WO2019171932A1 - 検査装置 - Google Patents

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WO2019171932A1
WO2019171932A1 PCT/JP2019/005988 JP2019005988W WO2019171932A1 WO 2019171932 A1 WO2019171932 A1 WO 2019171932A1 JP 2019005988 W JP2019005988 W JP 2019005988W WO 2019171932 A1 WO2019171932 A1 WO 2019171932A1
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WO
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electronic device
led
refrigerant
temperature
inspected
Prior art date
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PCT/JP2019/005988
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Inventor
河西　繁
小林　将人
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • H05B45/56—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits involving measures to prevent abnormal temperature of the LEDs

Definitions

  • the present invention relates to an inspection apparatus for inspecting an electronic device mounted on a mounting table.
  • a large number of electronic devices having a predetermined circuit pattern are formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”).
  • the formed electronic device is inspected for electrical characteristics and the like, and sorted into a non-defective product and a defective product.
  • the inspection of the electronic device is performed using an inspection apparatus in a state of the wafer before being divided into the respective electronic devices.
  • An electronic device inspection apparatus called a prober (hereinafter referred to as “prober”) includes a probe card having a large number of pin-shaped probes, a mounting table on which a wafer is mounted, and an IC tester (Patent Literature). 1).
  • This prober inspects the electrical characteristics of an electronic device by bringing each probe of the probe card into contact with an electrode pad or solder bump provided corresponding to the electrode of the electronic device and transmitting a signal from the electronic device to an IC tester.
  • the temperature of a mounting base is controlled by the refrigerant
  • the temperature of the electronic device under inspection is controlled by the refrigerant flow path or heater provided in the mounting table in the prober of Patent Document 1, and the heat load is applied to the other electronic devices.
  • a method for suppressing this is conceivable.
  • the wafer temperature can be controlled as a whole, but the wafer temperature is limited to a local area, for example, only in the vicinity of the electronic device under inspection. It is impossible to control and suppress the thermal load on other electronic devices. This is because it is difficult to downsize the refrigerant flow path and the heater, and it is difficult to locally arrange the refrigerant flow path and the heater in the mounting table.
  • An object of the technology according to the present disclosure is to provide an electronic device inspection apparatus capable of suppressing the high cost of the electronic device.
  • one embodiment of the present invention is an inspection apparatus that inspects an electronic device by bringing a contact terminal into electrical contact with the electronic device provided on the object to be inspected, which can transmit light.
  • a mounting table in which the object to be inspected is placed, and a side opposite to the placing side of the object to be inspected is formed of a light transmitting member,
  • a light irradiation mechanism having a plurality of LEDs arranged to face a surface opposite to the mounting side of the object to be inspected in the mounting table; heat absorption by the refrigerant;
  • a control unit that controls heating by light and controls the temperature of the electronic device to be inspected, and the control unit is based on at least the measured temperature of the electronic device to be inspected from the LED.
  • the light output of And based on the light output of the LED, for controlling the heat absorption by the refrigerant.
  • the inspection apparatus of one aspect of the present invention it is possible to suppress an increase in cost of the electronic device.
  • FIG. 1 and 2 are a perspective view and a front view, respectively, showing an outline of a configuration of a prober 1 as an inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 in order to show components housed in a later-described storage chamber and loader of the prober 1 of FIG. 1, a part thereof is shown in cross section.
  • the prober 1 in FIG. 1 and FIG. 2 inspects the electrical characteristics of each of a plurality of electronic devices (see reference numeral D in FIG. 3 described later) formed on a wafer W as an object to be inspected.
  • a storage chamber 2 for storing wafers, a loader 3 disposed adjacent to the storage chamber 2, and a tester 4 disposed to cover the storage chamber are provided.
  • the storage chamber 2 is a hollow casing and has a stage 10 on which a wafer W to be inspected is fixed.
  • the stage 10 sucks and holds the wafer W so that the position of the wafer W with respect to the stage 10 does not shift.
  • the stage 10 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction. With this configuration, the relative position between a probe card 11 and a wafer W, which will be described later, is adjusted, and the electrode on the surface of the wafer W is attached to the probe card 11. It can be brought into contact with the probe 11a.
  • a probe card 11 is disposed above the stage 10 in the storage chamber 2 so as to face the stage 10.
  • the probe 11a is an example of a contact terminal in the embodiment.
  • the probe card 11 is connected to the tester 4 via the interface 12.
  • each probe 11 a contacts the electrode of each electronic device on the wafer W, each probe 11 a supplies power to the electronic device from the tester 4 via the interface 12, or signals from the electronic device are sent via the interface 12.
  • the loader 3 takes out the wafer W accommodated in a FOUP (not shown) as a transport container and transports it to the stage 10 in the storage chamber 2. In addition, the loader 3 receives the wafer W for which the inspection of the electrical characteristics of the electronic device D has been completed from the stage 10 and stores it in the FOUP.
  • a FOUP not shown
  • the loader 3 includes a base unit 13 as a control unit that performs various controls such as temperature control of the electronic device to be inspected, a potential difference measuring unit 14 that measures a potential difference in a potential difference generation circuit (not shown) in each electronic device, and Have
  • the potential difference generation circuit is, for example, a diode, a transistor, or a resistor.
  • the potential difference measuring unit 14 is connected to the interface 12 via the wiring 15, acquires the potential difference between the two probes 11 a contacting the two electrodes corresponding to the potential difference generating circuit, and transmits the acquired potential difference to the base unit 13. To do.
  • the connection structure of each probe 11a and wiring 15 in the interface 12 will be described later.
  • the base unit 13 is connected to the stage 10 via the wiring 16 and controls a flow rate control valve that adjusts the flow rate of the refrigerant to the light irradiation mechanism 40 described later and the mounting table 30 described later.
  • the base unit 13 and the potential difference measuring unit 14 may be provided in the storage chamber 2, and the potential difference measuring unit 14 may be provided in the probe card 11.
  • the tester 4 has a test board (not shown) that reproduces a part of the circuit configuration of the motherboard on which the electronic device is mounted.
  • the test board is connected to a tester computer 17 that determines the quality of the electronic device based on a signal from the electronic device.
  • the circuit configuration of a plurality of types of mother boards can be reproduced by replacing the test board.
  • the prober 1 includes a user interface unit 18 for displaying information for the user and for the user to input an instruction.
  • the user interface unit 18 includes, for example, an input unit such as a touch panel and a keyboard and a display unit such as a liquid crystal display.
  • the tester computer 17 transmits data to a test board connected to the electronic device via each probe 11a when inspecting the electrical characteristics of the electronic device. Then, the tester computer 17 determines whether or not the transmitted data is correctly processed by the test board based on the electrical signal from the test board.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing the configuration of the wafer W.
  • a plurality of electronic devices D are formed on the surface of the wafer W at predetermined intervals by performing etching processing and wiring processing on a substantially disc-shaped silicon substrate.
  • An electrode E is formed on the surface of the electronic device D, that is, the wafer W, and the electrode E is electrically connected to circuit elements inside the electronic device D. By applying a voltage to the electrode E, a current can be passed to the circuit elements inside each electronic device D.
  • FIG.4 is a cross-sectional view schematically showing the upper structure of the stage 10
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing the structure of a light irradiation mechanism 40 described later.
  • the stage 10 includes a mounting table 30 and a light irradiation mechanism 40 in order from the top in the upper part.
  • the mounting table 30 has the wafer W mounted on the upper surface thereof, and the light irradiation mechanism 40 heats the lid member 31 by irradiating the lid member 31 mounted on the mounting table 30 with light.
  • the wafer W is heated, and the electronic device D formed on the wafer W is heated.
  • the mounting table 30 has a lid member 31 on the mounting side of the wafer W, that is, on the upper side, and a bottomed member 32 on the side opposite to the mounting side of the wafer W, that is, on the lower side. It abuts via the O-ring 33.
  • the lid member 31 is formed in a disc shape, and is made of, for example, SiC.
  • SiC has high thermal conductivity and Young's modulus, and also has high absorption efficiency for light from the light irradiation mechanism 40. Therefore, by forming the lid member 31 with SiC, the wafer W placed on the lid member 31 can be efficiently heated / cooled when the lid member 31 is heated / cooled. It is possible to prevent cracks and the like from being generated in 31, and furthermore, the lid member 31, that is, the wafer W can be efficiently heated by the light from the light irradiation mechanism 40. Moreover, since the green sheet method etc. can be used for SiC, since the workability is high, the manufacturing cost of the prober 1 can be reduced.
  • a suction hole (not shown) for sucking the wafer W is formed on the upper surface of the lid member 31.
  • a plurality of temperature sensors 31 a are embedded in the lid member 31 at positions separated from each other in plan view.
  • the bottomed member 32 is formed in a disk shape having substantially the same diameter as the lid member 31 and is formed of a light transmitting member that transmits light from the light irradiation mechanism 40.
  • a light transmitting member that transmits light from the light irradiation mechanism 40.
  • the light from the light irradiation mechanism 40 is near infrared light
  • polycarbonate, quartz, polyvinyl chloride, acrylic resin, or glass can be used as the light transmitting member.
  • these materials are easy to process and mold, the manufacturing cost of the prober 1 can be reduced.
  • a groove for allowing the refrigerant to flow inside the mounting table 30 is formed on the upper surface of the bottomed member 32, and the groove is covered with the lid member 31 to form a refrigerant flow path 32a.
