TWI797267B - 檢查裝置 - Google Patents

檢查裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI797267B
TWI797267B TW108106696A TW108106696A TWI797267B TW I797267 B TWI797267 B TW I797267B TW 108106696 A TW108106696 A TW 108106696A TW 108106696 A TW108106696 A TW 108106696A TW I797267 B TWI797267 B TW I797267B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
refrigerant
led
temperature
control
electronic component
Prior art date
Application number
TW108106696A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201942993A (zh
Inventor
河西繁
小林將人
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201942993A publication Critical patent/TW201942993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI797267B publication Critical patent/TWI797267B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light
    • H05B45/18—Controlling the intensity of the light using temperature feedback
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/2619—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring thermal properties thereof
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
    • H05B45/56—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits involving measures to prevent abnormal temperature of the LEDs

Abstract

本發明之課題為抑制電子元件的成本變高。
作為檢查裝置之針測機會使接觸端子電性接觸於晶圓所設置之電子元件來檢查該電子元件。針測機具備有：載置台，係於內部具有可供能夠讓光穿透的冷媒流通之冷媒流道，並載置有晶圓，與晶圓之載置側為相反側係由透光組件所形成；照光機構，係配置為會對向於與載置台中晶圓的載置側為相反側之面，且具有會指向晶圓之複數LED；以及控制部，會控制上述冷媒所致之吸熱與來自LED的光所致之加熱，來控制檢查對象的電子元件的溫度；控制部至少會依據所測量之檢查對象之電子元件的溫度來控制來自LED之光輸出，並依據LED的光輸出來控制冷媒所致之吸熱。

Description

檢查裝置
本發明關於一種會檢查載置台所載置的電子元件之檢查裝置。
在半導體製造過程中，會在半導體晶圓(以下稱作「晶圓」。)上形成具有特定電路圖案的複數電子元件。所形成之電子元件會被進行電性特性等檢查，來區分為良品與不良品。電子元件的檢查例如係在各電子元件被分割前之晶圓的狀態下，使用檢查裝置來進行。
被稱作針測機(prober)等之電子元件的檢查裝置(以下稱作「針測機」)係具備有具有複數針狀的探針之探針卡、用以載置晶圓之載置台、以及IC測試器(參見專利文獻1)。此針測機會使探針卡的各探針接觸至對應於電子元件的電極所設置之電極襯墊或焊料凸塊，並將來自電子元件的訊號傳達至IC測試器以檢查電子元件的電性特性。又，專利文獻1之針測機中，在檢查電子元件的電性特性之際，為了重現該電子元件的封裝環境，係藉由載置台內的冷媒流道或加熱器來控制載置台的溫度，藉以控制晶圓的溫度。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平10-135315號公報
然而，近年來，電子元件之高速化或微細化演進，由於集積度變高，且動作時的發熱量變得非常大，故晶圓中，在一電子元件的檢查中會對相鄰接之其他電子元件造成熱負荷，而有導致該其他電子元件發生不良之虞。
作為防止發生上述不良之方法，在專利文獻1的針測機中，考慮了以載置台內所設置之冷媒流道或加熱器來控制檢查中之電子元件的溫度，以抑制對其他電子元件造成熱負荷之方法。然而，使用載置台內的冷媒流道 或加熱器之情況，雖可整體地控制晶圓的溫度，但卻無法局部地(例如僅限於檢查中之電子元件的附近)控制晶圓的溫度來抑制對其他電子元件造成熱負荷。這是因為難以使冷媒流道或加熱器小型化，故會難以將冷媒流道或加熱器局部地配置在載置台內之緣故。
因此例如，便會藉由讓對檢查中的電子元件所施加之電壓會小於封裝環境中所應施加之較高的封裝時電壓，來避免對鄰接的其他電子元件造成熱負荷。但其結果，便無法在電子元件的封裝前便先發現施加封裝時電壓時所會產生的不良，導致組裝的良率降低，而產生成本變高之問題。
本發明之目的為提供一種可抑制電子元件的成本變高之電子元件的檢查裝置。
為達成上述目的，本發明為一種檢查裝置，係使接觸端子電性接觸於被檢查體所設置之電子元件來檢查該電子元件之檢查裝置，具備有：載置台，係於內部具有可供能夠讓光穿透的冷媒流通之冷媒流道，且載置有該被檢查體，與該被檢查體之載置側為相反側係由透光組件所形成；照光機構，係配置為會對向於與該載置台中該被檢查體的載置側為相反側之面，且具有會指向該被檢查體之複數LED；以及控制部，會控制該冷媒所致之吸熱與來自該LED的光所致之加熱，以控制檢查對象之該電子元件的溫度；該控制部至少會依據所測量之該檢查對象之該電子元件的溫度來控制來自該LED之光輸出，並依據該LED之光輸出來控制該冷媒所致之吸熱。
該控制部可控制該LED的輸出以使該檢查對象之該電子元件的溫度為固定，並控制該冷媒所致之吸熱以使該LED的輸出為固定。
該控制部可依據所測量之該檢查對象之該電子元件的溫度與所測量之該載置台的溫度來控制該LED的輸出，以使該檢查對象之該電子元件的溫度為固定。
該控制部可控制該冷媒的流量來控制該冷媒所致之吸熱，以使該LED的輸出為固定。
該控制部可依據該LED的輸出是否已超過特定值，來進行該冷媒供應之實施與停止的切換，藉以控制該冷媒所致之吸熱。
該控制部可使該特定值具有遲滯現象(hysteresis)。
依據本發明之檢查裝置，便可抑制電子元件的成本變高。
