板160之上的晶圆W进行加热来调节晶圆W的温度而设置的。从LED模块130的各LED130A输出来的光(近红外线光)透过透明树脂层140和玻璃板150并被顶板160吸收，而加热顶板160。其结果，能够对载置于顶板160的载置面160A的晶圆W进行加热。
透镜135作为一例为玻璃制或树脂制。透镜135的折射率设定为与透明树脂层140的折射率同等，提高从透镜135向透明树脂层140的光提取效率。
透明树脂层140填充在由中间板120的基部121、LED模块130、外周壁部122以及玻璃板150包围起来的空间内，用于密封所有的LED模块130和玻璃板150之间的空间。因此，透明树脂层140俯视时呈圆形，是圆盘状的透明树脂构件。透明树脂层140是透明树脂的一例。
载置台100要求具有能够承受电特性的检查时的载荷的强度。因此，利用透明树脂层140密封LED模块130和玻璃板150之间的空间，保持玻璃板150的整体，从而加强玻璃板150和顶板160。由此实现以下结构：即使在电特性的检查时被施加载荷，玻璃板150和顶板160也难以移位。玻璃板150和顶板160因载荷而产生的移位是载置台100因载荷而产生的移位。
透明树脂层140是为了在晶圆W的电子器件的电特性的检查时抑制在以对晶圆W的电极焊盘施加载荷的方式按压探针24a时的载置台100的移位、特别是玻璃板150和顶板160的移位而设置的。
而且，根据这样的结构，实现具有能够承受晶圆W的电子器件的电特性的检查时的载荷的强度的载置台100。这是为了，利用透明树脂层140加强玻璃板150和顶板160，从而抑制移位，能够稳定地执行电特性的检查。
此外，透明树脂层140由透明的树脂材料制作，以便将从LED模块130输出来的光高效地向玻璃板150引导。这是为了利用LED模块130的发光高效地加热顶板160。作为透明树脂层140的树脂材料例如可以使用硅系或环氧系的透明树脂。
作为透明树脂层140的透明的树脂材料，优选的是LED130A的发光的波长的透过率较高的材料。通过提高透明树脂层140的光的透过率，而能够进一步减少透明树脂层140的光的衰减，能够更高效地将光向玻璃板150引导。
此外，优选的是，透明树脂层140的树脂材料是在固化的状态下硬度较高的材料。这是因为，能够得到更易于抑制玻璃板150和顶板160因载荷而产生的移位的结构。
在将LED模块130安装在中间板120的基部121的状态下，将透明树脂层140的树脂材料填充在由基部121和LED模块130、外周壁部122以及玻璃板150包围起来的空间内。而且，在树脂材料固化前，如果将玻璃板150固定于外周壁部122的上端，则能够得到与玻璃板150的下表面密合的透明树脂层140。
玻璃板150是透过构件的一例，设于中间板120的外周壁部122和透明树脂层140之上，被粘接剂等固定于外周壁部122的上端。玻璃板150具有圆盘状的基部151和俯视时自基部151突出的突出部152。在玻璃板150之上配置有顶板160。玻璃板150和顶板160粘接。
当顶板160配置在玻璃板150之上时，基部151从下覆盖设于顶板160的下表面侧的槽161A，突出部152从下覆盖设于顶板160的下表面侧的槽162A。由此，槽161A和槽162A成为制冷剂流路。
连接部172隔着橡胶制的O形密封圈174通过螺纹紧固等固定于突出部152的下表面。突出部152具有与连接部172内的制冷剂流路172A连通的贯通孔152A。贯通孔152A与顶板160的槽162A连通。
玻璃板150是透明的，以便将从LED模块130输出来的光高效地向顶板160引导。此外，作为玻璃板150，可以使用耐热玻璃，作为一例能够使用TEMPAX Float(注册商标)，以便能够承受晶圆W的发热、LED模块130的近红外线光的热。
对于第1实施方式的载置台100，在电特性的检查时，填充在中间板120的基部121以及LED模块130与玻璃板150之间的透明树脂层140在施加了载荷之际支承玻璃板150和顶板160，从而抑制玻璃板150和顶板160的移位。因此，与不存在透明树脂层140的情况相比较能够使玻璃板150较薄。
通过使玻璃板150较薄，而能够使玻璃板150的光的透过率提高数％程度，能够更高效地将光向顶板160引导。此外，通过使玻璃板150较薄，由于减少了从LED模块130输出来的光的扩散，因此，能够更高效地将光向顶板160的期望的部分引导，能够更高效地加热作为检查对象的电子器件。
另外，在第1实施方式中，对作为透过构件的一例而使用玻璃板150的形态进行了说明，但也可以使用透明的树脂板来代替玻璃板150。作为透明的树脂板，例如，能够使用丙烯酸制或聚碳酸酯制的树脂板。
顶板160俯视时呈与玻璃板150相同的形状，具有载置面160A、圆盘状的基部161以及俯视时自基部161突出的突出部162。顶板160是第2冷却板的一例。作为顶板160，作为一例能够使用碳化硅(SiC)板。顶板160包括未图示的真空卡盘或静电卡盘。
