KR102212941B1 - 적재대 및 전자 디바이스 검사 장치 - Google Patents

적재대 및 전자 디바이스 검사 장치 Download PDF

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Abstract

고비용을 억제할 수 있는 전자 디바이스 검사 장치를 제공한다. 프로버(10)는 캐리어(C)나 웨이퍼(W)를 적재하는 스테이지(11)를 구비하고, 해당 스테이지(11)는, 캐리어(C)가 적재되는 스테이지 덮개(27)와, 해당 스테이지 덮개(27)와 맞닿는 냉각 유닛(29)과, 스테이지 덮개(27) 및 냉각 유닛(29)을 사이에 두고 캐리어(C)에 대향하도록 배치되는 LED 조사 유닛(30)을 구비하고, 스테이지 덮개(27) 및 냉각 유닛(29)은 광투과 부재로 이루어져, 냉각 유닛(29)의 냉매 유로(28)를 광이 투과 가능한 냉매가 흐르고, LED 조사 유닛(30)은 캐리어(C)를 지향하는 다수의 LED(32)를 갖고, 캐리어(C)는 대략 원판 형상의 유리 기판(24)으로 이루어지고, 복수의 전자 디바이스(25)가 서로 소정의 간격을 두고 표면에 배치되어 있다.

Description

적재대 및 전자 디바이스 검사 장치
본 발명은, 전자 디바이스가 형성된 기판 또는 배치된 캐리어를 적재하는 적재대 및 해당 적재대를 구비하는 전자 디바이스 검사 장치에 관한 것이다.
전자 디바이스의 제조 공정에서 결함 등을 발견하기 위해서, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)에 형성된 전자 디바이스나, 웨이퍼로부터 잘라내져 판형의 캐리어에 배치된 전자 디바이스를 검사하기 위한 전자 디바이스 검사 장치인 프로버가 개발되어 있다.
프로버는, 다수의 핀 형상의 프로브를 갖는 프로브 카드와, 웨이퍼나 캐리어를 적재하는 스테이지와, IC 테스터를 구비하고, 프로브 카드의 각 프로브를 전자 디바이스의 전극에 대응해서 마련된 전극 패드나 땜납 범프에 접촉시켜, 전자 디바이스로부터의 신호를 IC 테스터에 전달시켜서 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 프로버에서는, 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사할 때, 당해 전자 디바이스의 실장 환경을 재현하기 위해서, 스테이지 내의 냉매 유로나 히터에 의해 웨이퍼의 온도가 제어된다.
그런데, 최근 몇년간, 전자 디바이스는 고속화나 미세화가 진행되어, 집적도가 높아지고, 동작 시의 발열량이 매우 증대하고 있기 때문에, 웨이퍼나 캐리어에 있어서 하나의 전자 디바이스의 검사 중에 인접하는 다른 전자 디바이스에 열부하를 부여해서 다른 전자 디바이스에 문제를 발생시킬 우려가 있다. 이 경우, 검사 중인 전자 디바이스의 온도를 냉매 유로나 히터로 제어하여, 다른 전자 디바이스에 열부하가 걸리는 것을 억제하는 것이 바람직하다.
일본 특허 공개 평 7-297242호 공보
그러나, 냉매 유로나 히터의 소형화는 곤란해서, 스테이지 내에 냉매 유로나 히터를 국소적으로 배치하는 것은 곤란하다. 즉, 스테이지 내의 냉매 유로나 히터는 웨이퍼의 온도를 전체적으로 제어할 수 있지만, 웨이퍼의 온도를 국소적, 예를 들어 검사 중인 전자 디바이스의 근방에 한해서만 제어하는 것은 불가능하다. 그래서, 검사 중인 전자 디바이스에 실장 환경에서 인가되어야 하는 비교적 높은 실장시 전압을 인가하지 않아, 인접하는 다른 전자 디바이스에 열부하가 부여되는 것을 피하고 있지만, 그 결과, 실장시 전압의 인가 시에 발생하는 문제를 전자 디바이스의 패키징 전에 발견할 수 없어, 패키지의 수율을 저하시키고, 고비용을 초래한다는 문제가 발생하고 있다.
본 발명의 목적은, 고비용을 억제할 수 있는 적재대 및 전자 디바이스 검사 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 피검사체가 적재되는 냉각 기구와, 해당 냉각 기구를 사이에 두고 상기 피검사체에 대향하도록 배치되는 광조사 기구를 구비하고, 상기 냉각 기구는 광투과 부재로 이루어져, 내부를 광이 투과 가능한 냉매가 흐르고, 상기 광조사 기구는 상기 피검사체를 지향하는 다수의 LED를 갖고, 상기 다수의 LED의 조사·비조사가 부분적으로 제어되어 상기 피검사체의 임의의 개소에 상기 광을 조사함으로써, 상기 냉각 기구에 의해 상기 피검사체를 전체적으로 냉각하면서, 상기 피검사체의 임의의 개소를 가열하는 적재대가 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 피검사체에 배치 또는 형성된 전자 디바이스를 검사하는 전자 디바이스 검사 장치이며, 상기 피검사체를 적재하는 적재대와, 상기 적재된 피검사체의 상기 전자 디바이스에 전기적으로 접촉하는 접촉 단자를 구비하고, 상기 적재대는, 피검사체가 적재되는 냉각 기구와, 해당 냉각 기구를 사이에 두고 상기 피검사체에 대향하도록 배치되는 광조사 기구를 갖고, 상기 냉각 기구는 광투과 부재로 이루어져, 내부를 광이 투과 가능한 냉매가 흐르고, 상기 광조사 기구는 상기 피검사체를 지향하는 다수의 LED를 갖고, 상기 다수의 LED의 조사·비조사가 부분적으로 제어되어 상기 피검사체의 임의의 개소에 상기 광을 조사함으로써, 상기 냉각 기구에 의해 상기 피검사체를 전체적으로 냉각하면서, 상기 피검사체의 임의의 개소를 가열하는 전자 디바이스 검사 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 다수의 LED를 갖는 광조사 기구가 내부를 냉매가 흐르는 냉각 기구를 사이에 두고 피검사체에 대향하도록 배치되는데, 냉각 기구는 광투과 부재로 이루어지고, 냉매도 광이 투과 가능하기 때문에, LED로부터의 광이 냉각 기구나 냉매를 투과해서 피검사체에 도달할 수 있다. 또한, 광조사 기구는 각 LED에 의해 피검사체의 임의의 개소에 광을 조사할 수 있다. 이에 의해, 냉각 기구에 의해 피검사체를 전체적으로 냉각하면서, 피검사체의 임의의 개소에 광을 조사할 수 있고, 따라서, 피검사체에서의 원하는 전자 디바이스만을 가열할 수 있다. 즉, 피검사체에 있어서, 원하는 전자 디바이스만의 온도를 제어하면서 다른 전자 디바이스를 냉각할 수 있어, 원하는 전자 디바이스로부터의 열부하가 다른 전자 디바이스에 부여되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 원하는 전자 디바이스에 실장 환경에 있어서 인가되어야 하는 비교적 높은 실장시 전압을 인가시킬 수 있고, 따라서, 실장시 전압의 인가 시에 발생하는 문제를 패키징 전에 발견할 수 있어, 패키지의 수율 저하를 억제해서 고비용을 초래하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 전자 디바이스 검사 장치로서의 프로버의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 전자 디바이스 검사 장치로서의 프로버의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 정면도이다.