1‧‧‧針測機
2‧‧‧收納室
3‧‧‧載置器
4‧‧‧測試器
10‧‧‧台座
11‧‧‧探針卡
11a‧‧‧探針
12‧‧‧介面
13‧‧‧基本單元
13a‧‧‧記憶部
13b‧‧‧元件溫度資訊取得部
13c‧‧‧元件溫度計算部
13d、70LED‧‧‧操作量決定部
13e、60‧‧‧閥操作量決定部
13f、71LED‧‧‧控制部
13g、61‧‧‧閥控制部
13h‧‧‧載置台溫度取得部
14‧‧‧電位差測量單元
17‧‧‧測試器電腦
18‧‧‧使用者介面部
31a‧‧‧溫度感測器
32‧‧‧有底組件
32a‧‧‧冷媒流道
36‧‧‧流量控制閥
40‧‧‧照光機構
41‧‧‧LED
50‧‧‧高速切換閥
E‧‧‧電極
U‧‧‧LED單元
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本發明第1實施型態相關之檢查裝置的概略結構之立體圖。
圖2係顯示本發明第1實施型態相關之檢查裝置的概略結構之前視圖。
圖3係概略顯示被檢查體(晶圓)的構成之俯視圖。
圖4係概略顯示台座的構成之剖面圖。
圖5係概略顯示照光機構的構成之俯視圖。
圖6係概略顯示圖1之檢查裝置中，晶圓之溫度測量用電路的構成之圖式。
圖7係概略顯示基本單元的概略構成之方塊圖。
圖8係概略顯示本發明第2實施型態相關之檢查裝置所具有之台座的上部構成之剖面圖。
圖9係概略顯示本發明第2實施型態相關之基本單元的概略構成之方塊圖。
圖10係概略顯示本發明第3實施型態相關之基本單元的概略構成之方塊圖。
圖11係顯示檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果(比較例1)之圖式。
圖12係顯示檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果(比較例2)之圖式。
圖13係顯示檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果(實驗例1)之圖式。
圖14係顯示檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果(實驗例2)之圖式。
圖15係顯示檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果(實驗例3)之圖式。
圖16係顯示檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果(實驗例4)之圖式。
以下，針對本發明之實施型態參見圖式來加以說明。此外，本說明書及圖式中，針對實質地具有相同功能構成之要素，則賦予相同符號而省略重複說明。
(第1實施型態)
圖1及圖2分別為顯示本發明第1實施型態相關之作為檢查裝置之針測機1的概略構成之立體圖及前視圖。圖2中，為了顯示圖1之針測機1的後述收納室與載置器所內建之構成要素，而以剖面來顯示其一部分。
圖1及圖2之針測機1會對作為被檢查體之晶圓W所形成的複數電子元件(參見後述圖3的符號D)分別進行電性特性檢查，係具備有會在檢查時收納晶圓之收納室2、鄰接於收納室2所配置之載置器3、以及覆蓋收納室般地配置之測試器4。
收納室2係內部為空洞的框體，具有會固定檢查對象的晶圓W之台座10。台座10會吸附保持晶圓W來使晶圓W相對於該台座10的位置不會偏移。又，台座10係構成為可自如地移動於水平方向及鉛直方向，藉由此構成，便可調整後述探針卡11與晶圓W的相對位置，來使晶圓W表面的電極與探針卡11的探針11a相接觸。
收納室2中，該台座10的上方係對向於該台座10般而配置有探針卡11。探針11a為本發明之接觸端子一例。
又，探針卡11係透過介面12而連接於測試器4。當各探針11a接觸到晶圓W之各電子元件的電極時，各探針11a便會從測試器4透過介面12來 朝電子元件供應電力，或透過介面12來朝測試器4傳達來自電子元件的訊號。
載置器3會取出為搬送容器之FOUP(省略圖示)所收納的晶圓W，並搬送至收納室2的台座10。又，載置器3會從台座10收取電子元件D的電性特性檢查結束後之晶圓W，並收納在FOUP。
進一步地，載置器3具有：基本單元13，係作為控制部，會進行檢查對象之電子元件的溫度控制等各種控制；以及，電位差測量單元14，會測量各電子元件中之電位差生成電路(省略圖示)中的電位差。上述電位差生成電路為例如二極體、電晶體或電阻。電位差測量單元14係透過配線15而連接於介面12，會取得接觸於上述電位差生成電路相對應的2個電極之2個探針11a間的電位差，並將所取得之電位差傳達至基本單元13。有關介面12中各探針11a及配線15的連接構造將詳述於後。基本單元13係透過配線16而連接於台座10，會控制後述照光機構40，或會調整朝後述載置台30的冷媒流量之流量控制閥。此外，基本單元13或電位差測量單元14亦可設置於收納室2，又，電位差測量單元14亦可設置於探針卡11。
測試器4係具有會重現搭載有電子元件之主機板的一部分電路構成之測試板(省略圖示)。測試板係連接於會依據來自電子元件的訊號來判斷該電子元件的良窳之測試器電腦17。測試器4中可藉由替換上述測試板來重現複數種主機板的電路構成。
另外，針測機1係具備有向使用者顯示資訊，或供使用者輸入指示之使用者介面部18。使用者介面部18係由例如觸控面板或鍵盤等輸入部與液晶顯示器等顯示部所構成。
具有上述各構成要素之針測機1中，在電子元件的電性特性檢查之際，測試器電腦17會將資料傳送至透過各探針11a來與電子元件連接之測試板。然後，測試器電腦17會依據來自該測試板的電氣訊號來判定所傳送之資料是否已被該測試板正確地處理。
接著，有關上述針測機1之被檢查體(晶圓W)，使用圖3來加以說明。圖3係概略顯示晶圓W的構成之俯視圖。
晶圓W係藉由對略圓板狀的矽基板施予蝕刻處理或配線處理，而如圖3所示般表面會相距特定間隔地形成有複數電子元件D。電子元件D(即晶圓W的表面)係形成有電極E，該電極E係電連接於該電子元件D內部的電路元件。藉由對電極E施加電壓，便可使電流流往各電子元件D內部的電路元件。
接著，有關台座10之構成，使用圖4及圖5來加以說明。圖4係概略顯示台座10的上部構成之剖面圖，圖5係概略顯示後述照光機構40的構成之俯視圖。
台座10如圖4所示，係於上部處，從上方依序具有載置台30及照光機構40。載置台30會將晶圓W載置於其上面，照光機構40會將光照射在載置台30所載置之蓋組件31來加熱該蓋組件31，藉以加熱晶圓W，來加熱該晶圓W上所形成之電子元件D。
載置台30係於晶圓W的載置側(即上側)具有蓋組件31，並於與晶圓W的載置側為相反側(即下側)具有有底組件32，蓋組件31與有底組件32係透過O型環33而相抵接。
蓋組件31係形成為圓板狀，例如由SiC所形成。SiC的熱傳導率及楊氏係數很高，且相對於來自照光機構40的光之吸收效率亦很高。於是，藉由以SiC來形成蓋組件31，當加熱/冷卻該蓋組件31時，便可有效率地加熱/冷卻該蓋組件31所載置的晶圓W，又，可防止蓋組件31發生破裂等，進一步地，可藉由來自照光機構40的光來有效率地加熱蓋組件31(即晶圓W)。又，由於SiC可使用綠板(green sheet)法等，因為加工性高，所以可降低針測機1的製造成本。
