KR20110105481A - 발광 다이오드 검사 장치 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 257
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 23
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 regions Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/01—Subjecting similar articles in turn to test, e.g. "go/no-go" tests in mass production; Testing objects at points as they pass through a testing station
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위한 장치에 있어서, 제1 기판은 상기 발광 다이오드들 중 적어도 하나와 각각 대응하는 다수의 제1 홀들을 가질 수 있다. 제2 기판은 상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들을 가질 수 있다. 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위하여 탐침들이 상기 발광 다이오드들에 접촉되는 경우 상기 발광 다이오드들은 상기 제2 홀들 내에 위치될 수 있으며, 이에 의해 상기 발광 다이오드들에 의해 발생된 광들은 상기 제2 기판에 의해 서로 간섭되지 않는다. 따라서, 상기 발광 다이오드들의 검사 공정에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있으며, 또한 검사 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 검사 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 다수의 발광 다이오드들에 대한 검사를 순차적으로 또는 동시에 수행할 수 있는 검사 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드는 순방향으로 전압을 인가할 때 발광하는 반도체 소자를 의미한다. 상기 발광 다이오드는 반도체를 이용한 PN 접합 구조를 통한 전계 발광 효과를 이용하여 광을 발생시킨다. 예를 들면, 상기 발광 다이오드의 제조에는 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs), 갈륨 비소 인(GaAsP), 인듐 질화 갈륨(InGaN), 인화 갈륨(GaP), 셀렌화 아연(ZnSe) 등의 물질들이 사용될 수 있다.
상기 발광 다이오드는 일반적으로 기판 상에 화학기상증착 공정을 이용하여 박막을 형성하고 식각 공정을 통하여 상기 박막을 패터닝함으로써 제조될 수 있다. 상기 기판으로는 탄화 규소(SiC) 기판, 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘(Si) 기판 등이 사용될 수 있다.
상기와 같이 기판 상에 발광 다이오드들은 형성한 후 상기 발광 다이오드들에 대한 전기적인 검사 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 탐침들을 이용하여 각각의 발광 다이오드들에 전기적인 신호를 인가하고, 이에 의해 각각의 발광 다이오드들로부터 발생되는 광의 전기적인 특성을 분석하여 상기 발광 다이오드들의 전기적인 특성을 검사한다.
그러나, 서로 인접하는 발광 다이오드들로부터 발생된 광들이 서로 간섭될 수 있으므로 다수의 발광 다이오드들에 대한 동시 검사는 매우 어려우며, 이에 따라 각각의 발광 다이오드들에 대하여 순차적인 검사가 진행되고 있다.
상기 검사 공정은 발광 다이오드에 탐침들을 접촉시키는 단계와 전기적인 신호를 인가하는 단계와 상기 발광 다이오드로부터 발생된 광을 검출하는 단계와 상기 검출된 광을 분석하는 단계를 포함할 수 있으며, 기판 상에서 형성된 모든 발광 다이오드들에 대한 검사를 수행하기 위하여 상기 단계들이 반복적으로 수행될 수 있다. 결과적으로, 상기 발광 다이오드들에 대한 검사 공정에 소요되는 시간을 단축시키기가 매우 어려운 상태이며, 또한 검사 과정에서 손실되는 광에 의해 검사 공정의 신뢰도가 상당히 낮은 것이 현실이다.