  • the mounting table 30 has a refrigerant flow path 32a formed by the lid member 31 and the bottomed member 32 therein.
  • the prober 1 cools the electronic device formed on the wafer W by cooling the wafer W mounted on the mounting table 30 with the coolant flowing through the coolant channel 32a, that is, absorbs heat from the electronic device. .
  • a supply port 32b and a discharge port 32c communicating with the refrigerant flow path 32a are formed on the side portion of the bottomed member 32.
  • a supply pipe 34 for supplying a refrigerant to the refrigerant flow path 32a is connected to the supply port 32b, and a discharge pipe 35 for discharging the refrigerant from the refrigerant flow path 32a is connected to the discharge port 32c.
  • the supply pipe 34 is provided with a flow rate control valve 36 that controls the flow rate of the refrigerant supplied to the refrigerant flow path 32a.
  • the flow rate control valve 36 may be a chiller coolant flow rate control valve that can change the flow rate at high speed.
  • the refrigerant flowing through the refrigerant flow path 32a for example, water, which is a liquid that can transmit light, is used, and a pump (not shown) provided outside the prober 1 is connected to the refrigerant flow path 32a via the supply pipe 34. Supplied.
  • the operation of the flow control valve 36 and the like for adjusting the flow rate of the refrigerant is controlled by the base unit 13.
  • the light irradiation mechanism 40 is disposed so as to face the surface opposite to the mounting side of the wafer W in the mounting table 30, in other words, disposed so as to face the lower surface of the bottomed member 32.
  • the light irradiation mechanism 40 has a plurality of LEDs 41 directed to the wafer W.
  • the light irradiation mechanism 40 includes a plurality of LED units U each including a plurality of LEDs 41 and a base 42 on which the LED units U are mounted.
  • the LED units U in the light irradiation mechanism 40 are square units U ⁇ b> 1 in plan view arranged in the same number and in the same manner as the electronic devices D (see FIG. 3) formed on the wafer W.
  • the unit U2 having a non-square shape in plan view covering the outer periphery covers substantially the entire surface of the base 42, whereby at least the wafer W on the lid member 31 is mounted by the light from the LEDs 41 of the LED unit U. It is comprised so that the whole can be irradiated.
  • Each LED 41 irradiates light toward the wafer W.
  • each LED 41 emits near infrared light.
  • Light emitted from the LED 41 (hereinafter may be abbreviated as “LED light”) passes through the bottomed member 32 of the mounting table 30 made of a light transmitting member.
  • the light that has passed through the bottomed member 32 passes through the coolant that can pass through the coolant channel 32 a of the mounting table 30 and enters the lid member 31.
  • the LED light incident on the lid member 31 on which the wafer W is placed on the placement table 30 is controlled in units of LED units U. Therefore, the light irradiation mechanism 40 can irradiate the LED light only at an arbitrary position on the lid member 31, or can change the intensity of the irradiated light between an arbitrary position and another position.
  • the temperature of the electronic device D to be inspected formed on the wafer W on the mounting table 30 is kept constant at the target temperature by heating with light from the light irradiation mechanism 40 and heat absorption by the refrigerant flowing through the refrigerant flow path 32a. Control to become. For this temperature control, the prober 1 measures the temperature of the wafer W.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of a circuit for measuring the temperature of the electronic device D in the prober 1.
  • each probe 11 a is connected to the tester 4 by a plurality of wirings 20 arranged in the interface 12.
  • a potential difference generation circuit for example, an electronic device D
  • a relay 21 is provided on each of the two wires 20 connecting the two probes 11a and the tester 4 in contact with the two electrodes E of the diode).
  • Each relay 21 is configured to be able to switch and transmit the potential of each electrode E to either the tester 4 or the potential difference measurement unit 14. For example, when inspecting the electrical characteristics of the electronic device D, each relay 21 is mounted on each electrode E. The potential of each electrode E is transmitted to the potential difference measuring unit 14 at a predetermined timing after the hour voltage is applied.
  • the potential difference generation circuit it is known that a potential difference generated when a predetermined current flows is different depending on temperature. Therefore, based on the potential difference of the potential difference generation circuit of the electronic device D, that is, the potential difference between the two electrodes E (probe 11a) of the potential difference generation circuit, the temperature of the electronic device D can be measured in real time during the inspection.
  • the potential difference measurement unit 14 acquires the potential difference of the potential difference generation circuit of the electronic device D based on the potential of each electrode E transmitted from each relay 21, and further transmits the acquired potential difference to the base unit 13.
  • the base unit 13 measures the temperature of the electronic device D based on the transmitted potential difference and the temperature characteristic of the potential difference of the potential difference generation circuit.
  • the method for measuring the temperature of the electronic device D is not limited to the above, and other methods may be used as long as the temperature of the electronic device D can be measured.
  • FIG. 7 is a block diagram schematically showing the outline of the configuration of the base unit.
  • the base unit 13 is composed of, for example, a computer and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling various processes such as a temperature control process for the electronic device D in the prober 1.
  • the program is recorded on a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), or memory card. Or installed in the base unit 13 from the storage medium.
  • a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), or memory card. Or installed in the base unit 13 from the storage medium.
  • the base unit 13 includes a storage unit 13a, a device temperature information acquisition unit 13b, a device temperature calculation unit 13c, an LED operation amount determination unit 13d, a valve operation amount determination unit 13e, an LED control unit 13f, and a valve control unit. 13g and a mounting table temperature acquisition unit 13h.
  • the storage unit 13a stores the target temperature of the electronic device D, the target value of the operation amount of the LED 41 of the light irradiation mechanism 40, the temperature of the refrigerant, and the like.
  • the target value of the operation amount of the LED 41 and the temperature of the refrigerant are determined in advance from the target temperature of the electronic device D, the maximum output of the LED 41, and the like.
  • the storage unit 13a also stores information on the temperature characteristics of the potential difference of the potential difference generation circuit in the electronic device D.
  • the device temperature information acquisition unit 13b acquires the potential difference information of the potential difference generation circuit in the electronic device D from the potential difference measurement unit 14 as the temperature information of the electronic device D to be inspected.
  • the device temperature calculation unit 13c is based on the potential difference of the potential difference generation circuit of the electronic device to be inspected obtained from the information acquired from the device temperature information acquisition unit 13b and the temperature characteristic of the potential difference of the potential difference generation circuit. The temperature of the electronic device D is calculated.
  • the LED operation amount determination unit 13d is for performing feedback control (for example, PID control) so that the temperature of the electronic device D to be inspected becomes constant at the target temperature, and determines the operation amount of the LED 41. Specifically, the LED operation amount determination unit 13d calculates a deviation between the temperature of the electronic device D calculated by the device temperature calculation unit 13c and the target temperature of the electronic device D stored in the storage unit 13a, for example, The operation amount of the LED 41 corresponding to the target electronic device D is calculated / determined by the PID operation from the above deviation.
  • PID control for example, PID control
  • the valve operation amount determination unit 13e is for performing feedback control (for example, PID control) so that the operation amount of the LED 41 determined by the LED operation amount determination unit 13d is constant at the target value.
  • the operation amount of the flow control valve 36 that controls the flow rate of the refrigerant flowing through the passage 32a is determined.
  • the valve operation amount determination unit 13e calculates, for example, a deviation between the operation amount of the LED 41 calculated by the LED operation amount determination unit 13d and the target value of the operation amount of the LED 41 stored in the storage unit 13a.
  • the operation amount of the flow control valve 36 is calculated / determined by the PID operation from the deviation. Information on the temperature of the refrigerant necessary for calculating the operation amount of the flow control valve 36 is stored in the storage unit 13a.
  • the LED control unit 13f adjusts the light output of the LED 41 based on the operation amount calculated by the LED operation amount determination unit 13d. Thereby, heating of the electronic device D to be inspected by the light from the LED 41 is controlled.
  • the valve control unit 13g adjusts the opening degree of the flow rate control valve 36 based on the operation amount calculated by the valve operation amount determination unit 13e, and adjusts the flow rate of the refrigerant flowing through the refrigerant flow path 32a inside the mounting table 30. Thereby, the heat absorption of the electronic device D to be inspected by the refrigerant is controlled.
  • the base unit 13 controls heating by the light output from the LED 41 corresponding to the electronic device D based on the temperature of the electronic device D to be inspected, and based on the light output from the LED 41.
  • the heat absorption by the refrigerant in the refrigerant flow path 32a of the mounting table 30 is controlled, and the temperature of the electronic device D to be inspected is controlled.
  • the base unit 13 performs cascade control with the operation amount relating to the light output from the LED 41 having a quick response as the master side and the operation amount relating to the flow rate of the slow-response refrigerant as the slave side. .
  • the control method that is the basis for temperature control of the base unit 13 is sliding mode control that uses both a linear element and a nonlinear element.
  • the light output from the LED 41 is used as the linear element, and the flow rate of the refrigerant is used as the nonlinear element.
  • the control operation amount is usually divided into a linear control operation amount and a non-linear control operation amount.
  • the linear control manipulated variable minimizes the control deviation on the switching hyperplane, and the nonlinear control manipulated variable directs the control system state to the switching hyperplane if there are modeling errors or uncertain disturbances. .
  • the mounting table temperature acquisition unit 13h of the base unit 13 acquires the temperature information of the mounting table 30, specifically the temperature information of the lid member 31, from the temperature sensor 31a.