蓋組件31的上面係形成有用以吸附晶圓W之吸附孔(省略圖示)。又，蓋組件31中，在俯視觀看下為相互分離之位置處係埋設有複數溫度感測器31a。
有底組件32係形成為與蓋組件31大致相同直徑的圓板狀，而由能夠讓來自照光機構40的光穿透之透光組件所形成。來自照光機構40的光為近紅外光之情況，可使用聚碳酸酯、石英、聚氯乙烯、壓克力樹脂或玻璃 來作為上述透光組件。又，由於該等材料容易加工或成型，故可降低針測機1的製造成本。
又，有底組件32的上面係形成有用以使冷媒在載置台30的內部流通之溝槽，該溝槽係受到蓋組件31的覆蓋而形成冷媒流道32a。換言之，載置台30係於其內部具有蓋組件31與有底組件32所形成之冷媒流道32a。針測機1中，係以在冷媒流道32a流通之冷媒來冷卻載置台30上所載置的晶圓W，藉以將形成於該晶圓W之電子元件冷卻，亦即進行電子元件的吸熱。
又，有底組件32的側部係形成有與冷媒流道32a連通之供應口32b與排出口32c。供應口32b係連接有會對冷媒流道32a供應冷媒之供應管34，排出口32c則連接有會從冷媒流道32a來將冷媒排出之排出管35。供應管34係設置有會控制被供應至冷媒流道32a的冷媒流量之流量控制閥36。流量控制閥36可使用能夠高速地改變流量之冷卻器冷媒流量控制用的閥等。又，亦可為設置三向閥來作為此閥36，且設置有會使冷媒流道32a改道般的分流流道之應用。進一步地，當冷媒流道32a與分流流道的閥為可變傳導閥的情況，若使冷媒流道32a的傳導率為Cv，分流流道的傳導率為Cvb，藉由讓Cv+Cvb為固定，便可在不改變整體傳導率之情況下來進行控制。
在冷媒流道32a流通之冷媒係使用例如能夠讓光穿透之液體(水)，並藉由針測機1的外部所設置之幫浦(省略圖示)而透過供應管34來供應至冷媒流道32a。此外，會調整冷媒的流量之流量控制閥36等的動作係藉由基本單元13而被控制。
照光機構40係配置為會對向於與載置台30中晶圓W的載置側為相反側之面，換言之，係配置為會對向於有底組件32的下面。
此照光機構40係具有會指向晶圓W之複數LED41。具體地說明，照光機構40係具有複數個使得複數LED41單元化後之LED單元U，且具有表面搭載有該等LED單元U之基底42。照光機構40中的LED單元U例如圖5所示，係構成為會以單元U1與單元U2來覆蓋基底42的略整面，藉此，便可以來自LED單元U之LED41的光來照射至少蓋組件31中搭載有晶圓W的部分整體；其中該單元U1俯視觀看下為正方形，係以和晶圓W上所 形成之電子元件D(參見圖3)相同數量來被同樣地配列，單元U2俯視觀看下為非正方形，係覆蓋其外周。
各LED41會朝晶圓W照射光。本例中，各LED41會放射出近紅外光。從LED41所放射出的光(以下會有省略為「LED光」的情況。)會通過透光組件所構成之載置台30的有底組件32。通過有底組件32的光會先通過在載置台30的冷媒流道32a流通且能夠讓光穿透的冷媒，再入射至蓋組件31。
照光機構40中，入射至載置台30中載置有晶圓W的蓋組件31之LED光係藉由LED單元U單位而被控制。於是，照光機構40便可將LED光僅照射在蓋組件31任意中的部位，抑或，可使所照射之光的強度在任意部位與其他部位為不同。
針測機1中，係藉由來自照光機構40的光所致之加熱與在冷媒流道32a流通的冷媒所致之吸熱，來將載置台30上的晶圓W所形成之檢查對象之電子元件D的溫度控制為會固定在目標溫度。為了進行此溫度控制，針測機1中會測量晶圓W的溫度。
圖6係概略顯示針測機1中之電子元件D的溫度測量用電路構成之圖式。。
針測機1中如圖6所示，各探針11a雖係藉由介面12所配置之複數配線20而連接於測試器4，但各配線20當中，係於2個配線20分別設置有繼電器21，該2個配線20係連接電子元件D中之電位差生成電路(例如二極體)的2個電極E所接觸之2個探針11a與測試器4。
各繼電器21係構成為可切換各電極E的電位來傳達至測試器4及電位差測量單元14之任一者，例如，進行電子元件D的電性特性檢查之際，對各電極E施加封裝時電壓後，會在特定時間點將各電極E的電位傳達至電位差測量單元14。已知上述電位差生成電路中，使特定的電流流通之際所產生的電位差會因溫度而異。因此，便可依據電子元件D之電位差生成電路的電位差，亦即，電位差生成電路之2個電極E(探針11a)間的電位差，而在檢查中即時地測量電子元件D的溫度。針測機1中，電位差測量單元14會依據從各繼電器21所傳達之各電極E的電位來取得電子元件D之電位差生成電路的電位差，並進一步地將所取得之電位差傳達至基本單元13。 基本單元13會依據所傳達之電位差與電位差生成電路之電位差的溫度特性，來測量電子元件D的溫度。
此外，電子元件D之溫度測量方法不限於上述，只要是可測量電子元件D的溫度，則亦可為其他方法。
接著，有關基本單元13之電子元件D的溫度控制相關構成，使用圖7來加以說明。圖7係概略顯示基本單元的概略構成之方塊圖。
基本單元13係由例如電腦等所構成，具有程式儲存部(圖中未顯示)。程式儲存部係儲存有會控制針測機1中之電子元件D的溫度控制處理等各種處理之程式等。
此外，該程式係被記錄在例如可被電腦讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等之可被電腦讀取的記憶媒體，亦可從該記憶媒體被安裝在基本單元13。
基本單元13係具有記憶部13a、元件溫度資訊取得部13b、元件溫度計算部13c、LED操作量決定部13d、閥操作量決定部13e、LED控制部13f、閥控制部13g、及載置台溫度取得部13h。
記憶部13a會記憶電子元件D的目標溫度、照光機構40之LED41的操作量目標值、或冷媒的溫度等。LED41之操作量的目標值或冷媒的溫度係由電子元件D的目標溫度或LED41的最大輸出等來預先決定。又，記憶部13a亦會記憶電子元件D中電位差生成電路之電位差的溫度特性資訊。
元件溫度資訊取得部13b會從電位差測量單元14來取得該電子元件D中前述電位差生成電路之電位差的資訊，來作為檢查對象之電子元件D的溫度資訊。
元件溫度計算部13c會依據從元件溫度資訊取得部13b所取得的資訊而獲得之檢查對象(電子元件)之電位差生成電路的電位差，與電位差生成電路之電位差的溫度特性，來計算出檢查對象之電子元件D的溫度。
LED操作量決定部13d係用以進行反饋控制(例如PID控制)，來使檢查對象之電子元件D的溫度固定在目標溫度，會決定LED41的操作量。具體地說明，LED操作量決定部13d會計算出例如元件溫度計算部13c所計算出之電子元件D的溫度與記憶部13a所記憶之電子元件D的目標溫度之差 值，並由上述差值而藉由PID動作來計算出/決定檢查對象之電子元件D相對應之LED41的操作量。
閥操作量決定部13e係用以進行反饋控制(例如PID控制)，來使LED操作量決定部13d所決定之LED41的操作量固定在目標值，會決定流量控制閥36的操作量，該流量控制閥36會控制在載置台30的冷媒流道32a流通之冷媒的流量。具體地說明，閥操作量決定部13e會計算出例如LED操作量決定部13d所計算出之LED41的操作量與記憶部13a所記憶之LED41的操作量目標值之差值，並由該差值而藉由PID動作來計算出/決定流量控制閥36的操作量。流量控制閥36之操作量計算所需的冷媒溫度資訊會被記憶在記憶部13a。
LED控制部13f會依據LED操作量決定部13d所計算出之操作量來調節LED41的光輸出。藉此，便可控制來自LED41之光所致之檢查對象之電子元件D等的加熱。
閥控制部13g會依據閥操作量決定部13e所計算出之操作量來調節流量控制閥36的開合度，以調整在載置台30內部的冷媒流道32a流通之冷媒的流量。藉此，便可控制上述冷媒所致之檢查對象之電子元件D等的吸熱。
藉由上述般之構成，基本單元13會依據檢查對象之電子元件D的溫度來控制該電子元件D相對應之來自LED41之光輸出所致之加熱，且依據來自LED41之光輸出來控制載置台30之冷媒流道32a內的冷媒所致之吸熱，以控制檢查對象之電子元件D的溫度。換言之，藉由上述般之構成，基本單元13會進行以來自反應較快的LED41之光輸出相關的操作量為主要(master)側，而以反應較慢的冷媒之流速相關的操作量為從屬(slave)側之串級控制(cascade control)。成為基本單元13之溫度控制的基本之控制方法為併用線性要素與非線性要素之滑動模式控制(sliding mode control)，係使用來自LED41之光輸出來作為線性要素，而使用冷媒的流量來作為非線性要素。滑動模式控制中，控制操作量通常會被分割為線性控制操作量與非線性控制操作量。線性控制操作量會將控制系統的狀態而在切換超平面上使控制差值為最小，非線性控制操作量係當有模型化誤差或不確定的外部擾亂時，會將控制系統的狀態導向切換超平面。
此外，基本單元13的載置台溫度取得部13h會由溫度感測器31a來取得載置台30的溫度資訊，具體來說為蓋組件31的溫度資訊。
接著，針對使用針測機1來對晶圓W進行檢查處理一例加以說明。首先，從載置器3的FOUP取出晶圓W並搬送、載置於台座10。接下來，使台座10移動至特定位置。
然後，點啟照光機構40的所有LED41，並依據從蓋組件31的溫度感測器31a所取得之資訊，來調整來自LED41之光輸出與在載置台30內流通之冷媒的流量，以使蓋組件31的溫度在面內變得均勻。
在此狀態下，藉由電位差測量單元14來取得檢查對象之電子元件D中前述電位差生成電路的電位差。然後，將已在面內成為均勻之蓋組件31的溫度視作與檢查對象之電子元件D的溫度大致一致，來進行上述電位差的校正，亦即，補正上述電位差的溫度特性資訊。
之後，移動台座10來使台座10的上方所設置之探針11a與晶圓W的檢查對象之電子元件D的電極E相接觸。
然後，將檢查用訊號輸入至探針11a。藉此來開始電子元件D的檢查。此外，上述檢查中，係依據檢查對象之電子元件D的電位差生成電路所產生之電位差資訊，來控制該元件相對應之來自LED單元U的LED41之光輸出(即LED41的施加電壓)，以使該電子元件D的溫度成為實驗溫度/目標溫度，並控制載置台30內的冷媒流量(即流量控制閥36的開合度)，以使來自LED41之輸出成為目標值。
之後，電子元件D中電位差生成電路之電位差校正之後的工序係一直重複直到所有電子元件D的檢查完成為止。
以下，針對本實施型態之效果來加以說明。
本實施型態中，可使用流量控制閥36來控制載置台30內的冷媒流量。又，係以對向於有底組件32之方式來配置照光機構40，該有底組件32係位在與載置台30中晶圓W的載置側為相反側，並由透光組件所構成，而在載置台30的冷媒流道32a流通之冷媒亦能夠讓光穿透。於是，便能夠讓來自各LED41的LED光穿透冷媒等而到達載置台30的蓋組件31。進一步地，照光機構40可藉由各LED單元U來朝蓋組件31局部地照射LED光。只要 是能夠如上述般地藉由流量控制閥36來控制冷媒流量之構成，雖亦可考慮不進行LED光的控制而僅以冷媒的流量控制來控制元件D的溫度，但本實施型態中，則是亦進行LED光的控制來控制元件D的溫度。具體地說明，係藉由載置台30內的冷媒來將蓋組件31整體地冷卻，且朝蓋組件31局部地照射LED光，而僅加熱檢查中的電子元件D。亦即，晶圓W中，僅會控制檢查中之電子元件D的溫度，並同時冷卻其他的電子元件D。於是，便可抑制來自檢查中之電子元件D的熱負荷施加在其他電子元件D。其結果，便可將封裝時電壓施加在期望的電子元件D，於是，便可在組裝前先發現施加封裝時電壓之時所產生的不良，從而可抑制組裝的良率降低且防止成本提高。此外，照光機構40亦可藉由各LED單元U來局部地改變照射在蓋組件31之光強度。於是，便可藉由載置台30內的冷媒來整體地冷卻蓋組件31，同時局部地改變朝蓋組件31之LED光的照射狀態，從而便亦可使檢查中之電子元件D的加熱狀態與其他電子元件不同。亦即，可在晶圓W中，一邊控制檢查對象之電子元件D與其他電子元件D兩者的溫度，一邊進行檢查對象之電子元件D的檢查。
又，在D-RAM等所採用之總括式接觸針測中，係點啟照光機構40整面來調整分佈。在此模式中，由於晶圓發熱量很少，故可僅以LED照射量來進行調整。
又，本實施型態中，係非反應較慢之冷媒的溫度，而是藉由調節反應較快之冷媒的流量，來進行冷媒所致之電子元件吸熱的控制。然後，基本單元13如前述般，會依據檢查對象之電子元件D的溫度，來控制該電子元件D相對應之來自LED41的光輸出所致之加熱，且依據來自LED41之光輸出，來控制載置台30之冷媒流道32a內的冷媒所致之吸熱，以控制檢查對象之電子元件D的溫度。
若與本實施型態不同，而是在僅控制來自LED之光輸出所致之加熱，來使冷媒所致之電子元件的吸熱為固定的情況，則為了抑制當電子元件的發熱量變得非常大時之該電子元件的溫度上升度，則必須使用最大輸出較大的LED，或是增加LED的密度。但最大輸出較大的LED41價格很高， 又，若增加LED41的密度則成本仍會增加。又，若使用最大輸出較大的LED41或增加LED41的密度之情況，則仍必須將LED41本身予以冷卻。
相對於此，在本實施型態中，由於如上述般地進行控制，而不須使用最大輸出較大的LED41或增加LED41的個數，故可防止成本增加，又，也不需將LED41冷卻。另外，由於未冷卻LED41的情況，該LED41的故障率會較低，故可維持針測機1的可靠度。
又，本實施型態中，係使用水來作為吸熱相關的冷媒。於是，相較於使用氟氯烷系冷媒的情況，便可高速地進行冷媒所致之吸熱。
進一步地，由於本實施型態係使用水來作為吸熱相關的冷媒，且使用SiC來作為載置台30的蓋組件31，故溫度回應特性高。
又，本實施型態中，在進行電子元件D的檢查時，不須將該電子元件D切割為晶片，而可以晶圓單位來進行。
(第2實施型態)
圖8及圖9係用以說明本發明第2實施型態相關之作為電子元件檢查裝置的針測機之圖式，圖8係概略顯示針測機所具有之台座的上部構成之剖面圖，圖9針測機所具有之基本單元的概略構成之方塊圖。
第1實施型態之針測機中，如圖4所示，係使用會控制冷媒流量之流量控制閥36來進行冷媒所致之電子元件吸熱的控制。相對於此，第2實施型態之針測機中，如圖8所示，則係使用會切換冷媒供應的實施與停止之高速切換閥50來控制冷媒所致之電子元件吸熱的控制。此外，以下，關於高速切換閥50，會有使得實施冷媒的供應之狀態為ON狀態，而使得停止冷媒的供應之狀態為OFF狀態之情況。
高速切換閥50可使用能夠高速地切換冷媒的供應實施/停止之ALD(Atomic Layer Deposition)成膜裝置中的氣體用閥等。
此外，本實施型態之冷媒亦為水。
如圖9所示，本實施型態相關之基本單元13係具有閥操作量決定部60與閥控制部61。
閥操作量決定部60係用以進行反饋控制來使LED操作量決定部13d所決定之LED41的操作量收斂至從目標值之特定範圍內，會決定高速切換 閥50的操作量。具體地說明，閥操作量決定部60會依據例如LED操作量決定部13d所計算出之LED41的操作量是否超過特定值(目標值)，來決定高速切換閥50的操作量。
又，閥操作量決定部60理論上，若高速切換閥50的切換時間為零的話，便可將控制對象鎖定為超平面來實現滑動模式，但實際上，由於高速切換閥50的切換時間為有限的時間而會發生振顫(chattering)，故要使上述特定值產生遲滯(hysteresis)。亦即，當高速切換閥50為OFF狀態的情況，係以LED操作量決定部13d所計算出之LED41的操作量較上述目標值超出特定值時，會切換為ON狀態之方式，來決定高速切換閥50的操作量，而當高速切換閥50為ON狀態的情況，係以LED41的操作量低於上述目標值減去上述特定值之數值時，則會切換為OFF狀態之方式，來決定高速切換閥50的操作量。關於遲滯之資訊(即上述特定值)會被記憶在記憶部13a。
此外，閥操作量決定部60亦可說是會進行反饋控制，來使LED操作量決定部13d所決定之LED41之操作量的平均值固定在目標值。
閥控制部61會依據閥操作量決定部60所決定之操作量來切換高速切換閥50的開閉。藉此，便可控制上述冷媒所致之電子元件D等的吸熱。
本實施型態係在電子元件D的檢查中，會依據該電子元件D的電位差生成電路所產生之電位差資訊來控制來自LED41之光輸出，以使該電子元件的溫度成為實驗溫度/目標溫度，且控制朝載置台30內之冷媒供應的實施/停止切換(即高速切換閥50的開閉)，以使來自LED41之輸出的平均值成為目標值。
本實施型態中，基本單元13亦會依據檢查對象之電子元件D的溫度來控制該電子元件D相對應之來自LED41的光輸出所致之加熱，且依據來自LED41之光輸出來控制載置台30之冷媒流道32a內的冷媒所致之吸熱，以控制檢查對象之電子元件D的溫度。於是，由於不需使用最大輸出較大的LED41或增加LED41的個數，故可防止成本增加，又，也不需將LED41冷卻。另外，由於未冷卻LED41的情況，該LED41的故障率會較低，故可維持針測機1的可靠度。
又，本實施型態中，高速切換閥50係與流量控制閥36不同，閥體不須馬達，故可抑制成本，且可謀求省空間化。
另外，本實施型態係使LED41的操作量目標值產生遲滯，故可在不會產生振顫之情況下來將控制對象鎖定為超平面。
此外，本實施型態中，成為基本單元13之溫度控制的基本之控制方法亦是併用線性要素與非線性要素之滑動模式控制，係使用來自LED41之光輸出來作為線性要素，而使用冷媒供應的切換(實施/停止)來作為非線性要素。
(第3實施型態)
圖10係用以說明本發明第3實施型態相關之作為電子元件檢查裝置的針測機之圖式，為概略顯示針測機所具有之基本單元的概略構成之方塊圖。
本實施型態之針測機如圖10所示，基本單元13係具有LED操作量決定部70與LED控制部71。
LED操作量決定部70會進行反饋控制來使檢查對象之電子元件D的溫度固定在目標溫度，會依據該電子元件D的溫度與載置台30的溫度來決定LED41的操作量。具體地說明，LED操作量決定部70例如會計算出元件溫度計算部13c所計算出之電子元件D的溫度與記憶部13a所記憶之電子元件D的目標溫度之差值，並由該差值來進行載置台30之溫度推測。上述推測係藉由例如將上述差值以時間來做積分而進行。然後，LED操作量決定部70會計算出所推測之載置台30的溫度與透過載置台溫度取得部13h所取得之載置台30的溫度之差值，並由該差值來計算出/決定檢查對象之電子元件D相對應之LED41的操作量。亦即，LED操作量決定部70會施予以載置台30的溫度作為狀態量之狀態反饋，來計算出/決定LED41的操作量。
LED控制部71會依據LED操作量決定部70所計算出之操作量來調節LED41的光輸出。藉此，便可控制來自LED41的光所致之檢查對象之電子元件D等的加熱。
本實施型態之針測機中，在進行檢查對象之電子元件D的溫度反饋控制時，會施予以載置台30(的蓋組件31)的溫度作為狀態量之狀態反饋。於是，便可更正確控制檢查對象之電子元件D的溫度。
此外，本實施型態亦可應用於藉由使用高速切換閥50作為閥體來切換冷媒供應的實施/停止以控制吸熱之情況。
以上之範例為被同時檢查之電子元件D為1個的範例。但上述各實施型態亦可應用於被同時檢查之電子元件D為複數個的情況。此情況下，冷媒所致之吸熱相關的操作量例如係以各電子元件相對應之各LED的操作量平均值會固定在目標值之方式來決定。
以上，雖已針對本發明之實施型態來加以說明，但本發明並未侷限於上述範例。只要是本發明所屬技術領域中具通常知識者應當可在申請專利範圍所記載之技術思想的範圍內來思及各種變化例或修正例，且可明瞭該等當然亦屬於本發明之技術範圍。
【實施例】
圖11~圖16係顯示作為比較例1、2及實驗例1~4，檢查對象之電子元件瞬間發熱時，電子元件溫度的模擬結果之圖式。各圖式中，橫軸表示時間，左側的縱軸表示電子元件的溫度、電子元件的發熱量，右側的縱軸在圖11及圖12中表示LED操作量，在圖13及圖14中表示冷媒之流量控制閥的開合度，在圖15及圖16中則表示高速切換閥的開閉狀態，圖15及圖16之右側的縱軸中，“1”表示閥為打開狀態，“0”表示閥為關閉狀態。又，各圖(B)為各圖(A)之部分放大圖。
比較例1、2為使用比較用針測機之情況的模擬結果，上述比較用針測機僅有電子元件的溫度控制方法與第1實施型態之針測機不同，係使冷媒所致之吸熱為固定，而僅藉由控制光輸出所致之加熱來控制電子元件的溫度。實驗例1、2為使用上述第1實施型態之針測機之情況的模擬結果，實驗例3、4為使用上述第2實施型態之針測機之情況的模擬結果。
此外，上述模擬係在經過大約80秒後，使電子元件持續發熱約10秒鐘。又，係使冷媒為水，使載置台30之蓋組件31的材料為SiC，使LED的最大輸出為90W，使LED的目標操作量為30W。另外，電子元件的目標 溫度除了實驗例4以外皆為85℃，實驗例4中，係使上述目標溫度為105℃。電子元件的發熱量在比較例1中為50W，比較例2中為100W，實驗例1中為200W，實驗例2、實驗例3中為300W，實驗例4中為765W。
上述比較用針測機中，由圖11之比較例1可明白得知若電子元件的發熱量較小(50W)，便可將溫度控制在自目標溫度之較佳範圍內(目標溫度+3℃以內)。但由圖12之比較例2可明白得知若電子元件的發熱量成為100W，則電子元件的溫度便會在從目標溫度之較佳範圍外，具體來說是上升至92.7℃。
相對於此，第1實施型態之針測機中，由圖13之實驗例1可明白得知縱使電子元件的發熱量大於比較例2(為200W)之情況，電子元件的溫度即便最大仍在88℃以下，而可控制在自目標溫度之較佳範圍內。但第1實施型態之針測機中，在電子元件的發熱量非常大的情況，例如圖14之實驗例2般為300W的情況，則溫度會上升至93.8℃。
另一方面，第2實施型態之針測機中，由圖15之實驗例3可明白得知縱使電子元件的發熱量非常大(為300W)之情況，電子元件的溫度即便最大而仍為非常接近85.9℃之目標溫度的數值，可控制在非常接近目標溫度之範圍內。另外，第2實施型態之針測機中，當電子元件的發熱量更大的情況，例如圖16之實驗例4般，即便是較實驗例3時而發熱量為2倍以上(765W)的情況，若目標溫度為105℃，電子元件的溫度最大仍只會較目標溫度要高2.2℃(為107.2℃)，而可控制在自目標溫度之較佳範圍內。
本發明可利用於檢查電子元件之技術。
10‧‧‧台座
30‧‧‧載置台
31‧‧‧蓋組件
31a‧‧‧溫度感測器
32‧‧‧有底組件
32a‧‧‧冷媒流道
32b‧‧‧供應口
32c‧‧‧排出口
33‧‧‧O型環33
34‧‧‧供應管
35‧‧‧排出管
36‧‧‧流量控制閥
40‧‧‧照光機構
41‧‧‧LED
42‧‧‧基底
U‧‧‧LED單元
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種檢查裝置，係使接觸端子電性接觸於被檢查體所設置之電子元件來檢查該電子元件之檢查裝置，具備有：載置台，係於內部具有可供能夠讓光穿透的冷媒流通之冷媒流道，且載置有該被檢查體，在與該被檢查體之載置側為相反側具有有底組件，該有底組件由透光組件所形成；照光機構，係配置為會對向於與該載置台中該被檢查體的載置側為相反側之面，且具有會指向該被檢查體之複數LED；以及控制部，會控制該冷媒所致之吸熱與來自該LED的光所致之加熱，以控制檢查對象之該電子元件的溫度；該控制部至少會依據所測量之該檢查對象之該電子元件的溫度來控制來自該LED之光輸出，並依據該LED之光輸出來控制該冷媒所致之吸熱。
  2. 如申請專利範圍第1項之檢查裝置，其中該控制部會控制該LED的輸出以使該檢查對象之該電子元件的溫度為固定，並控制該冷媒所致之吸熱以使該LED的輸出為固定。
  3. 如申請專利範圍第2項之檢查裝置，其中該控制部會依據所測量之該檢查對象之該電子元件的溫度與所測量之該載置台的溫度來控制該LED的輸出，以使該檢查對象之該電子元件的溫度為固定。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之檢查裝置，其中該控制部會控制該冷媒的流量來控制該冷媒所致之吸熱，以使該LED的輸出為固定。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之檢查裝置，其中該控制部會依據該LED的輸出是否已超過特定值，來進行該冷媒供應之實施與停止的切換，藉以控制該冷媒所致之吸熱。
  6. 如申請專利範圍第5項之檢查裝置，其中該控制部會使該特定值具有遲滯現象(hysteresis)。
TW108106696A 2018-03-05 2019-02-27 檢查裝置 TWI797267B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018038843A JP7161854B2 (ja) 2018-03-05 2018-03-05 検査装置
JP2018-038843 2018-03-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201942993A TW201942993A (zh) 2019-11-01
TWI797267B true TWI797267B (zh) 2023-04-01

Family

ID=67845653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108106696A TWI797267B (zh) 2018-03-05 2019-02-27 檢查裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11340283B2 (zh)
JP (1) JP7161854B2 (zh)
KR (1) KR102492491B1 (zh)
CN (1) CN111788666B (zh)
DE (1) DE112019001139T5 (zh)
TW (1) TWI797267B (zh)
WO (1) WO2019171932A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7161854B2 (ja) * 2018-03-05 2022-10-27 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP7153556B2 (ja) * 2018-12-28 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 温度測定部材、検査装置及び温度測定方法
JP7398935B2 (ja) 2019-11-25 2023-12-15 東京エレクトロン株式会社 載置台、及び、検査装置
JP7365923B2 (ja) 2020-02-12 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置
JP7393986B2 (ja) * 2020-03-17 2023-12-07 東京エレクトロン株式会社 載置台及び検査装置
JP7433147B2 (ja) 2020-06-26 2024-02-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及び検査装置
JP2022018794A (ja) 2020-07-16 2022-01-27 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の制御方法
JP7449814B2 (ja) 2020-08-12 2024-03-14 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
JP7479266B2 (ja) * 2020-09-25 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 検査装置の制御方法、及び、検査装置
US11828795B1 (en) 2022-10-21 2023-11-28 AEM Holdings Ltd. Test system with a thermal head comprising a plurality of adapters for independent thermal control of zones