상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 본 발명의 실시예들은 다수의 발광 다이오드들을 검사하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 검사 장치를 제공하는데 제1의 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 다수의 발광 다이오드들에 대한 검사 공정에서 검사 신뢰도를 향상시키는데 제2의 목적이 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 목적들을 구현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 발광 다이오드 검사 장치는, 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들 중 적어도 하나와 각각 대응하는 다수의 제1 홀들이 형성된 제1 기판과, 상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들이 형성된 제2 기판과, 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위하여 상기 발광 다이오드들에 접촉되도록 구성된 다수의 탐침들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 홀들의 내측면들 상에는 반사 코팅층이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 발광 다이오드 검사 장치는 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 각각 대응하는 다수의 제1 홀들이 형성된 제1 기판과, 상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들이 형성된 제2 기판과, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합되는 제3 기판과, 상기 제3 기판과 전기적으로 연결되며 상기 제1 기판을 관통하여 상기 제2 홀들 내부에서 하방으로 연장되고 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 탐침들은 상기 제1 기판과 상기 제3 기판 사이에 배치되며 탄성을 갖는 다수의 연결 부재들에 의해 상기 제3 기판에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 홀들 내에는 상기 발광 다이오드들로부터 발생된 광을 테스터로 전달하기 위한 광섬유들이 각각 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 발광 다이오드 검사 장치는 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 각각 대응하는 다수의 제1 홀들이 형성된 제1 기판과, 상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들이 형성된 제2 기판과, 상기 제2 홀들에 의해 노출된 상기 제1 기판의 하부면 부위들에 장착되며 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 및 제1 홀들을 통과한 광들을 테스터의 광 검출부로 유도하기 위한 집광 렌즈가 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 제3 기판이 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합될 수 있으며, 상기 집광 렌즈는 상기 제3 기판에 형성된 제3 홀 내에 장착될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 차광 부재가 상기 제3 홀을 둘러싸도록 상기 제1 기판과 제3 기판 사이에 배치될 수 있으며, 이에 의해 상기 광들의 손실이 감소 또는 방지될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 및 제2 홀들의 내측면들 상에는 반사 코팅층이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 제3 기판이 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합될 수 있으며, 광섬유들이 상기 제3 기판에 각각 장착되어 상기 제2 및 제1 홀들을 통과한 광들을 테스터로 전달할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 집광 렌즈들이 상기 제1 홀들 내에 각각 장착될 수 있으며 상기 광들을 상기 광섬유들로 집중시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 각각의 탐침들은 상기 제1 기판의 하부면 부위들 상에 배치된 연결 패드와, 상기 연결 패드의 하부로부터 수평 방향으로 연장하며 수직 방향으로 탄성을 갖는 지지빔과, 상기 지지빔의 연장된 단부로부터 하방으로 연장하는 접촉팁을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 발광 다이오드 검사 장치는 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 대응하는 제1 홀이 형성된 제1 기판과, 상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀을 노출시키는 제2 홀이 형성된 제2 기판과, 상기 제2 홀에 의해 노출된 상기 제1 기판의 하부면 부위들에 장착되며 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들과, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합된 제3 기판과, 상기 제3 기판에 각각 장착되어 상기 제2 홀 및 제1 홀을 통과한 광들을 테스터로 전달하기 위한 광섬유와, 상기 제1 홀 내에 장착되어 상기 광들을 상기 광섬유로 유도하기 위한 집광 렌즈를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 발광 다이오드 검사 장치는 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 대응하는 제1 홀이 형성된 제1 기판과, 상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀을 노출시키는 제2 홀이 형성된 제2 기판과, 상기 제2 홀에 의해 노출된 상기 제1 기판의 하부면 부위들에 장착되며 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들과, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 제2 홀 및 제1 홀을 통과한 광들을 검출하기 위한 광 검출부와, 상기 제1 홀 내에 장착되어 상기 광들을 상기 광 검출부로 유도하기 위한 집광 렌즈를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 제3 기판이 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합될 수 있으며, 상기 광 검출부는 상기 제3 기판에 장착될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 차광 부재가 상기 제1 홀을 둘러싸도록 상기 제1 기판과 제3 기판 사이에 배치될 수 있으며, 이에 의해 상기 광들의 손실이 감소 또는 방지될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 다수의 탐침들은 다수의 발광 다이오드들에 동시에 접촉될 수 있으며, 상기 탐침들을 통해 상기 발광 다이오드들에 순차적으로 또는 동시에 전기적인 검사 신호가 인가될 수 있다. 따라서, 종래의 기술과 비교하여 상기 발광 다이오드들에 대한 검사 공정에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드들에 의해 발생된 광들 사이에서의 간섭과 상기 광들의 손실이 제1 및 제2 기판들의 제1 및 제2 홀들에 의해 충분히 감소될 수 있으므로 상기 발광 다이오드들에 대한 검사 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 탐침들이 발광 다이오드들에 접촉된 상태를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 탐침들이 발광 다이오드들에 접촉된 상태를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 발광 다이오드 검사 장치(100)는 다수의 발광 다이오드들(10)에 대하여 순차적으로 또는 동시에 검사를 수행할 수 있도록 구성될 수 있다. 특히, 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들(10)에 대하여 검사 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 기판 상에 형성된 다수의 발광 다이오드들 또는 다이싱 공정 이후 프레임에 장착된 다이싱 테이프(20)에 부착된 다수의 발광 다이오드들(10)에 대하여 순차적으로 또는 동시에 검사 공정을 수행할 수 있다.
