KR20210116265A - 탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 온도 조정 방법 - Google Patents

탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 온도 조정 방법 Download PDF

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Abstract

[과제] 열팽창률이 서로 상이한 재료로 형성된 부재를 접합하여 이루어지는 탑재대의 휨을 억제한다.
[해결 수단] 기판이 탑재되는 탑재대로서, 표면에 기판이 탑재되는 천판부와, 복수의 발광 소자를 갖고, 상기 천판부에 탑재된 기판과 대향하도록 배치되고, 상기 발광 소자로부터의 광으로 기판을 가열하는 광 조사 기구와, 상기 천판부와 상기 광 조사 기구의 사이에 개재하도록 상기 천판부의 이면에 접합되고, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 냉매가 흐르는 냉매 유로를 상기 천판부와의 사이에 형성하는, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 유로 형성 부재를 구비하고, 상기 천판부와 상기 유로 형성 부재가, 서로 열팽창이 상이한 재료로 형성되고, 광을 투과 가능한 물질 또는 상기 유로 형성 부재에 흡수되는 파장의 광에 의해 상기 유로 형성 부재를 온도 조절하는 온도 조절부를 더 구비한다.

Description

탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 온도 조정 방법{SUBSTRATE SUPPORT, TEST DEVICE, AND METHOD OF ADJUSTING TEMPERATURE OF SUBSTRATE SUPPORT}
본 개시는, 탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 전자 디바이스가 형성된 기판이 탑재되는 스테이지가 개시되어 있다. 이 스테이지는, 원판 형상의 스테이지 덮개와, 내부에 냉매 홈이 형성된 냉각 유닛을 갖고, 스테이지 덮개가, O링을 통하여 냉각 유닛에 맞닿고, 상기 냉매 홈은 스테이지 덮개로 덮여 냉매 유로를 형성하고, O링이 냉매를 냉매 유로에 밀봉하고 있다. 또, 특허문헌 1에 개시된 스테이지에서는, 냉각 유닛과 냉매가 광을 투과 가능하고, 스테이지 덮개와 냉각 유닛을 통하여 웨이퍼에 대향하도록, 다수의 LED를 갖는 광 조사 기구가 마련되어 있다. 냉각 유닛은 유리로 이루어지고, 스테이지 덮개는 SiC로 이루어진다.
일본 특허공개 2018-151369호 공보
본 개시에 따른 기술은, 열팽창률이 서로 상이한 재료로 형성된 부재를 접합하여 이루어지는 탑재대의 휨을 억제한다.
본 개시의 일 태양은, 기판이 탑재되는 탑재대로서, 표면에 기판이 탑재되는 천판부와, 복수의 발광 소자를 갖고, 상기 천판부에 탑재된 기판과 대향하도록 배치되고, 상기 발광 소자로부터의 광으로 기판을 가열하는 광 조사 기구와, 상기 천판부와 상기 광 조사 기구의 사이에 개재하도록 상기 광 조사 기구의 이면에 접합되고, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 냉매가 흐르는 냉매 유로를 상기 천판부와의 사이에 형성하는, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 유로 형성 부재를 구비하고, 상기 천판부와 상기 유로 형성 부재가, 서로 열팽창이 상이한 재료로 형성되고, 광을 투과 가능한 물질 또는 상기 유로 형성 부재에 흡수되는 파장의 광에 의해 상기 유로 형성 부재를 온도 조절하는 온도 조절부를 더 구비한다.
본 개시에 의하면, 열팽창률이 서로 상이한 재료로 형성된 부재를 접합하여 이루어지는 탑재대의 휨을 억제할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 탑재대로서의 스테이지를 갖는, 검사 장치로서의 프로버의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 탑재대로서의 스테이지를 갖는, 검사 장치로서의 프로버의 구성의 개략을 나타내는 정면도이다.
도 3은 웨이퍼의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 광 조사 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 1의 검사 장치에 있어서의 웨이퍼의 온도 측정용의 회로의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 투명 히터의 제어예를 설명하기 위한 도면이다.
반도체 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다) 등의 기판 상에 소정의 회로 패턴을 갖는 다수의 전자 디바이스가 형성된다. 형성된 전자 디바이스는, 전기적 특성 등의 검사가 행해지고, 우량품과 불량품으로 선별된다. 전자 디바이스의 검사는, 예를 들면, 각 전자 디바이스가 분할되기 전의 기판 상태에서, 검사 장치를 이용하여 행해진다.
프로버 등으로 칭해지는 검사 장치(이하, 「프로버」라고 한다)는, 다수의 프로브를 갖는 프로브 카드와, 기판이 탑재되는 탑재대를 구비한다. 검사 시, 프로버에서는, 프로브 카드의 각 프로브가 전자 디바이스의 각 전극에 접촉되고, 그 상태에서, 프로브 카드의 상부에 마련된 테스터로부터 각 프로브를 통하여 당해 전자 디바이스에 전기 신호가 공급된다. 그리고, 각 프로브를 통하여 전자 디바이스로부터 테스터가 수신한 전기 신호에 근거하여, 당해 전자 디바이스가 불량품인지 여부가 선별된다.
이 종류의 프로버에는, 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사할 때, 당해 전자 디바이스의 실장 환경을 재현하기 위해서, 탑재대 내에 마련된, 저항 발열체를 갖는 히터나, 냉매가 흐르는 유로에 의해, 당해 탑재대의 온도가 제어되고, 기판의 온도가 제어된다.
그런데, 근년, 전자 디바이스는 고속화나 미세화가 진행되어, 집적도가 높아져, 동작 시의 발열량이 매우 증대하고 있다. 그 때문에, 기판에 있어서, 하나의 전자 디바이스의 검사 중에, 인접하는 다른 전자 디바이스에 열부하가 부여되어 버려, 당해 다른 전자 디바이스에 문제를 일으키게 할 우려가 있다.