顶板160在基部161的下表面侧具有槽161A，在突出部162的下表面侧具有槽162A。槽161A和槽162A形成为从基部161和突出部162的下表面向上侧凹陷。槽161A和槽162A被玻璃板150从下表面侧覆盖，从而成为制冷剂流路。槽161A和槽162A是第2制冷剂流路的一例。
槽161A俯视时以规定的图案(例如旋涡状的图案)形成在基部161的整体，在图4示出截面的多个槽161A全部彼此连通，并且与设于突出部162的槽162A连通。
因此，如箭头所示，制冷剂180B从管173经由连接部172的制冷剂流路172A、玻璃板150的贯通孔152A流入槽162A，并从槽162A流入槽161A，经由与槽162A同样的排出用的槽(未图示)向载置台100的外部排出。
作为制冷剂180B，例如使用无色且光能够透过的液体即水、加尔登(Galden，注册商标)，利用设于检查装置1(参照图1～图3)的外部的泵(未图示)向制冷剂流路供给。
由于由槽161A和槽162A实现的制冷剂流路的下表面为玻璃板150，因此，制冷剂180B穿过从LED模块130输出来的光的光路。因此，作为制冷剂180A优选的是透明的制冷剂。这是为了，减少因制冷剂180A而产生的光的衰减，即使从LED模块130输出来的光较少也使其大部分光到达顶板160，提高加热效率。
对于包括这样的载置台100的检查装置1，例如，在选择在晶圆W形成的多个电子器件中的一个电子器件作为检查对象来进行电特性的检查的情况下，可以如下这样进行。在利用真空卡盘使晶圆W吸附于载置面160A的状态下，利用升降机构22使晶圆W向上侧移动，成为以对晶圆W的电极焊盘施加载荷的方式按压探针24a的状态。然后，从位于作为检查对象的电子器件的正下方的LED模块130将光朝向正上方输出，并且使制冷剂180B向由槽161A和槽162A构成的制冷剂流路流动。此外，此时使制冷剂180A向制冷剂流路123流动，以便冷却LED模块130。
为了使检查对象的电子器件的温度成为检查时的设定温度，利用从LED模块130输出来的光加热顶板160中的位于成为检查对象的电子器件之下的部分，其结果，加热成为检查对象的电子器件。此外，由于电流向电子器件流动而电子器件自身发热，因此，在电子器件的温度成为比设定温度高的情况下，熄灭LED模块130并且供给制冷剂180B来进行吸热，而使电子器件的温度降低。
此外，在电子器件的温度比设定温度低的情况下，可以点亮LED模块130，并且停止制冷剂180B的供给而进行加热，使电子器件的温度上升。通过高速地进行这样的LED模块130的点亮和熄灭的控制以及制冷剂180B的供给量的控制，而将检查对象的电子器件的温度调节为相对于检查时的设定温度而言的规定的温度范围内(例如±3℃以内)。
在此，对载荷分析的模拟结果和实测结果进行说明。向配置于顶板160之上的晶圆W的中央部的30mm见方(俯视时为纵30mm×横30mm)的电子器件的电极焊盘按压探针24a，从而施加300kg的载荷。
其结果，在关于载置台100的模拟结果中，中央部相对于顶板160的端部(外周部)向下方移位26μm。在关于载置台100的实测中，中央部相对于顶板160的端部(外周部)向下方移位32μm，为与模拟结果相近的值。认为玻璃板150也产生与顶板160同样的移位。
此外，在关于比较用的不包括透明树脂层140的载置台的模拟结果中，中央部相对于顶板160的端部(外周部)向下方移位61.5μm。在关于比较用的载置台的实测中，中央部相对于顶板160的端部(外周部)向下方移位83.5μm，为与模拟结果相近的值。认为玻璃板150也产生与顶板160同样的移位。
如此，可知：通过设置透明树脂层140，而能够大幅度地抑制玻璃板150和顶板160的移位(抑制为1/2以下)。
如上所述，根据第1实施方式，利用透明树脂层140密封LED模块130和玻璃板150之间的空间，从而从下侧支承并加强玻璃板150和顶板160。而且，根据这样的结构，实现具有能够承受电特性的检查时的载荷的强度的载置台100。
因而，能够提供能够抑制因载荷而产生的移位的载置台100。此外，利用透明树脂层140加强玻璃板150和顶板160来抑制移位，从而能够稳定地执行电特性的检查，因此，能够进行高生产率的检查。
另外，以上，对将形成有多个电子器件的晶圆W载置于顶板160的形态进行了说明，但也可以将通过切割而单片化而成的多个电子器件以配置在规定的基板上的状态载置于顶板160。
此外，以上，对底板110的基部111、中间板120的基部121、玻璃板150的基部151以及顶板160的基部161为圆盘状的形态进行了说明。然而，基部111、121、151、161也可以是俯视时呈矩形状的板状构件。在该情况下，也可以是，中间板120的外周壁部122成为俯视时呈矩形状的壁部，透明树脂层140俯视时呈矩形状。