상기 검사 장치(100)는 상기 발광 다이오드들(10)을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들(10)과 각각 대응하는 다수의 제1 홀들(112)이 형성된 제1 기판(110)과, 상기 발광 다이오드들(10)과 인접하도록 상기 제1 기판(110)의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀들(112)보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들(112)을 노출시키는 제2 홀들(122)이 형성된 제2 기판(120)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(110)은 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 질화물(AlN) 등과 같은 세라믹 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 기판(120)으로는 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판이 사용될 수 있다. 그러나, 본 실시예에서 상기 제1 및 제2 기판들(110, 120) 각각의 재질에 의해 그 범위가 한정되지는 않을 것이다.
상기 제1 기판(110)은 세라믹 분말을 이용한 소결 공정을 통해 준비될 수 있다. 한편, 상기 제2 기판(120)은 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판에 대하여 이방성 또는 등방성 식각 공정을 수행하여 상기 제2 홀들(122)을 가공함으로써 준비될 수 있다. 도시된 바에 의하면, 상기 제2 홀들(122)의 내측면들이 대략 수직 방향으로 형성되어 있으나, 경우에 따라서 상기 제2 홀들(122)의 내측면들은 소정의 경사도를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 제2 홀들(122)은 하방으로 확장되거나 감소되는 단면적을 가질 수도 있다.
상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120)은 접착제를 이용하여 서로 접착될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120)은 금(Au), 은(Ag), 납(Pb) 등을 포함하는 접착 페이스트(미도시)를 이용하여 접합될 수 있다. 구체적으로, 상기 접착 페이스트를 실크 스크린 인쇄 방법으로 상기 제1 기판(110)의 하부면 또는 제2 기판(120)의 상부면에 균일한 두께로 도포한 후 상온 압착 또는 열 압착 방법으로 상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120)을 서로 접합할 수 있다.
한편, 상기 제2 기판(120)으로서 유리 기판이 사용되는 경우 유리 접착제를 이용하여 상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120)을 서로 접합할 수 있다.
또한, 상기 검사 장치(100)는 상기 제1 기판(110)의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판(110)에 결합되는 제3 기판(130)과, 상기 제3 기판(130)에 전기적으로 연결되며 상기 발광 다이오드들(10)에 접촉하기 위하여 상기 제1 기판(110)을 관통하여 하방으로 연장하는 다수의 탐침들(140)을 더 포함할 수 있다. 특히, 상기 탐침들(140)은 상기 제1 홀들(112)과 인접하는 상기 제1 기판(110) 부위들을 관통하여 상기 제2 홀들(122) 내부를 통과하도록 배치될 수 있다.
상기 제3 기판(130)으로는 인쇄회로기판이 사용될 수 있으며, 상기 탐침들(140)과 연결되는 다수의 배선들(미도시)이 상기 제3 기판(130)에 구비될 수 있다. 상기 배선들은 테스터(미도시)와 연결될 수 있으며 전기적인 신호가 상기 테스터로부터 상기 배선들 및 상기 탐침들(140)을 통하여 상기 발광 다이오드들(10)에 인가될 수 있다.
상기 제1 기판(110)과 제3 기판(130) 사이에는 탄성을 갖는 다수의 연결 부재들(142)이 배치될 수 있다. 상기 연결 부재들(142)은 상기 탐침들(140)과 상기 제3 기판(130)의 배선들을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.
한편, 상기 제1 기판(110)과 제3 기판(130)은 볼트 또는 나사 등과 같은 다수의 체결 부재들(150)을 통하여 서로 결합될 수 있으며, 도시되지는 않았으나 상기 제3 기판(130)에는 별도의 보강판이 추가적으로 결합될 수도 있다. 특히, 상기 제1 기판(110)과 제3 기판(130) 사이에는 하나 또는 다수의 스페이서(152)가 구비될 수 있으며, 상기 체결 부재들(150)은 상기 스페이서(152)를 관통하여 상기 제1 기판(110) 및 제3 기판(130)을 서로 결합시킬 수 있다. 그러나, 상기와는 다르게, 접착제를 이용하여 상기 제1 기판(110), 제3 기판(130) 및 스페이서(152)를 서로 결합할 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시된 탐침들이 발광 다이오드들에 접촉된 상태를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 탐침들(140)은 상기 제1, 제2 및 제3 기판들(110, 120, 130)과 상기 발광 다이오드들(10) 사이의 간격 조절에 의해 상기 발광 다이오드들(10)에 접촉될 수 있다. 즉, 상기 제1, 제2 및 제3 기판들(110, 120, 130)의 하강 또는 상기 발광 다이오드들(10)의 상승에 의해 상기 탐침들(140)이 상기 발광 다이오드들(10)에 동시에 접촉될 수 있으며, 이어서 상기 전기적인 신호가 상기 발광 다이오드들(10)에 인가될 수 있다.