이 문제에 관련하여, 특허문헌 1은 이하의 스테이지 즉 탑재대를 개시하고 있다. 특허문헌 1에 개시된 스테이지는, 원판 형상의 스테이지 덮개와, 내부에 냉매 홈이 형성된 냉각 유닛을 갖고, 스테이지 덮개가, O링을 통하여 냉각 유닛에 맞닿고, 상기 냉매 홈은 스테이지 덮개로 덮여 냉매 유로를 형성하고, O링이 냉매를 냉매 유로에 밀봉하고 있다. 그리고, 이들 스테이지 덮개와 냉각 유닛을 통하여 웨이퍼에 대향하도록, 다수의 LED를 갖는 광 조사 기구가 마련되고, 또한, 냉각 유닛과 냉매가 광을 투과 가능하기 때문에, LED로부터의 광이 냉각 기구 등을 투과하여 스테이지 덮개에 도달한다. 또한, 광 조사 기구가, LED로부터의 광을 스테이지 덮개에 국소적으로 조사 가능하다. 이들의 구성에 의해, 특허문헌 1에 개시된 스테이지는, 냉각 기구로 스테이지 덮개를 전체적으로 냉각하면서, 스테이지 덮개에 국소적으로 광을 조사하여 가열하고, 이로 인해, 원하는 전자 디바이스만의 온도를 제어하면서 다른 전자 디바이스를 냉각한다.
종래, 스테이지 덮개 즉 스테이지의 천판부의 재료에는, LED로부터의 광에 의한 가열의 용이성 등을 고려하여 열전도율이 높은 SiC가 이용되고, 천판부와 함께 냉매 유로를 형성하는 유로 형성 부재의 재료에는, 염가의 투명 부재인 유리가 이용되고 있다. 유로 형성 부재의 재료로서는, 구체적으로는, LED로부터의 광에 대한 투명성을 유지하기 위해, 천판의 재료인 SiC와 열팽창률이 상이한 유리가 종래 이용되고 있다.
그런데, 냉매 유로를 밀폐하기 위해서, 천판부와 유로 형성 부재를 에폭시 수지 등에 의해 접합하는 경우가 있다. 에폭시 수지 등에 의해 접합한 경우에, 전술한 바와 같이 천판부와 유로 형성 부재의 재료에 열팽창률이 서로 상이한 것이 이용되면, 접합 시의 온도와 크게 상이한 온도대에서의 검사 시, 스테이지가 휘어져 버리는 경우가 있다. 이와 같이, 스테이지에 휨이 생기면, 예를 들면, 프로브 카드의 각 프로브를 스테이지 상의 기판에 균일하게 맞닿게 할 수 없기 때문에, 검사 품질에 악영향을 미칠 우려가 있다.
그래서, 본 개시에 따른 기술은, 열팽창률이 서로 상이한 재료로 형성된 부재를 접합하여 이루어지는 탑재대의 휨을 억제한다.
이하, 본 실시형태에 따른 탑재대, 검사 장치 및 탑재대의 휨의 조정법에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
도 1 및 도 2는 각각, 본 실시형태에 따른 탑재대로서의 스테이지를 갖는, 검사 장치로서의 프로버(1)의 구성의 개략을 나타내는 사시도 및 정면도이다. 도 2에서는, 도 1의 프로버(1)의 후술하는 수용실과 로더가 내장하는 구성 요소를 나타내기 때문에, 그 일부가 단면으로 나타나 있다.
도 1 및 도 2의 프로버(1)는, 기판이고 본 실시형태에 있어서 검사 대상체인 웨이퍼 W의 전기적 특성의 검사를 행하는 것이고, 구체적으로는, 웨이퍼 W에 형성된 복수의 전자 디바이스(후술하는 도 3의 부호 D 참조) 각각의 전기적 특성의 검사를 행하는 것이다. 이 프로버(1)는, 검사 시에 웨이퍼 W를 수용하는 수용실(2)과, 수용실(2)에 인접하여 배치되는 로더(3)와, 수용실을 덮도록 배치되는 테스터(4)를 구비한다.
수용실(2)은, 내부가 공동(空洞)인 하우징이고, 웨이퍼 W가 탑재되는 스테이지(10)를 갖는다.
스테이지(10)는, 당해 스테이지(10)에 대한 웨이퍼 W의 위치가 어긋나지 않도록 웨이퍼 W를 흡착 유지한다. 또, 스테이지(10)에는, 당해 스테이지(10)를 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 이동 기구(11)가 마련되어 있다. 이동 기구(11)는, 그 상부에 스테이지(10)가 배치되는 스테인리스 등의 금속 재료로 이루어지는 기대(基臺)(11a)를 갖고, 도시는 생략하지만, 기대(11a)를 이동시키기 위한 가이드 레일이나, 볼 나사, 모터 등을 갖는다. 이 이동 기구(11)에 의해, 후술하는 프로브 카드(12)와 웨이퍼 W의 상대 위치를 조정하여 웨이퍼 W의 표면의 전극을 프로브 카드(12)의 프로브(12a)와 접촉시킬 수 있다.
수용실(2)에 있어서의 스테이지(10)의 상방에는, 스테이지(10)에 대향하도록, 접촉 단자로서의 프로브(12a)를 다수 갖는 프로브 카드(12)가 배치된다. 프로브 카드(12)는, 인터페이스(13)를 통하여 테스터(4)에 접속되어 있다. 각 프로브(12a)는, 전기 특성의 검사 시에, 웨이퍼 W의 각 전자 디바이스의 전극에 접촉하고, 테스터(4)로부터의 전력을 인터페이스(13)를 통하여 전자 디바이스에 공급하고, 또한, 전자 디바이스로부터의 신호를 인터페이스(13)를 통하여 테스터(4)로 전달한다.
로더(3)는, 반송 용기인 FOUP(도시하지 않음)에 수용되어 있는 웨이퍼 W를 취출하여 수용실(2)의 스테이지(10)에 반송한다. 또, 로더(3)는, 전자 디바이스의 전기적 특성의 검사가 종료된 웨이퍼 W를 스테이지(10)로부터 수취하여, FOUP에 수용한다.