此外，以上，对通过顶板160在基部161和突出部162的下表面侧分别具有槽161A和槽162A且利用玻璃板150从下表面侧覆盖从而得到制冷剂流路的结构进行了说明。然而，顶板160也可以具有设于顶板160的内部的制冷剂流路来代替槽161A和槽162A。这样的制冷剂流路在顶板160的上下方向(厚度方向)上位于下表面和载置面160A之间。
图5是表示在玻璃板150产生裂纹155的状态的一例的图。例如，重复进行晶圆W的电子器件的电特性的检查，以对晶圆W的电极焊盘施加载荷的方式多次按压探针24a(参照图1)，从而在玻璃板150产生裂纹155。裂纹155设为与由顶板160的槽161A构成的制冷剂流路连通。
即使万一发生这样的状况，玻璃板150的下表面与透明树脂层140密合，裂纹155的下端被透明树脂层140堵塞，因此，能够抑制向由槽161A构成的制冷剂流路流动的制冷剂180B经由裂纹155从制冷剂流路流出来。其结果，能够抑制LED模块130的浸水。
此外，中间板120具有供连接控制基板115和LED模块130的布线穿过的贯通孔，但即使产生裂纹155也能够抑制向比透明树脂层140的上表面靠下侧的位置的浸水，因此，也能够抑制控制基板115的浸水。
图6是表示第1实施方式的第1变形例的载置台100M1的结构的一例的剖视图。载置台100M1是将第1实施方式的载置台100(参照图4)的LED模块130置换为LED模块130M1的结构。
LED模块130M1具有LED130A，但没有透镜135(参照图4)。因此，在载置台100M1，LED130A被透明树脂层140直接覆盖，LED130A所输出的光向透明树脂层140直接入射。
在第1实施方式的第1变形例中，作为LED130A，可以使用光的色散较少且指向性良好(直进性较高)的构件。此外，为了提高来自LED130A的光提取效率，作为透明树脂层140的树脂材料，可以使用折射率更高的材料。这是因为，通过使用具有与LED130A的发光部的折射率更接近的折射率的树脂材料，从而能够提高来自LED130A的光提取效率。
根据第1实施方式的第1变形例，能够抑制因载荷而产生的移位，并且能够提供削减了透镜135(参照图4)的安装成本的载置台100M1。透镜135的安装成本是指透镜135的购买费、将透镜135安装于LED130A的作业费。
图7是表示第1实施方式的第2变形例的载置台100M2的结构的一例的剖视图。载置台100M2在第1实施方式的载置台100(参照图4)的玻璃板150和顶板160的侧面安装有反射膜190。更具体地说，反射膜190设于玻璃板150的基部151和顶板160的基部161的外周面、突出部152和突出部162的侧面。
反射膜190是反射部的一例。反射膜190作为一例是将硅系的白色的涂布剂涂布在玻璃板150的基部151和顶板160的基部161的外周面、突出部152和突出部162的侧面而成的。玻璃板150的基部151和顶板160的基部161的外周面、突出部152和突出部162的侧面是玻璃板150和顶板160的侧部的一例。此外，优选的是，反射膜190具有耐水性。
反射膜190是为了以下目的而设置的：通过在玻璃板150的侧面将透过玻璃板150的内部的光的散射光、反射光向内部反射，从而增加向顶板160引导的光量而提高顶板160的加热效率，并且抑制光向玻璃板150的外部泄漏。
因此，不限于硅系的白色的涂布剂，也可以是带、框状的构件，颜色也不限于白色，只要是银色、其他的反射光的颜色，则也可以是任何颜色，也可以实施镀铬。
图8是将图7的局部放大并例示性地表示的图。在图8中，示出粘接玻璃板150和顶板160的粘接层165。作为用于形成粘接层165的粘接剂，作为一例可以使用环氧系的粘接剂。
由于玻璃板150和顶板160的线膨胀系数不同，因此，在加热时，有时如箭头所示那样施加有剪切应力。如果玻璃板150和顶板160之间的粘接层165因这样的剪切应力而万一剥离，则即使制冷剂180B不会从由槽161A构成的制冷剂流路泄露，也有可能光从自玻璃板150或顶板160剥离的粘接层165的界面向载置台100M2的外部泄漏。
在这样的情况下，由于反射膜190将光向玻璃板150的内部反射，因此也能够抑制光的泄漏，能够增加向顶板160引导的光量而提高加热效率。
另外，在第1实施方式的第2变形例中，对在玻璃板150和顶板160的侧面的整体设置反射膜190的形态进行了说明。然而，反射膜190也可以不覆盖顶板160的侧面的高度方向的整体，可以至少覆盖粘接层165和顶板160的界面。这是因为考虑到从LED模块130输出的光几乎不会透过顶板160。
此外，在几乎没有粘接层165的剥离风险的情况下，反射膜190也可以仅设于玻璃板150的侧面。这是因为，在这样的情况下，只要抑制光自玻璃板150的侧面泄漏就足够了。
