JP2019153717A - 検査装置 - Google Patents
検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019153717A JP2019153717A JP2018038843A JP2018038843A JP2019153717A JP 2019153717 A JP2019153717 A JP 2019153717A JP 2018038843 A JP2018038843 A JP 2018038843A JP 2018038843 A JP2018038843 A JP 2018038843A JP 2019153717 A JP2019153717 A JP 2019153717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic device
- led
- temperature
- refrigerant
- inspected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 89
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 27
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
- G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
- H05B45/18—Controlling the intensity of the light using temperature feedback
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
- G01R31/2619—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring thermal properties thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
- H05B45/56—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits involving measures to prevent abnormal temperature of the LEDs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Eye Examination Apparatus (AREA)
- Molding Of Porous Articles (AREA)
- Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
Abstract
Description
図1及び図2はそれぞれ、本発明の第1実施形態にかかる検査装置としてのプローバ1の構成の概略を示す斜視図及び正面図である。図2では、図1のプローバ1の後述の収容室とローダが内蔵する構成要素を示すため、その一部が断面で示されている。
また、プローブカード11は、インターフェース12を介してテスター4へ接続されている。各プローブ11aがウェハWの各電子デバイスの電極に接触する際、各プローブ11aは、テスター4からインターフェース12を介して電子デバイスへ電力を供給し、または、電子デバイスからの信号をインターフェース12を介してテスター4へ伝達する。
ウェハWには、略円板状のシリコン基板にエッチング処理や配線処理を施すことにより、図3に示すように、複数の電子デバイスDが互いに所定の間隔をおいて、表面に形成されている。電子デバイスDすなわちウェハWの表面には、電極Eが形成されており、該電極Eは当該電子デバイスDの内部の回路素子に電気的に接続されている。電極Eへ電圧を印加することにより、各電子デバイスDの内部の回路素子へ電流を流すことができる。
ステージ10は、図4に示すように、上部において、上方から順に、載置台30と、光照射機構40とを有する。載置台30は、その上面にウェハWが載置されるものであり、光照射機構40は、載置台30に載置された蓋部材31に光を照射して当該蓋部材31を加熱することにより、ウェハWを加熱し、該ウェハW上に形成された電子デバイスDを加熱する。
光照射機構40では、載置台30におけるウェハWが載置される蓋部材31に入射されるLED光は、LEDユニットU単位で制御される。したがって、光照射機構40は、蓋部材31における任意の箇所へのみLED光を照射したり、また、照射する光の強度を任意の箇所と他の箇所とで異ならせたりすることができる。
プローバ1では、図6に示すように、各プローブ11aがインターフェース12に配置された複数の配線20によってテスター4に接続されるが、各配線20のうち、電子デバイスDにおける電位差生成回路(例えば、ダイオード)の2つの電極Eに接触する2つのプローブ11aとテスター4を接続する2つの配線20のそれぞれに、リレー21が設けられる。
ベースユニット13は、例えばコンピュータ等から構成され、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、プローバ1における電子デバイスDの温度制御処理等の各種処理を制御するプログラムなどが格納されている。
デバイス温度算出部13cは、デバイス温度情報取得部13bから取得した情報から得られる、検査対象の電子デバイスの電位差生成回路の電位差と、電位差生成回路の電位差の温度特性とに基づいて、検査対象の電子デバイスDの温度を算出する。
バルブ制御部13gは、バルブ操作量決定部13eが算出した操作量に基づいて流量制御バルブ36の開度を調節し、載置台30の内部の冷媒流路32aを流れる冷媒の流量を調整する。これにより、上記冷媒による検査対象の電子デバイスD等の吸熱が制御される。
まず、ローダ3のFOUPからウェハWが取り出されてステージ10に搬送され載置される。次いで、ステージ10が所定の位置に移動される。
そして、プローブ11aに検査用に信号が入力される。これにより、電子デバイスDの検査が開始される。なお、上記検査中、検査対象の電子デバイスDの電位差生成回路に生じる電位差の情報に基づいて、当該電子デバイスDの温度が試験温度/目標温度になるように、当該デバイスに対応するLEDユニットUのLED41からの光出力すなわちLED41の印加電圧が制御されると共に、LED41からの出力が目標値となるように、載置台30内の冷媒の流量すなわち流量制御バルブ36の開度が制御される。
本実施形態では、載置台30内の冷媒の流量を流量制御バルブ36を用いて制御することができる。また、載置台30におけるウェハWの載置側と反対側に位置する有底部材32と対向するように光照射機構40が配置され、有底部材32が光透過部材からなり、載置台30の冷媒流路32aを流れる冷媒も光が透過可能である。そのため、各LED41からのLED光を、冷媒等を透過させて載置台30の蓋部材31に到達させることができる。さらに、光照射機構40は各LEDユニットUによって蓋部材31へ局所的にLED光を照射することができる。上述のように冷媒の流量を流量制御バルブ36により制御することが可能な構成であれば、LED光の制御によらずに冷媒の流量の制御のみでデバイスDの温度を制御することも考えられるが、本実施形態では、LED光の制御も行ってデバイスDの温度を制御する。具体的には、載置台30内の冷媒によって蓋部材31を全体的に冷却しつつ、蓋部材31へ局所的にLED光を照射し、検査中の電子デバイスDのみを加熱する。すなわち、ウェハWにおいて、検査中の電子デバイスDのみの温度を制御しつつ他の電子デバイスDを冷却する。そのため、検査中の電子デバイスDからの熱負荷が他の電子デバイスDへ与えられるのを抑制することができる。その結果、所望の電子デバイスDへ実装時電圧を印加させることができ、もって、実装時電圧の印加時に発生する不具合をパッケージング前に発見することができ、パッケージの歩留まりの低下を抑制してコスト高を招くのを防止することができる。なお、光照射機構40は、各LEDユニットUによって、蓋部材31に照射する光の強度を局所的に変更することもできる。したがって、載置台30内の冷媒によって蓋部材31を全体的に冷却しつつ、蓋部材31へのLED光の照射状態を局所的に変更することもでき、もって、検査中の電子デバイスDの加熱状態を他の電子デバイスと異ならせることもできる。すなわち、ウェハWにおいて、検査対象の電子デバイスDと、他の電子デバイスDとの両方を温度制御しながら検査対象の電子デバイスDの検査をすることができる。