한편, 도시된 바와 같이, 상기 연결 부재들(142)은 탄성을 갖도록 구성될 수 있으며, 상기 탐침들(140)은 상기 연결 부재들(142)의 탄성 복원력에 의해 상기 발광 다이오드들(10)에 충분히 접촉될 수 있다.
상기와 같이 탐침들(140)이 상기 발광 다이오드들(10)에 접촉된 후 상기 전기적인 신호는 상기 발광 다이오드들(10)에 순차적으로 또는 동시에 인가될 수 있으며, 이에 의해 상기 발광 다이오드들(10)로부터 광이 발생될 수 있다. 이때, 상기 제2 기판(120)은 각각의 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들이 서로 간섭되지 않도록 하는 차광 부재로서 기능할 수 있다. 즉, 상기 탐침들(140)이 상기 발광 다이오드들(10)에 접촉되는 경우, 상기 발광 다이오드들(10)은 각각 제2 기판(120)의 제2 홀들(122) 내에 위치될 수 있으며, 각각의 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들은 상기 제2 홀들(122)의 내측면들에 의해 차단될 수 있다.
한편, 상기 제1 기판(110)의 제1 홀들(112) 내에는 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들을 상기 테스터로 전달하기 위한 광섬유들(160)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들 사이에서의 간섭 현상은 상기 제2 기판(120)에 의해 충분히 감소될 수 있으며, 또한 상기 광들은 제1 홀들(112) 내에 배치된 광섬유들(160)에 의해 상기 테스터의 광 검출부로 각각 전달될 수 있다. 구체적으로, 도시된 바와 같이, 상기 광섬유들(160)의 단부들은 상기 제1 홀들(112)에 하방으로 삽입되어 상기 발광 다이오드들(10)과 마주할 수 있으며, 또한 상기 제3 기판(130)을 통해 상방으로 연장할 수 있다. 한편, 상기 제3 기판(130)에는 상기 광섬유들(160)이 통과하는 제3 홀들(132)이 구비될 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들이 상기 광섬유들(160)을 통하여 상기 테스터로 충분히 전달될 수 있도록 상기 제2 홀들(122)의 내측면들 상에는 반사 코팅층(170)이 형성될 수 있다. 상기 반사 코팅층(170)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등을 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 물리기상증착 또는 전기 도금 공정 등을 통하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 반사 코팅층(170)은 도시된 바와 같이 상기 제2 기판(120)의 하부면 상에도 연속적으로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 다수의 탐침들(140)이 기판 상에 형성된 발광 다이오드들 또는 다이싱 테이프(20)에 부착된 발광 다이오드들(10)에 동시에 접촉될 수 있으며, 전기적인 신호가 순차적으로 또는 동시에 인가될 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드들(10)을 검사하는데 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(120)의 제2 홀들(122)에 의해 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들이 서로 간섭되지 않으며, 상기 반사 코팅층(170)에 의해 상기 광들의 손실이 감소될 수 있으므로 상기 발광 다이오드들(10)의 검사 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치(200)는 제1 기판(210), 제2 기판(220) 및 다수의 탐침들(240)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(210)은 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들(10), 예를 들면, 기판 상에 형성된 발광 다이오드들 또는 다이싱 테이프(20) 상에 부착된 발광 다이오드들(10)에 각각 대응하는 다수의 제1 홀들(212)을 가질 수 있으며, 제2 기판(220)은 상기 발광 다이오드들(10)과 인접하도록 상기 제1 기판(210)의 하부면 상에 배치되어 상기 제1 홀들(212)보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들(212)을 노출시키는 다수의 제2 홀들(222)을 가질 수 있다.
상기 탐침들(240)은 상기 제1 기판(210)의 하부면 부위들에 장착될 수 있다. 특히, 상기 탐침들(240)은 상기 제1 홀들(212)의 주변 부위들 즉 상기 제2 홀들(222)에 의해 노출된 상기 제1 기판(210)의 하부면 부위들에 장착될 수 있다. 즉, 상기 탐침들(240)은 상기 제2 홀들(222) 내에 배치될 수 있으며, 상기 발광 다이오드들(10)에 접촉 가능하도록 구성될 수 있다.