图9是表示在第1实施方式的第2变形例的载置台100M2分别在玻璃板150和顶板160产生裂纹155A和裂纹165A的状态的一例的图。裂纹155A和裂纹165A在载置台100M2的内侧与由顶板160的槽161A构成的制冷剂流路连通，在外侧到达玻璃板150和顶板160的侧面。
即使万一发生这样的状况，产生了裂纹155A和裂纹165A的玻璃板150和顶板160的侧面被具有耐水性的反射膜190堵塞，因此，也能够抑制向由槽161A构成的制冷剂流路流动的制冷剂180B经由裂纹155A、裂纹165A从制冷剂流路流出。
耐水性是指即使经由裂纹155A、裂纹165A与作为制冷剂180B的水、加尔登接触，也不会吸收水、加尔登，不会变形。从这样的观点来看，作为反射膜190可以使用耐水性较高的反射膜。
如以上所述，根据第1实施方式的第2变形例，能够提供这样的载置台100M2：除了能够抑制因载荷而产生的移位以外，通过安装反射膜190，还增加向顶板160引导的光量而提高加热效率，并且能够抑制光向玻璃板150的外部泄漏。
例如，在载置台100M2的周围有人的情况等，能够抑制光向玻璃板150的外部泄漏这点是非常有效的。
此外，根据第1实施方式的第2变形例，还能够提供这样的载置台100M2：即使在玻璃板150和顶板160产生裂纹155A和裂纹165A，也能够利用具有耐水性的反射膜190抑制制冷剂180B的流出。
图10是第1实施方式的第3变形例的载置台100M3的结构的一例的剖视图。载置台100M3是将第1实施方式的第2变形例的载置台100M2(参照图7)的反射膜190置换为反射构件190M的结构。
反射构件190M是反射部的一例，具有反射板191和支承杆192。反射板191沿着玻璃板150和顶板160的侧面以与侧面分开的方式设置。与玻璃板150和顶板160的侧面分开的位置是玻璃板150和顶板160的侧部的一例。
反射板191例如是具有俯视时与玻璃板150以及顶板160同样的形状的枠状的构件，例如是金属制或树脂制。例如，在金属制的情况下，可以将朝向玻璃板150和顶板160的金属面作为反射板使用。此外，在树脂制的情况下，可以在朝向玻璃板150和顶板160的面施加硅系的白色的涂布剂等。
在玻璃板150和顶板160的侧面设有多个支承杆192，支承杆192的一端(俯视时位于载置台100M3的内侧的端部)通过例如螺纹紧固等固定在中间板120的外周壁部122的外周面和连接部172的外表面。支承杆192是金属制或树脂制的棒状的构件，另一端(俯视时位于载置台100M3的外侧的端部)通过例如螺纹紧固等固定在反射板191。
这样的反射构件190M发挥与反射膜190(参照图7)同样的功能，因此，根据第1实施方式的第3变形例，能够提供起到如下效果的载置台100M3。即，能够提供这样的载置台100M3：除了能够抑制因载荷而产生的移位以外，通过安装反射构件190M，还增加向顶板160引导的光量而提高加热效率，并且能够抑制光向玻璃板150的外部泄漏。
图11是表示第1实施方式的第4变形例的载置台100M4的结构的一例的剖视图。载置台100M4在第1实施方式的载置台100(参照图4)的顶板160的下表面施加黑色涂层195。
黑色涂层195是吸热膜的一例，施加在顶板160的基部161的槽161A内和与玻璃板150相接的部分。黑色涂层195是为了在顶板160的下表面更高效地吸收从LED模块130输出并透过透明树脂层140和玻璃板150的光，更高效地加热顶板160而设置的。在施加了这样的黑色涂层195时，能够更高效地加热晶圆W的电子器件。
作为黑色涂层195，可以施加包含具有耐水性和耐热性的黑色的陶瓷粉末的水性涂料、氟树脂涂层等。可以将施加了黑色涂层195的顶板160粘接在玻璃板150之上。
如以上所述，根据第1实施方式的第4变形例，能够提供这样的载置台100M4：除了能够抑制因载荷而产生的移位以外，通过在顶板160的下表面施加黑色涂层195，还能够在顶板160更高效地吸收光而提高加热效率。
另外，在第1实施方式的第4变形例中，对将作为吸热膜的一例的黑色涂层195施加在顶板160的下表面的形态进行了说明，但只要是能够增加顶板160的吸热量的膜，就不限于黑色涂层195。颜色也可以是除了黑色以外(例如深灰色等)的颜色，吸热膜的材料也可以是除了上述材料以外的材料。
＜第2实施方式＞
图12是表示第2实施方式的载置台200的结构的一例的剖视图。载置台200包括底板110、控制基板115、中间板120、LED模块130、透明树脂层240、顶板260、管171、管173以及反射膜290。载置台200在不包括玻璃板150(参照图4)并包括反射膜290这一点与第1实施方式的载置台100不同。以下，使用图中的上下方向进行说明。此外，俯视是指从上方向下方平面地观察。