また、D−RAM等で採用されている一括コンタクトプロービングでは光照射機構40全面を点灯して分布調整する。このモードにおいてはウェハ発熱量が少ないのでLED照射量だけで調整できる。
本実施形態とは異なり、LEDからの光出力による加熱のみを制御し冷媒による電子デバイスの吸熱を一定とする場合、電子デバイスの発熱量が非常に大きくなったときにおける当該電子デバイスの温度の上昇度を抑えるには、最大出力の大きいLEDを用いたり、LEDの密度を増やしたりする必要がある。しかし、最大出力の大きいLED41は高価であり、また、LED41の密度を増やすとコストが増加する。また、最大出力の大きいLED41を用いたりLED41の密度を増やしたりする場合は、LED41自体の冷却が必要となる。
それに対し、本実施形態では、上述のように制御を行うため、最大出力の大きいLED41を用いたりLED41の個数を増やしたりする必要がないので、コスト増を防ぐことができ、また、LED41の冷却が不要である。さらに、LED41を冷却しない場合の当該LED41の故障率が低いため、プローバ1の信頼性を維持することができる。
さらに、本実施形態では、吸熱にかかる冷媒に水を用いて載置台30の蓋部材31にSiCを用いているため、温度応答特性が高い。
また、本実施形態では、電子デバイスDの検査に際し、当該電子デバイスDをチップに切り出す必要がなく、ウェハ単位で行うことができる。
図8及び図9は、本発明の第2の実施形態に係る電子デバイス検査装置としてのプローバを説明するための図であり、図8は、プローバが有するステージの上部構成を概略的に示す断面図、図9は、プローバが有するベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。
なお、本実施形態における冷媒も水である。
なお、バルブ操作量決定部60は、LED操作量決定部13dが決定するLED41の操作量の平均値が目標値で一定になるようにフィードバック制御するものとも言うことができる。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る電子デバイス検査装置としてのプローバを説明するための図であり、プローバが有するベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。
本実施形態のプローバは、図10に示すように、ベースユニット13が、LED操作量決定部70と、LED制御部71とを有する。
2 収容室
3 ローダ
4 テスター
10 ステージ
11 プローブカード
11a プローブ
12 インターフェース
13 ベースユニット
13a 記憶部
13b デバイス温度情報取得部
13c デバイス温度算出部
13d,70 LED操作量決定部
13e,60 バルブ操作量決定部
13f,71 LED制御部
13g,61 バルブ制御部
13h 載置台温度取得部
14 電位差測定ユニット
17 テスターコンピュータ
18 ユーザインターフェース部
31a 温度センサ
32 有底部材
32a 冷媒流路
36 流量制御バルブ
40 光照射機構
41 LED
50 高速切替バルブ
E 電極
U LEDユニット
W ウェハ
Claims (6)
- 被検査体に設けられた電子デバイスに接触端子を電気的に接触させて当該電子デバイスを検査する検査装置であって、
光を透過可能な冷媒が流通する冷媒流路を内部に有すると共に、前記被検査体が載置されるものであり、前記被検査体の載置側と反対側が光透過部材で形成された載置台と、
前記載置台における前記被検査体の載置側と反対側の面と対向するように配置され、前記被検査体を指向する複数のLEDを有する光照射機構と、
前記冷媒による吸熱と前記LEDからの光による加熱を制御し、検査対象の前記電子デバイスの温度を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
少なくとも測定された前記検査対象の前記電子デバイスの温度に基づいて、前記LEDからの光出力を制御し、
前記LEDの光出力に基づき、前記冷媒による吸熱を制御することを特徴とする検査装置。 - 前記制御部は、
前記検査対象の前記電子デバイスの温度が一定になるように、前記LEDの出力を制御し、
前記LEDの出力が一定になるように、前記冷媒による吸熱を制御することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。 - 前記制御部は、測定された前記検査対象の前記電子デバイスの温度と測定された前記載置台の温度とに基づいて、前記検査対象の前記電子デバイスの温度が一定になるように、前記LEDの出力を制御することを特徴とする請求項2に記載の検査装置。
- 前記制御部は、前記LEDの出力が一定になるように、前記冷媒の流量を制御して、前記冷媒による吸熱を制御することを特徴とする請求項2または3に記載の検査装置。
- 前記制御部は、
前記LEDの出力が所定の値を超えたか否かに基づいて、前記冷媒の供給の実行と停止の切り替えを行うことにより、前記冷媒による吸熱を制御することを特徴とする請求項2または3に記載の請求項2または3に記載の検査装置。 - 前記制御部は、前記所定の値にヒステリシスを持たせていることを特徴とする請求項5に記載の検査装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018038843A JP7161854B2 (ja) | 2018-03-05 | 2018-03-05 | 検査装置 |
PCT/JP2019/005988 WO2019171932A1 (ja) | 2018-03-05 | 2019-02-19 | 検査装置 |
US16/976,672 US11340283B2 (en) | 2018-03-05 | 2019-02-19 | Testing device |
CN201980015484.8A CN111788666B (zh) | 2018-03-05 | 2019-02-19 | 检查装置 |
KR1020207027249A KR102492491B1 (ko) | 2018-03-05 | 2019-02-19 | 검사 장치 |
DE112019001139.1T DE112019001139T5 (de) | 2018-03-05 | 2019-02-19 | Testvorrichtung |
