JP6655996B2 - 基板温調装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態に係る基板温調装置100を有する基板処理装置1の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る基板温調装置100を有する基板処理装置1の縦断面の一例を示す。
次に、多孔体プレート40の構成について詳述する。多孔体プレート40には、100以上の多数の孔41が形成されている。多孔体プレート40として、ハニカム材を使用してもよい。多孔体プレート40の各孔41の内部は、透過性樹脂で充填されている。また、多孔体プレート40は金属により形成されている。
P=d√0.5π=1.253*d(mm)
が成り立つ。
4×1/4×π×(d/2)2
となる。
4×1/4×π×(d/2)2=P2−(4×1/4×π×(d/2)2)
となり、これをPについて整理すると、
P=d×√(0.5×π)=1.253×d(mm)
が得られる。
1mm≦P−d≦7.7mm
となる。これにより、基板Sを加熱する際の均熱性が良好で、かつ、所定の機械的強度を担保でき、かつ、製造コストを抑えた基板温調装置100を製造できる。
以上のように構成される基板温調装置100による基板Sの温調を含む基板処理装置1の動作について、図4のフローチャートを参照しながら説明する。基板処理装置1は、まず、低温基板処理のCORを実行する。その際、基板温調装置100は、冷却ユニット30により多孔体プレート40を介して基板Sを冷却し、基板Sを低温である第1の温度(例えば35℃)又はその近傍温度に調節する(ステップS10)。具体的には、基板温調装置100は、冷却ユニット30の冷媒流路31に冷媒を循環させる。これにより、冷媒流路31に流れる冷媒によって多孔体プレート40の金属部分を介して基板Sが冷却され、基板Sが第1の温度又はその近傍温度に温調される。また、基板温調装置100は、加熱ユニット20のLEDアレイ21を消灯する(ステップS10)。
10 載置台
20 加熱ユニット
21 LEDアレイ
30 冷却ユニット
31 冷媒流路
31a 冷媒供給管
32 透明プレート
33 第1の環状部材
34 第2の環状部材
35 第3の環状部材
36〜39 Oリング
40 多孔体プレート
41 孔
45 伝熱ガス流路
50 ガスシャワーヘッド
51 ガス導入口
52 ガス供給源
53 バッファ空間
54 ガス通気孔
100 基板温調装置
C チャンバ
S 基板
Claims (6)
- 異なる温度の複数の工程を同一のチャンバの内部で実行する基板処理装置にて使用可能な基板温調装置であって、
基板が載置される載置台と、
前記載置台の下に配置され、冷媒流路に冷媒を流す冷却ユニットと、
前記冷却ユニットの下に配置され、光を出力する加熱ユニットと、を有し、
前記冷却ユニットは、前記加熱ユニットから出力された光を透過し、
前記載置台は、金属から形成される多数の孔を有する多孔体プレートを有し、
前記冷却ユニットを透過した光は、前記多孔体プレートの前記多数の孔に照射され、前記多数の孔を透過した光が前記多孔体プレート上の前記基板に照射される、
基板温調装置。 - 前記載置台に形成された各孔の内部は、光が透過可能な部材により充填されている、
請求項1に記載の基板温調装置。 - 前記冷却ユニットは、前記多孔体プレートの直下に形成された前記冷媒流路に冷媒を流す、
請求項1又は2に記載の基板温調装置。 - 前記各孔間のピッチPから前記各孔の直径dを減算した値が、
1mm≦P−d≦7.7mm
を満たす値に設定されている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板温調装置。 - 前記多孔体プレートには、100以上の孔が形成されている、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板温調装置。 - 異なる温度の複数の工程を同一のチャンバの内部で実行する基板処理装置であって、
基板が載置される載置台と、
前記載置台の下に配置され、冷媒流路に冷媒を流す冷却ユニットと、
前記冷却ユニットの下に配置され、光を出力する加熱ユニットと、を有する基板温調装置を備え、
前記冷却ユニットは、前記加熱ユニットから出力された光を透過し、
前記載置台は、金属から形成される多数の孔を有する多孔体プレートを有し、
前記冷却ユニットを透過した光は、前記多孔体プレートの前記多数の孔に照射され、前記多数の孔を透過した光が前記多孔体プレート上の前記基板に照射される、
基板処理装置。
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