또한, 로더(3)는, 검사 대상의 전자 디바이스의 온도 제어 등의 각종 제어를 행하는 제어부(14)를 갖는다. 베이스 유닛 등이라고도 칭해지는 제어부(14)는, 예를 들면 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 프로버(1)에 있어서의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 당해 기억 매체로부터 제어부(14)에 인스톨된 것이어도 된다. 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현되어도 된다.
또, 로더(3)는, 각 전자 디바이스에 있어서의 전위차 생성 회로(도시하지 않음)에 있어서의 전위차를 측정하는 전위차 측정 유닛(15)을 갖는다. 상기 전위차 생성 회로는, 예를 들면, 다이오드, 트랜지스터 또는 저항이다. 전위차 측정 유닛(15)은, 배선(16)을 통하여 인터페이스(13)에 접속되고, 상기 전위차 생성 회로에 대응하는 2개의 전극에 접촉하는 2개의 프로브(12a)간의 전위차를 취득하고, 취득한 전위차를 제어부(14)로 전달한다. 인터페이스(13)에 있어서의 각 프로브(12a) 및 배선(16)의 접속 구조에 대해서는 후술한다. 제어부(14)는 배선(17)을 통하여 스테이지(10)에 접속되고, 후술하는 광 조사 기구(140)나 후술하는 냉매 유로 R에의 냉매의 유량을 조정하는 유량 제어 밸브를 제어한다. 한편, 제어부(14)나 전위차 측정 유닛(15)은 수용실(2)에 마련되어도 되고, 또한, 전위차 측정 유닛(15)은, 프로브 카드(12)에 마련되어도 된다.
테스터(4)는, 전자 디바이스가 탑재되는 머더 보드의 회로 구성의 일부를 재현하는 테스트 보드(도시 생략)를 갖는다. 테스트 보드는, 전자 디바이스로부터의 신호에 근거하여, 해당 전자 디바이스의 양부(良否)를 판단하는 테스터 컴퓨터(18)에 접속된다. 테스터(4)에서는, 상기 테스트 보드를 교환하는 것에 의해, 복수종의 머더 보드의 회로 구성을 재현할 수 있다.
또한, 프로버(1)는, 유저를 위한 정보를 표시하거나 유저가 지시를 입력하거나 하기 위한 유저 인터페이스부(19)를 구비한다. 유저 인터페이스부(19)는, 예를 들면, 터치 패널이나 키보드 등의 입력부와 액정 디스플레이 등의 표시부로 이루어진다.
전술의 각 구성 요소를 갖는 프로버(1)에서는, 전자 디바이스의 전기적 특성의 검사 시, 테스터 컴퓨터(18)가, 전자 디바이스와 각 프로브(12a)를 통하여 접속된 테스트 보드에 데이터를 송신한다. 그리고, 테스터 컴퓨터(18)가, 송신된 데이터가 당해 테스트 보드에 의해 올바르게 처리되었는지 여부를 당해 테스트 보드로부터의 전기 신호에 근거하여 판정한다.
다음에, 전술의 프로버(1)의 검사 대상인 웨이퍼 W에 대해 도 3을 이용하여 설명한다. 도 3은, 웨이퍼 W의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
웨이퍼 W에는, 대략 원판 형상의 실리콘 기판에 에칭 처리나 배선 처리를 실시하는 것에 의해, 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 전자 디바이스 D가 서로 소정의 간격을 두어, 표면에 형성되어 있다. 전자 디바이스 D 즉 웨이퍼 W의 표면에는, 전극 E가 형성되어 있고, 해당 전극 E는 당해 전자 디바이스 D의 내부의 회로 소자에 전기적으로 접속되어 있다. 전극 E에 전압을 인가하는 것에 의해, 각 전자 디바이스 D의 내부의 회로 소자에 전류를 흘릴 수 있다. 한편, 전자 디바이스 D의 크기는, 예를 들면, 평면뷰(view) 10∼30mm각(角; square)이다.
다음에, 스테이지(10)의 구성에 대해 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 도 4는 스테이지(10)의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 5는 후술하는 광 조사 기구(140)의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
스테이지(10)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 천판부로서의 탑 플레이트(120)를 포함하는 복수의 기능부가 적층되어 이루어진다. 스테이지(10)는, 당해 스테이지(10)를 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 이동 기구(11)(도 2 참조) 상에, 열절연 부재(110)를 통하여 탑재된다. 열절연 부재(110)는, 스테이지(10)와 이동 기구(11)를 열적으로 절연하기 위한 것이고, 예를 들면 열전도율 및 열팽창률이 낮은 코디어라이트(cordierite)의 소결체 등으로 이루어진다. 이동 기구(11)의 기대(11a)도 열절연 부재(110)도 중실체(中實體)이다.
스테이지(10)는, 상방부터 차례로, 탑 플레이트(120)와, 유로 형성 부재(130)와, 광 조사 기구(140)를 갖는다. 그리고, 스테이지(10)는, 광 조사 기구(140)의 하방으로부터, 바꾸어 말하면, 광 조사 기구(140)의 이면측으로부터, 열절연 부재(110)를 통하여 이동 기구(11)에 지지된다.
탑 플레이트(120)는, 웨이퍼 W가 탑재되는 부재이다. 탑 플레이트(120)는, 바꾸어 말하면, 그 표면(120a)이, 웨이퍼 W가 탑재되는 기판 탑재면으로서의 웨이퍼 탑재면이 되는 부재이다. 한편, 이하에서는, 스테이지(10)의 상면이기도 한 탑 플레이트(120)의 표면(120a)을 웨이퍼 탑재면(120a)이라고 기재하는 경우가 있다.
탑 플레이트(120)는, 예를 들면 원판 형상으로 형성되어 있다. 또, 탑 플레이트(120)는, 비열이 작고 열전도율이 높은 재료로, 예를 들면 SiC(Silicon Carbide)로 형성된다. 탑 플레이트(120)를 전술한 바와 같은 재료로 형성하는 것에 의해, 당해 탑 플레이트(120)의 가열이나 냉각을 효율적으로 행할 수 있고, 이로 인해, 탑 플레이트(120)에 탑재된 웨이퍼 W를 효율 좋게 가열하거나 냉각하거나 할 수 있다. 한편, 이하에서는, 탑 플레이트(120)는, SiC로 형성되어 있는 것으로 한다.