도 3a는 도 1의 프로버에 있어서 전자 디바이스의 검사 시에 사용할 수 있는 캐리어의 구성을 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 3b는 도 1의 프로버에 있어서 전자 디바이스의 검사 시에 사용할 수 있는 캐리어의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 1에서의 스테이지의 상부 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 4에서의 LED 조사 유닛의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 실시 형태에서의 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7a는 본 발명의 제2 실시 형태에서 전자 디바이스의 검사 시에 사용할 수 있는 웨이퍼의 구성을 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 7b는 본 발명의 제2 실시 형태에서 전자 디바이스의 검사 시에 사용할 수 있는 웨이퍼의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 실시 형태에서의 스테이지에 대한 웨이퍼(W)의 적재 모습을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 실시 형태에서의 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시 형태에서의 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 11은 포고 핀의 온도에 기초하여 전자 디바이스의 온도를 측정하기 위한 옵저버의 구성을 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에서 각 전자 디바이스에 대응해서 형성되는 발진 회로를 설명하기 위한 확대 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시 형태에서의 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 변형예의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
먼저, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 전자 디바이스 검사 장치로서의 프로버의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 사시도이며, 도 2는, 동 정면도이다. 도 2는 부분적으로 단면도로서 그려져서 내장되는 구성 요소가 개략적으로 도시된다.
도 1 및 도 2에서, 프로버(10)는, 캐리어(C)(피검사체)를 적재하는 스테이지(11)(적재대)를 수용하는 수용실(12)과, 해당 수용실(12)에 인접해서 배치되는 로더(13)와, 수용실(12)을 덮도록 배치되는 테스터(14)를 구비하고, 캐리어(C)에 배치된 복수의 전자 디바이스 각각의 전기적 특성의 검사를 행한다. 수용실(12)은 내부가 공동인 하우징 형상을 나타내고, 당해 내부에는 상술한 스테이지(11) 이외에, 해당 스테이지(11)에 대향하도록 프로브 카드(15)가 배치된다. 프로브 카드(15)는 캐리어(C)의 각 전자 디바이스의 전극에 대응해서 마련된 전극 패드나 땜납 범프에 대응해서 배치된 다수의 바늘 형상의 프로브(16)(접촉 단자)를 갖는다.
캐리어(C)는 스테이지(11)에 대한 상대 위치가 어긋나지 않도록 해당 스테이지(11)에 고정된다. 스테이지(11)는 수평 방향 및 상하 방향에 대해서 이동 가능하여, 프로브 카드(15) 및 캐리어(C)의 상대 위치를 조정해서 각 전자 디바이스의 전극에 대응해서 마련된 전극 패드나 땜납 범프를 프로브 카드(15)의 각 프로브(16)에 접촉시킨다. 로더(13)는, 반송 용기인 FOUP(도시 생략)로부터 전자 디바이스가 배치된 캐리어(C)를 취출해서 수용실(12)의 내부의 스테이지(11)에 적재하고, 또한 검사가 행하여진 캐리어(C)를 스테이지(11)로부터 제거해서 FOUP에 수용한다.
프로브 카드(15)는 인터페이스(17)를 통해서 테스터(14)에 접속되어, 각 프로브(16)가 캐리어(C)의 각 전자 디바이스의 전극에 대응해서 마련된 전극 패드나 땜납 범프에 접촉할 때, 각 프로브(16)는 테스터(14)로부터 인터페이스(17)를 통해서 전자 디바이스에 전력을 공급하거나, 또는, 전자 디바이스로부터의 신호를 인터페이스(17)를 통해서 테스터(14)에 전달한다.
테스터(14)는, 전자 디바이스가 탑재되는 마더보드의 회로 구성의 일부를 재현하는 테스트 보드(도시 생략)를 갖고, 테스트 보드는 전자 디바이스로부터의 신호에 기초하여 전자 디바이스의 양부를 판단하는 테스터 컴퓨터(18)에 접속된다. 테스터(14)에서는 테스트 보드를 바꿈으로써, 복수종의 마더보드의 회로 구성을 재현할 수 있다.