US11796589B1 (en) 2022-10-21 2023-10-24 AEM Holdings Ltd. Thermal head for independent control of zones
US11828796B1 (en) 2023-05-02 2023-11-28 AEM Holdings Ltd. Integrated heater and temperature measurement

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200405456A (en) * 2002-07-24 2004-04-01 Toshiba Corp Method of forming pattern and substrate processing apparatus
US20040235205A1 (en) * 2000-09-20 2004-11-25 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
TW200830354A (en) * 2006-09-05 2008-07-16 Tokyo Electron Ltd Annealing apparatus
US20080272474A1 (en) * 2006-01-18 2008-11-06 International Business Machines Corporation Apparatus for integrated circuit cooling during testing and image based analysis
TW201214595A (en) * 2010-06-23 2012-04-01 Hamamatsu Photonics Kk Suction apparatus, semiconductor device observation device, and semiconductor device observation method
KR20130000340A (ko) * 2011-06-22 2013-01-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치 및 열처리 방법
US20150155190A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for reducing the effect of contamination on a rapid thermal process

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2649836B2 (ja) * 1989-02-17 1997-09-03 東京エレクトロン株式会社 温調方法
JPH10135315A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Tokyo Electron Ltd 試料載置台の温度制御装置及び検査装置
JP2004134674A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法
JP4659328B2 (ja) * 2002-10-21 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 被検査体を温度制御するプローブ装置
TW200506375A (en) * 2003-05-16 2005-02-16 Tokyo Electron Ltd Inspection apparatus
KR100543754B1 (ko) * 2003-09-15 2006-01-23 현대모비스 주식회사 동력 조향장치의 조향변위 천이상태 판단방법
JP2007003409A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Ushio Inc マイクロチップ検査装置
JP2007040926A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP4667158B2 (ja) * 2005-08-09 2011-04-06 パナソニック株式会社 ウェーハレベルバーンイン方法
JP5055756B2 (ja) * 2005-09-21 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び記憶媒体
JP4902986B2 (ja) * 2005-12-01 2012-03-21 株式会社東京精密 プローバ、及び、プローバのウェハステージ加熱、又は、冷却方法
JP2007315986A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Sony Corp 回路検査装置および回路検査方法
US7860379B2 (en) * 2007-01-15 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
JP4949091B2 (ja) * 2007-03-16 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記録媒体
JP4999615B2 (ja) * 2007-08-31 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査方法
JP5351479B2 (ja) * 2008-01-28 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 加熱源の冷却構造
JP5015079B2 (ja) 2008-07-01 2012-08-29 日本エンジニアリング株式会社 バーンイン装置及びその制御方法
US8404499B2 (en) * 2009-04-20 2013-03-26 Applied Materials, Inc. LED substrate processing
TWI454722B (zh) * 2010-12-03 2014-10-01 Lextar Electronics Corp 檢測機台、檢測方法與檢測系統
JP5982758B2 (ja) * 2011-02-23 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波照射装置
JP5732941B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