SiC는 영률이 300GPa로 높다. 따라서, 탑 플레이트(120)를 SiC로 형성하는 것에 의해, 탑 플레이트(120)에 균열 등이 생기는 것을 방지할 수 있다는 효과도 얻어진다.
한편, 탑 플레이트(120)의 웨이퍼 탑재면(120a)에는, 웨이퍼 W를 흡착하기 위한 흡착 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 또, 탑 플레이트(120)에는, 복수의 온도 센서(121)가 평면뷰에 있어서 서로 이간된 위치에 매설되어 있다.
유로 형성 부재(130)는, 탑 플레이트(120)와 광 조사 기구(140)의 사이에 개재하도록 탑 플레이트(120)의 이면에 접합되고, 탑 플레이트(120)와의 사이에 냉매가 흐르는 냉매 유로 R을 형성하는 부재이며, 탑 플레이트(120)와 대략 동 직경의 원판 형상으로 형성되어 있다.
한편, 유로 형성 부재(130)가 장착되는 탑 플레이트(120)의 이면(120b)에는, 홈이 형성되어 있고, 해당 홈이, 유로 형성 부재(130)로 덮여 냉매 유로 R을 형성한다. 프로버(1)에서는, 냉매 유로 R을 흐르는 냉매로 탑 플레이트(120)를 냉각하는 것에 의해, 탑 플레이트(120) 상 즉 스테이지(10) 상에 탑재된 웨이퍼 W를 냉각하고, 구체적으로는, 웨이퍼 W에 형성된 전자 디바이스를 냉각한다.
또, 냉매 유로 R과 연통하는 공급구(122)와 배출구(123)가, 탑 플레이트(120)에 형성되어 있다. 공급구(122)에는, 냉매 유로 R에 냉매를 공급하는 공급관(160)이 접속되어 있고, 배출구(123)에는, 냉매 유로 R로부터 냉매를 배출하는 배출관(161)이 접속되어 있다. 공급관(160)에는, 냉매 유로 R에 공급하는 냉매의 유량을 제어하는 유량 제어 밸브(162)가 마련되어 있다.
냉매 유로 R을 흐르는 냉매로서는, 광(구체적으로는 후술하는 LED(141)로부터의 광)을 투과 가능한 재료, 예를 들면, 불소계 불활성 액체(플루오리너트(등록상표), 노벡(등록상표) 등)가 이용되고, 프로버(1)의 외부에 마련된 펌프(도시 생략)에 의해 공급관(160)을 통하여 냉매 유로 R에 공급된다. 한편, 냉매의 유량을 조정하는 유량 제어 밸브(162) 등의 동작은 제어부(14)에 의해 제어된다.
전술한 바와 같은 냉매 유로 R을 구성하는 유로 형성 부재(130)의 재료에는, 광(구체적으로는 후술하는 LED(141)로부터의 광)을 투과 가능한 재료가 이용된다. 이하의 예에서는, 유로 형성 부재(130)는 유리로 형성되어 있는 것으로 한다.
또, 유로 형성 부재(130)와 탑 플레이트(120)는, 냉매 유로 R에 냉매를 밀봉 가능하게 접합된다. 이 접합은, 예를 들면 에폭시 수지를 이용하여 행해지고, 보다 구체적으로는, 유로 형성 부재(130)와 탑 플레이트(120)의 사이에 에폭시 수지를 도포하고, 유로 형성 부재(130)와 탑 플레이트(120)를 서로 압박하면서 양자를 소정의 온도(예를 들면 100℃)로 가열하여 행해진다.
광 조사 기구(140)는, 탑 플레이트(120)의 웨이퍼 탑재면(120a)에 탑재된 웨이퍼 W와 유로 형성 부재(130)를 통하여 대향하도록 배치되어 있다.
이 광 조사 기구(140)는, 발광 소자로서, 웨이퍼 W를 지향하는 LED(141)를 복수 갖고, 이들 LED(141)로부터의 광으로, 웨이퍼 W를 가열한다. 구체적으로는, 광 조사 기구(140)는, 복수의 LED(141)가 유닛화된 LED 유닛 U를 복수 가짐과 더불어, 이들 LED 유닛 U가 탑재되는 베이스(142)를 갖는다. 광 조사 기구(140)에 있어서의 LED 유닛 U는, 예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W 상에 형성된 전자 디바이스 D(도 3 참조)와 동수(同數)로 마찬가지로 배열된 평면뷰에서 정방 형상의 유닛 U1과, 그 외주를 덮는 평면뷰에서 비정방 형상의 유닛 U2로 베이스(142)의 대략 전체면을 덮고 있다. 이에 의해, LED 유닛 U의 LED(141)로부터의 광으로, 적어도 탑 플레이트(120)에 있어서의 웨이퍼 W와의 맞닿는 부분 전체를 조사할 수 있다.
각 LED(141)는, 웨이퍼 W를 향해 광을 조사한다. 본 예에서는, 각 LED(141)는 근적외광을 출사한다. LED(141)로부터 출사된 광(이하, 「LED 광」으로 생략하는 경우가 있다)은, 광투과 부재로 이루어지는 스테이지(10)의 유로 형성 부재(130)를 통과한다. 유로 형성 부재(130)를 통과한 광은, 스테이지(10)의 냉매 유로 R을 흐르는, 광을 투과 가능한 냉매를 통과하고, 탑 플레이트(120)에 입사된다.
베이스(142)는, 평면뷰에 있어서, 탑 플레이트(120)와 대략 동 직경의 원판 형상으로 형성되어 있다. 또, 베이스(142)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 그 표면에 오목부(142a)가 형성되어 있고, 오목부(142a) 내에, LED(141)가 탑재된다. 오목부(142a) 내를 LED 광을 투과 가능한 재료로 충전해도 된다.