예를 들면, 각각의 탐침들(240)은 캔틸레버(cantilever) 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 각각의 탐침들(240)은 상기 제1 기판(210)의 하부면 부위들에 장착된 연결 패드(242)와, 상기 연결 패드(242)의 하부로부터 수평 방향으로 연장하며 수직 방향으로 탄성을 갖는 지지빔(244)과, 상기 지지빔(244)의 연장된 단부로부터 하방으로 연장하는 접촉팁(246)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(210)은 세라믹 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 탐침들(240)과 연결되는 다수의 배선들(미도시)을 가질 수 있다. 상기 배선들은 상기 제1 기판(210)의 상부면 상에 형성될 수 있으며, 상기 제1 기판(210)을 관통하는 비아 콘택들(via contacts; 미도시)에 의해 상기 탐침들(240)과 연결될 수 있다. 상기와 다르게, 상기 제1 기판(210)은 다수의 세라믹 층들로 이루어질 수 있으며, 상기 배선들은 상기 층들 사이에서 연장할 수도 있다. 한편, 도시되지는 않았으나, 상기 배선들은 테스터(30)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 테스터(30)로부터 제공되는 전기적인 신호를 상기 탐침들(240)을 통해 상기 발광 다이오드들(10)로 전달할 수 있다.
상기와 같은 구조를 갖는 탐침들(240)은 희생기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 진공 증착, 전기 도금, 이방성 식각 등의 미세 공정들을 수행함으로써 형성될 수 있으며, 솔더 페이스트를 이용하는 상온 압착 또는 열 압착 공정을 통해 상기 제1 기판(210)의 하부면 부위들에 접합될 수 있다.
상기 발광 다이오드 검사 장치(200)는 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생되어 상기 제2 홀들(222) 및 제1 홀들(212)을 통해 통과된 광들을 테스터(30)의 광 검출부(32)로 유도하기 위한 집광 렌즈(260)를 포함할 수 있다.
상기 집광 렌즈(260)는 상기 제1 기판(210)의 상부면으로부터 소정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 이를 위하여 상기 발광 다이오드 검사 장치(200)는 상기 제1 기판(210)의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판(210)에 결합되며 상기 집광 렌즈(260)가 장착되는 제3 홀(232)을 갖는 제3 기판(230)을 더 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 상기 제3 홀(232)은 다수의 제1 홀들(212)과 대응하도록 상대적으로 큰 직경을 가질 수 있으며, 상기 제2 홀들(222) 및 제1 홀들(212)을 통해 통과된 광들은 상기 제3 홀(232) 내에 장착된 집광 렌즈(260)를 통과하여 상기 테스터(30)의 광 검출부(32)로 유도될 수 있다.
상기 제3 기판(230)으로는 인쇄회로기판이 사용될 수 있다. 그러나, 이와 다르게, 상기 제1 및 제2 기판(210, 220)의 보강을 위하여 금속판이 상기 제3 기판(230)으로서 사용될 수도 있으며, 또한 인쇄회로기판과 금속판이 접합된 구조의 제3 기판이 사용될 수도 있다.
한편, 상기 광들의 손실을 감소시키기 위하여 상기 제2 홀들(222)의 내측 표면들 상에는 반사 코팅층(270)이 구비될 수 있으며, 또한 상기 제1 기판(210)과 제3 기판(230) 사이에는 상기 제3 홀(232)을 둘러싸도록 즉 상기 집광 렌즈(260)를 둘러싸는 링 형태의 차광 부재(280)가 구비될 수 있다. 추가적으로, 도시된 바와 같이, 상기 제1 홀들(212)의 내측 표면들 상에도 반사 코팅층(272)이 구비될 수 있으며, 상기 제2 기판(220)의 하부면 상에도 반사 코팅층(270)이 연속적으로 형성될 수 있다.
한편, 도시된 바와 같이, 다수의 체결 부재들(250)이 상기 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이에 배치되는 스페이서(252)를 관통하여 상기 제1 기판(210)과 제3 기판(230)을 서로 결합시킬 수 있다. 그러나, 상기와는 달리 상기 차광 부재(280)가 스페이서로서 기능할 수도 있으며, 또한 상기 제1 기판(210)과 제3 기판(230)은 접착제를 이용하여 결합될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치(300)는 제1 홀들(312)을 갖는 제1 기판(310), 제2 홀들(322)을 갖는 제2 기판(320) 및 다수의 탐침들(340)을 포함할 수 있다. 상기 제1 기판(310), 제2 기판(320) 및 탐침들(340)은 도 3을 참조하여 기 설명된 바와 실질적으로 동일하거나 유사하므로 이들에 대한 추가적인 상세 설명은 생략한다.