로더(13)는, 전원 등을 제어하는 컨트롤러로서의 베이스 유닛(19)과, 각 전자 디바이스에서의 전위차 생성 회로(도시 생략), 예를 들어 다이오드, 트랜지스터 또는 저항에서의 전위차를 측정하는 전위차 측정 유닛(20)(측정부)을 갖는다. 전위차 측정 유닛(20)은 배선(21)을 통해서 인터페이스(17)에 접속되어, 전위차 생성 회로의 각 전극에 대응하는 2개의 전극 패드에 접촉하는 2개의 프로브(16)간의 전위차를 취득하고, 취득한 전위차를 베이스 유닛(19)에 전달한다. 인터페이스(17)에서의 각 프로브(16) 및 배선(21)의 접속 구조에 대해서는, 도 6을 사용해서 후술한다. 베이스 유닛(19)은 배선(22)을 통해서 스테이지(11)에 접속되어, 후술하는 LED 조사 유닛(30) 등의 동작을 제어한다. 또한, 베이스 유닛(19)이나 전위차 측정 유닛(20)은 수용실(12)에 마련되어도 되고, 또한 전위차 측정 유닛(20)은 프로브 카드(15)에 마련되어도 된다.
또한, 프로버(10)는 유저 인터페이스부(23)를 구비하고, 유저 인터페이스부(23)는 표시 패널, 예를 들어 터치 패널이나 키보드 등으로 이루어져, 유저는 유저 인터페이스부(23)에 있어서 각종 정보나 지시를 입력한다.
프로버(10)에서는, 전자 디바이스의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 테스터 컴퓨터(18)가 전자 디바이스와 각 프로브(16)를 통해서 접속된 테스트 보드에 데이터를 송신하고, 또한 송신된 데이터가 당해 테스트 보드에 의해 정확하게 처리되었는지 여부를 테스트 보드로부터의 전기 신호에 기초하여 판정한다.
도 3a 및 도 3b는, 도 1의 프로버에 있어서 전자 디바이스의 검사 시에 사용되는 캐리어의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이며, 도 3a는 측면도이며, 도 3b는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b에서, 캐리어(C)는 대략 원판 형상의 유리 기판(24)으로 이루어지고, 반도체 디바이스로부터 잘라내진(다이싱된) 복수의 전자 디바이스(25)가 서로 소정의 간격을 두고 표면에 배치되어 있다. 또한, 캐리어(C)에서는, 각 전자 디바이스(25)의 복수의 전극에 대응해서 복수의 전극 패드(26)가 마련되고, 각 전극 패드(26)에 전압을 인가함으로써, 각 전자 디바이스(25)의 내부의 회로에 전류를 흘릴 수 있다. 또한, 캐리어(C)의 유리 기판(24)의 형상은 대략 원판 형상에 한정되지 않고, 스테이지(11)에 적재 가능하면, 예를 들어 대략 직사각 형상이어도 된다. 또한, 캐리어(C)는 유리 기판(24) 이외의 광투과 부재에 의해 구성되어도 된다.
도 4는, 도 1에서의 스테이지의 상부 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4에서, 스테이지(11)는, 상부에서, 상방으로부터 순서대로 배치되는, 원판 형상의 스테이지 덮개(27)와, 내부에 냉매 홈이 형성된 냉각 유닛(29)(냉각 기구)과, LED 조사 유닛(30)(광조사 기구)을 갖는다. 스테이지 덮개(27)는 O링(31)을 개재해서 냉각 유닛(29)에 맞닿고, 냉매 홈은 스테이지 덮개(27)에 덮여서 냉매 유로(28)를 형성한다. O링(31)은 냉매를 냉매 유로(28)에 밀봉한다.
냉매로서는, 예를 들어 무색이며 광이 투과 가능한 액체인 물이나 갈덴(등록 상표)이 사용되며, 프로버(10)의 외부에 마련된 펌프(도시 생략)에 의해 냉매 유로(28)에 공급된다. 펌프 및 스테이지(11)의 사이에는 유량 제어 밸브 등이 마련되어, 냉매 유로(28)에 공급되는 냉매의 유량을 제어한다. 유량 제어 밸브 등의 동작은 베이스 유닛(19)에 의해 제어된다. 또한, 스테이지 덮개(27) 및 냉각 유닛(29)은 모두 광투과 부재인, 예를 들어 폴리카르보네이트, 석영, 폴리염화비닐, 아크릴 수지 또는 유리로 이루어진다.
스테이지(11)에 있어서, 캐리어(C)는 스테이지 덮개(27)의 상면에 적재되고, LED 조사 유닛(30)은 스테이지 덮개(27) 및 냉각 유닛(29)을 사이에 두고 적재된 캐리어(C)에 대향한다. LED 조사 유닛(30)은 상면에 배치되어 캐리어(C)를 지향하는 다수의 LED(32)를 갖는다. 다수의 LED(32)는 후술하는 바와 같이 복수의 군으로 구분된다.
도 5는, 도 4에서의 LED 조사 유닛의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 5에서, 각 LED(32)는, 예를 들어 19개의 정육각 형상의 구획(33)으로 구분되고, 또한 각 구획(33)에 있어서, 각 LED(32)는, 예를 들어 6개의 LED군(33a 내지 33f)으로 구분된다. 즉, LED 조사 유닛(30)은, 114개의 LED군(33a 내지 33f)을 갖는다. 각 LED(32)는 LED 광, 예를 들어 근적외선 광을 캐리어(C)를 향해서 조사하는데, 각 LED(32)의 조사·비조사는 각 LED군(33a 내지 33f) 단위로 제어된다. 따라서, LED 조사 유닛(30)은, 캐리어(C)의 이면에서의 임의의 개소에 LED 광을 조사할 수 있다. 또한, 도 5에서 각 LED(32)는 도시가 생략되고, 각 LED군(33a 내지 33f)의 구분 선만이 도시된다.