KR101783079B1 (ko) * 2011-08-26 2017-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP5536136B2 (ja) * 2012-04-19 2014-07-02 株式会社九州日昌 恒温装置
JP2013257189A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd 温度測定装置及び処理装置
US20140270731A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Thermal management apparatus for solid state light source arrays
JP2015056624A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置
JP6452449B2 (ja) * 2015-01-06 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
US9728430B2 (en) * 2015-06-29 2017-08-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck with LED heating
JP6655996B2 (ja) * 2016-01-19 2020-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置及び基板処理装置
US11221358B2 (en) * 2017-03-21 2022-01-11 Tokyo Electron Limited Placement stand and electronic device inspecting apparatus
JP6955989B2 (ja) * 2017-12-13 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP7161854B2 (ja) * 2018-03-05 2022-10-27 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP7365923B2 (ja) * 2020-02-12 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置
JP7361624B2 (ja) * 2020-02-12 2023-10-16 東京エレクトロン株式会社 加熱源の寿命推定システム、寿命推定方法、および検査装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040235205A1 (en) * 2000-09-20 2004-11-25 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
TW200405456A (en) * 2002-07-24 2004-04-01 Toshiba Corp Method of forming pattern and substrate processing apparatus
US20080272474A1 (en) * 2006-01-18 2008-11-06 International Business Machines Corporation Apparatus for integrated circuit cooling during testing and image based analysis
TW200830354A (en) * 2006-09-05 2008-07-16 Tokyo Electron Ltd Annealing apparatus
TW201214595A (en) * 2010-06-23 2012-04-01 Hamamatsu Photonics Kk Suction apparatus, semiconductor device observation device, and semiconductor device observation method
KR20130000340A (ko) * 2011-06-22 2013-01-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치 및 열처리 방법
US20150155190A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for reducing the effect of contamination on a rapid thermal process

Also Published As

Publication number Publication date
US11340283B2 (en) 2022-05-24
CN111788666A (zh) 2020-10-16
WO2019171932A1 (ja) 2019-09-12
CN111788666B (zh) 2024-03-15
KR102492491B1 (ko) 2023-01-30
TW201942993A (zh) 2019-11-01
JP7161854B2 (ja) 2022-10-27
US20200408828A1 (en) 2020-12-31
DE112019001139T5 (de) 2020-11-19
JP2019153717A (ja) 2019-09-12
KR20200123213A (ko) 2020-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI797267B (zh) 檢查裝置
TWI734871B (zh) 載置台及電子元件檢查裝置
US11385280B2 (en) Inspection apparatus and temperature control meihod
TW202142985A (zh) 加熱源之壽命推定系統、壽命推定方法、及檢查裝置
CN113325900B (zh) 温度控制装置、温度控制方法以及检查装置
JP2024052751A (ja) 載置台及び検査装置
JP7266481B2 (ja) 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置
JP7393986B2 (ja) 載置台及び検査装置
TWI840451B (zh) 溫度控制裝置、溫度控制方法以及電子元件檢查裝置
JP7449814B2 (ja) 検査方法及び検査装置
TW202036198A (zh) 溫度控制裝置、溫度控制方法以及檢查裝置
JP2023046600A (ja) 基板載置機構、検査装置、および検査方法
JP2007051959A (ja) 半導体試験装置