상기 발광 다이오드 검사 장치(300)는 상기 제1 기판(310)의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판(310)에 결합되는 제3 기판(330)과 상기 제3 기판(330)에 장착되어 상기 제2 홀들(322) 및 제1 홀들(312)을 통해 통과된 광들을 테스터의 광 검출부(미도시)로 전달하기 위한 광섬유들(390)을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제3 기판(330)은 상기 제1 홀들(312)에 대응하는 다수의 제3 홀들(332)을 가질 수 있으며, 상기 광섬유들(390)의 단부들이 상기 제1 홀들(312)과 마주하도록 상기 제3 홀들(332)에 하방으로 삽입될 수 있다.
특히, 상기 제1 홀들(312) 내부에는 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들을 각각 상기 광섬유들(390)로 집중시키기 위한 집광 렌즈들(360)이 각각 장착될 수 있다.
한편, 상기 제2 홀들(322)의 내측 표면들 상에는 반사 코팅층(370)이 형성될 수 있으며, 상기 제1 기판(310)과 제3 기판(330) 사이에는 링 형태의 차광 부재(380)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(310)과 제3 기판(330)은 다수의 체결 부재들(350)에 의해 서로 결합될 수 있다. 상기 반사 코팅층(370), 차광 부재(380) 및 체결 부재들(350)에 대하여는 도 3을 참조하여 기 설명된 바와 실질적으로 동일하거나 유사하므로 이에 대한 추가적인 상세 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치(400)는 제1 기판(410), 제2 기판(420), 제3 기판(430) 및 다수의 탐침들(440)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(410)은 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들(10)을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들(10)에 대응하는 제1 홀(412)을 가질 수 있으며, 상기 제2 기판(420)은 상기 발광 다이오드들(10)과 인접하도록 상기 제1 기판(410)의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀(412)보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀(412)을 노출시키는 제2 홀(422)을 가질 수 있다.
특히, 상기 제1 홀(412)은 다수의 발광 다이오드들(10), 예를 들면, 장방형으로 배치된 4개의 발광 다이오드들(10)을 노출시킬 수 있는 크기를 가질 수 있다. 그러나, 상기 제1 홀(412)에 의해 노출되는 발광 다이오드들(10)의 개수는 본 발명의 범위를 한정하지 않을 것이다. 또한, 도시된 바에 의하면, 하나의 제1 홀(412)이 도시되어 있으나, 상기 제1 기판(410)은 기판 상에 형성된 발광 다이오드들 또는 다이싱 테이프(20)에 부착된 발광 다이오드들(10) 모두를 검사하기 위하여 다수의 제1 홀들(412)을 가질 수 있다.
상기 탐침들(440)은 상기 제2 홀(422)에 의해 노출된 상기 제1 기판(410)의 하부면 부위들, 예를 들면, 상기 제1 홀(412)의 주변 부위들에 배치될 수 있으며, 상기 방광 다이오드들(10)에 검사 신호를 전달하기 위하여 발광 다이오드들(10)과 접촉될 수 있다.
상기 제3 기판(430)은 상기 제1 기판(410)의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판(410)에 결합될 수 있으며, 상기 제3 기판(430)에는 상기 제2 홀(422) 및 제1 홀(412)을 통해 통과된 광들을 테스터의 광 검출부(미도시)로 전달하기 위한 광섬유(490)가 장착될 수 있다. 구체적으로, 상기 제3 기판(430)은 상기 제1 홀(412)에 대응하는 제3 홀(432)을 가질 수 있으며, 상기 광섬유(490)의 단부가 상기 제1 홀(412)과 마주하도록 상기 제3 홀(432)에 하방으로 삽입될 수 있다.
특히, 상기 제1 홀(412)의 내부에는 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들을 상기 광섬유(490)로 집중시키기 위한 집광 렌즈(460)가 장착될 수 있다. 즉, 상기 탐침들(440)이 상기 발광 다이오드들(10)에 동시에 접촉된 후, 상기 발광 다이오드들(10)에는 순차적으로 검사 신호가 인가될 수 있다. 상기 발광 다이오드들(10)로부터 순차적으로 발생된 광들은 상기 집광 렌즈(460)와 상기 광섬유(490)를 통하여 순차적으로 상기 테스터의 광 검출부로 전달될 수 있다.
한편, 상기 제2 홀(422)의 내측 표면들 상에는 반사 코팅층(470)이 형성될 수 있으며, 상기 제1 기판(410)과 제3 기판(430) 사이에는 링 형태의 차광 부재(480)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(410)과 제3 기판(430)은 다수의 체결 부재들(450)에 의해 서로 결합될 수 있다. 상기 반사 코팅층(470), 차광 부재(480) 및 체결 부재들(450)에 대하여는 도 3을 참조하여 기 설명된 바와 실질적으로 동일하거나 유사하므로 이에 대한 추가적인 상세 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치(500)는 제1 기판(510), 제2 기판(520), 제3 기판(530) 및 다수의 탐침들(540)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(510)은 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들(10)을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들(10)에 대응하는 제1 홀(512)을 가질 수 있으며, 상기 제2 기판(520)은 상기 발광 다이오드들(10)과 인접하도록 상기 제1 기판(510)의 하부면 상에 배치되며 상기 제1 홀(512)보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀(512)을 노출시키는 제2 홀(522)을 가질 수 있다.
상기 탐침들(540)은 상기 제2 홀(522)에 의해 노출된 상기 제1 기판(510)의 하부면 부위들, 예를 들면, 상기 제1 홀(512)의 주변 부위들에 배치될 수 있으며, 상기 방광 다이오드들(10)에 검사 신호를 전달하기 위하여 발광 다이오드들(10)과 접촉될 수 있다.
상기 제3 기판(530)은 상기 제1 기판(510)의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판(510)에 결합될 수 있으며, 상기 제3 기판(530)에는 상기 제2 홀(522) 및 제1 홀(512)을 통해 통과된 광들을 검출하기 위한 광 검출부(590)가 장착될 수 있다. 상기 광 검출부(590)로는 포토 다이오드가 사용될 수 있으며, 상기 광 검출부(590)는 테스트(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 홀(512)의 내부에는 상기 발광 다이오드들(10)로부터 발생된 광들을 상기 광 검출부(590)로 집중시키기 위한 집광 렌즈(560)가 장착될 수 있으며, 상기 제2 홀(522)의 내측 표면들 상에는 반사 코팅층(570)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(510)과 제3 기판(530) 사이에는 링 형태의 차광 부재(580)가 배치될 수 있으며, 상기 제1 기판(510)과 제3 기판(530)은 다수의 체결 부재들(550)에 의해 서로 결합될 수 있다. 상기 제3 기판(530)에 장착된 광 검출부(590)를 제외한 나머지 구성 요소들은 도 5를 참조하여 기 설명된 바와 동일하거나 유사하므로 이들에 대한 추가적인 상세 설명은 생략한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 다수의 탐침들은 다수의 발광 다이오드들에 동시에 접촉될 수 있으며, 상기 탐침들을 통해 상기 발광 다이오드들에 순차적으로 또는 동시에 전기적인 검사 신호가 인가될 수 있다. 따라서, 종래의 기술과 비교하여 상기 발광 다이오드들에 대한 검사 공정에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드들에 의해 발생된 광들 사이에서의 간섭과 상기 광들의 손실이 제1 및 제2 기판들의 제1 및 제2 홀들에 의해 충분히 감소될 수 있으므로 상기 발광 다이오드들에 대한 검사 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 발광 다이오드
100, 200, 300, 400, 500 : 발광 다이오드 검사 장치
110, 210, 310, 410, 510 : 제1 기판
120, 220, 320, 420, 520 : 제2 기판
130, 230, 330, 430, 530 : 제3 기판
140, 240, 340, 440, 540 : 탐침
150, 250, 350, 450, 550 : 체결 부재
160, 390, 490 : 광섬유
260, 360, 460, 560 : 집광 렌즈
170, 270, 370, 470, 570 : 반사 코팅층
280, 380, 480, 580 : 차광 부재
590 : 광 검출부
100, 200, 300, 400, 500 : 발광 다이오드 검사 장치
110, 210, 310, 410, 510 : 제1 기판
120, 220, 320, 420, 520 : 제2 기판
130, 230, 330, 430, 530 : 제3 기판
140, 240, 340, 440, 540 : 탐침
150, 250, 350, 450, 550 : 체결 부재
160, 390, 490 : 광섬유
260, 360, 460, 560 : 집광 렌즈
170, 270, 370, 470, 570 : 반사 코팅층
280, 380, 480, 580 : 차광 부재
590 : 광 검출부
Claims (17)
- 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들 중 적어도 하나와 각각 대응하는 다수의 제1 홀들이 형성된 제1 기판;
상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며, 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들이 형성된 제2 기판; 및
상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위하여 상기 발광 다이오드들에 접촉되도록 구성된 다수의 탐침들을 포함하는 발광 다이오드 검사 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제2 홀들의 내측면들 상에는 반사 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 각각 대응하는 다수의 제1 홀들이 형성된 제1 기판;
상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며, 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들이 형성된 제2 기판;
상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합되는 제3 기판; 및
상기 제3 기판과 전기적으로 연결되며 상기 제1 기판을 관통하여 상기 제2 홀들 내부에서 하방으로 연장되고, 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들을 포함하는 발광 다이오드 검사 장치. - 제3항에 있어서, 상기 탐침들은 상기 제1 기판과 상기 제3 기판 사이에 배치되며 탄성을 갖는 다수의 연결 부재들에 의해 상기 제3 기판에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 홀들 내에 각각 배치되어 상기 발광 다이오드들로부터 발생된 광을 테스터로 전달하기 위한 광섬유들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 각각 대응하는 다수의 제1 홀들이 형성된 제1 기판;
상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며, 상기 제1 홀들보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀들을 각각 노출시키는 다수의 제2 홀들이 형성된 제2 기판; 및
상기 제2 홀들에 의해 노출된 상기 제1 기판의 하부면 부위들에 장착되며, 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들을 포함하는 발광 다이오드 검사 장치. - 제6항에 있어서, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 배치되며, 상기 제2 및 제1 홀들을 통과한 광들을 테스터의 광 검출부로 유도하기 위한 집광 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합되며, 상기 집광 렌즈가 장착되는 제3 홀을 갖는 제3 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제3 홀을 둘러싸도록 상기 제1 기판과 제3 기판 사이에 배치되며 상기 광들의 손실을 방지하기 위한 차광 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 홀들의 내측면들 상에는 반사 코팅층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합된 제3 기판; 및
상기 제3 기판에 각각 장착되어 상기 제2 및 제1 홀들을 통과한 광들을 테스터로 전달하기 위한 광섬유들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치. - 제11항에 있어서, 상기 제1 홀들 내에 각각 장착되어 상기 광들을 상기 광섬유들로 집중시키기 위한 다수의 집광 렌즈들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제6항에 있어서, 각각의 탐침들은
상기 제1 기판의 하부면 부위들 상에 배치된 연결 패드와,
상기 연결 패드의 하부로부터 수평 방향으로 연장하며 수직 방향으로 탄성을 갖는 지지빔과,
상기 지지빔의 연장된 단부로부터 하방으로 연장하는 접촉팁을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치. - 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 대응하는 제1 홀이 형성된 제1 기판;
상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며, 상기 제1 홀보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀을 노출시키는 제2 홀이 형성된 제2 기판;
상기 제2 홀에 의해 노출된 상기 제1 기판의 하부면 부위들에 장착되며, 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들;
상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합된 제3 기판;
상기 제3 기판에 각각 장착되어 상기 제2 홀 및 제1 홀을 통과한 광들을 테스터로 전달하기 위한 광섬유; 및
상기 제1 홀 내에 장착되어 상기 광들을 상기 광섬유로 유도하기 위한 집광 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치. - 소정의 형태로 배열된 다수의 발광 다이오드들을 검사하기 위하여 상기 발광 다이오드들과 대응하는 제1 홀이 형성된 제1 기판;
상기 발광 다이오드들과 인접하도록 상기 제1 기판의 하부면 상에 배치되며, 상기 제1 홀보다 큰 폭을 갖고 상기 제1 홀을 노출시키는 제2 홀이 형성된 제2 기판;
상기 제2 홀에 의해 노출된 상기 제1 기판의 하부면 부위들에 장착되며, 상기 발광 다이오드들과 접촉하여 상기 발광 다이오드들에 검사 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들;
상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 제2 홀 및 제1 홀을 통과한 광들을 검출하기 위한 광 검출부; 및
상기 제1 홀 내에 장착되어 상기 광들을 상기 광 검출부로 유도하기 위한 집광 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치. - 제15항에 있어서, 상기 제1 기판의 상부면으로부터 소정 간격 이격되도록 상기 제1 기판에 결합되며, 상기 광 검출부가 장착되는 제3 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
- 제14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 홀을 둘러싸도록 상기 제1 기판과 제3 기판 사이에 배치되며 상기 광들의 손실을 방지하기 위한 차광 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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---|---|
KR20110105481A true KR20110105481A (ko) | 2011-09-27 |
Family
ID=44955815
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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KR101528887B1 (ko) * | 2013-08-05 | 2015-06-16 | 주식회사 에타맥스 | 발광다이오드 스크리닝 장치 및 방법 |
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