프로버(10)에서는, 각 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 필요에 따라 냉매 유로(28)에 냉매를 흘리고, 각 LED군(33a 내지 33f)으로부터 캐리어(C)에 LED 광을 조사한다. 예를 들어, 고온 환경(약 85℃)에서 사용되는 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행하는 경우, 원하는 전자 디바이스(25)를 향해서 각 LED군(33a 내지 33f) 중 어느 것으로부터 LED 광을 조사함과 함께, 냉매 유로(28)에 냉매를 흘린다. 이때, LED 광은 냉각 유닛(29), 냉매, 스테이지 덮개(27) 및 캐리어(C)의 유리 기판(24)을 투과하는데, 냉각 유닛(29), 냉매, 스테이지 덮개(27) 및 유리 기판(24) 모두 광을 투과 가능하기 때문에, LED 광은 거의 감쇠되지 않고 원하는 전자 디바이스(25)에 도달하여, 원하는 전자 디바이스(25)만을 가열해서 고온 환경을 재현한다. 한편, 원하는 전자 디바이스(25)에 인접하는 다른 전자 디바이스(25)는 냉매 유로(28)을 흐르는 냉매에 의해 냉각된다. 이에 의해, 원하는 전자 디바이스(25)의 온도가 LED 광에 의한 가열이나 실장시 전압의 인가에 의해 상승해도, 원하는 전자 디바이스(25)로부터의 열부하가 다른 전자 디바이스(25)에 부여되지 않는다. 특히, 캐리어(C)의 유리 기판(24)은 열전달률이 낮기 때문에, 원하는 전자 디바이스(25)로부터의 열부하가 다른 전자 디바이스(25)에 부여되는 것을 확실하게 억제한다.
또한, 실온 환경(약 25℃)에서 사용되는 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행하는 경우, 원하는 전자 디바이스(25)를 향해서 각 LED군(33a 내지 33f) 중 어느 것으로부터 LED 광을 조사함과 함께, 냉매 유로(28)에 냉매를 흘리는데, 원하는 전자 디바이스(25)를 향해서 조사되는 LED 광의 강도를, 고온 환경에서 사용되는 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행하는 경우의 LED 광의 강도보다도 약하게 한다.
또한, 저온 환경에서 사용되는 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행하는 경우, 냉매 유로(28)에 냉매를 흘림과 함께, LED 조사 유닛(30)으로부터 캐리어(C)를 향해서 LED 광을 조사하지 않는다. 이때, 실장시 전압의 인가에 의해 원하는 전자 디바이스(25)의 온도가 상승해도 즉시 냉매에 의해 냉각되고, 또한 원하는 전자 디바이스(25)에 인접하는 다른 전자 디바이스(25)는 냉매 유로(28)를 흐르는 냉매에 의해 계속해서 냉각되기 때문에, 다른 전자 디바이스(25)는 원하는 전자 디바이스(25)로부터 열을 빼앗는다. 이에 의해, 원하는 전자 디바이스(25)의 온도를 저온으로 유지할 수 있다.
프로버(10)에 있어서 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 실장 환경을 고정밀도로 재현하기 위해서는, 원하는 전자 디바이스(25)의 온도를 실시간으로 측정할 수 있는 것이 바람직한데, 본 실시 형태에서는, 이에 대응하여, 원하는 전자 디바이스(25)의 온도를 전위차 측정 유닛(20)을 사용하여 측정한다.
도 6은, 본 실시 형태에서의 전위차 측정 유닛에 의한 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6에서, 각 프로브(16)는 인터페이스(17)에 배치된 복수의 배선(34)에 의해 테스터(14)에 접속되는데, 각 배선(34) 중, 전자 디바이스(25)에서의 전위차 생성 회로(예를 들어, 다이오드)의 각 전극에 대응하는 2개의 전극 패드(26)에 접촉하는 2개의 프로브(16)와 테스터(14)를 접속하는 2개의 배선(34) 각각에 릴레이(35)가 마련된다. 각 릴레이(35)는, 각 전극 패드(26)의 전위를 테스터(14) 및 전위차 측정 유닛(20)의 어느 것으로 전환해서 전달 가능하게 구성되며, 예를 들어 전자 디바이스(25)의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 각 전극 패드(26)에 실장시 전압이 인가되고 나서 소정의 타이밍에 각 전극 패드(26)의 전위를 전위차 측정 유닛(20)에 전달한다. 여기서, 다이오드, 트랜지스터나 저항 등의 전위차 생성 회로에서는 소정의 전류를 흘렸을 때 발생하는 전위차가 온도에 따라 상이한 것으로 알려져 있다. 따라서, 전자 디바이스(25)의 전위차 생성 회로의 전위차, 즉, 전위차 생성 회로의 각 전극에 대응하는 2개의 전극 패드(26)(프로브(16))간의 전위차에 기초하여 전자 디바이스(25)의 온도를 검사 중에 실시간으로 측정할 수 있다. 프로버(10)에서는, 전위차 측정 유닛(20)이 각 릴레이(35)로부터 전달된 각 전극 패드(26)의 전위에 기초하여 전자 디바이스(25)의 전위차 생성 회로의 전위차를 취득하고, 또한 취득한 전위차를 베이스 유닛(19)에 전달한다. 베이스 유닛(19)은, 전달된 전위차와, 전위차 생성 회로의 전위차의 온도 특성에 기초하여, 전자 디바이스(25)의 온도를 측정한다. 또한, 베이스 유닛(19)은, 측정된 전자 디바이스(25)의 온도에 기초하여 냉매 유로(28)을 흐르는 냉매의 유량이나 LED 조사 유닛(30)에서의 각 LED군(33a 내지 33f)으로부터 조사되는 LED 광의 강도를 조정해서 검사 중인 전자 디바이스(25)의 온도를 원하는 값으로 제어한다.