  • the wafer W is taken out from the FOUP of the loader 3 and transferred to and placed on the stage 10.
  • the stage 10 is moved to a predetermined position.
  • the potential difference of the above-described potential difference generation circuit in the electronic device D to be inspected is acquired by the potential difference measurement unit 14. Then, the potential difference is calibrated on the assumption that the temperature of the lid member 31 made uniform in the plane substantially matches the temperature of the electronic device D to be inspected, that is, the temperature characteristic information of the potential difference is corrected.
  • the stage 10 is moved, and the probe 11a provided above the stage 10 and the electrode E of the electronic device D to be inspected on the wafer W are brought into contact with each other.
  • a signal is input to the probe 11a for inspection.
  • the inspection of the electronic device D is started.
  • the LED unit U corresponding to the device so that the temperature of the electronic device D becomes the test temperature / target temperature based on the information of the potential difference generated in the potential difference generation circuit of the electronic device D to be inspected during the inspection.
  • the light output from the LED 41 that is, the applied voltage of the LED 41 is controlled, and the flow rate of the refrigerant in the mounting table 30, that is, the opening degree of the flow control valve 36 is controlled so that the output from the LED 41 becomes a target value.
  • the flow rate of the refrigerant in the mounting table 30 can be controlled using the flow control valve 36.
  • the light irradiation mechanism 40 is disposed so as to face the bottomed member 32 located on the opposite side of the mounting table 30 from the mounting side of the wafer W, and the bottomed member 32 is made of a light transmitting member. Light can also pass through the refrigerant flowing through the refrigerant flow path 32a. Therefore, the LED light from each LED 41 can pass through the refrigerant or the like and reach the lid member 31 of the mounting table 30. Further, the light irradiation mechanism 40 can locally irradiate LED light to the lid member 31 by each LED unit U.
  • the temperature of the electronic device D may be controlled only by controlling the flow rate of the refrigerant without controlling the LED light.
  • the temperature of the electronic device D is also controlled by controlling the LED light. Specifically, while the lid member 31 is entirely cooled by the refrigerant in the mounting table 30, the lid member 31 is locally irradiated with LED light, and only the electronic device D being inspected is heated. That is, in the wafer W, the other electronic device D is cooled while controlling the temperature of only the electronic device D under inspection. Therefore, it can suppress that the heat load from the electronic device D under test is given to the other electronic device D.
  • the light irradiation mechanism 40 can also locally change the intensity of light irradiated to the lid member 31 by each LED unit U. Therefore, it is possible to locally change the irradiation state of the LED light to the lid member 31 while cooling the lid member 31 as a whole with the refrigerant in the mounting table 30, and thus heating the electronic device D being inspected. The state can also be different from other electronic devices.
  • the electronic device D to be inspected can be inspected while controlling the temperature of both the electronic device D to be inspected and the other electronic device D.
  • the light irradiation mechanism 40 is turned on to adjust the distribution. In this mode, since the heat generation amount of the wafer is small, the adjustment can be made only by the LED irradiation amount.
  • the heat absorption of the electronic device by the refrigerant is controlled by adjusting the flow rate of the refrigerant having a quick response rather than the temperature of the refrigerant having a slow response. Then, as described above, the base unit 13 controls heating by the light output from the LED 41 corresponding to the electronic device D based on the temperature of the electronic device D to be inspected, and based on the light output from the LED 41. Thus, the heat absorption by the refrigerant in the refrigerant flow path 32a of the mounting table 30 is controlled, and the temperature of the electronic device D to be inspected is controlled.
  • the temperature rise of the electronic device when the heat generation amount of the electronic device becomes very large In order to suppress the degree, it is necessary to use an LED having a large maximum output or to increase the density of the LED.
  • the LED 41 having a large maximum output is expensive, and the cost increases when the density of the LEDs 41 is increased. Further, when the LED 41 having a large maximum output is used or the density of the LED 41 is increased, the LED 41 itself needs to be cooled.
  • the control since the control is performed as described above, it is not necessary to use the LED 41 having a large maximum output or increase the number of the LEDs 41. Therefore, it is possible to prevent an increase in cost and to cool the LED 41. Is unnecessary. Furthermore, since the failure rate of the LED 41 when the LED 41 is not cooled is low, the reliability of the prober 1 can be maintained.
  • water is used as the refrigerant that absorbs heat. Therefore, heat absorption by the refrigerant can be performed at a higher speed than in the case of using a chlorofluorocarbon refrigerant. Furthermore, in this embodiment, since SiC is used for the lid member 31 of the mounting table 30 using water as a refrigerant for heat absorption, temperature response characteristics are high. Further, in the present embodiment, when the electronic device D is inspected, it is not necessary to cut out the electronic device D into a chip, and it can be performed on a wafer basis.
  • FIGS. 8 and 9 are diagrams for explaining a prober as an electronic device inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an upper structure of a stage included in the prober.
  • FIG. 9 is a block diagram schematically showing an outline of the configuration of the base unit included in the prober.
  • the heat absorption of the electronic device by the refrigerant is controlled using the flow rate control valve 36 that controls the flow rate of the refrigerant.
  • the heat absorption of the electronic device by the refrigerant is controlled by using a high-speed switching valve 50 that switches between execution and stop of the supply of the refrigerant.
  • the state where the supply of the refrigerant is executed may be referred to as an ON state
  • the state where the supply of the refrigerant is stopped may be referred to as an OFF state.
  • the high-speed switching valve 50 As the high-speed switching valve 50, a gas valve or the like in an ALD (Atomic Layer Deposition) film forming apparatus capable of switching the supply execution / stop of the refrigerant at high speed can be used. Note that the refrigerant in the present embodiment is also water.
  • the base unit 13 of the present embodiment includes a valve operation amount determination unit 60 and a valve control unit 61.
  • the valve operation amount determination unit 60 is for performing feedback control so that the operation amount of the LED 41 determined by the LED operation amount determination unit 13d falls within a predetermined range from the target value, and the operation amount of the high-speed switching valve 50 is determined. decide. Specifically, the valve operation amount determination unit 60, for example, based on whether or not the operation amount of the LED 41 calculated by the LED operation amount determination unit 13d exceeds a predetermined value (target value). Determine the amount of operation.
  • the valve operation amount determination unit 60 can lock the control target on the hyperplane and realize the sliding mode.
  • the switching time of the high-speed switching valve 50 is actually limited. Since this is time and causes chattering, the predetermined value has hysteresis. That is, when the high-speed switching valve 50 is in the OFF state, the high-speed switching valve 50 is switched to the ON state when the operation amount of the LED 41 calculated by the LED operation amount determination unit 13d exceeds the target value.
  • the high speed switching valve 50 When the operation amount is determined and the high speed switching valve 50 is in the ON state, the high speed switching valve 50 is switched to the OFF state when the operation amount of the LED 41 falls below a value obtained by subtracting the predetermined value from the target value. Determine the amount of operation. Information relating to hysteresis, that is, the predetermined value is stored in the storage unit 13a.
  • the valve operation amount determination unit 60 can also be said to perform feedback control so that the average value of the operation amounts of the LED 41 determined by the LED operation amount determination unit 13d is constant at the target value.
  • the valve control unit 61 switches the opening and closing of the high-speed switching valve 50 based on the operation amount determined by the valve operation amount determination unit 60. Thereby, the heat absorption of the electronic device D etc. by the said refrigerant
  • the light output from the LED 41 is adjusted so that the temperature of the electronic device becomes the test temperature / target temperature.
  • switching of execution / stop of refrigerant supply into the mounting table 30, that is, opening and closing of the high-speed switching valve 50 is controlled so that the average value of the output from the LED 41 becomes the target value.
  • the base unit 13 controls the heating by the light output from the LED 41 corresponding to the electronic device D based on the temperature of the electronic device D to be inspected, and based on the light output from the LED 41,
  • the heat absorption by the refrigerant in the refrigerant flow path 32a of the mounting table 30 is controlled, and the temperature of the electronic device D to be inspected is controlled. Therefore, it is not necessary to use the LED 41 having a large maximum output or increase the number of the LEDs 41, so that an increase in cost can be prevented and the cooling of the LED 41 is unnecessary. Furthermore, since the failure rate of the LED 41 when the LED 41 is not cooled is low, the reliability of the prober 1 can be maintained.
  • the high-speed switching valve 50 does not require a motor for the valve, so that the cost can be reduced and the space can be saved.
  • the control target can be locked to the hyperplane without causing chattering.
  • control method that is the basis for temperature control of the base unit 13 is sliding mode control that uses a linear element and a non-linear element in combination.
  • the light output from the LED 41 is used as the linear element, and the non-linear element is used.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a prober as an electronic device inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention, and is a block diagram schematically showing a schematic configuration of a base unit included in the prober.
  • the base unit 13 includes an LED operation amount determination unit 70 and an LED control unit 71, as shown in FIG.
  • the LED operation amount determination unit 70 is for feedback control so that the temperature of the electronic device D to be inspected is constant at the target temperature, and is based on the temperature of the electronic device D and the temperature of the mounting table 30.
  • the operation amount of the LED 41 is determined.
  • the LED operation amount determination unit 70 calculates, for example, a deviation between the temperature of the electronic device D calculated by the device temperature calculation unit 13c and the target temperature of the electronic device D stored in the storage unit 13a. From this, the temperature of the mounting table 30 is estimated. The estimation is performed by, for example, time integration of the deviation.