透明树脂层240具有将第1实施方式的载置台100的透明树脂层140(参照图4)向上方向扩大了的结构，扩大至玻璃板150所存在的部分。透明树脂层240中的与透明树脂层140相比向上方向扩大了的部分的外周部分240A位于中间板120的外周壁部122之上。透明树脂层240从下侧支承并加强顶板260。
对于这样的透明树脂层240，例如，在中间板120的外周壁部122的外周面设置了模具等的状态下，将透明树脂层240的树脂材料向中间板120和模具的内部填充，在树脂材料固化前，只要利用模具固定顶板260，就能够得到与顶板260的下表面密合的透明树脂层240。
顶板260配置在透明树脂层240的上表面，具有载置晶圆W的载置面260A、圆盘状的基部261以及俯视时自基部261突出的突出部262。顶板260是第2冷却板的一例。作为顶板260，作为一例能够使用碳化硅(SiC)板。在顶板260包括未图示的真空卡盘或静电卡盘。
顶板260在基部261的内部具有制冷剂流路261A，在突出部262的内部具有制冷剂流路262A。制冷剂流路261A和制冷剂流路262A是第2制冷剂流路的一例。
制冷剂流路261A俯视时以规定的图案(例如旋涡状的图案)形成在基部261的整体，在图12示出截面的多个制冷剂流路261A全部彼此连通，并且与设于突出部262的制冷剂流路262A连通。
因此，如箭头所示，从管173向制冷剂流路262A流入的制冷剂180B流入制冷剂流路261A，并经由与制冷剂流路262A同样的排出用的槽(未图示)向载置台100的外部排出。
反射膜290设于透明树脂层240的外周部分240A的外周面、顶板260的基部261的外周面以及顶板260的突出部262的侧面和下表面。与第1实施方式的第2变形例的反射膜190同样地，反射膜290是施加硅系的白色的涂布剂等而成的。另外，反射膜290也可以不设于顶板260的突出部262的侧面和下表面。
如以上所述，根据第2实施方式，通过利用透明树脂层240密封LED模块130和顶板260之间的空间，而从下侧支承并加强顶板260。根据这样的结构，即使顶板260被从上侧施加载荷也难以移位，实现具有能够承受电特性的检查时的载荷的强度的载置台200。
因而，能够提供能够抑制因载荷而产生的移位的载置台200。
另外，在第2实施方式中，对顶板260具有制冷剂流路261A和制冷剂流路261A的形态进行了说明，但也可以是以下结构：如第1实施方式的槽161A和槽162A(参照图4)那样，具有从下表面侧形成的槽，通过从下表面侧利用透明树脂层240覆盖而得到制冷剂流路。
此外，第2实施方式的载置台200也可以是不具有透镜135的结构，也可以是包括反射构件190M(参照图10)来代替反射膜290的结构，也可以是在顶板260的下表面施加黑色涂层195(参照图11)的结构。
图13是表示第2实施方式的变形例的载置台200M的结构的一例的剖视图。载置台200M包括底板110、控制基板115、中间板220、LED模块130、透明树脂层240M、顶板260、管171以及管173。载置台200M具有将第2实施方式的载置台200的中间板120和透明树脂层240置换为中间板220和透明树脂层240M并且去掉了反射膜290的结构。
中间板220具有基部221、外周壁部222以及制冷剂流路223。中间板220具有将第1实施方式的载置台100的中间板120(参照图4)的外周壁部222增高了玻璃板150(参照图4)的量的结构。基部221和制冷剂流路223的结构与第1实施方式的载置台100的中间板120(参照图4)的基部121和制冷剂流路123同样。
中间板220的外周壁部222的上端在透明树脂层240M填充于由基部221和外周壁部222包围起来的空间的状态下与顶板260的下表面粘接。
透明树脂层240M向由中间板220的基部221和外周壁部222、顶板260包围起来的空间内填充，覆盖LED模块130。透明树脂层240M从下侧支承并加强顶板260。
如以上所述，根据第2实施方式的变形例，通过利用透明树脂层240M密封LED模块130和顶板260之间的空间，而从下侧支承并加强顶板260。根据这样的结构，即使顶板260被从上侧施加载荷也难以移位，实现具有能够承受电特性的检查时的载荷的强度的载置台200M。
因而，能够提供能够抑制因载荷而产生的移位的载置台200M。
另外，第2实施方式的变形例的载置台200M也可以是不具有透镜135的结构，也可以是包括反射膜190(参照图7)或反射构件190M(参照图10)的结构，也可以是在顶板260的下表面施加黑色涂层195(参照图11)的结构。
以上，对本公开的载置台和检查装置的实施方式进行了说明，但本公开不限于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范畴内，能够进行各种的变更、修改、置换、追加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的保护范围。