프로버(10)에 의하면, 다수의 LED(32)를 갖는 LED 조사 유닛(30)이, 냉각 유닛(29) 및 스테이지 덮개(27)를 통해서 캐리어(C)에 대향하도록 배치되는데, 냉각 유닛(29) 및 스테이지 덮개(27)는 광투과 부재로 이루어지고, 냉각 유닛(29)의 냉매 유로(28)를 흐르는 냉매도 광이 투과 가능하기 때문에, 각 LED(32)로부터의 LED 광은 냉각 유닛(29)이나 스테이지 덮개(27)를 투과해서 캐리어(C)에 도달할 수 있다. 또한, LED 조사 유닛(30)은 각 LED군(33a 내지 33f)에 의해 캐리어(C)에 국소적으로 LED 광을 조사할 수 있다. 이에 의해, 냉각 유닛(29)에 의해 캐리어(C)를 전체적으로 냉각하면서, 캐리어(C)에 국소적으로 LED 광을 조사할 수 있고, 따라서, 검사 중인 전자 디바이스(25)만을 가열할 수 있다. 즉, 캐리어(C)에 있어서, 검사 중인 전자 디바이스(25)만의 온도를 제어하면서 다른 전자 디바이스(25)를 냉각할 수 있어, 검사 중인 전자 디바이스(25)로부터의 열부하가 다른 전자 디바이스(25)에 부여되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 원하는 전자 디바이스(25)에 실장시 전압을 인가시킬 수 있고, 따라서, 실장시 전압의 인가 시에 발생하는 문제를 패키징 전에 발견할 수 있어, 패키지의 수율 저하를 억제해서 고비용을 초래하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 프로버(10)에서는, 캐리어(C)가 유리 기판(24)으로 이루어지는데, 유리 기판(24)은 열전달률이 낮다. 따라서, 원하는 전자 디바이스(25)로부터의 열부하가 다른 전자 디바이스(25)에 부여되는 것을 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 상술한 프로버(10)에서는, 스테이지 덮개(27), 냉각 유닛(29)이나 냉매가 각 LED(32)로부터의 LED 광을 투과시키고, 또한 유리 기판(24)도 각 LED(32)로부터의 LED 광을 투과시키기 때문에, 각 LED(32)로부터의 LED 광에 의한 원하는 전자 디바이스(25)의 가열의 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 프로버(10)는, 원하는 전자 디바이스(25)의 전위차 생성 회로의 전위차를 측정하는 전위차 측정 유닛(20)을 구비하므로, 측정된 전위차에 기초하여 검사 중인 전자 디바이스(25)의 온도를 실시간으로 측정할 수 있고, 따라서, 측정된 전자 디바이스(25)의 온도를 사용한 피드백 제어를 행함으로써, 전자 디바이스(25)의 검사 중에 실장 환경을 고정밀도로 재현할 수 있다.
또한, 상술한 프로버(10)에서는, 스테이지 덮개(27) 및 냉각 유닛(29)이 모두 폴리카르보네이트, 석영, 폴리염화비닐, 아크릴 수지 또는 유리로 이루어지는데, 이것들은 가공이나 성형이 용이하기 때문에, 프로버(10)의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.
본 발명의 제2 실시 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제1 실시 형태와 기본적으로 동일하고, 캐리어 대신에 복수의 전자 디바이스가 형성된 웨이퍼를 사용하는 점만이 상이하므로, 중복된 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 상이한 구성, 작용에 관한 설명을 행한다.
도 7a 및 도 7b는, 본 발명의 제2 실시 형태에서 전자 디바이스의 검사 시에 사용할 수 있는 웨이퍼의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이며, 도 7a는 측면도이며, 도 7b는 평면도이다.
도 7a 및 도 7b에서, 웨이퍼(W)(피검사체)는 대략 원판 형상의 실리콘 기판(36)으로 이루어지고, 당해 웨이퍼(W)에 실시된 에칭 처리나 배선 처리를 거쳐서 복수의 전자 디바이스(37)가 서로 소정의 간격을 두고 표면에 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)에서는, 각 전자 디바이스(37)의 옆에 전위차 생성 회로(38), 예를 들어 다이오드, 트랜지스터 또는 저항이 형성되어 있다. 각 전위차 생성 회로(38)는 각 전자 디바이스(37)와 동시에 형성되기 때문에, 각 전자 디바이스(37)의 회로와 동등한 품질을 갖고 있다. 또한, 웨이퍼(W)에서는, 각 전자 디바이스(37)의 전극에 대응해서 복수의 땜납 범프(39)가 마련되고, 각 전위차 생성 회로(38)의 전극에 대응해서 2개의 땜납 범프(40)가 마련되고, 각 땜납 범프(39, 40)에 전압을 인가함으로써, 각 전자 디바이스(37)의 내부의 회로나 전위차 생성 회로(38)에 전류를 흘릴 수 있다.
도 8은, 본 실시 형태에서의 스테이지에 대한 웨이퍼(W)의 적재 모습을 설명하기 위한 단면도이다.
본 실시 형태에서도, 프로버(10)에서는, 각 전자 디바이스(37)의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 필요에 따라 냉매 유로(28)에 냉매를 흘리고, LED 조사 유닛(30)의 각 LED군(33a 내지 33f)으로부터 웨이퍼(W)에 LED 광을 조사한다. 단, 웨이퍼(W)의 실리콘 기판(36)은 LED 광을 투과시키지 않기 때문에, 본 실시 형태에서는, LED 광에 의해 원하는 전자 디바이스(37)를 가열하는 것은 곤란하지만, 냉각 유닛(29), 냉매 및 스테이지 덮개(27) 모두 광을 투과 가능하기 때문에, LED 조사 유닛(30)으로부터 조사된 LED 광은 거의 감쇠되지 않고 웨이퍼(W)에 도달한다. 따라서, LED 광에 의해 웨이퍼(W)를 효율적으로 가열할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 스테이지 덮개(27)를 사이에 두고 냉매 유로(28)을 흐르는 냉매에 인접하고, 또한 냉매는 LED 광을 투과시키기 때문에, LED 광에 의해 가열되지 않아, 온도가 상승하지 않는다. 따라서, 냉매에 의해 웨이퍼(W)를 효율적으로 냉각할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에서는, 각 전자 디바이스(37)의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 웨이퍼(W)의 온도를 높은 응답성으로 제어할 수 있다.
도 9는, 본 실시 형태에서의 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 9에서, 각 땜납 범프(39)에 접촉하는 각 프로브(16)는 인터페이스(17)에 배치된 복수의 배선(34)에 의해 테스터(14)에 접속되는데, 각 땜납 범프(40)에 접촉하는 각 프로브(16)는 인터페이스(17)에 있어서 배선(21)에 접속되고, 해당 배선(21)은 전위차 측정 유닛(20)에 접속된다.