  • the LED operation amount determination unit 70 calculates a deviation between the estimated temperature of the mounting table 30 and the temperature of the mounting table 30 acquired through the mounting table temperature acquisition unit 13h, and from the deviation, The operation amount of the LED 41 corresponding to the electronic device D is calculated / determined. That is, the LED operation amount determination unit 70 calculates / determines the operation amount of the LED 41 by performing state feedback using the temperature of the mounting table 30 as a state amount.
  • the LED control unit 71 adjusts the light output of the LED 41 based on the operation amount calculated by the LED operation amount determining unit 70. Thereby, heating of the electronic device D to be inspected by the light from the LED 41 is controlled.
  • the state feedback is performed with the temperature of the mounting table 30 (more specifically, the lid member 31) as the state quantity. Therefore, the temperature of the electronic device D to be inspected can be controlled more accurately.
  • the present embodiment can also be applied to the case where the heat absorption is controlled by switching the execution / stop of the supply of the refrigerant using the high-speed switching valve 50 as a valve.
  • the above example is an example in which there is one electronic device D to be inspected at the same time.
  • each of the above-described embodiments can be applied to a case where there are a plurality of electronic devices D to be inspected at the same time.
  • the operation amount related to the heat absorption by the refrigerant is determined so that, for example, the average value of the operation amounts of the LEDs corresponding to the electronic devices is constant at the target value.
  • FIGS. 11 to 16 are diagrams showing simulation results of the temperature of the electronic device when the electronic device to be inspected instantaneously generates heat as Comparative Examples 1 and 2 and Test Examples 1 to 4.
  • the right vertical axis indicates the LED operation amount in FIGS. 11 and 12, and in FIGS.
  • the opening degree of the refrigerant flow control valve and FIGS. 15 and 16 show the open / close state of the fast switching valve, respectively.
  • “1” indicates that the valve is open.
  • “0” indicates that the valve is closed.
  • each figure (B) is the elements on larger scale of each figure (A).
  • Comparative Examples 1 and 2 are simulation results when a comparative prober is used.
  • the comparative prober is different from the prober of the first embodiment only in the temperature control method of the electronic device, and the heat absorption by the refrigerant is constant.
  • the temperature of the electronic device is controlled only by controlling the heating by the light output.
  • Test examples 1 and 2 are simulation results when the prober of the first embodiment described above is used, and test examples 3 and 4 are simulation results when the prober of the second embodiment described above is used.
  • the electronic device generated heat for about 10 seconds after about 80 seconds had elapsed.
  • the coolant is water
  • the material of the lid member 31 of the mounting table 30 is SiC
  • the maximum output of the LED is 90 W
  • the target operation amount of the LED is 30 W.
  • the target temperature of the electronic device was 85 ° C. except for Test Example 4, and the target temperature in Test Example 4 was 105 ° C.
  • the calorific value of the electronic device was 50 W in Comparative Example 1, 100 W in Comparative Example 2, 200 W in Test Example 1, 300 W in Test Example 2, Test Example 3, and 765 W in Test Example 4.
  • the temperature of the electronic device is 88 ° C. This can be controlled within a suitable range from the target temperature.
  • the calorific value of the electronic device is very large, for example, in the case of 300 W as in Test Example 2 in FIG. 14, the temperature rises to 93.8 ° C.
  • the temperature of the electronic device is 85.9 ° C. at the maximum. It can be controlled within a range very close to the target temperature.
  • the calorific value of the electronic device is larger, for example, in the case of 765 W where the calorific value is twice or more than that of Test Example 3 as in Test Example 4 of FIG. Even so, if the target temperature is 105 ° C., the temperature of the electronic device is 107.2 ° C., which is at most 2.2 ° C. higher than the target temperature, and can be controlled within a suitable range from the target temperature. .
  • the present invention is useful for a technique for inspecting an electronic device.

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Abstract

