TWI454722B - 檢測機台、檢測方法與檢測系統 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種檢測機台、檢測方法與檢測系統,且特別是有關於一種低成本及高良率的檢測機台、檢測方法與檢測系統。
傳統上為了對發光元件(如:發光二極體燈條)進行各種光學檢測與電性檢測,通常會設置各種光學檢測與電性檢測的機台,並透過將發光元件依序送入這些檢測機台中,便可量測發光元件之光學性質與電性表現。具體而言,發光元件經由回焊爐後之餘溫目檢判別為一站,並利用手動調整電源供應器及探針機構點燈,之後利用目檢檢測LED是否點亮及外觀檢驗,如此高溫狀態無法確保,且一位目檢人員僅檢測一組發光元件之燈條。
於高溫電性檢測後進行低溫電性檢測時,需先將發光元件冷卻,其採用方式可以是透過製程移動或等待之時間做冷卻,或加裝風機等冷卻裝置(如此便需一站)。
再者,進行利用自動光學檢測(Auto Optic Inspection,AOI)對發光元件進行外觀檢測時,通常是用來檢測發光元件偏位缺焊等問題,其中此AOI檢測通常為自動化機台。
再者,進行利用自動光學檢測對發光元件進行光學檢測時,通常是用來檢測發光元件之光學特性,其中此光學檢測通常為自動化機台。
之後,進行低溫電性檢測亦是透過目檢判別的方式,因此此部份又為一站,且電性檢測的方式亦是採用手動調整電源供應器及手持式探針點燈,並利用目檢檢測發光元件是否點亮及外觀檢驗。
基於上述可知,若欲將發光元件進行高溫檢測與低溫檢測時便需經過多個站別,因此這些機台所佔具有許多空間,意即檢測發光元件之生產線便無法被縮短。
本發明提供一種檢測機台,其具有低成本、自動化、高良率及整體體積較小的優點。
本發明另提供一種檢測方法,其適用於上述的檢測機台。
本發明又提供一種檢測系統,其適用於上述的檢測機台。
本發明提出一種檢測機台,其適於對一發光元件進行光學及電性檢測。此檢測機台包括一基板平台、一探針機構、一加熱裝置、一冷卻裝置、一影像感測裝置、一光學檢測裝置、一感溫裝置以及一移動台。發光元件配置於基板平台上。探針機構設置於基板平台上方,且探針機構適於往基板平台靠近而與發光元件接觸。加熱裝置設置於基板平台之下方並適於加熱發光元件,以使發光元件維持於一第一溫度範圍內。當發光元件處於第一溫度範圍內時,與發光元件接觸的探針機構適於傳遞一第一驅動訊號至發光元
件,以驅動發光元件。冷卻裝置設置於基板平台之下方並適於冷卻發光元件,以使發光元件維持於一第二溫度範圍內。當發光元件處於第二溫度範圍內時,與發光元件接觸的探針機構適於傳遞一第二驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。影像感測裝置設置於發光元件之上方並適於感測發光元件被驅動時所產生的一發光影像及其外觀。感溫裝置設置於發光元件的上方,用以感測發光元件目前的一溫度。移動台設置於發光元件之上方,且影像感測裝置裝設於移動台上,其中移動台適於移動影像感測裝置。
在本發明之一實施例中,基板平台包括一輸送帶裝置,適於承載並傳送發光元件。
在本發明之一實施例中,加熱裝置包括一加熱塊或加熱板。
在本發明之一實施例中,第一溫度範圍實質上落在攝氏120度與攝氏200度之間。
在本發明之一實施例中,冷卻裝置包括一循環水系統或一噴氣系統
在本發明之一實施例中,第二溫度範圍實質上落在攝氏20度與攝氏70度之間。
在本發明之一實施例中,第二驅動訊號大於第一驅動訊號。
在本發明之一實施例中,影像感測裝置包括一線掃瞄式電荷耦合元件(Line Scan CCD)。
在本發明之一實施例中,檢測機台更包括一電源供應裝
置,電性連接探針機構並提供第一驅動訊號或第二驅動訊號。
在本發明之一實施例中,檢測機台更包括一光學檢測裝置,設置於發光元件之上方並裝設於移動台上,其中移動台適於移動光學檢測裝置,且光學檢測裝置適於感測發光元件被驅動時所產生的光學特性做量測。
在本發明之一實施例中,檢測機台更包括一第一移動裝置與一第二移動裝置,其中第一移動裝置位於基板平台之上方並適於移動探針機構,以使探針機構往基板平台靠近或遠離,第二移動裝置位於基板平台之下方並適於移動加熱裝置與冷卻裝置,以使加熱裝置與冷卻裝置其一往基板平台靠近。
在本發明之一實施例中,檢測機台更包括至少一吹氣機構,位於基板平台的一側或二側,其中吹氣機構適於提供一氣流於發光元件上,以冷卻發光元件。
在本發明之一實施例中,檢測機台更包括一運算主機與一介面卡,運算主機透過介面卡,以移動探針機構、加熱裝置、冷卻裝置、移動台至少其一,或是擷取影像感測裝置與感溫裝置至少其一的資料。
在本發明之一實施例中,介面卡包括一運動控制卡或一影像擷取卡。
在本發明之一實施例中,發光元件包括一發光二極體燈條(LED light bar)。
本發明另提出一種檢測方法,其適於對一發光元件進行光學及電性檢測。此檢測方法至少包括以下步驟。首先,
提供一發光元件。接著,提供一探針機構,並使探針機構往基板平台靠近而與發光元件接觸。然後,加熱發光元件,以使發光元件維持於一第一溫度範圍內。接著,利用探針機構傳遞一第一驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。而後,感測並量測發光元件被第一驅動訊號驅動時所產生的一第一發光影像。接著,冷卻發光元件,以使發光元件維持於一第二溫度範圍內。之後,利用探針機構傳遞一第二驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。接著,感測並量測發光元件被第二驅動訊號驅動時所產生的一第二發光影像,其中第二驅動訊號大於第一驅動訊號。
在本發明之一實施例中,在使探針機構往基板平台靠近而與發光元件接觸之前,上述檢測方法更包括利用一影像感測裝置對發光元件進行定位。在本發明之一實施例中,在對發光元件進行定位之前,上述檢測方法更包括對發光元件進行一條碼掃瞄。
在本發明之一實施例中,在冷卻發光元件之後以及傳遞第二驅動訊號至發光元件之前,上述檢測方法更包括利用一影像感測裝置,對發光元件的一外觀或一位置進行檢測。
在本發明之一實施例中,在感測並量測第二發光影像之後,上述檢測方法更包括對發光元件進行電性及光學檢測。
本發明又提出一種檢測系統,其適於對前述發光元件進行光學及電性檢測。此檢測系統包括前述基板平台、前述探針機構、前述加熱裝置、前述冷卻裝置以及前述影像感
測裝置。發光元件配置於基板平台上。探針機構往基板平台靠近而與發光元件接觸。加熱裝置加熱發光元件,以使發光元件維持於一第一溫度範圍內,並利用探針機構傳遞一第一驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。冷卻裝置冷卻發光元件,以使發光元件維持於一第二溫度範圍內並利用探針機構傳遞一第二驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。影像感測裝置適於感測並量測發光元件被第一驅動訊號驅動時所產生的一第一發光影像,以及感測並量測發光元件被第二驅動訊號驅動時所產生的一第二發光影像,其中第二驅動訊號大於第一驅動訊號。
在本發明之一實施例中,在使探針機構往基板平台靠近而與發光元件接觸之前,上述檢測系統更包括利用一影像感測裝置對發光元件進行定位。在本發明之一實施例中,在對發光元件進行定位之前,上述檢測系統更包括對發光元件進行一條碼掃瞄。
在本發明之一實施例中,在冷卻發光元件之後以及傳遞第二驅動訊號至發光元件之前,上述檢測系統更包括利用一影像感測裝置,對發光元件的一外觀或一位置進行檢測。
在本發明之一實施例中,在感測並量測第二發光影像之後,上述檢測系統更包括對發光元件進行電性及光學檢測。
基於上述,本發明之透過將基板平台、探針機構、加熱裝置、冷卻裝置、影像感測裝置、感溫裝置以及移動台整合一起,因此將可大大縮減檢測發光元件時所需之檢測
產線的體積與長度。意即本實施例之檢測機台可在不移動位於基板平台的發光元件的情況下,進行高溫檢測、低溫檢測與光學品質檢測。因此本實施例之檢測機台便可大大縮減傳統檢測機台之整體體積與數量。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之檢測機台的簡單示意圖,圖2則為圖1之檢測機台之具體實施之局部立體示意圖,而圖3則為圖2之檢測機台的局部放大示意圖。請同時參考圖1、圖2與圖3,本實施例之檢測機台1000適於對一發光元件1010進行光學及電性檢測。具體而言,檢測機台1000包括一基板平台1100、一探針機構1200、一加熱裝置1300、一冷卻裝置1400、一影像感測裝置1500、一感溫裝置1600以及一移動台1700。發光元件1010配置於基板平台1100上。在本實施例中,基板平台1100是以如圖2與圖3所繪示之輸送帶裝置1120作為舉例說明,但不限於此。具體而言,輸送帶裝置1120可用以承載發光元件1010,並可傳送發光元件1010至固定位置上。另外,本實施例之發光元件1010例如是一種發光二極體之燈條(LED light bar)。