프로버(10)에 있어서 전자 디바이스(37)의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 각 땜납 범프(39)에 실장시 전압을 인가함과 함께, 소정의 전압을 각 땜납 범프(40)에 인가한다. 이때, 전위차 생성 회로(38)는 각 땜납 범프(40)로부터 인가된 소정의 전압에 따라서 전위차를 발생시키는데, 당해 전위차는, 상술한 바와 같이, 전위차 생성 회로(38)의 온도에 따라 상이하다. 따라서, 전위차 생성 회로(38)의 각 전극에 대응하는 각 땜납 범프(40)간의 전위차에 기초하여 전위차 생성 회로(38)의 온도를 측정할 수 있다. 또한, 전위차 생성 회로(38)는 전자 디바이스(37)에 인접해서 형성되기 때문에, 전위차 생성 회로(38)의 온도는 거의 전자 디바이스(37)의 온도라고 간주할 수 있다. 즉, 각 땜납 범프(40)간의 전위차에 기초하여 전자 디바이스(37)의 온도를 측정할 수 있다.
프로버(10)에서는, 전위차 측정 유닛(20)이 각 배선(21)을 통해서 전위차 생성 회로(38)의 전위차를 취득하고, 또한 취득한 전위차를 베이스 유닛(19)에 전달한다. 베이스 유닛(19)은, 전달된 전위차와, 전위차 생성 회로(38)의 전위차의 온도 특성에 기초하여, 전자 디바이스(37)의 온도를 측정한다. 또한, 베이스 유닛(19)은, 측정된 전자 디바이스(37)의 온도를 사용한 피드백 제어를 행하여, 냉매 유로(28)를 흐르는 냉매의 유량이나 LED 조사 유닛(30)에서의 각 LED군(33a 내지 33f)으로부터 조사되는 LED 광의 강도를 조정해서 전자 디바이스(37)의 온도를 원하는 값으로 제어한다. 이에 의해, 전자 디바이스(37)의 검사 중에 실장 환경을 고정밀도로 재현할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)에 있어서, 각 전자 디바이스(37)의 옆에 전위차 생성 회로(38)가 형성되었지만, 전위차 생성 회로(38) 대신에, 온도에 따라서 발진하는 주파수가 변화하는 발진 회로(47)를 형성해도 된다(도 12). 발진 회로(47)로서는, 예를 들어 쇄상으로 연결된 홀수 개의 NOT 게이트(인버터)로 이루어지는 링 오실레이터 회로가 사용된다.
링 오실레이터 회로에서는, 최종단의 NOT 게이트의 출력이 최초단의 NOT 게이트에 입력되는데, 각 NOT 게이트는 소정의 지연 시간을 갖기 때문에, 최초단의 NOT 게이트에의 입력으로부터 적산된 지연 시간 후에 최종단의 NOT 게이트가 최초단의 NOT 게이트에의 입력의 논리 부정을 출력하고, 당해 논리 부정이 다시 최초단의 NOT 게이트에 입력된다. 링 오실레이터 회로에서는, 이 과정이 반복되어 소정의 주파수가 발진된다. 또한, 각 NOT 게이트의 소정의 지연 시간은 온도에 따라서 변화하기 때문에, 결과로서, 링 오실레이터 회로가 발진하는 주파수는 온도에 따라서 변화한다.
여기서, 발진 회로(47)가 발진하는 주파수는, 발진 회로(47)에 접속되는 단자(48)에 전달된다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 단자(48)에는 배선(49)을 통해서 주파수 카운터(50)가 접속되고, 주파수 카운터(50)는 발진 회로(47)가 발진하는 주파수를 측정하여, 측정된 주파수를 베이스 유닛(19)에 전달한다. 베이스 유닛(19)은, 미리 발진 회로(47)가 발진하는 주파수 및 온도의 관계(발진 회로(47)의 주파수 특성)를 저장한다. 따라서, 측정된 발진 회로(47)가 발진하는 주파수와, 발진 회로(47)의 주파수 특성에 기초하여 발진 회로(47)의 온도를 측정할 수 있다. 또한, 발진 회로(47)도, 전위차 생성 회로(38)와 마찬가지로, 전자 디바이스(37)에 인접해서 형성되기 때문에, 발진 회로(47)의 온도는 거의 전자 디바이스(37)의 온도라고 간주할 수 있다. 즉, 발진 회로(47)가 발진하는 주파수에 기초하여 전자 디바이스(37)의 온도를 측정할 수 있다. 특히, 링 오실레이터 회로는 신뢰성이 높고, 저렴하며, 동작이 고속이므로, 발진 회로(47)로서 링 오실레이터 회로를 사용함으로써, 신뢰성이 높은 전자 디바이스(37)의 온도의 측정을 신속하면서도 또한 저렴하게 실현할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제3 실시 형태에 대해서 설명한다.
본 발명의 제3 실시 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제1 실시 형태나 제2 실시 형태와 기본적으로 동일하고, 전자 디바이스(25)의 온도 측정 방법만이 상이하므로, 중복된 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 상이한 구성, 작용에 관한 설명을 행한다.
제2 실시 형태에서는, 각 전자 디바이스(37)의 옆에 형성된 전위차 생성 회로(38)에 소정의 전압을 인가함으로써, 전자 디바이스(37)의 온도를 측정했지만, 전위차 생성 회로(38)는 미세한 회로이기 때문에, 전압 인가에 의해 파손될 우려가 있다. 그런데, 전위차 생성 회로(38)는 전자 디바이스(37)의 일부로서도 기능하는 경우가 있기 때문에, 전자 디바이스(37)를 패키징하기 전에 전위차 생성 회로(38)가 전압 인가에 의해 파손되는 기회를 저감시키는 것이 바람직하다. 또한, 제1 실시 형태에서의 전자 디바이스(25)와 같이, 전자 디바이스에 있어서 전위차 생성 회로가 형성되지 않는 경우도 있다. 이에 대응하여, 본 실시 형태에서는, 전위차 생성 회로를 사용하지 않고, 전자 디바이스의 온도를 측정한다.
