JP7433147B2 - 載置台及び検査装置 - Google Patents

載置台及び検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7433147B2
JP7433147B2 JP2020110831A JP2020110831A JP7433147B2 JP 7433147 B2 JP7433147 B2 JP 7433147B2 JP 2020110831 A JP2020110831 A JP 2020110831A JP 2020110831 A JP2020110831 A JP 2020110831A JP 7433147 B2 JP7433147 B2 JP 7433147B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate member
light
temperature
inspected
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020110831A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022007724A (ja
Inventor
将人 小林
博之 中山
大 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020110831A priority Critical patent/JP7433147B2/ja
Priority to KR1020210077591A priority patent/KR102647972B1/ko
Priority to TW110122069A priority patent/TW202206819A/zh
Priority to CN202110672681.6A priority patent/CN113851416A/zh
Priority to US17/356,939 priority patent/US11557494B2/en
Priority to EP21181712.7A priority patent/EP3929603A1/en
Publication of JP2022007724A publication Critical patent/JP2022007724A/ja
Priority to JP2024016333A priority patent/JP2024052751A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7433147B2 publication Critical patent/JP7433147B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

Description

本開示は、載置台及び検査装置に関する。
電子デバイスが形成されたウエハや電子デバイスが配置されたキャリアを載置台に載置して、電子デバイスに対し、テスターからプローブ等を介して電流を供給することで、電子デバイスの電気的特性を検査する検査装置が知られている。載置台内の冷却機構や加熱機構によって、電子デバイスの温度が制御される。
特許文献１には、被検査体が載置される冷却機構と、該冷却機構を介して前記被検査体に対向するように配置される光照射機構とを備え、前記冷却機構は光透過部材からなり、内部を光が透過可能な冷媒が流れ、前記光照射機構は前記被検査体を指向する多数のＬＥＤを有することを特徴とする載置台が開示されている。
特開２０１８－１５１３６９号公報
ところで、光照射機構によって被検査体が加熱される際、冷却機構の上面側が温められるため、冷却機構の上面と下面との温度差によって載置台に反りが生じるおそれがある。また、光照射機構によって昇温するエリアを限定するため、光照射機構によって光が照射されて昇温される高温領域と、光照射機構によって光が照射されない低温領域と、が混在するため、冷却機構の高温領域と低温領域との温度差によって載置台に反りが生じるおそれがある。
一の側面では、本開示は、反りを抑制する載置台及び検査装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、被検査体を載置する板部材及び透光性部材を有する載置部と、光を照射して、前記被検査体を昇温する光照射機構と、を備え、前記板部材及び前記透光性部材は、線膨張係数が１．０×１０ －６ ／Ｋ以下の低熱膨張性材料で形成され、前記板部材は、透光性を有する部材で形成され、前記板部材の表面に溶射膜を有し、前記溶射膜は、前記板部材の上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成される測温抵抗体膜と、を有し、且つ、前記光照射機構から放射された光が照射されて加熱される、載置台が提供される。
一の側面によれば、反りを抑制する載置台及び検査装置を提供することができる。