電子デバイスに接触端子を電気的に接触させて当該電子デバイスを検査する検査装置は、光を透過可能な冷媒が流通する冷媒流路を内部に有し、被検査体の載置側と反対側が光透過部材で形成された載置台と、当該載置台における被検査体の載置側と反対側の面と対向するように配置され、被検査体を指向する複数のＬＥＤを有する光照射機構と、冷媒による吸熱と当該ＬＥＤからの光による加熱を制御し、検査対象の電子デバイスの温度を制御する制御部とを備え、当該制御部は、測定された検査対象の電子デバイスの温度に基づいて、当該ＬＥＤからの光出力を制御し、当該ＬＥＤの光出力に基づいて冷媒による吸熱を制御する。

Description

検査装置
（関連出願の相互参照）
　本願は、２０１８年３月５日に日本国に出願された特願２０１８－３８８４３号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　本発明は、載置台に載置された電子デバイスを検査する検査装置に関する。
　半導体製造プロセスでは、所定の回路パターンを持つ多数の電子デバイスが半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に形成される。形成された電子デバイスは、電気的特性等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。電子デバイスの検査は、例えば、各電子デバイスに分割される前のウェハの状態で、検査装置を用いて行われる。
　プローバ等と称される電子デバイスの検査装置（以下、「プローバ」という）は、多数のピン状のプローブを有するプローブカードと、ウェハを載置する載置台と、ＩＣテスターとを備える（特許文献１参照）。このプローバは、プローブカードの各プローブを電子デバイスの電極に対応して設けられた電極パッドや半田バンプに接触させ、電子デバイスからの信号をＩＣテスターへ伝達させて電子デバイスの電気的特性を検査する。また、特許文献１のプローバでは、電子デバイスの電気的特性を検査する際、当該電子デバイスの実装環境を再現するために、載置台内の冷媒流路やヒータによって載置台の温度が制御されることにより、ウェハの温度が制御される。
特開平１０―１３５３１５号公報
　ところで、近年、電子デバイスは高速化や微細化が進み、集積度が高くなり、動作時の発熱量が非常に増大しているため、ウェハにおいて一の電子デバイスの検査中に隣接する他の電子デバイスに熱負荷が与えられてしまい当該他の電子デバイスに不具合を生じさせるおそれがある。
　この不具合が生じるのを防ぐ方法として、特許文献１のプローバにおいて載置台内に設けられている冷媒流路やヒータで、検査中の電子デバイスの温度を制御し、他の電子デバイスへ熱負荷がかかるのを抑制する方法が考えられる。しかしながら、載置台内の冷媒流路やヒータを用いた場合、ウェハの温度を全体的に制御することができるものの、ウェハの温度を局所的、例えば、検査中の電子デバイスの近傍のみに限って制御し、他の電子デバイスへ熱負荷がかかるのを抑制することは不可能である。なぜならば、冷媒流路やヒータの小型化は困難であり、載置台内に冷媒流路やヒータを局所的に配置するのは困難であるからである。
　そこで、例えば、検査中の電子デバイスに印加する電圧を、実装環境において印加されるべき比較的高い実装時電圧より小さくすることにより、隣接する他の電子デバイスへ熱負荷が与えられることを避けている。しかし、その結果、実装時電圧の印加時に発生する不具合を電子デバイスのパッケージング前に発見することができず、パッケージの歩留まりを低下させ、コスト高を招くという問題が生じている。
　本開示にかかる技術の目的は、電子デバイスのコスト高を抑制することができる電子デバイスの検査装置を提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様は、被検査体に設けられた電子デバイスに接触端子を電気的に接触させて当該電子デバイスを検査する検査装置であって、光を透過可能な冷媒が流通する冷媒流路を内部に有すると共に、前記被検査体が載置されるものであり、前記被検査体の載置側と反対側が光透過部材で形成された載置台と、前記載置台における前記被検査体の載置側と反対側の面と対向するように配置され、前記被検査体を指向する複数のＬＥＤを有する光照射機構と、前記冷媒による吸熱と前記ＬＥＤからの光による加熱を制御し、検査対象の前記電子デバイスの温度を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、少なくとも測定された前記検査対象の前記電子デバイスの温度に基づいて、前記ＬＥＤからの光出力を制御し、前記ＬＥＤの光出力に基づき、前記冷媒による吸熱を制御する。
　本発明の一態様の検査装置によれば、電子デバイスのコスト高を抑制することができる。
本発明の第１実施形態にかかる検査装置の構成の概略を示す斜視図である。 本発明の第１実施形態にかかる検査装置の構成の概略を示す正面図である。 被検査体であるウェハの構成を概略的に示す平面図である。 ステージの構成を概略的に示す断面図である。 光照射機構の構成を概略的に示す平面図である。 図１の検査装置におけるウェハの温度測定用の回路の構成を概略的に示す図である。 ベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。 本発明の第２実施形態にかかる検査装置が有するステージの上部構成を概略的に示す断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。 本発明の第３実施形態にかかるベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。 検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果（比較例１）を示す図である。 検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果（比較例２）を示す図である。 検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果（試験例１）を示す図である。 検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果（試験例２）を示す図である。 検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果（試験例３）を示す図である。 検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果（試験例４）を示す図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
　図１及び図２はそれぞれ、本発明の第１実施形態にかかる検査装置としてのプローバ１の構成の概略を示す斜視図及び正面図である。図２では、図１のプローバ１の後述の収容室とローダが内蔵する構成要素を示すため、その一部が断面で示されている。
　図１及び図２のプローバ１は、被検査体としてのウェハＷに形成された複数の電子デバイス（後述の図３の符号Ｄ参照）それぞれの電気的特性の検査を行うものであり、検査時にウェハを収容する収容室２と、収容室２に隣接して配置されるローダ３と、収容室を覆うように配置されるテスター４とを備える。
　収容室２は、内部が空洞の筐体であり、検査対象のウェハＷが固定されるステージ１０を有する。ステージ１０は、該ステージ１０に対するウェハＷの位置がずれないようにウェハＷを吸着保持する。また、ステージ１０は、水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成されており、この構成により、後述のプローブカード１１とウェハＷの相対位置を調整してウェハＷの表面の電極をプローブカード１１のプローブ１１ａと接触させることができる。
　収容室２における該ステージ１０の上方には、該ステージ１０に対向するようにプローブカード１１が配置される。プローブ１１ａは、実施の形態における接触端子の一例である。
　また、プローブカード１１は、インターフェース１２を介してテスター４へ接続されている。各プローブ１１ａがウェハＷの各電子デバイスの電極に接触する際、各プローブ１１ａは、テスター４からインターフェース１２を介して電子デバイスへ電力を供給し、または、電子デバイスからの信号をインターフェース１２を介してテスター４へ伝達する。
　ローダ３は、搬送容器であるＦＯＵＰ（図示省略）に収容されているウェハＷを取り出して収容室２のステージ１０へ搬送する。また、ローダ３は、電子デバイスＤの電気的特性の検査が終了したウェハＷをステージ１０から受け取り、ＦＯＵＰへ収容する。
　さらに、ローダ３は、検査対象の電子デバイスの温度制御等の各種制御を行う制御部としてのベースユニット１３と、各電子デバイスにおける電位差生成回路（図示省略）における電位差を測定する電位差測定ユニット１４とを有する。上記電位差生成回路は、例えば、ダイオード、トランジスタまたは抵抗である。電位差測定ユニット１４は、配線１５を介してインターフェース１２に接続され、上記電位差生成回路に対応する２つの電極へ接触する２つのプローブ１１ａ間の電位差を取得し、取得した電位差をベースユニット１３へ伝達する。インターフェース１２における各プローブ１１ａ及び配線１５の接続構造については後述する。ベースユニット１３は配線１６を介してステージ１０へ接続され、後述の光照射機構４０や後述の載置台３０への冷媒の流量を調整する流量制御バルブを制御する。なお、ベースユニット１３や電位差測定ユニット１４は収容室２に設けられてもよく、また、電位差測定ユニット１４は、プローブカード１１に設けられてもよい。
　テスター４は、電子デバイスが搭載されるマザーボードの回路構成の一部を再現するテストボード（図示省略）を有する。テストボードは、電子デバイスからの信号に基づいて、該電子デバイスの良否を判断するテスターコンピュータ１７に接続される。テスター４では、上記テストボードを取り替えることにより、複数種のマザーボードの回路構成を再現することができる。
　さらに、プローバ１は、ユーザ向けに情報を表示したりユーザが指示を入力したりするためのユーザインターフェース部１８を備える。ユーザインターフェース部１８は、例えば、タッチパネルやキーボード等の入力部と液晶ディスプレイ等の表示部とからなる。
　上述の各構成要素を有するプローバ１では、電子デバイスの電気的特性の検査の際、テスターコンピュータ１７が、電子デバイスと各プローブ１１ａを介して接続されたテストボードへデータを送信する。そして、テスターコンピュータ１７が、送信されたデータが当該テストボードによって正しく処理されたか否かを当該テストボードからの電気信号に基づいて判定する。
　次に、上述のプローバ１の被検査体であるウェハＷについて図３を用いて説明する。図３は、ウェハＷの構成を概略的に示す平面図である。
　ウェハＷには、略円板状のシリコン基板にエッチング処理や配線処理を施すことにより、図３に示すように、複数の電子デバイスＤが互いに所定の間隔をおいて、表面に形成されている。電子デバイスＤすなわちウェハＷの表面には、電極Ｅが形成されており、該電極Ｅは当該電子デバイスＤの内部の回路素子に電気的に接続されている。電極Ｅへ電圧を印加することにより、各電子デバイスＤの内部の回路素子へ電流を流すことができる。