도 10은, 본 실시 형태에서의 각 전자 디바이스의 온도 측정용 회로의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10에서, 인터페이스(17)는 테스터(14)와 각 프로브(16)를 접속하는, 복수의 막대 형상 부재가 묶인 포고 핀(41)(전열 부재)을 갖고, 해당 포고 핀(41)에는 온도 센서(42)가 설치된다. 온도 센서(42)는 배선(43)에 의해 베이스 유닛(44)에 접속되고, 베이스 유닛(44)은 포고 핀(41)의 온도를 측정한다. 여기서, 전자 디바이스(25)에 실장시 전압이 인가되어 전기적 특성의 검사가 행하여지면, 전자 디바이스(25)의 열이 각 프로브(16)로부터 포고 핀(41)에 전달된다. 따라서, 전자 디바이스(25)의 온도는 포고 핀(41)의 온도와 일정한 관계를 갖는다. 그래서, 도 11에 도시하는 바와 같은, LED 조사 유닛(30)으로부터 조사되는 LED 광의 열량을 입력 u(t)로 하고, 포고 핀(41)의 온도를 출력 y(t)로 하는 동적 시스템(45)으로서의 전자 디바이스(25)의 온도를 측정하기 위한 제어 모델인 상태 관측기(옵저버)(46)를 베이스 유닛(44)에 구축하여, 동적 시스템(45)의 내부 상태, 즉, 전자 디바이스(25)의 온도를 추정한다. 옵저버(46)에서의 시스템 행렬 A, b, c, h는, 예를 들어 캐리어(C)에 전자 디바이스(25)와 유사한 열용량이나 열저항을 갖는 칩을 실장하고, 실장된 칩의 온도를 측정함으로써 동정된다.
본 실시 형태에서는, 옵저버(46)를 사용하여, LED 광의 열량이나 포고 핀(41)의 온도에 기초하여 전자 디바이스(25)의 온도를 검사 중에 실시간으로 측정할 수 있다. 베이스 유닛(44)은, 측정된 전자 디바이스(25)의 온도에 기초하여 냉매 유로(28)를 흐르는 냉매의 유량이나 LED 조사 유닛(30)에서의 각 LED군(33a 내지 33f)으로부터 조사되는 LED 광의 강도를 조정해서 검사 중인 전자 디바이스(25)의 온도를 원하는 값으로 제어한다. 이에 의해, 전자 디바이스(25)의 검사 중에 실장 환경을 고정밀도로 재현할 수 있다. 또한, 전자 디바이스(25)의 온도를 측정하기 위해서, 전자 디바이스(25)의 옆에 형성된 전위차 생성 회로(38)를 사용할 필요가 없기 때문에, 전자 디바이스(25)를 패키징하기 전에 전위차 생성 회로(38)가 파손되는 것을 방지할 수 있고, 따라서, 패키지의 수율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 온도 센서(42)를 포고 핀(41)에 설치했지만, 해당 온도 센서(42)를 전자 디바이스(25)의 열이 전달되는 프로브(16)나 배선(전열 부재)에 설치해도 된다. 이 경우도, LED 광의 열량을 입력 u(t)로 하고, 프로브(16)나 배선의 온도를 출력 y(t)로 하는 옵저버를 베이스 유닛(44)에 구축하고, 당해 옵저버에 의해, LED 광의 열량 및 프로브(16)나 배선의 온도에 기초하여 전자 디바이스(25)의 온도를 측정할 수 있다.
이상, 본 발명에 대해서, 상기 각 실시 형태를 사용해서 설명했지만, 본 발명은 상기 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 스테이지(11)에서는, 스테이지 덮개(27)가 광투과 부재로 구성되었지만, 광투과 부재 이외의 부재이며, 열전달률이 높은 부재, 예를 들어 Al, Cu 등의 금속, SiC 등의 세라믹, 또는 금속과 세라믹의 복합재에 의해 스테이지 덮개(27)를 구성해도 된다. 이 경우, 스테이지 덮개(27)는 LED 광을 투과시키지 않지만, LED 조사 유닛(30)이 조사한 LED 광은 냉각 유닛(29) 및 냉매를 투과하기 때문에, LED 광은 거의 감쇠되지 않고 스테이지 덮개(27)에 도달한다. 따라서, LED 광에 의해 스테이지 덮개(27)를 효율적으로 가열할 수 있고, 따라서, 스테이지 덮개(27)에 적재되는 웨이퍼(W)도 효율적으로 가열할 수 있다. 또한, 스테이지 덮개(27)를 석영으로 구성한 경우, 석영은 그다지 강성이 높지 않기 때문에 깨짐 등이 발생할 우려가 있는데, 스테이지 덮개(27)를 금속에 의해 구성함으로써, 스테이지 덮개(27)의 강성을 향상시킬 수 있고, 따라서, 스테이지 덮개(27)에 있어서 깨짐 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 스테이지 덮개(27)의 재료에서는, 고강성을 확보하기 위해서 영률이 높고, 또한 열전도율이 높은 물성이 요구되므로, Cu나 SiC와 다이아몬드의 복합재(예를 들어, THERMADITE(등록 상표) 100-60(II-VI M Cubed Technologies Inc.사 제조))를 적합하게 사용할 수 있고, 이에 의해, 얇고 열전도율이 높은 스테이지 덮개(27)를 실현할 수 있다.
또한, 스테이지(11)의 냉매 유로(28)에 공급되는 냉매의 유량을 조절함으로써, 전자 디바이스(25, 37)의 온도의 제어 범위를 고온측, 또는 저온측으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스(25, 37)의 온도의 제어 범위를 고온측으로 변경하는 경우, 냉매 유로(28)에 공급되는 냉매의 유량을 감소시킨다. 전자 디바이스(25, 37)의 온도의 제어 범위를 저온측으로 변경하는 경우, 냉매 유로(28)에 공급되는 냉매의 유량을 증가시킨다. 또한, 스테이지 덮개(27)에서의 냉매 유로(28)측의 면(냉매 접촉면) 형상을 복수의 핀이 배치되는 핀 형상으로 하거나, 또는, 스테이지 덮개(27)의 냉매 접촉면의 표면 조도를 조정함으로써, 전자 디바이스(25, 37)와 냉매의 사이의 전열량을 조정할 수 있다. 따라서, 스테이지 덮개(27)의 냉매 접촉면의 형상 변경에 의해서도 전자 디바이스(25, 37)의 온도의 제어 범위를 변경할 수 있다.