또한, 베이스(142)는, 오목부(142a)보다 이면측의 부분에, LED(141)를 냉각하기 위한 냉매로서의 냉각수가 흐르는 냉각 수로(142b)가 형성되어 있다. 베이스(142)는 예를 들면 Al 등의 금속제 재료에 의해 형성된다.
또한, 광 조사 기구(140)는, LED(141)를 구동하는 구동 회로 기판(143)과, 구동 회로 기판(143)이 탑재되는 지지 부재(144)를 갖는다.
지지 부재(144)는, 그 표면에 오목부(144a)가 형성되어 있고, 오목부(144a) 내에, 구동 회로 기판(143)이 탑재된다. 지지 부재(144)는, 예를 들면 Al 등의 금속성 재료에 의해 형성된다.
광 조사 기구(140)에서는, 웨이퍼 W가 탑재되는 탑 플레이트(120)에 입사되는 LED 광이, LED 유닛 U 단위로 제어된다. 그 때문에, 광 조사 기구(140)는, 탑 플레이트(120)에 있어서의 임의의 개소에만 LED 광을 조사하거나, 또한, 조사하는 광의 강도를 임의의 개소와 다른 개소에서 상이하게 하거나 할 수 있다. 따라서, 광 조사 기구(140)에 의해, 탑 플레이트(120)에 탑재된 웨이퍼 W를 국소적으로 가열하거나, 웨이퍼 W에 있어서의 가열 정도를 국소적으로 변경하거나 할 수 있다.
또한, 스테이지(10)는, 투명 히터(150)를 갖는다. 투명 히터(150)는, 광을 투과 가능한 물질로 유로 형성 부재(130)의 온도를 조절하는 온도 조절부의 일례이다. 투명 히터(150)는, LED 광(예를 들면 파장 850nm의 광)을 투과 가능한 도전성 재료로 형성되는 저항 가열 히터이다. 상기 도전성 재료에는, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IGZO(인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn)으로 이루어지는 산화물 반도체)을 이용할 수 있다.
투명 히터(150)는, 유로 형성 부재(130)에 마련되어 있고, 구체적으로는, 유로 형성 부재(130)에 있어서의 탑 플레이트(120)와는 반대측의 면 즉 이면에 마련되어 있다. 이 경우, 투명 히터(150)는, 예를 들면 스퍼터법이나 증착법에 의해 형성된다. 이 스퍼터법 등에 의한 투명 히터(150)의 형성은, 예를 들면, 탑 플레이트(120)와 유로 형성 부재(130)를 접합하기 전에 미리 행해진다.
한편, 투명 히터(150)의 형성 위치는, 유로 형성 부재(130)의 이면에 한정되지 않고, 유로 형성 부재(130)에 있어서의 이면측의 부분의 내부여도 된다.
또, 투명 히터(150)의 주위에는, 유로 형성 부재(130)의 온도를 측정하는 온도 센서(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
투명 히터(150)는, SiC로 형성되는 탑 플레이트(120)와 SiC와는 상이한 열팽창률의 유리로 형성되는 유로 형성 부재(130)의 사이의 열팽창률 차를 흡수할 수 있도록, 유로 형성 부재(130)를 가열한다. 바꾸어 말하면, 투명 히터(150)는, 스테이지(10)에 휨이 생기지 않도록 유로 형성 부재(130)를 가열하고, 보다 구체적으로는, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않도록 유로 형성 부재(130)를 가열한다.
투명 히터(150)에 의한 유로 형성 부재(130)의 가열 즉 투명 히터(150)에의 통전량은 제어부(14)에 의해 제어된다.
제어부(14)는, 투명 히터(150)의 주위에 마련된 전술의 온도 센서(도시하지 않음)에서 측정되는 유로 형성 부재(130)의 온도가, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH가 되도록, 투명 히터(150)를 제어한다. 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH는, 예를 들면, 스테이지(10)의 동작 조건에 근거하여, 제어부(14)에 의해 산출된다. 보다 구체적으로는, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH는, 탑 플레이트(120)의 온도 TTP와, 냉매 유로 R을 흐르는 냉매의 온도 Tcool과, LED(141)를 냉각하는 냉각 수로(142b)를 흐르는 냉각수의 온도 TLED-C에 근거하여, 제어부(14)에 의해 산출된다. 이 산출에 이용되는, TH와 TTP, Tcool 및 TLED-C와의 관계식 즉 함수 f(TTP, Tcool, TLED-C)는, 미리 취득되고, 기억부(도시하지 않음)에 기억되어 있다.
TH=f(TTP, Tcool, TLED-C)
한편, 상기 온도 TTP에는, 예를 들면, 온도 센서(121)에서의 검출 결과의 평균값을 이용할 수 있다. 상기 온도 Tcool이나 상기 온도 TLED-C를 측정하기 위해서 온도 센서를 마련해도 되고, 상기 온도 Tcool이나 상기 온도 TLED-C가 일정하면, 상기 온도 Tcool이나 상기 온도 TLED-C를 미리 기억부(도시하지 않음)에 기억해 두고, 상기 온도 TH의 산출 시에 상기 기억부로부터 판독하도록 해도 된다.
프로버(1)에서는, 광 조사 기구(140)로부터의 광에 의한 가열과 냉매 유로 R을 흐르는 냉매에 의한 흡열에 의해, 스테이지(10) 상의 웨이퍼 W에 형성된 검사 대상의 전자 디바이스 D의 온도를 목표 온도에서 일정해지도록 제어한다. 이 온도 제어를 위해서, 프로버(1)에서는, 전자 디바이스 D의 온도를 측정하고 있다.
도 6은, 프로버(1)에 있어서의 전자 디바이스 D의 온도 측정용의 회로의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
프로버(1)에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 각 프로브(12a)가 인터페이스(13)에 배치된 복수의 배선(20)에 의해 테스터(4)에 접속된다. 또, 각 배선(20) 중, 전자 디바이스 D에 있어서의 전위차 생성 회로(예를 들면, 다이오드)의 2개의 전극 E에 접촉하는 2개의 프로브(12a)와 테스터(4)를 접속하는 2개의 배선(20)의 각각에, 릴레이(21)가 마련된다.