本実施形態に係る検査装置の構成を説明する断面模式図。 第1実施形態に係るステージの上部構成を説明する断面模式図。 光照射時における参考例のステージと第１実施形態のステージとを対比して示す図。 第２実施形態に係るステージの上部構成を説明する断面模式図。 第３実施形態に係るステージの上部構成を説明する断面模式図。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
＜検査装置＞
本実施形態に係るステージ（載置台）１１を備える検査装置１０について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る検査装置１０の構成を説明する断面模式図である。
検査装置１０は、キャリア（被検査体）Ｃに配置された複数の電子デバイスの各々の電気的特性の検査を行う装置である。検査装置１０は、キャリアＣを載置するステージ１１を収容する収容室１２と、収容室１２に隣接して配置されるローダ１３と、収容室１２を覆うように配置されるテスター１４と、を備える。
収容室１２は、内部が空洞の筐体形状を有する。収容室１２の内部には、キャリアＣを載置するステージ１１と、ステージ１１に対向するように配置されるプローブカード１５と、が収容される。プローブカード１５は、キャリアＣの各電子デバイス（図２で後述する電子デバイス２５）の電極に対応して設けられた電極パッド（図２で後述する電極パッド２６）や半田バンプに対応して配置された多数の針状のプローブ（接触端子）１６を有する。
ステージ１１は、キャリアＣをステージ１１へ固定する固定機構（図示せず）を有する。これにより、ステージ１１に対するキャリアＣの相対位置の位置ずれを防止する。また、収容室１２には、ステージ１１を水平方向及び上下方向に移動させる移動機構（図示せず）が設けられるこれにより、プローブカード１５及びキャリアＣの相対位置を調整して各電子デバイスの電極に対応して設けられた電極パッドや半田バンプをプローブカード１５の各プローブ１６へ接触させる。
ローダ１３は、搬送容器であるＦＯＵＰ（図示せず）から電子デバイスが配置されたキャリアＣを取り出して収容室１２の内部のステージ１１へ載置し、また、検査が行われたキャリアＣをステージ１１から除去してＦＯＵＰへ収容する。
プローブカード１５は、インターフェース１７を介してテスター１４へ接続され、各プローブ１６がキャリアＣの各電子デバイスの電極に対応して設けられた電極パッドや半田バンプに接触する際、各プローブ１６はテスター１４からインターフェース１７を介して電子デバイスへ電力を供給し、若しくは、電子デバイスからの信号をインターフェース１７を介してテスター１４へ伝達する。
テスター１４は、電子デバイスが搭載されるマザーボードの回路構成の一部を再現するテストボード（図示しない）を有し、テストボードは電子デバイスからの信号に基づいて電子デバイスの良否を判断するテスターコンピュータ１８に接続される。テスター１４ではテストボードを取り替えることにより、複数種のマザーボードの回路構成を再現することができる。
制御部１９は、ステージ１１の動作を制御する。制御部１９は、ステージ１１の移動機構（図示せず）を制御して、ステージ１１を水平方向及び上下方向に移動させる。また、制御部１９は、配線２０でステージ１１と接続される。制御部１９は、配線２０を介して、後述する光照射機構４０の動作を制御する。制御部１９は、配線２０を介して、後述する測温抵抗体膜３４と接続され、温度を検出する。
冷媒供給装置２１は、往き配管２２及び戻り配管２３を介して、ステージ１１の冷媒流路３５と接続され、冷媒供給装置２１とステージ１１の冷媒流路３５との間で冷媒を循環させることができる。制御部１９は、冷媒供給装置２１を制御して、冷媒供給装置２１から冷媒流路３５に供給される冷媒の温度、流量等を制御する。
なお、制御部１９及び冷媒供給装置２１は、ローダ１３内に設けられるものとして図示しているが、これに限られるものではなく、その他の位置に設けられていてもよい。
検査装置１０では、電子デバイスの電気的特性の検査を行う際、テスターコンピュータ１８が電子デバイスと各プローブ１６を介して接続されたテストボードへデータを送信し、さらに、送信されたデータが当該テストボードによって正しく処理されたか否かをテストボードからの電気信号に基づいて判定する。
＜載置台＞
次に、第１実施形態に係る載置台について、図２を用いて説明する。図２は、ステージ１１の上部構成を説明する断面模式図である。なお、図２（及び後述する図４、図５）において、冷媒の流れを白抜き矢印で示す。また、図２（及び後述する図３から図５）において、光照射機構４０から照射される光を実線矢印で示す。
ステージ１１に載置されるキャリアＣは、略円板状の基板２４で形成されている。キャリアＣには、半導体デバイスから切り出（ダイシング）された複数の電子デバイス２５が互いに所定の間隔をおいて表面に配置されている。また、キャリアＣには、各電子デバイス２５の複数の電極に対応して複数の電極パッド２６が設けられ、各電極パッド２６へ電圧を印加することにより、各電子デバイス２５の内部の回路へ電流を流すことができる。なお、キャリアＣの基板２４の形状は略円板状に限られず、ステージ１１に載置可能であれば、例えば、略矩形状であってもよい。