Claims (10)

1.一种载置台，其载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，
该载置台包括：
第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；
加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；
透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；
第2冷却板，其设于所述透过构件之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及
透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述透过构件之间。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
该载置台还包括反射部，该反射部设于所述透过构件的侧部，用于向所述透过构件的内部反射所述加热源所输出的光。
3.一种载置台，其载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，
该载置台包括：
第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；
加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；
第2冷却板，其设于所述第1冷却板之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及
透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述第2冷却板之间，使所述加热源所输出的光透过。
4.根据权利要求3所述的载置台，其中，
该载置台还包括反射部，该反射部设于所述透明树脂层的侧部，用于向所述透明树脂层的内部反射所述加热源所输出的光。
5.根据权利要求4所述的载置台，其中，
所述反射部延伸至所述第2冷却板的侧部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的载置台，其中，
所述第2制冷剂流路形成在所述第2冷却板的下表面或内部。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的载置台，其中，
该载置台还包括吸热膜，该吸热膜设于所述第2冷却板的下表面。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的载置台，其中，
所述发光元件具有安装于发光部的透镜。
9.一种检查装置，其以对被检查体施加载荷的方式按压探针卡的接触端子，对所述被检查体的电子器件进行检查，其中，
该检查装置包括载置所述被检查体的载置台，
所述载置台具有：
第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；
加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；
透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；
第2冷却板，其设于所述透过构件之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及
透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述透过构件之间。
10.一种检查装置，其以对被检查体施加载荷的方式按压探针卡的接触端子，对所述被检查体的电子器件进行检查，其中，
该检查装置包括载置所述被检查体的载置台，
所述载置台具有：
第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；
加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；
第2冷却板，其设于所述第1冷却板之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及