探針機構1200設置於基板平台1100上方,且探針機構1200適於往基板平台1100靠近而與發光元件1010接
觸。具體而言,檢測機台1000可包括一第一移動裝置M1,其中第一移動裝置M1位於基板平台1100之上方並適於移動探針機構1200,以便使探針機構1200可往基板平台1100靠近或遠離,如圖1、圖2與圖3所繪示。一般來說,探針機構1200主要是來施加電壓或電流於發光元件1010上,以使發光元件1010產生光束。之後便可藉由所施加之電壓或電流大小而檢測發光元件1010之品質。換言之,探針機構1200主要是在用來進行檢測發光元件1010之步驟時,探針機構1200便會靠近基板平台1110使得探針機構1200可與發光元件1010接觸並電性連接,其中關於探針機構1200所施加之電壓或電流訊號至發光元件1010上的說明,以及探針機構的作動將會於後續的段落中進行說明。
請繼續參考圖1、圖2與圖3,加熱裝置1300設置於基板平台1100之下方並適於加熱發光元件1010,以使發光元件1010維持於一第一溫度範圍T1內。在本實施例中,加熱裝置1300可以是採用加熱塊或加熱板。具體而言,當發光元件1010於回焊爐之製程結束後,接著可先量測發光元件1010於高溫時被驅動的電性及光學表現。因此,本實施例之檢測機台1000便可透過設置於基板平台1100之下方的加熱裝置1300對發光元件1010進行加熱,而使發光元件1010維持在第一溫度範圍T1內,其中此第一溫度範圍T1實質上落在攝氏120度與攝氏200度之間。需要說明的是,在加熱裝置1300對發光元件1010進行加熱之前,前述的探針機構1200便得先往靠近基板平台1100
移動,使得探針機構1200可與發光元件1010接觸並電性連接。
接著,當加熱裝置1300對發光元件1010加熱於第一溫度範圍T1內時,探針機構1200此時便可傳遞一第一驅動訊號S1至發光元件1010,以驅動發光元件1010,使發光元件1010產生光線。在本實施例中,檢測機台1000可有包括一電源供應裝置1800,其中電源供應裝置1800電性連接探針機構1200並提供前述第一驅動訊號S1。在本實施例中,第一驅動訊號S1例如是一電流訊號,其中此電流訊號的大小實質上可為50uA。
另外,影像感測裝置1500設置於發光元件1010之上方並適於感測發光元件1010被驅動時所產生的一發光影像,如圖1、圖2與圖3所繪示。具體而言,當探針機構1200於前述第一溫度範圍T1內驅動發光元件1010,並使發光元件1010產生光線時,本實施例之檢測機台1000便可透過影像感測裝置1500感測發光元件1010被驅動時所產生的光線,並同時快速檢測發光二極體燈條上之發光二極體是否皆有被點亮,從而判斷在高溫的狀態下發光元件1010是否為有效之發光元件。在本實施例中,影像感測裝置1500可採用一種線掃瞄式電荷耦合元件1520(Line Scan CCD),其可快速地掃瞄與感測發光元件1010之發光狀況。相較於傳統採用人工視覺來判斷發光二極體燈條上之複數個發光二極體是否有被點亮,本實施例之檢測機台1000具有快速且精準化之優點。
請繼續參考圖1、圖2與圖3,感溫裝置1600設置於發光元件1010的上方,用以感測發光元件1010目前的溫度。具體而言,感溫裝置1600例如是一紅外線熱感應裝置,其可在不接觸發光元件1010之情況下,直接地感測發光元件目前之溫度。因此,本實施例之檢測機台1000便可透過感溫裝置1600而隨時監控前述之加熱裝置1300是否將發光元件1010加熱至第一溫度範圍T1內,其中倘若未加熱至第一溫度範圍T1內則可使加熱裝置1300繼續加熱。
在檢測機台1000中,冷卻裝置1400是設置於基板平台1100之下方並適於冷卻發光元件1010,以使發光元件1010維持於一第二溫度範圍T2內,如圖1、圖2與圖3所繪示。在本實施例中,冷卻裝置1400包括一循環水系統或一噴氣系統。具體而言,當發光元件1010於高溫狀態下檢測發光元件1010之發光狀況後,接著可量測發光元件1010於低溫時被驅動的電性及光學表現。因此,本實施例之檢測機台1000便可透過設置於基板平台1100之下方的冷卻裝置1400對發光元件1010進行冷卻,而使發光元件1010維持於第二溫度範圍T2內,其中此第二溫度範圍T2實質上落在攝氏20度與攝氏70度之間。同樣地,在冷卻裝置1400對發光元件1010進行冷卻前,前述的探針機構1200須先與發光元件1010接觸並電性連接。也就是說,在前述高溫檢測後,探針機構1200其實可以仍保持與發光元件1010接觸,以方便進行後續的低溫檢測時可直接地便
施加電壓或電流訊號於發光元件1010上。於其他實施例中,探針機構1200亦可於高溫檢測後先暫時離開基板平台1100而不與發光元件接觸,此部份可視使用者的需求而定。
接著,當冷卻裝置1400將發光元件1010冷卻於第二溫度範圍T2內時,探針機構1200此時便可傳遞一第二驅動訊號S2至發光元件1010,以驅動發光元件1010,使發光元件1010產生光線,其中第二驅動訊號S2大於第一驅動訊號S1。同樣地,亦可透過與探針機構1200電性連接的電源供應裝置1800提供前述第二驅動訊號S2。在本實施例中,第二驅動訊號S2例如是一電流訊號,其中此電流訊號的大小實質上可為120mA。
類似地,當探針機構1200於前述第二溫度範圍T2內驅動發光元件1010,並使發光元件1010產生光線時,本實施例之檢測機台1000便可透過影像感測裝置1500感測發光元件1010被驅動時所產生的光線,並可同時快速檢測發光二極體燈條上之發光二極體於低溫條件下是否有被點亮,從而判斷在低溫的狀態下發光元件1010是否為有效之發光元件。
特別的是,為了可提高冷卻的速度,檢測機台1000更包括至少一吹氣機構1420,其位於基板平台1100的一側或二側,其中吹氣機構1420適於提供一氣流於發光元件1010上,以冷卻發光元件1010。
在本實施例中,檢測機台1000可包括一第二移動裝
置M2,其中第二移動裝置M2是位於基板平台1100之下方,其主要是用來移動加熱裝置1300與冷卻裝置1400,以於高溫檢測狀態下可將加熱裝置1300往基板平台1100靠近,或是於低溫檢測狀態下可將冷卻裝置1400往基板平台1100靠近。也就是說,第二移動裝置M2主要是用來在不同溫度檢測狀態下,移動加熱裝置1300與冷卻裝置1400之其一。
此外,為了可使影像感測裝置1500快速地掃瞄與感測發光元件1010之發光狀況,因此移動台1700是設置於發光元件1010之上方,且影像感測裝置1500裝設於移動台1700上,如此一來,移動台1700便可適於移動影像感測裝置1500而快速地掃瞄與感測發光元件1010之發光狀況。此外,感溫裝置1600亦可裝設於移動台1700上,如此,移動台1700便可移動感溫裝置1600而使得感溫裝置1600可感測燈條上每顆發光二極體之溫度,但不限於此。
於前述高溫檢測與低溫檢測中,影像感測裝置1500主要是用來感測發光元件1010是否可於不同溫度下進行點亮之動作,而非檢測發光元件1010之發光品質。因此,檢測機台1000更可包括一光學檢測裝置1900,其設置於該發光元件之上方並可裝設於移動台1700上,其中移動台1700適於移動光學檢測裝置1900,且光學檢測裝置1900適於感測發光元件1010被驅動時所產生的光學特性做量測。具體而言,光學檢測裝置1900可以是量測MCD(光強度單位mcd)之套筒或積分球,二者的作用分別是用來量測
發光元件1010之光學強度及光通量。
在本實施例中,檢測機台1000可以是一種自動化機台。具體而言,檢測機台1000亦可包括一運算主機1030與一介面卡1040,其中運算主機1030可透過介面卡1040,而操作前述之第一移動裝置M1、第二移動裝置M2及移動台1700,如此一來,探針機構1200、加熱裝置1300、冷卻裝置1400、移動台1700至少其一便可透過運算主機的操作而被移動。此外,運算主機亦可透過介面卡1040而可擷取影像感測裝置1500與感溫裝置1600至少其一的資料,如:影像資料或溫度資料。換言之,此介面卡1040例如是一運動控制卡或一影像擷取卡。
基於上述可知,本實施例之檢測機台1000透過將基板平台1100、探針機構1200、加熱裝置1300、冷卻裝置1400、影像感測裝置1500、感溫裝置1600以及移動台1700整合一起,因此將可大大縮減檢測發光元件1010時所需之檢測產線的體積與長度。具體而言,傳統上為了對發光元件(如:發光二極體燈條)進行各種光學檢測與電性檢測,通常會設置各種光學檢測與電性檢測的機台,並透過將發光元件依序送入這些檢測機台中,便可量測發光元件之光學性質與電性表現。然而,這些機台所佔的空間便無法有效地被縮減,意即檢測發光元件之產線便無法被縮短。
反觀本實施例之檢測機台1000所揭露之結構,發光元件可設置於基板平台上,且在進行高溫檢測、低溫檢測與光學品質檢測時無須移動發光元件,僅需移動所需之檢
測裝置便可達到檢測發光元件之目的。因此本實施例之檢測機台1000便可大大縮減傳統檢測機台之整體體積與數量。再者,本實施例之檢測機台1000透過第一移動裝置M1、第二移動裝置M2及移動台1700的使用,並搭配運算主機之控制,而具有自動化之優點。另外,本實施例之檢測機台1000透過影像感測裝置1500的使用可取代人工目測檢查發光二極體燈條上之複數個發光二極體是否有被點亮,因此本實施例之檢測機台1000具有快速、低人力成本且精準化之優點。
基於上述,本實施例亦可提出一種檢測方法,其適於對前述的發光元件1010進行光學及電性檢測,如圖4所示。具體而言,此檢測方法至少包括以下步驟。請參考圖4之步驟S101,首先,提供前述的發光元件1010,其中發光元件1010例如是發光二極體燈條。
接著,進行步驟S102,提供前述的探針機構1200,並使探針機構1200往前述的基板平台1100靠近而與發光元件1010接觸,其中關於探針機構1200之作動方式可參考前述說明。
然後,進行步驟S103,加熱發光元件1010,以使發光元件1010維持於前述的第一溫度範圍T1內,其中加熱方式可採用加熱裝置1300所提及的方法,在此不再贅述。具體而言,於加熱發光元件1010的過程中,可利用前述的感溫裝置1600感測發光元件1010是否處於第一溫度範圍T1內,如圖4之步驟S301所示。詳細來說,若感溫裝置
感測發光元件1010已處於第一溫度範圍T1內時,便可繼續後續的步驟S104;反之,若感溫裝置感測發光元件1010尚未處於第一溫度範圍T1內時,便可加熱發光元件1010。
接著,進行步驟S104,利用探針機構1200傳遞前述的第一驅動訊號S1至發光元件1010,以驅動發光元件1010。其中第一驅動訊號S1可以是使用前述的電源供應裝置來實施,請參考前述,在此不再說明。
而後,進行步驟S105,感測並量測發光元件1010被第一驅動訊號驅動S1時所產生的第一發光影像。其中感測並量測發光元件1010的方式可採用前述的影像感測裝置1500所提及的方法,在此不再贅述。至此,則完成一種高溫檢測的檢測方法。
接著,進行步驟S106,冷卻發光元件1010,以使發光元件1010維持於前述的第二溫度範圍T2內,其中冷卻的方式可採用冷卻裝置1400所提及的方法,在此不再贅述。具體而言,於冷卻發光元件1010的過程中,可利用前述的感溫裝置1600感測發光元件1010是否處於第二溫度範圍T2內,如圖4之步驟S302所示。詳細來說,若感溫裝置感測發光元件1010已處於第一溫度範圍T1內時,便可繼續後續的步驟S107;反之,若感溫裝置感測發光元件1010尚未處於第二溫度範圍T2內時,便可冷卻發光元件1010。
之後,進行步驟S107,利用探針機構1010傳遞前述的第二驅動訊號S2至發光元件1010,以驅動發光元件
1010。其中第二驅動訊號S2同樣地可使用前述的電源供應裝置來實施,請參考前述,在此不再說明。
接著,進行步驟S108,感測並量測發光元件1010被第二驅動訊號S2驅動時所產生的第二發光影像,其中第二驅動訊號S2大於第一驅動訊號S1。同樣地,感測並量測發光元件1010的方式可採用前述的影像感測裝置1500所提及的方法,在此不再贅述。至此,則完成為一種低溫檢測的檢測方法。
在圖4之檢測方法中,在使探針機構1200往基板平台1100靠近而與發光元件1010接觸之前,上述檢測方法更可包括利用前述的影像感測裝置1500對發光元件1010進行定位,如步驟S201所示。在本實施例中,在對發光元件1010進行定位之前,更可對發光元件1010進行一條碼掃瞄,步驟S202所示。
需要說明的是,在冷卻發光元件1010之後以及傳遞第二驅動訊號S2至發光元件1010之前,上述檢測方法更包括利用前述的影像感測裝置1500,對發光元件1010的一外觀或一位置進行檢測,如步驟S203所示。另外,在進行感測並量測第二發光影像之步驟後,上述檢測方法更可對發光元件1010進行電性檢測,如步驟S204所示,其中電性檢測可以是Vf檢測、△Vf檢測及漏電流檢測。更進一步來說,在對發光元件1010進行電性檢測之步驟後,上述檢測方法更可利用前述的光學檢測裝置1900對發光元件1010被驅動時所產生的光學特性進行量測,如步驟
S205所示,其中光學特性的量測可以是量測發光元件1010之光學強度及光通量。
基於上述,本發明亦可提供一種檢測系統,其適於對前述發光元件進行光學及電性檢測。此檢測系統包括前述基板平台、前述探針機構、前述加熱裝置、前述冷卻裝置以及前述影像感測裝置。發光元件配置於基板平台上。探針機構往基板平台靠近而與發光元件接觸。加熱裝置加熱發光元件,以使發光元件維持於一第一溫度範圍內,並利用探針機構傳遞一第一驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。冷卻裝置冷卻發光元件,以使發光元件維持於一第二溫度範圍內並利用探針機構傳遞一第二驅動訊號至發光元件,以驅動發光元件。影像感測裝置適於感測並量測發光元件被第一驅動訊號驅動時所產生的一第一發光影像,以及感測並量測發光元件被第二驅動訊號驅動時所產生的一第二發光影像,其中第二驅動訊號大於第一驅動訊號。
在檢測系統中,探針機構往基板平台靠近而與發光元件接觸之前,檢測系統更包括利用一影像感測裝置對發光元件進行定位。此外,在對發光元件進行定位之前,檢測系統更包括對發光元件進行一條碼掃瞄。
在檢測系統中,在冷卻發光元件之後以及傳遞第二驅動訊號至發光元件之前,檢測系統更包括利用一影像感測裝置,對發光元件的一外觀或一位置進行檢測。此外,在感測並量測第二發光影像之後,檢測系統更包括對發光元件進行電性檢測。
在檢測系統中,在冷卻發光元件之後以及傳遞第二驅動訊號至發光元件之前,檢測系統更包括利用一影像感測裝置,對發光元件的一外觀或一位置進行檢測。此外,在感測並量測第二發光影像之後,檢測系統更包括對發光元件進行電性檢測。
在檢測系統中,在對發光元件進行電性檢測之後,檢測系統更包括利用一光學檢測裝置對發光元件被驅動時所產生的光學特性進行量測。此外,在加熱發光元件之後以及驅動發光元件之前,檢測系統更包括利用一感溫裝置感測發光元件是否維持於第一溫度範圍內。
另外,在冷卻發光元件之後以及驅動發光元件之前,檢測系統更包括利用一感溫裝置感測發光元件是否維持於第二溫度範圍內。
需要說明的是,在檢測系統中,加熱裝置與冷卻裝置的配置方式除了可以是採用如圖1所繪示之共存於同一檢測機台內,於其他可能的實施例中,加熱裝置與冷卻裝置亦可以是分別位於不同機台內,以進行獨立加熱或冷卻發光元件。
綜上所述,本發明之檢測機台、檢測方法與檢測系統至少具有下列優點。透過將基板平台、探針機構、加熱裝置、冷卻裝置、影像感測裝置、光學檢測裝置、感溫裝置以及移動台整合一起,因此將可大大縮減檢測發光元件時所需之檢測產線的體積與長度。意即本實施例之檢測機台可在不移動位於基板平台的發光元件的情況下,進行高溫
檢測、低溫檢測與光學品質檢測。因此本實施例之檢測機台便可大大縮減傳統檢測機台之整體體積與數量。
再者,本實施例之檢測機台透過第一移動裝置、第二移動裝置及移動台的使用,並搭配運算主機之控制,而具有自動化之優點。
另外,本實施例之檢測機台透過影像感測裝置的使用可取代人工目測檢查發光二極體燈條上之複數個發光二極體是否有被點亮,因此本實施例之檢測機台具有快速、低人力成本且精準化之優點。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。另外本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外,摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用,並非用來限制本發明之權利範圍。
1000‧‧‧檢測機台
1010‧‧‧發光元件
1030‧‧‧運算主機
1040‧‧‧介面卡
1100‧‧‧基板平台
1200‧‧‧探針機構
1300‧‧‧加熱裝置
1400‧‧‧冷卻裝置
1420‧‧‧吹氣機構
1500‧‧‧影像感測裝置
1600‧‧‧感溫裝置
1700‧‧‧移動台
1800‧‧‧電源供應裝置
1900‧‧‧光學檢測裝置
M1‧‧‧第一移動裝置
T1‧‧‧第一溫度範圍
S101~S108、S201~S208‧‧‧步驟
S1‧‧‧第一驅動訊號
T2‧‧‧第二溫度範圍
S2‧‧‧第二驅動訊號
M2‧‧‧第二移動裝置
圖1為本發明一實施例之檢測機台的簡單示意圖。
圖2則為圖1之檢測機台之具體實施之局部立體示意圖。
圖3則為圖2之檢測機台的局部放大示意圖。
圖4為本發明一實施例之檢測方法的流程示意圖。
1000‧‧‧檢測機台
1010‧‧‧發光元件
1030‧‧‧運算主機
1040‧‧‧介面卡
1100‧‧‧基板平台
1200‧‧‧探針機構
1300‧‧‧加熱裝置
1400‧‧‧冷卻裝置
1500‧‧‧影像感測裝置
1600‧‧‧感溫裝置
1700‧‧‧移動台
1800‧‧‧電源供應裝置
1900‧‧‧光學檢測裝置
Claims (32)
- 一種檢測機台,適於對一發光元件進行光學及電性檢測,該檢測機台包括:一基板平台,其中該發光元件配置於該基板平台上;一探針機構,設置於該基板平台上方,且該探針機構適於往該基板平台靠近而與該發光元件接觸;一加熱裝置,設置於該基板平台之下方並適於加熱該發光元件,以使該發光元件維持於一第一溫度範圍內,其中當該發光元件處於該第一溫度範圍內時,與該發光元件接觸的該探針機構適於傳遞一第一驅動訊號至該發光元件,以驅動該發光元件;一冷卻裝置,設置於該基板平台之下方並適於冷卻該發光元件,以使該發光元件維持於一第二溫度範圍內,其中當該發光元件處於該第二溫度範圍內時,與該發光元件接觸的該探針機構適於傳遞一第二驅動訊號至該發光元件,以驅動該發光元件;一影像感測裝置,設置於該發光元件之上方並適於感測該發光元件被驅動時所產生的一發光影像;一感溫裝置,設置於該發光元件的上方,用以感測該發光元件目前的一溫度;以及一移動台,設置於該發光元件之上方,且該影像感測裝置裝設於該移動台上,其中該移動台適於移動該影像感測裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該基板 平台包括一輸送帶裝置,適於承載並傳送該發光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該加熱裝置包括一加熱塊或一加熱板。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該第一溫度範圍實質上落在攝氏120度與攝氏200度之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該冷卻裝置包括一循環水系統或一噴氣系統。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該第二溫度範圍實質上落在攝氏20度與攝氏70度之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該第二驅動訊號大於該第一驅動訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該影像感測裝置包括一線掃瞄式電荷耦合元件(Line Scan CCD)。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,更包括一電源供應裝置,電性連接該探針機構並提供該第一驅動訊號或該第二驅動訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,更包括一光學檢測裝置,設置於該發光元件之上方並裝設於該移動台上,其中該移動台適於移動該光學檢測裝置,且該光學檢測裝置適於感測該發光元件被驅動時所產生的光學特性做量測。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,更包括一第一移動裝置與一第二移動裝置,其中該第一移動裝置位於該基板平台之上方並適於移動該探針機構,以使該探針機構往 該基板平台靠近或遠離,該第二移動裝置位於該基板平台之下方並適於移動該加熱裝置與該冷卻裝置,以使該加熱裝置與該冷卻裝置其一往該基板平台靠近。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,更包括至少一吹氣機構,位於該基板平台的一側或二側,其中該吹氣機構適於提供一氣流於該發光元件上,以冷卻該發光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,更包括一運算主機與一介面卡,該運算主機透過該介面卡,以移動該探針機構、該加熱裝置、該冷卻裝置、該移動台至少其一,或是擷取該影像感測裝置與該感溫裝置至少其一的資料。
- 如申請專利範圍第13項所述之檢測機台,其中該介面卡包括一運動控制卡或一影像擷取卡。