상술한 각 실시 형태에서는, 각 전자 디바이스(25(37))를 웨이퍼(W)나 캐리어(C)의 매엽마다 검사하는 프로버(10)의 스테이지(11)에 본 발명이 적용되는 경우에 대해서 설명했지만, 다수의 검사실(셀)을 구비하는 다실형 전자 디바이스 검사 장치에 있어서 각 검사실에 프로브 카드와 함께 배치되는 스테이지에 본 발명을 적용해도 된다.
본 출원은, 2016년 11월 29일에 출원된 일본 출원 제2016-231844호, 2017년 3월 21일에 출원된 일본 출원 제2017-54366호, 및 2017년 7월 11일에 출원된 일본 출원 제2017-135401호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 이들 일본 출원에 기재된 전체 내용을 본 출원에 원용한다.
C : 캐리어 W : 웨이퍼
10 : 프로버 11 : 스테이지
15 : 프로브 카드 16 : 프로브
20 : 전위차 측정 유닛 24 : 유리 기판
25, 37 : 전자 디바이스 26 : 전극 패드
27 : 스테이지 덮개 28 : 냉매 유로
29 : 냉각 유닛 30 : LED 조사 유닛
32 : LED 33a 내지 33f : LED군
35 : 릴레이 36 : 실리콘 기판
38 : 전위차 생성 회로 39, 40 : 땜납 범프
47 : 발진 회로 50 : 주파수 카운터

Claims (15)

  1. 피검사체가 적재되는 냉각 기구와,
    해당 냉각 기구를 사이에 두고 상기 피검사체에 대향하도록 배치되는 광조사 기구를 포함하고,
    상기 냉각 기구는 광투과 부재로 이루어져, 내부를 광이 투과 가능한 냉매가 흐르고,
    상기 광조사 기구는 상기 피검사체를 지향하는 다수의 LED를 갖고,
    상기 다수의 LED의 조사·비조사가 부분적으로 제어되어 상기 피검사체의 임의의 개소에 상기 광을 조사함으로써, 상기 냉각 기구에 의해 상기 피검사체를 전체적으로 냉각하면서, 상기 피검사체의 임의의 개소를 가열하는 적재대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 복수의 전자 디바이스가 배치된 유리 기판으로 이루어지는, 적재대.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 복수의 전자 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼로 이루어지는, 적재대.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광투과 부재는, 폴리카르보네이트, 석영, 폴리염화비닐, 아크릴 수지 또는 유리로 이루어지는, 적재대.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    각 상기 LED는 근적외선 광을 조사하는, 적재대.
  6. 피검사체에 배치 또는 형성된 전자 디바이스를 검사하는 전자 디바이스 검사 장치이며,
    상기 피검사체를 적재하는 적재대와,
    상기 적재된 피검사체의 상기 전자 디바이스에 전기적으로 접촉하는 접촉 단자를 포함하고,
    상기 적재대는,
    피검사체가 적재되는 냉각 기구와,
    해당 냉각 기구를 사이에 두고 상기 피검사체에 대향하도록 배치되는 광조사 기구를 포함하고,
    상기 냉각 기구는 광투과 부재로 이루어져, 내부를 광이 투과 가능한 냉매가 흐르고,
    상기 광조사 기구는 상기 피검사체를 지향하는 다수의 LED를 갖고,
    상기 다수의 LED의 조사·비조사가 부분적으로 제어되어 상기 피검사체의 임의의 개소에 상기 광을 조사함으로써, 상기 냉각 기구에 의해 상기 피검사체를 전체적으로 냉각하면서, 상기 피검사체의 임의의 개소를 가열하는 전자 디바이스 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 피검사체는 복수의 전자 디바이스가 배치된 유리 기판으로 이루어지고,
    상기 전자 디바이스의 전위차 생성 회로의 전위차를 측정하는 측정부를 더 포함하는, 전자 디바이스 검사 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 피검사체는 복수의 전자 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼로 이루어지고, 각 상기 전자 디바이스의 옆에는 전위차 생성 회로가 형성되고,
    상기 전위차 생성 회로의 전위차를 측정하는 측정부를 더 포함하는, 전자 디바이스 검사 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 전위차 생성 회로는, 다이오드, 트랜지스터 또는 저항으로 이루어지는, 전자 디바이스 검사 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 전자 디바이스의 열이 전달되는 전열 부재의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하고,
    상기 온도 센서에 의해 측정된 온도에 기초하여 상기 전자 디바이스의 온도를 추정하는, 전자 디바이스 검사 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광조사 기구로부터 조사되는 광의 열량을 입력으로 하고, 상기 온도 센서에 의해 측정된 온도를 출력으로 하는 동적 시스템의 내부 상태를 추정하는 옵저버가 구축되고,
    상기 옵저버에 의해, 상기 전자 디바이스의 온도가 상기 동적 시스템의 내부 상태로서 추정되는, 전자 디바이스 검사 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 피검사체는 복수의 전자 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼로 이루어지고, 각 상기 전자 디바이스의 옆에는 발진 회로가 형성되고,
    상기 발진 회로가 발진하는 주파수를 측정하는 측정부를 더 포함하는, 전자 디바이스 검사 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 발진 회로는, 링 오실레이터로 이루어지는, 전자 디바이스 검사 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 기구에서는, 상기 피검사체에 대향하는 부분의 전체가 상기 광투과 부재에 의해 구성되는, 적재대.
  15. 제6항에 있어서,
    상기 냉각 기구에서는, 상기 피검사체에 대향하는 부분의 전체가 상기 광투과 부재에 의해 구성되는, 전자 디바이스 검사 장치.
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