透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述第2冷却板之间，使所述加热源所输出的光透过。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11231452B2 (en) * 2020-02-04 2022-01-25 Lumentum Operations Llc Testing apparatus for optical devices
US11650246B1 (en) * 2022-02-02 2023-05-16 Western Digital Technologies, Inc. Localized onboard socket heating elements for burn-in test boards

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002257490A (ja) * 2001-03-02 2002-09-11 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートプレートおよびその製造方法
JP2003021668A (ja) * 1999-11-18 2003-01-24 Ibiden Co Ltd 検査装置およびプローブカード
JP2010181177A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Seiko Epson Corp 半導体装置の検査用プローブおよびその製造方法、検査装置
JP2015082587A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 独立行政法人産業技術総合研究所 透明プローブ基板を用いた基板検査装置
CN105580129A (zh) * 2014-09-04 2016-05-11 日本碍子株式会社 晶片保持台及其制法
US20160379854A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Vacuum Compatible LED Substrate Heater
US20160379853A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic Chuck With LED Heating
CN107526018A (zh) * 2016-06-21 2017-12-29 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法
CN108091535A (zh) * 2016-11-21 2018-05-29 东京毅力科创株式会社 载置台和等离子体处理装置
WO2018100881A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電子デバイス検査装置
CN109643685A (zh) * 2016-08-26 2019-04-16 日本碍子株式会社 晶片载置台
CN109863414A (zh) * 2016-09-28 2019-06-07 东京毅力科创株式会社 基板检查装置和基板检查方法
JP2019153717A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 東京エレクトロン株式会社 検査装置
CN111433900A (zh) * 2017-12-13 2020-07-17 东京毅力科创株式会社 检查装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3742174A (en) * 1971-12-29 1973-06-26 Gen Electric Induction cooking appliance including cooking vessel having means for transmission of temperature data by light pulses
US5715051A (en) * 1996-10-21 1998-02-03 Medar, Inc. Method and system for detecting defects in optically transmissive coatings formed on optical media substrates
JP4145293B2 (ja) * 2004-12-28 2008-09-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
JP2007043042A (ja) 2005-07-07 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置