ステージ１１は、載置部３０と、光照射機構４０と、を有する。
載置部３０は、板部材３１と、透光性部材３２と、絶縁膜３３と、測温抵抗体膜３４と、を有する。
板部材３１は、キャリアＣが載置される部材であって、略円板状に形成される。
板部材３１の上面（キャリアＣの載置面）には、溶射膜が形成される。溶射膜は、絶縁膜３３を有する、絶縁膜３３は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＳＺ、ＺｎＯ、ＺｒＳｉＯ４、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｙ２ＳｉＯ５、Ａｌ６Ｓｉ２Ｏ１３、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＹＦ３、Ｂ４Ｃ、ＡｌＮ等のセラミックスの溶射膜として形成される。
測温抵抗体膜３４は、絶縁膜３３内に形成される測温抵抗体の膜である。測温抵抗体膜３４は、所定の領域ごとに分割され、多チャンネルのセンサを形成する。測温抵抗体としては、例えば、タングステンの溶射膜として形成される。制御部１９（図１参照）は、配線２０（図１参照）を介して測温抵抗体膜３４と接続される。制御部１９は、測温抵抗体膜３４の抵抗値を検出し、抵抗値に基づいて温度を推定することができる。
即ち、板部材３１の上面に形成される溶射膜は、板部材３１上に形成される第１の絶縁膜３３と、第１の絶縁膜３３の上に形成される測温抵抗体膜３４と、測温抵抗体膜３４の上に形成される第２の絶縁膜３３と、を有して形成される。
また、透光性部材３２の上面には、凹溝が形成され、板部材３１と透光性部材３２とが接着または接合されることにより、冷媒流路３５が形成される。冷媒流路３５には、往き配管２２（図１参照）を介して、冷媒供給装置２１（図１参照）から冷媒が供給される。冷媒流路３５を流れた冷媒は、戻り配管２３（図１参照）を介して、冷媒供給装置２１に戻される。なお、板部材３１の下面側に凹溝が形成され、板部材３１と透光性部材３２とが接着または接合されることにより、冷媒流路３５が形成される構成であってもよい。冷媒としては、例えば、無色であって光が透過可能な液体である水やガルデン（登録商標）が用いられる。
光照射機構４０は、光を照射する複数のＬＥＤ４１を備える。ＬＥＤ４１は、平面視して、所定の領域ごとに区画される。制御部１９は、区画されたＬＥＤ４１ごとに点灯を制御することができる。制御部１９は、区画された領域ごとに、ＬＥＤ４１を点灯させて電子デバイスを昇温する高温領域と、ＬＥＤ４１を点灯させない低温領域と、を切り替えることができる。なお、光照射機構４０は、光源としてＬＥＤ４１を用いるものとして説明するが、光源の種類はこれに限定されるものではない。
ここで、第１実施形態のステージ１１において、板部材３１及び透光性部材３２は、線膨張係数が１．０×１０－６／Ｋ以下の低熱膨張材料で形成される。また、板部材３１及び透光性部材３２は、透光性材料で形成される。例えば、板部材３１及び透光性部材３２は、線膨張係数が１．０×１０－６／Ｋ以下の石英ガラスで形成される。また、板部材３１の上面には、光を吸収する溶射膜（絶縁膜３３、測温抵抗体膜３４）が形成される。
光照射機構４０から放射された光は、透光性部材３２、冷媒流路３５を流れる冷媒、板部材３１を透過して、溶射膜（絶縁膜３３）に照射される。これにより、光が照射された溶射膜（絶縁膜３３）が昇温して、電子デバイス２５が昇温される。
ここで、参考例に係るステージ１１Ｘと対比しつつ、第１実施形態のステージ１１の効果について説明する。図３は、光照射時における参考例のステージ１１Ｘと第１実施形態のステージ１１とを対比して示す図である。図３（ａ）は、参考例のステージ１１Ｘの例を示し、図３（ｂ）は、第１実施形態のステージ１１の例を示す。なお、参考例のステージ１１Ｘは、載置部３０Ｘと、光照射機構４０と、を有する。載置部３０Ｘは、板部材３１Ｘと、透光性部材３２Ｘと、を有する。載置部３０Ｘには、冷媒が流れる冷媒流路３５Ｘが形成されている。板部材３１Ｘは、光を吸収するセラミックスで形成される。透光性部材３２Ｘは、光を透過する。また、板部材３１Ｘと透光性部材３２Ｘとは、線膨張係数がおおよそ等しい材料で形成される。また、参考例の板部材３１Ｘと透光性部材３２Ｘの線膨張係数は、３．２×１０－６／Ｋの材料で形成される。
例えば、検査対象の電子デバイス２５に対応する領域のＬＥＤ４１を点灯させる。板部材３１Ｘに光が照射されることにより、載置部３０Ｘの上面中央部に昇温される昇温領域５０が形成される。ここで、昇温領域５０は、載置部３０Ｘの上面側に形成されるため、載置部３０Ｘの上面側と載置部３０Ｘの下面側とで温度差が生じる。また、載置部３０Ｘを平面視して、光が照射される高温領域（図３の例では、中央部）と、光が照射されない低温領域（図３の例では、外周側）とが形成される。このため、面方向においても温度差が生じる。これにより、図３（ａ）に示す例では、白抜き矢印に示すように、載置部３０Ｘの上面中央部での熱膨張が、他の部分よりも大きくなり、キャリアＣを載置する載置部３０Ｘに反りが発生して、キャリアＣの載置面の平面度が低下する。