- 如申請專利範圍第1項所述之檢測機台,其中該發光元件包括一發光二極體燈條(LED light bar)。
- 一種檢測方法,適於對一發光元件進行光學及電性檢測,該檢測方法包括:提供一發光元件;提供一探針機構,並使該探針機構往該基板平台靠近而與該發光元件接觸;加熱該發光元件,以使該發光元件維持於一第一溫度範圍內;利用該探針機構傳遞一第一驅動訊號至該發光元件,以驅動該發光元件;感測並量測該發光元件被該第一驅動訊號驅動時所 產生的一第一發光影像;冷卻該發光元件,以使該發光元件維持於一第二溫度範圍內;利用該探針機構傳遞一第二驅動訊號至該發光元件,以驅動該發光元件;以及感測並量測該發光元件被該第二驅動訊號驅動時所產生的一第二發光影像,其中該第二驅動訊號大於該第一驅動訊號。
- 如申請專利範圍第16項所述之檢測方法,在使該探針機構往該基板平台靠近而與該發光元件接觸之前,更包括:利用一影像感測裝置對該發光元件進行定位。
- 如申請專利範圍第17項所述之檢測方法,在對該發光元件進行定位之前,更包括:對該發光元件進行一條碼掃瞄。
- 如申請專利範圍第16項所述之檢測方法,在冷卻該發光元件之後以及傳遞該第二驅動訊號至該發光元件之前,更包括:利用一影像感測裝置,對該發光元件的一外觀或一位置進行檢測。
- 如申請專利範圍第16項所述之檢測方法,在感測並量測該第二發光影像之後,更包括:對該發光元件進行電性檢測。
- 如申請專利範圍第20項所述之檢測方法,在對該發 光元件進行電性檢測之後,更包括:利用一光學檢測裝置對該發光元件被驅動時所產生的光學特性進行量測。
- 如申請專利範圍第16項所述之檢測方法,在加熱該發光元件之後以及驅動該發光元件之前,更包括:利用一感溫裝置感測該發光元件是否維持於第一溫度範圍內。
- 如申請專利範圍第16項所述之檢測方法,在冷卻該發光元件之後以及驅動該發光元件之前,更包括:利用一感溫裝置感測該發光元件是否維持於第二溫度範圍內。
- 一種檢測系統,適於對一發光元件進行光學及電性檢測,該檢測系統包括:一基板平台,其中該發光元件配置於該基板平台上;一探針機構,往該基板平台靠近而與該發光元件接觸;一加熱裝置,加熱該發光元件,以使該發光元件維持於一第一溫度範圍內,並利用該探針機構傳遞一第一驅動訊號至該發光元件,以驅動該發光元件;一冷卻裝置,冷卻該發光元件,以使該發光元件維持於一第二溫度範圍內並利用該探針機構傳遞一第二驅動訊號至該發光元件,以驅動該發光元件;以及一影像感測裝置,感測並量測該發光元件被該第一驅動訊號驅動時所產生的一第一發光影像,並感測並量測該 發光元件被該第二驅動訊號驅動時所產生的一第二發光影像,其中該第二驅動訊號大於該第一驅動訊號。
- 如申請專利範圍第24項所述之檢測系統,其中在使該探針機構往該基板平台靠近而與該發光元件接觸之前,更包括利用一影像感測裝置對該發光元件進行定位。
- 如申請專利範圍第25項所述之檢測系統,其中在對該發光元件進行定位之前,更包括對該發光元件進行一條碼掃瞄。
- 如申請專利範圍第24項所述之檢測系統,其中在冷卻該發光元件之後以及傳遞該第二驅動訊號至該發光元件之前,更包括利用一影像感測裝置,對該發光元件的一外觀或一位置進行檢測。
- 如申請專利範圍第24項所述之檢測系統,其中在感測並量測該第二發光影像之後,更包括對該發光元件進行電性檢測。
- 如申請專利範圍第28項所述之檢測系統,其中在對該發光元件進行電性檢測之後,更包括利用一光學檢測裝置對該發光元件被驅動時所產生的光學特性進行量測。
- 如申請專利範圍第24項所述之檢測系統,其中在加熱該發光元件之後以及驅動該發光元件之前,更包括利用一感溫裝置感測該發光元件是否維持於第一溫度範圍內。
- 如申請專利範圍第24項所述之檢測系統,其中在冷卻該發光元件之後以及驅動該發光元件之前,更包括利用一感溫裝置感測該發光元件是否維持於第二溫度範圍內。
- 如申請專利範圍第24項所述之檢測系統,其中該加熱裝置與該冷卻裝置共存於同一檢測機台內,或者是分別位於不同機台內,以獨立加熱或冷卻該發光元件。
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TW201224488A (en) | 2012-06-16 |
CN102486536A (zh) | 2012-06-06 |
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