　次に、ステージ１０の構成について図４及び図５を用いて説明する。図４はステージ１０の上部構成を概略的に示す断面図であり、図５は後述の光照射機構４０の構成を概略的に示す平面図である。
　ステージ１０は、図４に示すように、上部において、上方から順に、載置台３０と、光照射機構４０とを有する。載置台３０は、その上面にウェハＷが載置されるものであり、光照射機構４０は、載置台３０に載置された蓋部材３１に光を照射して当該蓋部材３１を加熱することにより、ウェハＷを加熱し、該ウェハＷ上に形成された電子デバイスＤを加熱する。
　載置台３０は、蓋部材３１をウェハＷの載置側すなわち上側に、有底部材３２をウェハＷの載置側と反対側すなわち下側に有し、蓋部材３１と有底部材３２とはＯリング３３を介して当接する。
　蓋部材３１は、円板状に形成されており、例えばＳｉＣから形成される。ＳｉＣは、熱伝導率及びヤング率が高く、光照射機構４０からの光に対する吸収効率も高い。したがって、蓋部材３１をＳｉＣで形成することにより、当該蓋部材３１を加熱／冷却したときに当該蓋部材３１に載置されたウェハＷを効率良く加熱／冷却することができ、また、蓋部材３１に割れ等が生じるのを防止することができ、さらに、光照射機構４０からの光により効率的に蓋部材３１すなわちウェハＷを加熱することができる。また、ＳｉＣはグリーンシート法等を用いることができるため、加工性が高いため、プローバ１の製造コストを低減させることができる。
　蓋部材３１の上面には、ウェハＷを吸着するための吸着穴（図示省略）が形成されている。また、蓋部材３１には、複数の温度センサ３１ａが平面視において互いに離間した位置に埋設されている。
　有底部材３２は、蓋部材３１と略同径の円板状に形成されており、光照射機構４０からの光を透過する光透過部材で形成される。光照射機構４０からの光が近赤外光である場合、上記光透過部材として、ポリカーボネイト、石英、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂又はガラスを用いることができる。また、これらの材料は、加工や成型が容易であるため、プローバ１の製造コストを低減させることができる。
　また、有底部材３２の上面には、載置台３０の内部に冷媒を流すための溝が形成されており、該溝は、蓋部材３１に覆われて冷媒流路３２ａを形成する。言い換えると、載置台３０は、蓋部材３１と有底部材３２とにより形成される冷媒流路３２ａをその内部に有する。プローバ１では、冷媒流路３２ａを流れる冷媒で載置台３０上に載置されたウェハＷを冷却することによって、当該ウェハＷに形成された電子デバイスを冷却し、すなわち、電子デバイスの吸熱を行う。
　また、有底部材３２の側部には、冷媒流路３２ａと連通する供給口３２ｂと排出口３２ｃとが形成されている。供給口３２ｂには、冷媒流路３２ａに冷媒を供給する供給管３４が接続されており、排出口３２ｃには、冷媒流路３２ａから冷媒を排出する排出管３５が接続されている。供給管３４には、冷媒流路３２ａに供給する冷媒の流量を制御する流量制御バルブ３６が設けられている。流量制御バルブ３６には、高速に流量を変化させることが可能な、チラーの冷媒流量制御用のバルブ等を用いることができる。また、この流量制御バルブ３６として三方バルブを設置し、冷媒流路３２ａをバイパスするようなバイパス流路を設ける応用も可能である。更に冷媒流路３２ａとバイパス流路のバルブが可変コンダクタンスバルブの場合、冷媒流路３２ａのコンダクタンスをＣｖ、バイパス流路のコンダクタンスをＣｖｂとするとＣｖ＋Ｃｖｂ＝一定となるようにすることで、全体のコンダクタンスを変えず制御が出来る。
　冷媒流路３２ａを流れる冷媒としては、例えば、光が透過可能な液体である水が用いられ、プローバ１の外部に設けられたポンプ（図示省略）によって供給管３４を介して冷媒流路３２ａへ供給される。なお、冷媒の流量を調整する流量制御バルブ３６等の動作はベースユニット１３により制御される。
　光照射機構４０は、載置台３０におけるウェハＷの載置側と反対側の面と対向するように配置されており、言い換えると、有底部材３２の下面と対向するように配置されている。
　この光照射機構４０は、ウェハＷを指向する複数のＬＥＤ４１を有する。具体的には、光照射機構４０は、複数のＬＥＤ４１がユニット化されたＬＥＤユニットＵを複数有すると共に、これらＬＥＤユニットＵが表面に搭載されるベース４２を有する。光照射機構４０におけるＬＥＤユニットＵは、例えば、図５に示すように、ウェハＷ上に形成された電子デバイスＤ（図３参照）と同数で同様に配列された平面視正方形状のユニットＵ１と、その外周を覆う平面視非正方形状のユニットＵ２とでベース４２の略全面を覆っており、これにより、ＬＥＤユニットＵのＬＥＤ４１からの光で、少なくとも蓋部材３１におけるウェハＷが搭載される部分全体を照射することができるよう構成されている。
　各ＬＥＤ４１は、ウェハＷに向けて光を照射する。本例では、各ＬＥＤ４１は近赤外光を出射する。ＬＥＤ４１から出射された光（以下、「ＬＥＤ光」と省略することがある。）は、光透過部材からなる載置台３０の有底部材３２を通過する。有底部材３２を通過した光は、載置台３０の冷媒流路３２ａを流れる、光を透過可能な冷媒を通過し、蓋部材３１に入射する。
　光照射機構４０では、載置台３０におけるウェハＷが載置される蓋部材３１に入射されるＬＥＤ光は、ＬＥＤユニットＵ単位で制御される。したがって、光照射機構４０は、蓋部材３１における任意の箇所へのみＬＥＤ光を照射したり、また、照射する光の強度を任意の箇所と他の箇所とで異ならせたりすることができる。
　プローバ１では、光照射機構４０からの光による加熱と冷媒流路３２ａを流れる冷媒による吸熱とにより、載置台３０上のウェハＷに形成された検査対象の電子デバイスＤの温度を目標温度で一定になるように制御する。この温度制御のために、プローバ１では、ウェハＷの温度を測定している。
　図６は、プローバ１における電子デバイスＤの温度測定用の回路の構成を概略的に示す図である。
　プローバ１では、図６に示すように、各プローブ１１ａがインターフェース１２に配置された複数の配線２０によってテスター４に接続されるが、各配線２０のうち、電子デバイスＤにおける電位差生成回路（例えば、ダイオード）の２つの電極Ｅに接触する２つのプローブ１１ａとテスター４を接続する２つの配線２０のそれぞれに、リレー２１が設けられる。
　各リレー２１は、各電極Ｅの電位をテスター４及び電位差測定ユニット１４のいずれかへ切り替えて伝達可能に構成され、例えば、電子デバイスＤの電気的特性の検査を行う際、各電極Ｅへ実装時電圧が印加されてから所定のタイミングで各電極Ｅの電位を電位差測定ユニット１４へ伝達する。上記電位差生成回路では所定の電流を流した際に生じる電位差が温度によって異なることが知られている。したがって、電子デバイスＤの電位差生成回路の電位差、すなわち、電位差生成回路の２つの電極Ｅ（プローブ１１ａ）間の電位差に基づいて、電子デバイスＤの温度を検査中においてリアルタイムに測定することができる。プローバ１では、電位差測定ユニット１４が各リレー２１から伝達された各電極Ｅの電位に基づいて電子デバイスＤの電位差生成回路の電位差を取得し、さらに、取得した電位差をベースユニット１３へ伝達する。ベースユニット１３は、伝達された電位差と、電位差生成回路の電位差の温度特性とに基づいて、電子デバイスＤの温度を測定する。
　なお、電子デバイスＤの温度の測定方法は、上述に限られず、電子デバイスＤの温度が測定可能であれば他の方法であってもよい。
　続いて、ベースユニット１３の電子デバイスＤの温度制御にかかる構成について図７を用いて説明する。図７はベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。
　ベースユニット１３は、例えばコンピュータ等から構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プローバ１における電子デバイスＤの温度制御処理等の各種処理を制御するプログラムなどが格納されている。
  なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体からベースユニット１３にインストールされたものであってもよい。
　ベースユニット１３は、記憶部１３ａと、デバイス温度情報取得部１３ｂと、デバイス温度算出部１３ｃと、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄと、バルブ操作量決定部１３ｅと、ＬＥＤ制御部１３ｆと、バルブ制御部１３ｇと、載置台温度取得部１３ｈを有する。
　記憶部１３ａは、電子デバイスＤの目標温度、光照射機構４０のＬＥＤ４１の操作量の目標値や、冷媒の温度等を記憶する。ＬＥＤ４１の操作量の目標値や冷媒の温度は、電子デバイスＤの目標温度やＬＥＤ４１の最大出力等から予め決定される。また、記憶部１３ａは、電子デバイスＤにおける電位差生成回路の電位差の温度特性の情報も記憶する。
　デバイス温度情報取得部１３ｂは、検査対象の電子デバイスＤの温度の情報として、当該電子デバイスＤにおける前述の電位差生成回路の電位差の情報を電位差測定ユニット１４から取得する。
　デバイス温度算出部１３ｃは、デバイス温度情報取得部１３ｂから取得した情報から得られる、検査対象の電子デバイスの電位差生成回路の電位差と、電位差生成回路の電位差の温度特性とに基づいて、検査対象の電子デバイスＤの温度を算出する。
　ＬＥＤ操作量決定部１３ｄは、検査対象の電子デバイスＤの温度を目標温度で一定となるようにフィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）するためのものであり、ＬＥＤ４１の操作量を決定する。具体的には、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄは、例えば、デバイス温度算出部１３ｃが算出した電子デバイスＤの温度と記憶部１３ａに記憶された電子デバイスＤの目標温度との偏差を算出し、検査対象の電子デバイスＤに対応するＬＥＤ４１の操作量を上記偏差からＰＩＤ動作により算出／決定する。
　バルブ操作量決定部１３ｅは、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが決定するＬＥＤ４１の操作量を目標値で一定となるようにフィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）するためのものであり、載置台３０の冷媒流路３２ａを流れる冷媒の流量を制御する流量制御バルブ３６の操作量を決定する。具体的には、バルブ操作量決定部１３ｅは、例えば、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが算出したＬＥＤ４１の操作量と記憶部１３ａに記憶されたＬＥＤ４１の操作量の目標値との偏差を算出し、該偏差からＰＩＤ動作により流量制御バルブ３６の操作量を算出／決定する。流量制御バルブ３６の操作量の算出に必要な、冷媒の温度の情報は記憶部１３ａに記憶されている。