TW108106696A TWI797267B (zh) | 2018-03-05 | 2019-02-27 | 檢查裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018038843A JP7161854B2 (ja) | 2018-03-05 | 2018-03-05 | 検査装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019153717A true JP2019153717A (ja) | 2019-09-12 |
JP2019153717A5 JP2019153717A5 (ja) | 2021-02-18 |
JP7161854B2 JP7161854B2 (ja) | 2022-10-27 |
Family
ID=67845653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018038843A Active JP7161854B2 (ja) | 2018-03-05 | 2018-03-05 | 検査装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11340283B2 (ja) |
JP (1) | JP7161854B2 (ja) |
KR (1) | KR102492491B1 (ja) |
CN (1) | CN111788666B (ja) |
DE (1) | DE112019001139T5 (ja) |
TW (1) | TWI797267B (ja) |
WO (1) | WO2019171932A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112838041A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台和检查装置 |
KR20210116265A (ko) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 온도 조정 방법 |
EP3940403A1 (en) | 2020-07-16 | 2022-01-19 | Tokyo Electron Limited | Inspection apparatus and control method for inspection apparatus |
KR20220008765A (ko) * | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 장치 |
CN114258164A (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-29 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置的控制方法及检查装置 |
JP7365923B2 (ja) | 2020-02-12 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
JP7449814B2 (ja) | 2020-08-12 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7161854B2 (ja) * | 2018-03-05 | 2022-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
JP7153556B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定部材、検査装置及び温度測定方法 |
JP7433147B2 (ja) | 2020-06-26 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び検査装置 |
US11828795B1 (en) | 2022-10-21 | 2023-11-28 | AEM Holdings Ltd. | Test system with a thermal head comprising a plurality of adapters for independent thermal control of zones |
US11796589B1 (en) | 2022-10-21 | 2023-10-24 | AEM Holdings Ltd. | Thermal head for independent control of zones |
US11828796B1 (en) | 2023-05-02 | 2023-11-28 | AEM Holdings Ltd. | Integrated heater and temperature measurement |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004140296A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法 |
JP2008227435A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置 |
JP2012191158A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波照射装置 |
JP2013008752A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2015056624A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置 |
WO2017003868A1 (en) * | 2015-06-29 | 2017-01-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrostatic chuck with led heating |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2649836B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1997-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
JPH10135315A (ja) | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 試料載置台の温度制御装置及び検査装置 |
US6891627B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
US7364839B2 (en) * | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
JP2004134674A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Toshiba Corp | 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法 |
TW200506375A (en) * | 2003-05-16 | 2005-02-16 | Tokyo Electron Ltd | Inspection apparatus |
KR100543754B1 (ko) * | 2003-09-15 | 2006-01-23 | 현대모비스 주식회사 | 동력 조향장치의 조향변위 천이상태 판단방법 |
JP2007003409A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Ushio Inc | マイクロチップ検査装置 |