JP4950688B2 (ja) 2006-03-13 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 載置装置
JP5138253B2 (ja) 2006-09-05 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 アニール装置
KR101149759B1 (ko) * 2011-03-14 2012-06-01 리노공업주식회사 반도체 디바이스의 검사장치
JP2015056624A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置
US11221358B2 (en) * 2017-03-21 2022-01-11 Tokyo Electron Limited Placement stand and electronic device inspecting apparatus
JP7353150B2 (ja) * 2019-11-27 2023-09-29 東京エレクトロン株式会社 載置台、及び、検査装置

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021668A (ja) * 1999-11-18 2003-01-24 Ibiden Co Ltd 検査装置およびプローブカード
JP2002257490A (ja) * 2001-03-02 2002-09-11 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートプレートおよびその製造方法
JP2010181177A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Seiko Epson Corp 半導体装置の検査用プローブおよびその製造方法、検査装置
JP2015082587A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 独立行政法人産業技術総合研究所 透明プローブ基板を用いた基板検査装置
CN105580129A (zh) * 2014-09-04 2016-05-11 日本碍子株式会社 晶片保持台及其制法
CN107710395A (zh) * 2015-06-29 2018-02-16 瓦里安半导体设备公司 真空兼容的发光二极管基板加热器
US20160379853A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic Chuck With LED Heating
US20160379854A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Vacuum Compatible LED Substrate Heater
CN107810547A (zh) * 2015-06-29 2018-03-16 瓦里安半导体设备公司 利用led加热的静电夹具
CN107526018A (zh) * 2016-06-21 2017-12-29 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 探针卡、使用该探针卡的检查装置及检查方法
CN109643685A (zh) * 2016-08-26 2019-04-16 日本碍子株式会社 晶片载置台
CN109863414A (zh) * 2016-09-28 2019-06-07 东京毅力科创株式会社 基板检查装置和基板检查方法
CN108091535A (zh) * 2016-11-21 2018-05-29 东京毅力科创株式会社 载置台和等离子体处理装置
WO2018100881A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電子デバイス検査装置
CN109983350A (zh) * 2016-11-29 2019-07-05 东京毅力科创株式会社 载置台和电子器件测试装置
CN111433900A (zh) * 2017-12-13 2020-07-17 东京毅力科创株式会社 检查装置
JP2019153717A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 東京エレクトロン株式会社 検査装置
CN111788666A (zh) * 2018-03-05 2020-10-16 东京毅力科创株式会社 检查装置

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