　ＬＥＤ制御部１３ｆは、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが算出した操作量に基づいてＬＥＤ４１の光出力を調節する。これにより、ＬＥＤ４１からの光による検査対象の電子デバイスＤ等の加熱が制御される。
　バルブ制御部１３ｇは、バルブ操作量決定部１３ｅが算出した操作量に基づいて流量制御バルブ３６の開度を調節し、載置台３０の内部の冷媒流路３２ａを流れる冷媒の流量を調整する。これにより、上記冷媒による検査対象の電子デバイスＤ等の吸熱が制御される。
　上述のような構成により、ベースユニット１３は、検査対象の電子デバイスＤの温度に基づいて、当該電子デバイスＤに対応するＬＥＤ４１からの光出力による加熱を制御すると共に、ＬＥＤ４１からの光出力に基づいて、載置台３０の冷媒流路３２ａ内の冷媒による吸熱を制御し、検査対象の電子デバイスＤの温度を制御する。言い換えると、上述のような構成により、ベースユニット１３は、応答の速いＬＥＤ４１からの光出力に係る操作量をマスター側、応答の遅い冷媒の流速に係る操作量をスレーブ側としたカスケード制御を行う。ベースユニット１３の温度制御の基となる制御方法は、線形要素と非線形要素を併用するスライディングモード制御であり、線形要素としてＬＥＤ４１からの光出力を用い、非線形要素として冷媒の流量を用いる。スライディングモード制御では、制御操作量は、通常、線形制御操作量と非線形制御操作量へ分割される。線形制御操作量は制御システムの状態を切換超平面上で制御偏差を最小にするようにし、非線形制御操作量はモデル化誤差や不確かな外乱があると制御システムの状態を切換超平面へ向かわせる。
　なお、ベースユニット１３の載置台温度取得部１３ｈは、載置台３０の温度の情報、具体的には蓋部材３１の温度の情報を温度センサ３１ａから取得する。
　次に、プローバ１を用いたウェハＷに対する検査処理の一例について説明する。
　まず、ローダ３のＦＯＵＰからウェハＷが取り出されてステージ１０に搬送され載置される。次いで、ステージ１０が所定の位置に移動される。
　そして、光照射機構４０の全てのＬＥＤ４１を点灯させ、蓋部材３１の温度センサ３１ａから取得される情報に基づいて、蓋部材３１の温度が面内で均一になるように、ＬＥＤ４１からの光出力と、載置台３０内を流れる冷媒の流量を調整する。
　この状態で、電位差測定ユニット１４により、検査対象の電子デバイスＤにおける前述の電位差生成回路の電位差を取得する。そして、面内で均一とされた蓋部材３１の温度が検査対象の電子デバイスＤの温度と略一致するものとして、上記電位差の校正を行い、すなわち、上記電位差の温度特性の情報を補正する。
　その後、ステージ１０を移動させて、ステージ１０の上方に設けられているプローブ１１ａと、ウェハＷの検査対象の電子デバイスＤの電極Ｅとを接触させる。
　そして、プローブ１１ａに検査用に信号が入力される。これにより、電子デバイスＤの検査が開始される。なお、上記検査中、検査対象の電子デバイスＤの電位差生成回路に生じる電位差の情報に基づいて、当該電子デバイスＤの温度が試験温度／目標温度になるように、当該デバイスに対応するＬＥＤユニットＵのＬＥＤ４１からの光出力すなわちＬＥＤ４１の印加電圧が制御されると共に、ＬＥＤ４１からの出力が目標値となるように、載置台３０内の冷媒の流量すなわち流量制御バルブ３６の開度が制御される。
　以後、電子デバイスＤにおける電位差生成回路の電位差の校正より後の工程は、全ての電子デバイスＤの検査が完了するまで繰り返される。
　以下、本実施形態の効果について説明する。
　本実施形態では、載置台３０内の冷媒の流量を流量制御バルブ３６を用いて制御することができる。また、載置台３０におけるウェハＷの載置側と反対側に位置する有底部材３２と対向するように光照射機構４０が配置され、有底部材３２が光透過部材からなり、載置台３０の冷媒流路３２ａを流れる冷媒も光が透過可能である。そのため、各ＬＥＤ４１からのＬＥＤ光を、冷媒等を透過させて載置台３０の蓋部材３１に到達させることができる。さらに、光照射機構４０は各ＬＥＤユニットＵによって蓋部材３１へ局所的にＬＥＤ光を照射することができる。上述のように冷媒の流量を流量制御バルブ３６により制御することが可能な構成であれば、ＬＥＤ光の制御によらずに冷媒の流量の制御のみで電子デバイスＤの温度を制御することも考えられるが、本実施形態では、ＬＥＤ光の制御も行って電子デバイスＤの温度を制御する。具体的には、載置台３０内の冷媒によって蓋部材３１を全体的に冷却しつつ、蓋部材３１へ局所的にＬＥＤ光を照射し、検査中の電子デバイスＤのみを加熱する。すなわち、ウェハＷにおいて、検査中の電子デバイスＤのみの温度を制御しつつ他の電子デバイスＤを冷却する。そのため、検査中の電子デバイスＤからの熱負荷が他の電子デバイスＤへ与えられるのを抑制することができる。その結果、所望の電子デバイスＤへ実装時電圧を印加させることができ、もって、実装時電圧の印加時に発生する不具合をパッケージング前に発見することができ、パッケージの歩留まりの低下を抑制してコスト高を招くのを防止することができる。なお、光照射機構４０は、各ＬＥＤユニットＵによって、蓋部材３１に照射する光の強度を局所的に変更することもできる。したがって、載置台３０内の冷媒によって蓋部材３１を全体的に冷却しつつ、蓋部材３１へのＬＥＤ光の照射状態を局所的に変更することもでき、もって、検査中の電子デバイスＤの加熱状態を他の電子デバイスと異ならせることもできる。すなわち、ウェハＷにおいて、検査対象の電子デバイスＤと、他の電子デバイスＤとの両方を温度制御しながら検査対象の電子デバイスＤの検査をすることができる。
　また、Ｄ－ＲＡＭ等で採用されている一括コンタクトプロービングでは光照射機構４０全面を点灯して分布調整する。このモードにおいてはウェハ発熱量が少ないのでＬＥＤ照射量だけで調整できる。
　また、本実施形態では、冷媒による電子デバイスの吸熱の制御を、応答が遅い冷媒の温度ではなく、応答が早い冷媒の流量を調節することにより行っている。そして、ベースユニット１３は、前述のように、検査対象の電子デバイスＤの温度に基づいて、当該電子デバイスＤに対応するＬＥＤ４１からの光出力による加熱を制御すると共に、ＬＥＤ４１からの光出力に基づいて、載置台３０の冷媒流路３２ａ内の冷媒による吸熱を制御し、検査対象の電子デバイスＤの温度を制御する。
　本実施形態とは異なり、ＬＥＤからの光出力による加熱のみを制御し冷媒による電子デバイスの吸熱を一定とする場合、電子デバイスの発熱量が非常に大きくなったときにおける当該電子デバイスの温度の上昇度を抑えるには、最大出力の大きいＬＥＤを用いたり、ＬＥＤの密度を増やしたりする必要がある。しかし、最大出力の大きいＬＥＤ４１は高価であり、また、ＬＥＤ４１の密度を増やすとコストが増加する。また、最大出力の大きいＬＥＤ４１を用いたりＬＥＤ４１の密度を増やしたりする場合は、ＬＥＤ４１自体の冷却が必要となる。
　それに対し、本実施形態では、上述のように制御を行うため、最大出力の大きいＬＥＤ４１を用いたりＬＥＤ４１の個数を増やしたりする必要がないので、コスト増を防ぐことができ、また、ＬＥＤ４１の冷却が不要である。さらに、ＬＥＤ４１を冷却しない場合の当該ＬＥＤ４１の故障率が低いため、プローバ１の信頼性を維持することができる。
　また、本実施形態では、吸熱にかかる冷媒に水を用いている。したがって、フロン系冷媒を用いた場合に比べて、冷媒による吸熱を高速に行うことができる。
　さらに、本実施形態では、吸熱にかかる冷媒に水を用いて載置台３０の蓋部材３１にＳｉＣを用いているため、温度応答特性が高い。
　また、本実施形態では、電子デバイスＤの検査に際し、当該電子デバイスＤをチップに切り出す必要がなく、ウェハ単位で行うことができる。
（第２実施形態）
　図８及び図９は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイス検査装置としてのプローバを説明するための図であり、図８は、プローバが有するステージの上部構成を概略的に示す断面図、図９は、プローバが有するベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。
　第１実施形態のプローバでは、図４に示すように冷媒による電子デバイスの吸熱の制御を、冷媒の流量を制御する流量制御バルブ３６を用いて行っていた。それに対し、第２実施形態のプローバでは、図８に示すように、冷媒による電子デバイスの吸熱の制御を、冷媒の供給の実行と停止を切り替える高速切替バルブ５０を用いて制御する。なお、以下では、高速切替バルブ５０について、冷媒の供給が実行される状態をＯＮ状態、冷媒の供給が停止される状態をＯＦＦ状態ということがある。
　高速切替バルブ５０には、高速に冷媒の供給実行／停止を切り替えることが可能な、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）成膜装置におけるガス用のバルブ等を用いることができる。
　なお、本実施形態における冷媒も水である。
　図９に示すように、本実施形態のベースユニット１３は、バルブ操作量決定部６０と、バルブ制御部６１とを有する。
　バルブ操作量決定部６０は、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが決定するＬＥＤ４１の操作量が目標値から所定の範囲内に収まるようにフィードバック制御するためのものであり、高速切替バルブ５０の操作量を決定する。具体的には、バルブ操作量決定部６０は、例えば、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが算出したＬＥＤ４１の操作量が所定の値（目標値）を超えたか否かに基づいて、高速切替バルブ５０の操作量を決定する。
　また、バルブ操作量決定部６０は、理論上高速切替バルブ５０の切り替え時間がゼロならば制御対象が超平面にロックされてスライディングモードが実現できるが、実際は高速切替バルブ５０の切り替え時間が有限の時間でありチャタリングを生じさせるので上記所定の値にヒステリシスを持たせている。つまり、高速切替バルブ５０がＯＦＦ状態にある場合は、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが算出したＬＥＤ４１の操作量が上記目標値に所定値を超えたときにＯＮ状態に切り替わるように高速切替バルブ５０の操作量を決定し、高速切替バルブ５０がＯＮ状態にある場合は、ＬＥＤ４１の操作量が上記目標値から上記所定値を減じた値を下回ったときにＯＦＦ状態に切り替わるように高速切替バルブ５０の操作量を決定する。ヒステリシスに関する情報すなわち上記所定値は記憶部１３ａに記憶されている。
　なお、バルブ操作量決定部６０は、ＬＥＤ操作量決定部１３ｄが決定するＬＥＤ４１の操作量の平均値が目標値で一定になるようにフィードバック制御するものとも言うことができる。
　バルブ制御部６１は、バルブ操作量決定部６０が決定した操作量に基づいて高速切替バルブ５０の開閉を切り替える。これにより、上記冷媒による電子デバイスＤ等の吸熱が制御される。