각 릴레이(21)는, 각 전극 E의 전위를 테스터(4) 및 전위차 측정 유닛(15) 중 어느 하나로 전환하여 전달 가능하게 구성되어 있다. 각 릴레이(21)는, 예를 들면, 전자 디바이스 D의 전기적 특성의 검사를 행할 때, 각 전극 E에 실장 시 전압이 인가되고 나서, 미리 정해진 타이밍에서 각 전극 E의 전위를 전위차 측정 유닛(15)으로 전달한다. 상기 전위차 생성 회로에서는, 전류를 흘렸을 때에 생기는 전위차가 온도에 따라서 상이하다. 따라서, 전자 디바이스 D의 전위차 생성 회로의 전위차, 즉, 전위차 생성 회로의 2개의 전극 E(프로브(12a))간의 전위차에 근거하여, 전자 디바이스 D의 온도를 검사 중에 있어서 실시간으로 측정할 수 있다. 프로버(1)에서는, 전위차 측정 유닛(15)이 각 릴레이(21)로부터 전달된 각 전극 E의 전위에 근거하여 전자 디바이스 D의 전위차 생성 회로의 전위차를 취득하고, 또한, 취득한 전위차를 제어부(14)로 전달한다. 제어부(14)는, 전달된 전위차와, 전위차 생성 회로의 전위차의 온도 특성에 근거하여, 전자 디바이스 D의 온도를 측정한다.
한편, 전자 디바이스 D의 온도의 측정 방법은, 전술에 한정되지 않고, 전자 디바이스 D의 온도가 측정 가능하면 다른 방법이어도 된다.
다음에, 프로버(1)를 이용한 웨이퍼 W에 대한 처리의 일례에 대해 설명한다.
우선, 웨이퍼 W가, 로더(3)의 FOUP로부터 취출되어, 스테이지(10)를 향해 반송되고, 탑 플레이트(120)의 웨이퍼 탑재면(120a) 상에 탑재된다. 이어서, 스테이지(10)가, 미리 정해진 위치로 이동된다.
그리고, 광 조사 기구(140)의 모든 LED(141)가 점등되고, 탑 플레이트(120)의 온도 센서(121)로부터 취득되는 정보에 근거하여, 탑 플레이트(120)의 온도가 면내에서 균일하게 되도록, LED(141)로부터의 광출력과, 냉매 유로 R 내를 흐르는 냉매의 유량이 조정된다.
그 후, 스테이지(10)가 이동되고, 스테이지(10)의 상방에 마련되어 있는 각 프로브(12a)와, 웨이퍼 W의 검사 대상의 전자 디바이스 D의 전극 E가 접촉시켜지게 된다.
이 상태에서, 전위차 측정 유닛(15)에 의해, 검사 대상의 전자 디바이스 D에 있어서의 전술의 전위차 생성 회로의 전위차가 취득된다. 그리고, 면내에서 균일하게 된 탑 플레이트(120)의 온도가 검사 대상의 전자 디바이스 D의 온도와 대략 일치하는 것으로 하여, 상기 전위차의 교정이 행해지고, 즉, 상기 전위차의 온도 특성의 정보가 보정된다.
그 후, 각 프로브(12a)에 검사용의 신호가 입력된다. 이에 의해, 전자 디바이스 D의 검사가 개시된다. 한편, 상기 검사 중, 검사 대상의 전자 디바이스 D의 전위차 생성 회로에 생기는 전위차의 정보에 근거하여, 예를 들면, 당해 전자 디바이스 D의 온도가 시험 온도 또는 목표 온도가 되도록, 당해 디바이스에 대응하는 LED 유닛 U의 LED(141)로부터의 광출력 즉 LED(141)의 인가 전압이 제어된다. 또, 냉매 유로 R 내의 냉매의 온도 및 유량은, 예를 들면, 검사 대상의 전자 디바이스 D의 시험 온도 또는 목표 온도에 따른 값으로, 일정하게 된다.
이후, 전술의 전위차 생성 회로의 전위차의 교정과 검사의 공정은, 모든 전자 디바이스 D에 대해 완료되기까지, 반복하여 행해진다.
또, 전술의 전위차 생성 회로의 전위차의 교정과 검사의 공정의 사이, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않도록, 유로 형성 부재(130)는 투명 히터(150)에 의해 가열된다. 예를 들면, 제어부(14)가, 온도 센서(121)에서 측정되는 탑 플레이트(120)의 온도 TTP의 평균값과, 냉매 유로 R을 흐르는 냉매의 온도 Tcool과, LED(141)를 냉각하는 냉각 수로(142b)를 흐르는 냉각수의 온도 TLED-C에 근거하여, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH를 산출한다. 그리고, 투명 히터(150)의 주위에 마련된 온도 센서(도시하지 않음)에서 측정되는 유로 형성 부재(130)의 온도가, 상기 온도 TH가 되도록, 제어부(14)가 투명 히터(150)를 제어한다.
그 때문에, 전술의 전위차 생성 회로의 전위차의 교정과 검사 시에, 탑 플레이트(120)가 휘는 경우가 없으므로, 탑 플레이트(120)에 흡착 유지된 웨이퍼 W와 프로브 카드(12)의 각 프로브(12a)가 균일하게 맞닿는다. 따라서, 상기 교정과 검사를 정확하게 행할 수 있다.
한편, 프로버(1)를 이용한 웨이퍼 W에 대한 처리에는, 수용실(2) 내에 마련된 촬상 장치(도시하지 않음)에서, 탑 플레이트(120) 상의 웨이퍼 W의 표면을 촬상하는 공정이 포함되는 경우가 있다. 예를 들면, 프로브(12a)와 웨이퍼 W를 위치 맞춤하는 공정이나, 검사 후의 프로브(12a)의 자국 즉 침 자국을 확인하는 공정에서는, 웨이퍼 W 상의 전극 E가 상기 촬상 장치에서 촬상된다. 이와 같이 촬상을 하는 공정에서는, LED(141)가 점등되지 않는 경우도 있다. LED(141)를 점등시키지 않는 경우에도, 탑 플레이트(120)에 휨이 발생할 수 있다. 촬상 시, 탑 플레이트(120)에 휨이 발생하고 있으면, 촬상 장치의 높이를 변경하지 않으면, 탑 플레이트(120)의 전극에 대해 초점이 맞지 않는 경우가 있다. 그 때문에, 탑 플레이트(120)에 휨이 발생하고 있으면, 전술의 위치 맞춤하는 공정이나 침 자국을 확인하는 공정이 장시간화되어 버린다. 따라서, 이들의 공정에서도, 투명 히터(150)의 주위에 마련된 온도 센서(도시하지 않음)에서 측정되는 유로 형성 부재(130)의 온도가, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH가 되도록, 제어부(14)가 투명 히터(150)를 제어하면 된다. 이에 의해, 이들의 공정이 장시간화되는 것을 막을 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 스테이지(10)가, 표면에 웨이퍼 W가 탑재되는 탑 플레이트(120)와, 탑 플레이트(120)의 이면(120b)에 접합되고, 탑 플레이트(120)와의 사이에 광을 투과 가능한 냉매가 흐르는 냉매 유로 R을 형성하는, 광을 투과 가능한 유로 형성 부재(130)와, 복수의 LED(141)를 갖고, 탑 플레이트(120)에 탑재된 웨이퍼 W와 유로 형성 부재(130)를 사이에 두어 대향하도록 배치되고, LED(141)로부터의 광으로 웨이퍼 W를 가열하는 광 조사 기구(140)를 구비한다. 따라서, 스테이지(10)는, 냉매 유로 R을 흐르는 냉매에 의해 탑 플레이트(120) 전체를 냉각하면서, 탑 플레이트(120)에 국소적으로 LED 광을 조사하여 가열하고, 이로 인해, 원하는 전자 디바이스 D만의 온도를 제어하면서 다른 전자 디바이스를 냉각할 수 있다. 이 스테이지(10)는, 탑 플레이트(120)와 유로 형성 부재(130)가, 서로 열팽창이 상이한 재료로 형성되고, 스테이지(10)에 휨이 생길 수 있는 바, 구체적으로는, 탑 플레이트(120)에 휨이 생길 수 있는 바, 광을 투과 가능한 물질로 유로 형성 부재(130)를 온도 조절하는 온도 조절부로서, 투명 히터(150)를 구비하고 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 투명 히터(150)를 이용하여, 유로 형성 부재(130)의 온도를 조절함으로써, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기는 것을 막을 수 있다. 또, 본 실시형태에 의하면, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않기 때문에, 복수의 프로브(12a)를 전자 디바이스 D에 균일하게 맞닿게 할 수 있으므로, 복수의 프로브(12a)를 갖는 프로브 카드(12)를 이용한 전기적 특성 검사를 정확하게 행하는 것 등을 할 수 있다. 또한, 탑 플레이트(120)의 온도에 의하지 않고, 즉, 검사 온도에 의하지 않고, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않기 때문에, 스테이지(10)는, 넓은 검사 온도 범위에서 사용할 수 있다.
이상의 예에서는, 제어부(14)가, 탑 플레이트(120)의 온도 TTP, 냉매 유로 R을 흐르는 냉매의 온도 Tcool 및 LED(141)를 냉각하는 냉각 수로(142b)를 흐르는 냉각수의 온도 TLED-C라고 하는, 스테이지(10)의 동작 조건에 근거하여, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH를 산출하고 있었다. 구체적으로는, 제어부(14)가, 함수 f(TTP, Tcool, TLED-C)에 근거하여 상기 온도 TH를 산출하여 취득하고 있었다. 상기 온도 TH의 산출에 이용하는, 스테이지(10)의 동작 조건은, 이 조합에 한정되지 않고, 예를 들면, 탑 플레이트(120)의 온도 TTP 및 냉매 유로 R을 흐르는 냉매의 온도 Tcool만이어도 된다. 바꾸어 말하면, 제어부(14)에 의한 상기 온도 TH의 산출을, 탑 플레이트(120)의 온도 TTP 및 냉매 유로 R을 흐르는 냉매의 온도 Tcool에 근거하는 함수 f(TTP, Tcool)를 이용하여, 행해도 된다.
또, 이상의 예에서는, 스테이지(10)의 동작 조건에 근거하여, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH를 산출하여 취득하고 있었다. 상기 온도 TH의 취득 방법은, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 이하와 같이 해도 된다. 즉, 스테이지(10)의 동작 조건마다, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH를 미리 결정하고, 기억부(도시하지 않음)에 기억하게 한다. 그리고, 검사 시에, 제어부(14)가, 검사 시의 스테이지(10)의 동작 조건에 합치하는 상기 온도 TH를 기억부로부터 판독하고, 취득하도록 해도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, LED(141)가 점등하고 있는 경우와, LED(141)가 점등하고 있지 않은 경우에, 상이한 상기 온도 TH를 미리 결정하고 기억부에 기억하게 하여, 제어부(14)가, LED(141)가 점등하고 있는지 여부에 따라, 기억부로부터 판독하는 상기 온도 TH를 선택하도록 해도 된다. 이와 같은 방법이어도, 탑 플레이트(120)의 예측되는 휨량의 크기에 의하지 않고, 탑 플레이트(120)의 휨이 생기는 것을 막을 수 있다.