これに対し、図３（ｂ）に示すように、第１実施形態に係るステージ１１では、載置部３０の上面中央部に昇温領域５０が形成され、載置部３０の上面側と下面側との間に温度差が形成されても、また、平面視して光が照射される高温領域と光が照射されない低温領域との間に温度差が形成されても、熱膨張による変形を抑制して、キャリアＣを載置する載置部３０の反りを抑制することができる。これにより、キャリアＣの載置面の平面度を確保することができる。なお、溶射膜（絶縁膜３３、測温抵抗体膜３４）は、溶射によって薄膜として形成されるため、溶射膜の熱膨張による変形力は板部材３１の剛性と比べて十分に小さく、載置部３０の反りに与える影響を十分に小さくすることができる。
次に、第２実施形態に係るステージ１１Ａについて、図４を用いて説明する。図４は、ステージ１１Ａの上部構成を説明する断面模式図である。第２実施形態に係るステージ１１Ａは、載置部３０Ａと、光照射機構４０と、を有する。載置部３０Ａは、板部材３１Ａと、透光性部材３２と、絶縁膜３３と、測温抵抗体膜３４と、を有する。
ここで、第２実施形態のステージ１１Ａにおいて、板部材３１Ａ及び透光性部材３２は、線膨張係数が１．０×１０－６／Ｋ以下の低熱膨張材料で形成される。また、板部材３１Ａは、不透光性材料で形成される。透光性部材３２は、透光性材料で形成される。例えば、板部材３１Ａは、インバー材（金属材料）で形成される。透光性部材３２は、石英ガラスで形成される。
光照射機構４０から放射された光は、透光性部材３２、冷媒流路３５を流れる冷媒を透過して、板部材３１Ａの裏面に照射される。これにより、光が照射された板部材３１Ａが昇温する。板部材３１Ａの熱が、絶縁膜３３及び測温抵抗体膜３４を介して、電子デバイス２５に伝熱して、電子デバイス２５が昇温される。
第２実施形態に係るステージ１１Ａによれば、載置部３０Ａの上面側と下面側との間に温度差が形成されても、また、平面視して光が照射される高温領域と光が照射されない低温領域との間に温度差が形成されても、熱膨張による変形を抑制して、キャリアＣを載置する載置部３０の反りを抑制することができる。これにより、キャリアＣの載置面の平面度を確保することができる。
次に、第３実施形態に係るステージ１１Ｂについて、図５を用いて説明する。図５は、ステージ１１Ｂの上部構成を説明する断面模式図である。第３実施形態に係るステージ１１Ｂは、載置部３０Ｂと、光照射機構４０と、を有する。載置部３０Ｂは、板部材３１Ｂと、透光性部材３２と、絶縁膜３３と、測温抵抗体膜３４と、を有する。
ここで、第３実施形態のステージ１１Ｂにおいて、透光性部材３２は、線膨張係数が１．０×１０－６／Ｋ以下の低熱膨張材料で形成される。透光性部材３２は、透光性材料で形成される。例えば、透光性部材３２は、石英ガラスで形成される。
また、板部材３１Ｂは、板状に形成され板厚方向に多数の貫通孔を有する板部材３１１と、板部材３１１の表面を覆い貫通孔を埋める熱伝導膜３１２と、を有する。板部材３１１線膨張係数が１．０×１０－６／Ｋ以下の低熱膨張材料で形成される。また、板部材３１１は、不透光性材料で形成される。例えば、板部材３１１は、インバー材（金属材料）で形成される。熱伝導膜３１２は、熱伝導性の高い材料、例えば、Ａｕメッキ膜、Ｃｕメッキ膜で形成される。
光照射機構４０から放射された光は、透光性部材３２、冷媒流路３５を流れる冷媒を透過して、板部材３１Ｂの裏面に照射される。これにより、光が照射された板部材３１Ｂの裏面側が昇温する。また、板部材３１Ｂの裏面側から板部材３１Ｂの表面側への熱伝導は、熱伝導膜３１２が担う。板部材３１Ｂの熱が、絶縁膜３３及び測温抵抗体膜３４を介して、電子デバイス２５に伝熱して、電子デバイス２５が昇温される。
第３実施形態に係るステージ１１Ｂによれば、載置部３０Ｂの上面側と下面側との間に温度差が形成されても、また、平面視して光が照射される高温領域と光が照射されない低温領域との間に温度差が形成されても、熱膨張による変形を抑制して、キャリアＣを載置する載置部３０の反りを抑制することができる。これにより、キャリアＣの載置面の平面度を確保することができる。また、板部材３１Ｂの熱伝導性を向上させることにより、電子デバイス２５の温度制御の応答性を向上させることができる。
以上、検査装置１０について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
検査装置１０の被検査体は、複数の電子デバイス２５が配置されたキャリアＣを例に説明したがこれに限られるものではない。検査装置１０の被検査体は、複数の電子デバイスが形成されたウエハであってもよい。
１０ 検査装置
１１ ステージ（載置台）
１９ 制御部
２０ 配線
２１ 冷媒供給装置
２２ 往き配管
２３ 戻り配管
２５ 電子デバイス
３０，３０Ａ，３０Ｂ 載置部
３１，３１Ａ、３１Ｂ 板部材
３１１ 板部材
３１２ 熱伝導膜
３２ 透光性部材
３３ 絶縁膜
３４ 測温抵抗体膜
３５ 冷媒流路
４０ 光照射機構
４１ ＬＥＤ
Ｃ キャリア（被検査体）

Claims (6)

  1. 被検査体を載置する板部材及び透光性部材を有する載置部と、
    光を照射して、前記被検査体を昇温する光照射機構と、を備え、
    前記板部材及び前記透光性部材は、線膨張係数が１．０×１０ －６ ／Ｋ以下の低熱膨張性材料で形成され、
    前記板部材は、透光性を有する部材で形成され、
    前記板部材の表面に溶射膜を有し、
    前記溶射膜は、前記板部材の上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成される測温抵抗体膜と、を有し、且つ、前記光照射機構から放射された光が照射されて加熱される、
    載置台。
  2. 被検査体を載置する板部材及び透光性部材を有する載置部と、
    光を照射して、前記被検査体を昇温する光照射機構と、を備え、
    前記板部材及び前記透光性部材は、線膨張係数が１．０×１０ －６ ／Ｋ以下の低熱膨張性材料で形成され、
    前記板部材は、金属材料で形成され、
    前記金属材料は、前記光照射機構から放射された光が照射され、加熱される、
    載置台。
  3. 被検査体を載置する板部材及び透光性部材を有する載置部と、
    光を照射して、前記被検査体を昇温する光照射機構と、を備え、
    前記板部材及び前記透光性部材は、線膨張係数が１．０×１０ －６ ／Ｋ以下の低熱膨張性材料で形成され、
    前記板部材は、厚さ方向に貫通する孔を有する金属材料と、該金属材料の表面に形成された熱伝導膜と、を有し、
    前記板部材は、前記光照射機構から放射された光が照射され、加熱される、
    載置台。
  4. 前記板部材の表面に溶射膜を有する、
    請求項２または請求項３に記載の載置台。
  5. 前記載置部は、
    冷媒が流れる流路を有する、
    請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の載置台。
  6. 被検査体を載置する載置台と、
    前記載置台に対向して配置されるプローブカードと、
    前記プローブカードと接続されるテスターと、を備え、
    前記載置台は、
    前記被検査体を載置する板部材及び透光性部材を有する載置部と、
    光を照射して、前記被検査体を昇温する光照射機構と、を有し、
    前記板部材及び前記透光性部材は、線膨張係数が１．０×１０ －６ ／Ｋ以下の低熱膨張性材料で形成され、
    前記板部材は、透光性を有する部材で形成され、
    前記板部材の表面に溶射膜を有し、
    前記溶射膜は、前記板部材の上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成される測温抵抗体膜と、を有し、且つ、前記光照射機構から放射された光が照射されて加熱される、
    検査装置。
JP2020110831A 2020-06-26 2020-06-26 載置台及び検査装置 Active JP7433147B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020110831A JP7433147B2 (ja) 2020-06-26 2020-06-26 載置台及び検査装置
KR1020210077591A KR102647972B1 (ko) 2020-06-26 2021-06-15 탑재대 및 검사 장치
CN202110672681.6A CN113851416A (zh) 2020-06-26 2021-06-17 载置台和检查装置
TW110122069A TW202206819A (zh) 2020-06-26 2021-06-17 載置台及檢查裝置
US17/356,939 US11557494B2 (en) 2020-06-26 2021-06-24 Substrate support and inspection apparatus
EP21181712.7A EP3929603A1 (en) 2020-06-26 2021-06-25 Substrate support and inspection apparatus
JP2024016333A JP2024052751A (ja) 2020-06-26 2024-02-06 載置台及び検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020110831A JP7433147B2 (ja) 2020-06-26 2020-06-26 載置台及び検査装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024016333A Division JP2024052751A (ja) 2020-06-26 2024-02-06 載置台及び検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022007724A JP2022007724A (ja) 2022-01-13
JP7433147B2 true JP7433147B2 (ja) 2024-02-19

Family

ID=76971623

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020110831A Active JP7433147B2 (ja) 2020-06-26 2020-06-26 載置台及び検査装置
JP2024016333A Pending JP2024052751A (ja) 2020-06-26 2024-02-06 載置台及び検査装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024016333A Pending JP2024052751A (ja) 2020-06-26 2024-02-06 載置台及び検査装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11557494B2 (ja)
EP (1) EP3929603A1 (ja)
JP (2) JP7433147B2 (ja)
KR (1) KR102647972B1 (ja)
CN (1) CN113851416A (ja)
TW (1) TW202206819A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116295933B (zh) * 2023-05-15 2023-08-08 上海泽丰半导体科技有限公司 探针卡测温系统及测温方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060040A (ja) 2004-08-20 2006-03-02 Rasa Ind Ltd 静電チャックプレート及びその製造方法
JP2017130518A (ja) 2016-01-19 2017-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置及び基板処理装置
JP2018151369A (ja) 2016-11-29 2018-09-27 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電子デバイス検査装置
JP2020096152A (ja) 2018-11-29 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置
JP2019153717A5 (ja) 2018-03-05 2021-02-18

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035899A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハプローバ用ウエハ保持体及びそれを搭載したウエハプローバ
DE102011012834A1 (de) * 2011-02-22 2012-08-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Leichtbaustrukturelementen
WO2013130593A1 (en) * 2012-02-27 2013-09-06 Watlow Electric Manufacturing Company Temperature detection and control system for layered heaters
WO2017060259A1 (en) 2015-10-06 2017-04-13 Asml Holding N.V. Chucks and clamps for holding objects of a lithographic apparatus and methods for controlling a temperature of an object held by a clamp of a lithographic apparatus
JP7161854B2 (ja) 2018-03-05 2022-10-27 東京エレクトロン株式会社 検査装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060040A (ja) 2004-08-20 2006-03-02 Rasa Ind Ltd 静電チャックプレート及びその製造方法
JP2017130518A (ja) 2016-01-19 2017-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置及び基板処理装置
JP2018151369A (ja) 2016-11-29 2018-09-27 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電子デバイス検査装置
JP2019153717A5 (ja) 2018-03-05 2021-02-18
JP2020096152A (ja) 2018-11-29 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022007724A (ja) 2022-01-13
JP2024052751A (ja) 2024-04-12
KR20220000822A (ko) 2022-01-04
US20210407829A1 (en) 2021-12-30
TW202206819A (zh) 2022-02-16
KR102647972B1 (ko) 2024-03-14
EP3929603A1 (en) 2021-12-29
US11557494B2 (en) 2023-01-17
CN113851416A (zh) 2021-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102212941B1 (ko) 적재대 및 전자 디바이스 검사 장치
TW201942993A (zh) 檢查裝置
TWI767093B (zh) 檢查裝置
CN109983350B (zh) 载置台和电子器件测试装置
JP2024052751A (ja) 載置台及び検査装置
US11221358B2 (en) Placement stand and electronic device inspecting apparatus
JP2020188076A (ja) 載置台及び載置台の作製方法
JP6313131B2 (ja) 湿度センサ検査装置
JP7393986B2 (ja) 載置台及び検査装置
JP7474678B2 (ja) 載置台、検査装置及び検査方法
WO2022209903A1 (ja) Ｌｅｄチャック
JP7449814B2 (ja) 検査方法及び検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230202

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240206

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7433147

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150