　本実施形態では、電子デバイスＤの検査中、当該電子デバイスＤの電位差生成回路に生じる電位差の情報に基づいて、当該電子デバイスの温度が試験温度／目標温度になるようにＬＥＤ４１からの光出力が制御されると共に、ＬＥＤ４１からの出力の平均値が目標値となるように、載置台３０内への冷媒供給の実行／停止の切り替え、すなわち高速切替バルブ５０の開閉が制御される。
　本実施形態でも、ベースユニット１３は、検査対象の電子デバイスＤの温度に基づいて、当該電子デバイスＤに対応するＬＥＤ４１からの光出力による加熱を制御すると共に、ＬＥＤ４１からの光出力に基づいて、載置台３０の冷媒流路３２ａ内の冷媒による吸熱を制御し、検査対象の電子デバイスＤの温度を制御する。したがって、最大出力の大きいＬＥＤ４１を用いたりＬＥＤ４１の個数を増やしたりする必要がないので、コスト増を防ぐことができ、また、ＬＥＤ４１の冷却が不要である。さらに、ＬＥＤ４１を冷却しない場合の当該ＬＥＤ４１の故障率が低いため、プローバ１の信頼性を維持することができる。
　また、本実施形態は、高速切替バルブ５０は、流量制御バルブ３６とは異なり、バルブにモータが不要であるため、コストを抑えることができ、省スペース化を図ることができる。
　さらに、本実施形態は、ＬＥＤ４１の操作量の目標値にヒステリシスを持たせているため、チャタリングを起こさず制御対象を超平面にロックすることができる。
　なお、本実施形態においても、ベースユニット１３の温度制御の基となる制御方法は、線形要素と非線形要素を併用するスライディングモード制御であり、線形要素としてＬＥＤ４１からの光出力を用い、非線形要素として冷媒の供給の切り替え（実行／停止）を用いる。
（第３実施形態）
　図１０は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイス検査装置としてのプローバを説明するための図であり、プローバが有するベースユニットの構成の概略を模式的に示すブロック図である。
　本実施形態のプローバは、図１０に示すように、ベースユニット１３が、ＬＥＤ操作量決定部７０と、ＬＥＤ制御部７１とを有する。
　ＬＥＤ操作量決定部７０は、検査対象の電子デバイスＤの温度を目標温度で一定となるようにフィードバック制御するためのものであり、当該電子デバイスＤの温度と載置台３０の温度とに基づいてＬＥＤ４１の操作量を決定する。具体的には、ＬＥＤ操作量決定部７０は、例えば、デバイス温度算出部１３ｃが算出した電子デバイスＤの温度と記憶部１３ａに記憶の電子デバイスＤの目標温度との偏差を算出し、該偏差から載置台３０の温度の推定を行う。上記推定は、例えば、上記偏差を時間積分すること等により行われる。そして、ＬＥＤ操作量決定部７０は、推定した載置台３０の温度と、載置台温度取得部１３ｈを介して取得された載置台３０の温度との偏差を算出し、該偏差から、検査対象の電子デバイスＤに対応するＬＥＤ４１の操作量を算出／決定する。つまり、ＬＥＤ操作量決定部７０は、載置台３０の温度を状態量とする状態フィードバックを施してＬＥＤ４１の操作量を算出／決定する。
　ＬＥＤ制御部７１は、ＬＥＤ操作量決定部７０が算出した操作量に基づいてＬＥＤ４１の光出力を調節する。これにより、ＬＥＤ４１からの光による検査対象の電子デバイスＤ等の加熱が制御される。
　本実施形態のプローバでは、検査対象の電子デバイスＤの温度のフィードバック制御に際し、載置台３０（より具体的には蓋部材３１）の温度を状態量とする状態フィードバックを施している。したがって、検査対象の電子デバイスＤの温度をより正確に制御することができる。
　なお、本実施形態は、バルブとして高速切替バルブ５０を用い冷媒の供給の実行／停止を切り替えることにより吸熱を制御する場合にも適用することができる。
　以上の例は、同時に検査する電子デバイスＤが１つである例である。ただし、上述の各実施形態は、同時に検査する電子デバイスＤが複数である場合にも適用することができる。この場合、冷媒による吸熱にかかる操作量は、例えば、各電子デバイスに対応する各ＬＥＤの操作量の平均値が目標値で一定になるように決定される。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　図１１～図１６は、比較例１、２及び試験例１～４として検査対象の電子デバイスが瞬間的に発熱したときの電子デバイスの温度のシミュレーション結果を示す図である。各図において、横軸は時間、左側の縦軸は電子デバイスの温度、電子デバイスの発熱量を示しており、右側の縦軸は図１１及び図１２ではＬＥＤ操作量、図１３及び図１４では冷媒の流量制御バルブの開度、図１５及び図１６では高速切替バルブの開閉状態をそれぞれ示しており、図１５及び図１６の右側の縦軸において、“１”はバルブが開状態であること、“０”はバルブが閉状態であることを示している。また、各図（Ｂ）は各図（Ａ）の部分拡大図である。
　比較例１、２は、比較用のプローバを用いた場合のシミュレーション結果であり、上記比較用のプローバは、第１実施形態のプローバと電子デバイスの温度制御方法のみが異なり、冷媒による吸熱を一定とし光出力による加熱の制御のみで電子デバイスの温度を制御する。試験例１、２は、上述の第１実施形態のプローバを用いた場合のシミュレーション結果であり、試験例３、４は、上述の第２実施形態のプローバを用いた場合のシミュレーション結果である。
　なお、上記シミュレーションでは、約８０秒経過後約１０秒間にわたって電子デバイスが発熱したものとした。また、冷媒は水、載置台３０の蓋部材３１の材料はＳｉＣ、ＬＥＤの最大出力は９０Ｗ、ＬＥＤの目標操作量は３０Ｗであるものとした。さらに、電子デバイスの目標温度は、試験例４を除き、８５℃であるものとし、試験例４における上記目標温度は１０５℃であるものとした。電子デバイスの発熱量は、比較例１において５０Ｗ、比較例２において１００Ｗ、試験例１において２００Ｗ、試験例２、試験例３において３００Ｗ、試験例４において７６５Ｗとした。
　上記比較用のプローバでは、図１１の比較例１から明らかな通り、電子デバイスの発熱量が５０Ｗと小さければ、温度を目標温度から好適な範囲内（目標温度＋３℃以内）に制御することができる。しかし、図１２の比較例２から明らかな通り、電子デバイスの発熱量が１００Ｗになると、電子デバイスの温度が目標温度から好適な範囲外まで、具体的には９２．７℃まで上昇してしまう。
　それに対し、第１実施形態のプローバでは、図１３の試験例１から明らかな通り、電子デバイスの発熱量が比較例２の場合より大きい２００Ｗであっても、電子デバイスの温度は最大でも８８℃以下であり、目標温度から好適な範囲内に制御することができる。ただし、第１実施形態のプローバでは、電子デバイスの発熱量が非常に大きい場合、例えば、図１４の試験例２のように３００Ｗの場合、９３．８℃まで温度が上昇する。
　一方、第２実施形態のプローバでは、図１５の試験例３から明らかな通り、電子デバイスの発熱量が非常に大きい３００Ｗの場合でも、電子デバイスの温度は、最大でも８５．９℃という目標温度に非常に近い値であり、目標温度から非常に近い範囲内に制御することができる。さらに、第２実施形態のプローバでは、電子デバイスの発熱量がさらに大きい場合、例えば、図１６の試験例４のように試験例３のときよりも発熱量が２倍以上である７６５Ｗの場合であっても、目標温度が１０５℃であれば、電子デバイスの温度は、最大でも目標温度より２．２℃だけ高い１０７．２℃であり、目標温度から好適な範囲内に制御することができる。
　本発明は、電子デバイスを検査する技術に有用である。
１　プローバ
２　収容室
３　ローダ
４　テスター
１０　ステージ
１１　プローブカード
１１ａ　プローブ
１２　インターフェース
１３　ベースユニット
１３ａ　記憶部
１３ｂ　デバイス温度情報取得部
１３ｃ　デバイス温度算出部
１３ｄ，７０　ＬＥＤ操作量決定部
１３ｅ，６０　バルブ操作量決定部
１３ｆ，７１　ＬＥＤ制御部
１３ｇ，６１　バルブ制御部
１３ｈ　載置台温度取得部
１４　電位差測定ユニット
１７　テスターコンピュータ
１８　ユーザインターフェース部
３１ａ　温度センサ
３２　有底部材
３２ａ　冷媒流路
３６　流量制御バルブ
４０　光照射機構
４１　ＬＥＤ
５０　高速切替バルブ
Ｅ　電極
Ｕ　ＬＥＤユニット
Ｗ　ウェハ
 
 

Claims (9)

  1. 被検査体に設けられた電子デバイスに接触端子を電気的に接触させて当該電子デバイスを検査する検査装置であって、
    光を透過可能な冷媒が流通する冷媒流路を内部に有すると共に、前記被検査体が載置されるものであり、前記被検査体の載置側と反対側が光透過部材で形成された載置台と、
    前記載置台における前記被検査体の載置側と反対側の面と対向するように配置され、前記被検査体を指向する複数のＬＥＤを有する光照射機構と、
    前記冷媒による吸熱と前記ＬＥＤからの光による加熱を制御し、検査対象の前記電子デバイスの温度を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    　少なくとも測定された前記検査対象の前記電子デバイスの温度に基づいて、前記ＬＥＤからの光出力を制御し、
    　前記ＬＥＤの光出力に基づき、前記冷媒による吸熱を制御するように構成されている。
  2. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記制御部は、
    　前記検査対象の前記電子デバイスの温度が一定になるように、前記ＬＥＤの出力を制御し、
    　前記ＬＥＤの出力が一定になるように、前記冷媒による吸熱を制御するように構成されている。
  3. 請求項２に記載の検査装置において、
    前記制御部は、測定された前記検査対象の前記電子デバイスの温度と測定された前記載置台の温度とに基づいて、前記検査対象の前記電子デバイスの温度が一定になるように、前記ＬＥＤの出力を制御するように構成されている。
  4. 請求項２に記載の検査装置において、
    前記制御部は、前記ＬＥＤの出力が一定になるように、前記冷媒の流量を制御して、前記冷媒による吸熱を制御するように構成されている。
  5. 請求項３に記載の検査装置において、
    前記制御部は、前記ＬＥＤの出力が一定になるように、前記冷媒の流量を制御して、前記冷媒による吸熱を制御するように構成されている。
  6. 請求項２に記載の検査装置において、
    前記制御部は、前記ＬＥＤの出力が所定の値を超えたか否かに基づいて、前記冷媒の供給の実行と停止の切り替えを行うことにより、前記冷媒による吸熱を制御するように構成されている。
  7. 請求項３に記載の検査装置において、
    前記制御部は、前記ＬＥＤの出力が所定の値を超えたか否かに基づいて、前記冷媒の供給の実行と停止の切り替えを行うことにより、前記冷媒による吸熱を制御するように構成されている。
  8. 請求項６に記載の検査装置において、
    前記制御部は、前記所定の値にヒステリシスを持たせている。
  9. 請求項７に記載の検査装置において、
    前記制御部は、前記所定の値にヒステリシスを持たせている。
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