도 7은, 투명 히터(150)의 제어예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 유로 형성 부재(130)를 복수(본 예에서는 5개)의 영역 A로 구분해 두고, 제어부(14)가, 영역 A마다, 투명 히터(150)에 의한 유로 형성 부재(130)의 가열량을 제어하도록 해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면, 유로 형성 부재(130)의 영역 A마다 투명 히터(150)의 주위에 온도 센서(도시하지 않음)를 마련해 둔다. 그리고, 제어부(14)가, 영역 A마다, 온도 센서(121)에서 측정되는 당해 영역 A에 대응하는 탑 플레이트(120)의 온도 TTP와, 냉매의 온도 Tcool과, 냉각수의 온도 TLED-C에 근거하여, 전술의 함수 f(TTP, Tcool, TLED-C)로부터, 탑 플레이트(120)에 휨이 생기지 않는 유로 형성 부재(130)의 온도 TH를 산출한다. 또한, 제어부(14)가, 유로 형성 부재(130)의 영역 A마다 마련된 전술의 온도 센서(도시하지 않음)에서 측정되는 각 영역 A의 온도가, 영역 A마다 산출된 상기 온도 TH가 되도록, 투명 히터(150)를 제어한다.
이에 의해, 탑 플레이트(120)가 부분적으로 강하게 가열되어 탑 플레이트(120)에 부분적인 휨이 생기는 것을 막을 수 있다.
이상의 예에서는, 유로 형성 부재(130)를 온도 조절하는 온도 조절부로서, 투명 히터(150)를 이용하고 있었지만, 상기 온도 조절부는, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 온도 조절부는, LED(141)로부터의 광과는 상이한 파장의 광을 출사하는 광원, 구체적으로는, 유로 형성 부재(130)에 흡수되는 파장의 광을 출사하는 광원을 갖고, 그 광에 의해 유로 형성 부재(130)를 가열하여 온도 조절하는 것이어도 된다. 또, 온도 조절부가, 유로 형성 부재(130)를 냉각하기 위한 것이면, 광을 투과 가능한 기체(탄산(CO2) 가스 등)에 의해, 유로 형성 부재(130)의 이면을 냉각하도록 해도 된다. 이 경우, 탄산(CO2) 가스 등의 냉각용의 기체는, 베이스(142)의 오목부(142a)에 공급된다. 따라서, 냉각용의 기체로 LED(141)도 냉각할 수 있기 때문에, LED(141)를 장기 수명화시킬 수 있다.
예를 들면, 이상의 예에서는, 탑 플레이트의 이면에 냉매 홈이 형성되고 당해 냉매 홈을 유로 형성 부재로 덮음으로써 형성되어 있었다. 이 대신에, 유로 형성 부재의 표면에 냉매 홈이 형성되고 당해 냉매 홈을 평판 형상의 탑 플레이트로 덮음으로써 냉매 유로가 형성되도록 해도 된다.
한편, 본 개시에 따른 탑재대는, 웨이퍼 W의 휨이 처리 결과에 악영향을 미칠 수 있는 장치이면, 프로버 등의 검사 장치 이외의 장치, 예를 들면, 성막 장치나 에칭 장치, 도핑 장치 등에 마련할 수 있다.
이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
10 스테이지
120 탑 플레이트
120a 표면
120b 이면
130 유로 형성 부재
140 광 조사 기구
141 LED
150 투명 히터
R 냉매 유로
W 웨이퍼

Claims (7)

  1. 기판이 탑재되는 탑재대로서,
    표면에 기판이 탑재되는 천판부와,
    복수의 발광 소자를 갖고, 상기 천판부에 탑재된 기판과 대향하도록 배치되고, 상기 발광 소자로부터의 광으로 기판을 가열하는 광 조사 기구와,
    상기 천판부와 상기 광 조사 기구의 사이에 개재하도록 상기 천판부의 이면에 접합되고, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 냉매가 흐르는 냉매 유로를 상기 천판부와의 사이에 형성하는, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 유로 형성 부재를 구비하고,
    상기 천판부와 상기 유로 형성 부재가, 서로 열팽창이 상이한 재료로 형성되고,
    광을 투과 가능한 물질 또는 상기 유로 형성 부재에 흡수되는 파장의 광에 의해 상기 유로 형성 부재를 온도 조절하는 온도 조절부를 더 구비하는, 탑재대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자를 구동하는 구동부를 냉매에 의해 냉각하는 냉각부와,
    상기 온도 조절부를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 천판부의 온도, 상기 냉매 유로의 냉매의 온도 및 상기 냉각부의 냉매의 온도로부터 산출되는, 상기 천판부에 휨이 생기지 않는 온도로, 상기 유로 형성 부재가 되도록,
    상기 온도 조절부를 제어하는, 탑재대.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 조절부를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 탑재대의 동작 조건마다 미리 정해진, 상기 천판부에 휨이 생기지 않는 온도로, 상기 유로 형성 부재가 되도록,
    상기 온도 조절부를 제어하는, 탑재대.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 조절부는, 광을 투과 가능한 재료로 형성된 저항 가열 히터이고, 상기 유로 형성 부재의 상기 천판부와는 반대측의 면 또는 상기 유로 형성 부재의 내부에 마련되어 있는,
    탑재대.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 저항 가열 히터는, ITO, IZO, ZnO 또는 IGZO로 형성되는, 탑재대.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 탑재대를 구비하고,
    상기 천판부에 탑재된 기판에 대해, 복수의 접촉 단자를 접촉시켜, 기판의 전기적 특성의 검사를 행하는, 검사 장치.
  7. 기판이 탑재되는 탑재대의 휨을 억제하는 방법으로서,
    상기 탑재대는,
    표면에 기판이 탑재되는 천판부와,
    복수의 발광 소자를 갖고, 상기 천판부에 탑재된 기판과 대향하도록 배치되고, 상기 발광 소자로부터의 광으로 기판을 가열하는 광 조사 기구와,
    상기 천판부와 상기 광 조사 기구의 사이에 개재하도록 상기 천판부의 이면에 접합되고, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 냉매가 흐르는 냉매 유로를 상기 천판부와의 사이에 형성하는, 상기 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 유로 형성 부재를 구비하고,
    상기 천판부와 상기 유로 형성 부재가, 서로 열팽창이 상이한 재료로 형성되고,
    당해 방법은,
    광을 투과 가능한 물질 또는 상기 유로 형성 부재에 흡수되는 파장의 광에 의해 상기 유로 형성 부재를 온도 조절하는, 탑재대의 휨의 억제 방법.
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