JP2007040926A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ |
JP4667158B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2011-04-06 | パナソニック株式会社 | ウェーハレベルバーンイン方法 |
JP5055756B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び記憶媒体 |
JP4902986B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2012-03-21 | 株式会社東京精密 | プローバ、及び、プローバのウェハステージ加熱、又は、冷却方法 |
US20070164426A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-19 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for integrated circuit cooling during testing and image based analysis |
JP2007315986A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | 回路検査装置および回路検査方法 |
US7860379B2 (en) * | 2007-01-15 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
US8222574B2 (en) * | 2007-01-15 | 2012-07-17 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
JP4949091B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記録媒体 |
JP4999615B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
JP5351479B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱源の冷却構造 |
JP5015079B2 (ja) | 2008-07-01 | 2012-08-29 | 日本エンジニアリング株式会社 | バーンイン装置及びその制御方法 |
US8404499B2 (en) * | 2009-04-20 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | LED substrate processing |
US8947776B2 (en) * | 2010-06-23 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Suction apparatus, semiconductor device observation device, and semiconductor device observation method |
TWI454722B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-10-01 | Lextar Electronics Corp | 檢測機台、檢測方法與檢測系統 |
JP5732941B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
WO2013031390A1 (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5536136B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2014-07-02 | 株式会社九州日昌 | 恒温装置 |
JP2013257189A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置及び処理装置 |
US20140270731A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Thermal management apparatus for solid state light source arrays |
TWI600792B (zh) * | 2013-11-26 | 2017-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於減少快速熱處理的污染之影響的設備 |
JP6452449B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
JP6655996B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2020-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板温調装置及び基板処理装置 |
US11221358B2 (en) * | 2017-03-21 | 2022-01-11 | Tokyo Electron Limited | Placement stand and electronic device inspecting apparatus |
JP6955989B2 (ja) * | 2017-12-13 | 2021-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
JP7161854B2 (ja) * | 2018-03-05 | 2022-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
JP7365923B2 (ja) * | 2020-02-12 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
JP7361624B2 (ja) * | 2020-02-12 | 2023-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱源の寿命推定システム、寿命推定方法、および検査装置 |
-
2018
- 2018-03-05 JP JP2018038843A patent/JP7161854B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-19 US US16/976,672 patent/US11340283B2/en active Active
- 2019-02-19 WO PCT/JP2019/005988 patent/WO2019171932A1/ja active Application Filing
- 2019-02-19 CN CN201980015484.8A patent/CN111788666B/zh active Active
- 2019-02-19 DE DE112019001139.1T patent/DE112019001139T5/de active Pending
- 2019-02-19 KR KR1020207027249A patent/KR102492491B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-27 TW TW108106696A patent/TWI797267B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004140296A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法 |
JP2008227435A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置 |
JP2012191158A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波照射装置 |
JP2013008752A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2015056624A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置 |
WO2017003868A1 (en) * | 2015-06-29 | 2017-01-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrostatic chuck with led heating |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3825705A1 (en) * | 2019-11-25 | 2021-05-26 | Tokyo Electron Limited | Reinforced temperature controlled stage |
JP2021086863A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、及び、検査装置 |
CN112838041A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台和检查装置 |
JP7398935B2 (ja) | 2019-11-25 | 2023-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、及び、検査装置 |
JP7365923B2 (ja) | 2020-02-12 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
KR20210116265A (ko) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 온도 조정 방법 |
KR102524161B1 (ko) | 2020-03-17 | 2023-04-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 온도 조정 방법 |
KR20220008765A (ko) * | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 장치 |
KR102665977B1 (ko) * | 2020-07-14 | 2024-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 장치 |
KR20220009908A (ko) | 2020-07-16 | 2022-01-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 장치 및 검사 장치의 제어 방법 |
EP3940403A1 (en) | 2020-07-16 | 2022-01-19 | Tokyo Electron Limited | Inspection apparatus and control method for inspection apparatus |
US11874319B2 (en) | 2020-07-16 | 2024-01-16 | Tokyo Electron Limited | Inspection apparatus and control method for inspection apparatus |
JP7449814B2 (ja) | 2020-08-12 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
CN114258164A (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-29 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置的控制方法及检查装置 |
JP7479266B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置の制御方法、及び、検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200123213A (ko) | 2020-10-28 |
WO2019171932A1 (ja) | 2019-09-12 |
US11340283B2 (en) | 2022-05-24 |
CN111788666B (zh) | 2024-03-15 |
CN111788666A (zh) | 2020-10-16 |
TW201942993A (zh) | 2019-11-01 |
DE112019001139T5 (de) | 2020-11-19 |
TWI797267B (zh) | 2023-04-01 |
US20200408828A1 (en) | 2020-12-31 |
JP7161854B2 (ja) | 2022-10-27 |
KR102492491B1 (ko) | 2023-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019171932A1 (ja) | 検査装置 | |
JP7042158B2 (ja) | 検査装置及び温度制御方法 | |
JP7304722B2 (ja) | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 | |
JP2018151369A (ja) | 載置台及び電子デバイス検査装置 | |
US11169204B2 (en) | Temperature control device, temperature control method, and inspection apparatus | |
JP7361624B2 (ja) | 加熱源の寿命推定システム、寿命推定方法、および検査装置 | |
CN114096933B (zh) | 温度控制装置、温度控制方法和检查装置 | |
CN113325900B (zh) | 温度控制装置、温度控制方法以及检查装置 | |
US20220015193A1 (en) | Method for controlling temperature of substrate support and inspection apparatus | |
TWI840451B (zh) | 溫度控制裝置、溫度控制方法以及電子元件檢查裝置 | |
WO2023047999A1 (ja) | 基板載置機構、検査装置、および検査方法 | |
JP7393986B2 (ja) | 載置台及び検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7161854 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |