JP5102805B2

JP5102805B2 - 実装方法

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Publication number: JP5102805B2
Application number: JP2009127018A
Authority: JP
Inventors: 孝昌酒井; 佳治佐名川; 威中筋
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2009-05-26
Filing date: 2009-05-26
Publication date: 2012-12-19
Anticipated expiration: 2029-05-26
Also published as: JP2010278087A

Description

本発明は、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装する実装方法に関するものである。

従来から、基板上にチップを実装する実装方法として、ステージ上に基板を載置し、基板を加熱した状態で基板と同じ温度まで加熱したチップを基板に接合する実装方法（例えば、特許文献１参照）や、加熱したチップを基板側へ押し付けて接合する実装方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。

特開平７−１３０７９５号公報特開２００６−２８６７９９号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載された実装方法のように基板側を加熱する実装方法では、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装する場合、全てのチップの実装が終わるまで基板を高温に維持することになるので、初期に基板に実装されたチップの特性劣化や基板に形成されている機能部（例えば、貫通孔配線など）の劣化の原因となることがあった。

また、上記特許文献２に記載された実装方法のようにチップ側から加熱する実装方法では、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装する場合、チップからの熱が基板を介してステージの広い範囲に拡散されてしまい接合界面の温度が低下してしまうので、チップの耐熱温度以上にチップを加熱する必要が生じる可能性がある。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装するにあたって、基板やチップの特性を劣化させることなく実装することが可能な実装方法を提供することにある。

請求項１の発明は、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装する実装方法であって、ステージの表面側に基板を載置する基板載置工程と、チップとステージの表面側に載置された基板との互いの接合面を接触させチップ側から加熱することによりチップと基板との互いの接合面を加熱して両者を接合させる接合工程とを備え、基板載置工程においては、基板とステージの前記表面に形成された断熱用凹部の内底面との間に基板側の先端部が尖り基板を支持する複数の支持体を介在させて基板をステージの前記表面側に載置することを特徴とする。

この発明によれば、基板載置工程において、基板とステージの前記表面に形成された断熱用凹部の内底面との間に基板側の先端部が尖り基板を支持する複数の支持体を介在させて基板をステージの前記表面側に載置してから、接合工程において、チップとステージの前記表面側に載置された基板との互いの接合面を接触させチップ側から加熱することによりチップと基板との互いの接合面を加熱して両者を接合させるので、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装するにあたって、接合工程において、チップ側からの熱が基板を介してステージに拡散されるのを抑制することができるとともに、チップに印加される圧力により基板が撓むことによる実装性の低下を防止でき、チップとステージに安定して支持された基板との接合界面を効率良く加熱することができるから、基板やチップの特性を劣化させることなく実装することが可能になり、実装品質および歩留まりの向上を図れる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記基板載置工程では、前記ステージとして前記基板における前記各チップそれぞれの接合予定領域に対応する各領域に前記支持体が配置されたものを用いることを特徴とする。

この発明によれば、前記接合工程において加熱された前記チップから前記ステージへ逃げる熱量を均一化することができ、実装品質の安定化を図れる。

請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記基板載置工程では、前記基板と前記各支持体との間に断熱板が介在する形で前記基板を前記ステージの前記表面側に載置することを特徴とする。

この発明によれば、前記基板載置工程において前記基板を吸着する際に前記基板に傷や割れが発生するのを防止することができ、また、前記接合工程において前記チップに印加される圧力により前記基板に生じる応力を低減できるとともに、前記チップと前記支持体との位置関係の相違に起因して前記チップから逃げる熱量のばらつきを低減でき、実装品質の安定化を図れる。

請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記各支持体は、Ｓｉからなることを特徴とする。

この発明によれば、マイクロマシニング技術などによってＳｉ基板を加工することによって前記各支持体を形成することができるので、前記各支持体を低コストで高精度に形成することができる。

請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記基板載置工程では、前記ステージとして前記各支持体のうち前記断熱用凹部の内底面の最外周部に配置された支持体が前記断熱用凹部の内側面と内底面との境界に接しているものを用いることを特徴とする。

この発明によれば、前記基板載置工程において前記基板を吸着する際に前記基板をより安定して支持することができる。

請求項１の発明は、熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装するにあたって、基板やチップの特性を劣化させることなく実装することが可能になるという効果がある。

実施形態１の実装方法の説明図である。同上における発光装置の概略断面図である。同上における発光装置の概略分解斜視図である。同上におけるＬＥＤ搭載用基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略下面図である。同上における中間層基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略下面図である。同上における素子形成基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略下面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ｂ−Ｃ概略断面図である。実施形態２の実装方法の説明図である。実施形態３の実装方法の説明図である。実施形態４の実装方法の説明図である。

（実施形態１）
以下では、本実施形態の実装方法を適用して製造するデバイスの一例であってチップとしてＬＥＤチップを備えた発光装置について図２〜図６に基づいて説明し、その後、本実施形態の実装方法について図１に基づいて説明する。

発光装置は、可視光（例えば、赤色光、緑色光、青色光など）を放射する１つのＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１を収納する収納凹所２ａが一表面に形成され収納凹所２ａの内底面にＬＥＤチップ１が実装された実装基板２と、実装基板２の上記一表面側において収納凹所２ａを閉塞する形で実装基板２に固着された透光性部材３と、実装基板２に設けられＬＥＤチップ１から放射された光を検出する光検出素子４と、実装基板２に設けられ光検出素子４の温度を検出する温度検出素子５と、実装基板２の収納凹所２ａに充填された透光性の封止材料（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ガラスなど）からなりＬＥＤチップ１および当該ＬＥＤチップ１に接続されたボンディングワイヤ１４を封止した封止部６と備えている。ここで、実装基板２は、上記一表面側において収納凹所２ａの周部から内方へ突出した庇状の突出部２ｃを有しており、当該突出部２ｃに光検出素子４が設けられている。なお、この発光装置は、実装基板２と透光性部材３とで、ＬＥＤチップ１が収納されたパッケージ１０を構成しているが、透光性部材３は、必ずしも設けなくてもよく、必要に応じて適宜設ければよい。

実装基板２は、ＬＥＤチップ１が一表面側に搭載される矩形板状のＬＥＤ搭載用基板２０と、ＬＥＤ搭載用基板２０の上記一表面側に対向配置され円形状の光取出窓４１が形成されるとともに光検出素子４および温度検出素子５が形成された素子形成基板４０と、ＬＥＤ搭載用基板２０と素子形成基板４０との間に介在し光取出窓４１に連通する矩形状の開口窓３１が形成された中間層基板３０とで構成されており、ＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０と素子形成基板４０とで囲まれた空間が上記収納凹所２ａを構成している。ここにおいて、ＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０および素子形成基板４０の外周形状は矩形状であり、中間層基板３０および素子形成基板４０はＬＥＤ搭載用基板２０と同じ外形寸法に形成されている。また、素子形成基板４０の厚み寸法はＬＥＤ搭載用基板２０および中間層基板３０の厚み寸法に比べて小さく設定されている。

上述の発光装置は、ＬＥＤ搭載用基板２０が、ＬＥＤチップ１が実装されるＬＥＤ実装部を構成し、中間層基板３０と素子形成基板４０とが、ＬＥＤ実装部においてＬＥＤチップ１が実装される領域の周部に設けられた壁部２ｂを構成し、素子形成基板４０において中間層基板３０の開口窓３１上に張り出した部位が、壁部２ｂの先端部から内方へ突出する突出部２ｃを構成している。

上述のＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０、素子形成基板４０は、それぞれ、導電形がｎ形で主表面が（１００）面のシリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａを用いて形成してあり、中間層基板３０の内側面が、アルカリ系溶液（例えば、ＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液など）を用いた異方性エッチングにより形成された（１１１）面により構成されており（つまり、中間層基板３０は、開口窓３１の開口面積がＬＥＤ搭載用基板２０から離れるにつれて徐々に大きくなっており）、ＬＥＤチップ１から放射された光を前方へ反射するミラー２ｄを構成している。要するに、上述の発光装置では、中間層基板３０がＬＥＤチップ１から側方へ放射された光を前方へ反射させる枠状のリフレクタを兼ねている。

ＬＥＤ搭載用基板２０は、図２〜図４に示すように、シリコン基板２０ａの一表面側（図２における上面側）の中央部に、ＬＥＤチップ１の両電極それぞれと電気的に接続される２つの導体パターン２５ａ，２５ａが形成されている。また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの上記一表面側の４つの角部のうちの２箇所に、中間層基板３０に形成された貫通孔配線３４ｂ，３４ｂを介して光検出素子４と電気的に接続される導体パターン２５ｂ，２５ｂが形成され、他の２箇所に、中間層基板３０に形成された貫通孔配線３４ｃ，３４ｃを介して温度検出素子５と電気的に接続される導体パターン２５ｃ，２５ｃが形成されており、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃとシリコン基板２０ａの他表面側（図２における下面側）に形成された６つの外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃとがそれぞれ貫通孔配線２４を介して電気的に接続されている。また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの上記一表面側に、中間層基板３０と接合するための４つの接合用金属層２９がシリコン基板２０ａの外周縁の各辺に沿って形成されている。

ＬＥＤチップ１は、結晶成長用基板として導電性基板を用い厚み方向の両面に電極（図示せず）が形成された可視光ＬＥＤチップである。そこで、ＬＥＤ搭載用基板２０は、ＬＥＤチップ１が電気的に接続される２つの導体パターン２５ａ，２５ａのうちの一方の導体パターン２５ａを、ＬＥＤチップ１がダイボンディングされる矩形状のダイパッド部２５ａａと、ダイパッド部２５ａａに連続一体に形成され貫通孔配線２４との接続部位となる引き出し配線部２５ａｂとで構成してある。要するに、ＬＥＤチップ１は、上記一方の導体パターン２５ａのダイパッド部２５ａａにダイボンディングされており、ダイパッド部２５ａａ側の電極がダイパッド部２５ａａに接合されて電気的に接続され、光取り出し面側の電極がボンディングワイヤ１４を介して他方の導体パターン２５ａと電気的に接続されている。

また、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの上記他表面側の中央部に、シリコン基板２０ａよりも熱伝導率の高い金属材料からなる矩形状の放熱用パッド部２８が形成され、ダイパッド部２５ａａと放熱用パッド部２８とがシリコン基板２０ａよりも熱伝導率の高い金属材料（例えば、Ｃｕなど）からなる複数（本実施形態では、９つ）の円柱状のサーマルビア２６を介して熱的に結合されており、ＬＥＤチップ１で発生した熱が各サーマルビア２６および放熱用パッド部２８を介して放熱されるようになっている。

ところで、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａに、上述の６つの貫通孔配線２４それぞれが内側に形成される４つの貫通孔２２ａと、上述の９つのサーマルビア２６それぞれが内側に形成される９つの貫通孔２２ｂとが厚み方向に貫設され、シリコン基板２０ａの上記一表面と上記他表面と各貫通孔２２ａ，２２ｂの内面とに跨って熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる第１の絶縁膜２３が形成されており、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃ、各接合用金属層２９、各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃ、放熱用パッド部２８、各貫通孔配線２４および各サーマルビア２６がシリコン基板２０ａと電気的に絶縁されている。

ここにおいて、各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃ、各接合用金属層２９、各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃ、放熱用パッド部２８は、第１の絶縁膜２３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。ここで、ＬＥＤ搭載用基板２０は、シリコン基板２０ａの上記一表面側の各導体パターン２５ａ，２５ａ，２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃと各接合用金属層２９とを同時に形成し、シリコン基板２０ａの上記他表面側の各外部接続用電極２７ａ，２７ａ，２７ｂ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃと放熱用パッド部２８とを同時に形成してある。なお、ＬＥＤ搭載用基板２０は、第１の絶縁膜２３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と第１の絶縁膜２３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、貫通孔配線２４およびサーマルビア２６の材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

中間層基板３０は、図２、図３および図５に示すように、シリコン基板３０ａの一表面側（図２における下面側）に、ＬＥＤ搭載用基板２０の４つの導体パターン２７ｂ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｃと接合されて電気的に接続される４つの導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃが形成されるとともに、ＬＥＤ搭載用基板２０の４つの接合用金属層２９と接合される４つの接合用金属層３６が形成されている。また、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの他表面側（図２における上面側）に、貫通孔配線３４ｂ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｃを介して導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃと電気的に接続される導体パターン３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃが形成されるとともに、素子形成基板４０と接合するための接合用金属層３８が形成されている。

また、中間層基板３０は、上述の貫通孔配線３４ｂ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｃそれぞれが内側に形成される４つの貫通孔３２がシリコン基板３０ａの厚み方向に貫設され、シリコン基板３０ａの上記一表面と上記他表面と各貫通孔３２の内面とに跨って熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる第２の絶縁膜３３が形成されており、各導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃ，３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃおよび各接合用金属層３６，３８がシリコン基板３０ａと電気的に絶縁されている。各導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃ，３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃおよび各接合用金属層３６，３８は、第２の絶縁膜３３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。

ここにおいて、中間層基板３０は、シリコン基板３０ａの上記一表面側の各導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃと各接合用金属層３６とを同時に形成し、シリコン基板３０ａの上記他表面側の各導体パターン３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃと各接合用金属層３８とを同時に形成してある。なお、中間層基板３０は、第２の絶縁膜３３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここで、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と第２の絶縁膜３３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、貫通孔配線３４ｂ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｃの材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉなどを採用してもよい。

素子形成基板４０は、図２、図３および図６に示すように、シリコン基板４０ａの一表面側（図２における下面側）に、中間層基板３０の４つの導体パターン３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃと接合されて電気的に接続される４つの導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２，４７ｃ_１，４７ｃ_２が形成されるとともに、中間層基板３０の各接合用金属層３８と接合される４つの接合用金属層４８が形成されている。

ここにおいて、光検出素子４は、フォトダイオードにより構成されており、当該フォトダイオードのｐ形領域４ｂ_１が導体パターン４７ｂ_１と電気的に接続され、ｎ形領域４ｂ_２（シリコン基板４０ａ）が導体パターン４７ｂ_２と電気的に接続されている。また、温度検出素子５は、上記フォトダイオードと同じダイオード構造を有し且つ当該ダイオード構造への光入射を阻止する遮光構造を有するダイオードにより構成されており、ｐ形領域５ｃ_１が導体パターン４７ｃ_１と電気的に接続され、ｎ形領域５ｃ_２（シリコン基板４０ａ）が導体パターン４７ｃ_２と電気的に接続されている。ここで、光検出素子４と温度検出素子５とは、ｐ形領域４ｂ_１，５ｃ_１が同時に且つ同じサイズに形成され、不純物濃度が同じとなっており、絶縁分離部（図示せず）によって電気的に絶縁されている。また、温度検出素子５は、上記遮光構造として、シリコン基板４０ａの上記一表面側に形成されＬＥＤチップ１からの光入射を阻止する第１の金属膜（例えば、Ａｌ膜など）からなる第１の遮光膜４５と、シリコン基板４０ａの上記他表面側に形成され外部からの光入射を阻止する第２の金属膜（例えば、Ａｌ膜など）からなる第２の遮光膜４６とを備えている。なお、第１の遮光膜４５は、シリコン基板４０ａの上記一表面側において当該第１の遮光膜４５の直下に形成されたシリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜４４により導体パターン４７ｃ_１と電気的に絶縁され、第２の遮光膜４６は、シリコン基板４０ａの上記他表面側に形成されたシリコン酸化膜からなる第４の絶縁膜４９によりシリコン基板４０ａと電気的に絶縁されている。

また、素子形成基板４０は、シリコン基板４０ａの上記一表面側にシリコン酸化膜からなる第５の絶縁膜４３が形成されており、当該第５の絶縁膜４３が上記フォトダイオードの反射防止膜を兼ねている。また、素子形成基板４０の光検出素子４は、上述の導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２が、第５の絶縁膜４３に形成したコンタクトホールを通してｐ形領域４ｂ_１、ｎ形領域４ｂ_２と電気的に接続され、温度検出素子５は、上述の導体パターン４７ｃ_１，４７ｃ_２が、第５の絶縁膜４３に形成したコンタクトホールを通してｐ形領域５ｃ_１、ｎ形領域５ｃ_２と電気的に接続されている。ここにおいて、各導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２，４７ｃ_１，４７ｃ_２および各接合用金属層４８は、第５の絶縁膜４３上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されており、同時に形成してある。なお、素子形成基板４０は、第５の絶縁膜４３上のＴｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここで、各Ａｕ膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、各Ａｕ膜と第５の絶縁膜４３との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。

上述の実装基板２の形成にあたっては、例えば、光検出素子４、温度検出素子５、第５の絶縁膜４３、各導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２，４７ｃ_１，４７ｃ_２、および各接合用金属層４８などが形成されたシリコン基板４０ａと中間層基板３０とを低温での直接接合が可能な常温接合法などにより接合する第１の接合工程を行った後、シリコン基板４０ａを所望の厚みまで研磨する研磨工程を行い、その後、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置などを用いてシリコン基板４０ａに光取出窓４１を形成する光取出窓形成工程を行うことで素子形成基板４０を完成させてから、ＬＥＤチップ１が実装されボンディングワイヤ１４の結線が行われたＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０とを常温接合法などにより接合する第２の接合工程を行うようにすればよい。なお、常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温下で直接接合する。

上述の第１の接合工程では、シリコン基板４０ａの上記一表面側の各接合用金属層４８と中間層基板３０の各接合用金属層３８とが接合されるとともに、シリコン基板４０ａの上記一表面側の導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２，４７ｃ_１，４７ｃ_２と中間層基板３０の導体パターン３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃとが接合され電気的に接続される。ここで、導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２，４７ｃ_１，４７ｃ_２と導体パターン３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃとの接合部位は、貫通孔配線３４ｂ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｃに重なる領域からずらしてあるので、導体パターン４７ｂ_１，４７ｂ_２，４７ｃ_１，４７ｃ_２と導体パターン３７ｂ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｃとの互いの接合表面の平坦度を高めることができ、接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。また、第２の接合工程では、ＬＥＤ搭載用基板２０の各接合用金属層２９と中間層基板３０の各接合用金属層３６とが接合されるとともに、ＬＥＤ搭載用基板２０の４つの角部の導体パターン２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃと中間層基板３０の導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃとが接合され電気的に接続される。ここで、上述の発光装置では、導体パターン２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃと導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃとの接合部位を、貫通孔配線２４に重なる領域および貫通孔配線３４ｂ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｃに重なる領域からずらしてあるので、導体パターン２５ｂ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｃと導体パターン３５ｂ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｃとの互いの接合表面の平坦度を高めることができ、接合歩留まりを高めることができるとともに接合信頼性を高めることができる。また、上述のように第１の接合工程および第２の接合工程で採用している常温接合法では、各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、常温下で適宜の荷重を印加しいているが、常温下に限らず、例えば、第１の接合工程では光検出素子４および温度検出素子５へ熱ダメージが生じない温度、第２の接合工程ではＬＥＤチップ１へ熱ダメージが生じない温度（ＬＥＤチップ１のジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えない温度）であれば、加熱条件下（例えば、８０℃〜１００℃程度に加熱した条件下）において適宜の荷重を印加するようにしてもよく、加熱条件下において適宜の荷重を印加して接合することで接合信頼性をより一層高めることが可能となる。

また、上述の透光性部材３は、透光性材料（例えば、ガラス、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂など）からなる透光性基板を用いて形成してある。ここで、透光性部材３は、実装基板２と同じ外周形状の矩形板状に形成されており、実装基板２側とは反対の光取り出し面に、ＬＥＤチップ１から放射された光の全反射を抑制する微細凹凸構造が形成されている。ここにおいて、透光性部材３の光取り出し面に形成する微細凹凸構造は、多数の微細な凹部が２次元周期構造を有するように形成されている。なお、上述の微細凹凸構造は、例えば、レーザ加工技術やエッチング技術やインプリントリソグラフィ技術などを利用して形成すればよい。また、微細凹凸構造の周期は、ＬＥＤチップ１の発光ピーク波長の１／４〜１００倍程度の範囲で適宜設定すればよい。

以上説明した発光装置では、ＬＥＤチップ１が収納されたパッケージ１０に、ＬＥＤチップ１から放射される光を検出する光検出素子４と、光検出素子４の温度を検出する温度検出素子５とが設けられ、光検出素子４が、上記フォトダイオードにより構成され、温度検出素子５が、上記フォトダイオードと同じダイオード構造を有し且つ当該ダイオード構造への光入射を阻止する遮光構造を有するダイオードにより構成されているので、光検出素子４の出力から温度検出素子５の出力を減算することにより、光検出素子４の出力信号から当該光検出素子４の温度に起因したノイズを除去することができ、Ｓ／Ｎ比が高くなるから、光検出素子４の検出精度を高めることが可能となる。

上述の発光装置の製造にあたっては、上述の各シリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａとして、それぞれＬＥＤ搭載用基板２０、中間層基板３０、素子形成基板４０を多数形成可能なシリコンウェハを用いるとともに、上述の透光性基板として透光性部材３を多数形成可能なウェハ状のもの（透光性ウェハ）を用い、上述の第１の接合工程、研磨工程、光取出窓形成工程、第２の接合工程、実装基板２の収納凹所２ａに封止樹脂を充填して封止部６を形成する封止部形成工程、封止部形成工程の後で実装基板２と透光性部材３とを接合する第３の接合工程などの各工程をウェハレベルで行うことでウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、ダイシング工程により実装基板２のサイズに分割されている。したがって、ＬＥＤ搭載用基板２０と中間層基板３０と素子形成基板４０と透光性部材３とが同じ外形サイズとなり、小型のパッケージ１０を実現できるとともに、製造が容易になる。また、中間層基板３０におけるミラー２ｄと素子形成基板４０における光検出素子４との相対的な位置精度を高めることができ、ＬＥＤチップ１から側方へ放射された光がミラー２ｄにより反射されて光検出素子４へ導かれる。

ところで、本実施形態の実装方法は、上述のＬＥＤ搭載用基板２０を多数形成したシリコンウェハからなるウェハ２００（図１参照）が熱伝導性を有する基板を構成しており、当該ウェハ２００に複数個のＬＥＤチップ１を実装する実装方法に関する。

本実施形態の実装方法は、ダイボンド装置のステージ１１０（図１参照）の表面側に基板たるウェハ２００を載置する基板載置工程と、チップたるＬＥＤチップ１とステージ１１０の表面側に載置されたウェハ２００との互いの接合面を接触させＬＥＤチップ１側から加熱することによりＬＥＤチップ１とウェハ２００との互いの接合面を加熱して両者を接合させる接合工程とを備え、基板載置工程においては、ウェハ２００とステージ１１０との間に空気層からなる断熱層１１３が介在する形でウェハ２００をステージ１１０の表面側に載置する。

ところで、本実施形態では、ＬＥＤチップ１として、チップサイズが０．３ｍｍ□で厚み方向の両面に上記電極が形成されたものを用いており、裏面側（ウェハ２００に近い側）の電極１１からなるチップ側接合用電極がＡｕＳｎにより形成されている。なお、ＬＥＤチップ１のチップサイズは、０．３ｍｍ□に限らず、例えば、１ｍｍ□でもよい。

また、ウェハ２００は、直径が１５０ｍｍ、厚みが５２５μｍのシリコンウェハを用いて形成されており、ウェハ２００における各ＬＥＤチップ１それぞれの接合予定領域（搭載位置）には、基板側接合用電極として上述のダイパッド部２５ａａ（図２参照）が形成されている。ここにおいて、ダイパッド部２５ａａは、Ｔｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層構造を有しており、表面側の部位がＡｕにより形成されている。なお、ダイパッド部２５ａａは、Ｔｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ａｕ膜の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、本実施形態では、Ａｕ膜直下に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を設けてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、基板として、直径が１５０ｍｍ、厚みが５２５μｍのシリコンウェハを用いて形成したウェハを例示したが、シリコンウェハのサイズや厚みは特に限定するものではなく、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚みが２００〜５２５μｍ程度のシリコンウェハを用いればよい。

また、ステージ１１０は、上記表面側にウェハ２００の直径よりも内径が小さな円形状の断熱用凹部１１１が形成されており、断熱用凹部１１１内の空気層が上述の断熱層１１３となる。ここで、断熱用凹部１１１の内径は１４０ｍｍ、深さを１ｍｍに設定してある。なお、ステージ１１０の断熱用凹部１１１の内径や深さは特に限定するものではなく、上述の基板のサイズに応じて、適宜設定すればよい。

また、上述のステージ１１０には、上記表面側に載置される対象物を吸着するための複数の吸気孔１１４が断熱用凹部１１１の周部に形成されており、ウェハ２００がステージ１１０の上記表面に吸着されるようになっている。

また、上述の基板載置工程では、ウェハ２００とステージ１１０の上記表面に形成された断熱用凹部１１１の内底面との間にウェハ２００側の先端部が尖りウェハ２００を支持する複数の錘状（例えば、四角錘状）の支持体１２０を介在させてウェハ２００をステージ１１０の上記表面側に載置するようにしている。ここにおいて、支持体１２０は、接合工程時のウェハ２００の撓みを抑制するために設けてある。

また、本実施形態では、各支持体１２０の数や配置は特に限定するものではないが、接合工程において吸着コレット１５０からの熱が伝熱されにくい位置に配置してある（なお、図１における実線の矢印は、吸着コレット１５０から熱放射された赤外線を模式的に示し、同図における破線の矢印はウェハ２００から放熱される熱の流れを模式的に示している）。また、本実施形態では、各支持体１２０がＳｉからなるので、マイクロマシニング技術などによってＳｉ基板を加工することによって支持体１２０を形成することができるから、各支持体１２０をガラスやセラミックにより形成する場合に比べて、低コストで高精度に形成することができる。

接合工程では、ＬＥＤチップ１とウェハ２００とを近づけて互いの接合面を接触させＬＥＤチップ１側から加熱することによりＬＥＤチップ１とウェハ２００との互いの接合面を加熱して両者を接合させる。具体的には、ＬＥＤチップ１では上述のチップ側接合用電極の表面が接合面を構成し、ウェハ２００では上述の基板側接合用電極が接合面を構成しており、ＬＥＤチップ１のチップ側接合用電極とウェハ２００の基板側接合用電極とを共晶接合させるようにしている。ここにおいて、接合工程では、ダイボンド装置のヘッド（ボンディングヘッド）１４０の設けられた吸着コレット１５０によりＬＥＤチップ１を吸着保持してヘッド１４０のヒータ（図示せず）により吸着コレット１５０を介してＬＥＤチップ１を規定の接合温度（例えば、チップ側接合用電極の材料であるＡｕＳｎの溶融温度よりも高い温度）に加熱した状態で、ＬＥＤチップ１のチップ側接合用電極とウェハ２００の基板側接合用電極との接合面同士を接触させ、ヘッド１４０側からＬＥＤチップ１に適宜の圧力（例えば、２〜５０ｋｇ／ｃｍ^２）を規定時間（例えば、１０秒程度）だけ印加することにより、厚み方向において重なり合っているチップ側接合用電極と基板側接合用電極とを共晶接合させる過程をウェハ２００に実装するＬＥＤチップ１の個数に応じて繰り返し行う。なお、チップ側接合用電極および基板側接合用電極それぞれの材料は特に限定するものではなく、チップ側接合用電極と基板側接合用電極との接合も直接接合であればよく、共晶接合に限定するものではない。また、接合工程において、ＬＥＤチップ１の加熱は、ＬＥＤチップ１とウェハ２００との互いの接合面を接触させてから行うようにしてもよい。

ところで、上述の実装方法では、吸着コレット１５０として、セラミック（例えば、窒化アルミニウムなど）により形成されるとともにＬＥＤチップ１の吸着部位１５１を含む第１の平面Ｐ１とＬＥＤチップ１における接合面を含む第２の平面Ｐ２との間で第１の平面Ｐ１および第２の平面Ｐ２に平行な仮想平面ＶＰ（本実施形態では、第１の平面Ｐ１と同一平面）上に表面が位置する熱放射領域１５２を吸着部位１５１の周囲に設けたものを用い、ＬＥＤチップ１を介するウェハ２００の加熱に加えて熱放射領域１５２からの熱放射によりウェハ２００を加熱するようにしている（なお、上述のように図１における実線の矢印は、熱放射領域１０２から熱放射された赤外線を模式的に示している）。

ここにおいて、吸着コレット１５０は、ヘッド１４０に接するベース部１５０ａと、ベース部１５０ａから突設されＬＥＤチップ１のチップサイズよりも先端面の平面サイズが大きな突台部１５０ｂとを有し、突台部１５０ｂとベース部１５０ａとに貫通する形で吸着孔１５１ｂが形成されており、突台部１５０ｂにおいてＬＥＤチップ１に重なる領域が吸着部位１５１を構成し、ＬＥＤチップ１に重ならない部位が熱放射領域１５２を構成している。ところで、物体の単位面積が熱放射によって単位時間に放出する熱量は、放射率（黒体を１としたときの比率）が大きいほど多くなるが、一般的な吸着コレットに用いられる超硬合金のタングステンカーバイド（ＷＣ）では０．１であるのに対して、セラミックは０．６〜０．９５である（ＡｌＮは０．６）。したがって、本実施形態のように吸着コレット１５０をセラミックにより形成することで、ＬＥＤチップ１を介するウェハ２００の加熱に加えて熱放射領域１５２からの熱放射によりウェハ２００を効率良く加熱することが可能となる。

以上説明した本実施形態の実装方法によれば、基板載置工程において、ウェハ２００とステージ１１０の上記表面に形成された断熱用凹部１１１の内底面との間にウェハ２００側の先端部が尖りウェハ２００を支持する複数の支持体１２０を介在させてウェハ２００をステージ１１０の上記表面側に載置してから、接合工程において、ＬＥＤチップ１とステージ１１０の上記表面側に載置されたウェハ２００との互いの接合面を接触させＬＥＤチップ１側から加熱することによりＬＥＤチップ１とウェハ２００との互いの接合面を加熱して両者を接合させるので、熱伝導性を有するウェハ２００上に複数個のＬＥＤチップ１を実装するにあたって、接合工程において、ＬＥＤチップ１側からの熱がウェハ２００を介してステージ１１０に拡散されるのを抑制することができるとともに、ＬＥＤチップ１に印加される圧力によりウェハ２００が撓むことによる実装性の低下を防止でき、ＬＥＤチップ１とステージ１１０に安定して支持されたウェハ２００との接合界面をＬＥＤチップ１の耐熱温度を超えることなく効率良く加熱することができるから、ウェハ２００の機能部（例えば、上述の貫通孔配線２４、サーマルビア２６、各接合用金属層２９など）やＬＥＤチップ１の特性を劣化させることなく実装することが可能になり、実装品質および歩留まりの向上を図れる。また、接合工程では、不活性ガス（例えば、Ｎ_２ガスなど）雰囲気中において、ＬＥＤチップ１をチップ側接合用電極の材料であるＡｕＳｎの溶融温度よりも高い温度に加熱した状態で、ＬＥＤチップ１のチップ側接合用電極とウェハ２００の基板側接合用電極との接合面同士を接触させ、ヘッド１４０側からＬＥＤチップ１に適宜の圧力を規定時間だけ印加することにより、チップ側接合用電極と基板側接合用電極とを共晶接合させるようにしてもよい。

また、本実施形態の実装方法によれば、上述の吸着コレット１５０を用い、チップ接合工程において、ＬＥＤチップ１を介するウェハ２００の加熱に加えて熱放射領域１５２からの熱放射によりウェハ２００を加熱するので、ＬＥＤチップ１とウェハ２００との接合界面を効率良く加熱することができるから、吸着コレット１５０側のヒータ（上述のヘッド１４０のヒータ）の低温化が可能となり、ＬＥＤチップ１の特性を劣化させることなく低コストで実装することが可能になる。なお、本実施形態では、吸着コレット１５０の材料であるセラミックとして窒化アルミニウムを採用しているが、窒化アルミニウム、アルミナ、酸化チタン、シリカおよびこれらの混合物などを採用してもよい。

（実施形態２）
本実施形態の実装方法は実施形態１と略同じであり、基板載置工程では、図７に示すようにステージ１１０として基板たるウェハ２００における各ＬＥＤチップ１それぞれの接合予定領域に対応する各領域に支持体１２０が配置されたものを用いる点が相違する（なお、図７には、ＬＥＤチップ１を図示してあるが、これらＬＥＤチップ１は接合工程において接合されるものであり、基板載置工程では、図７中のＬＥＤチップ１は存在しない）。ここで、各支持体１２０は、当該各支持体１２０の中心線がウェハ２００における各ＬＥＤチップ１の接合予定領域の中心線と一致するように配置されている。なお、各支持体１２０の平面サイズ（底面のサイズ）は、ＬＥＤチップ１の平面サイズ（チップサイズ）よりもやや小さく設定してある。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

しかして、本実施形態の実装方法によれば、基板載置工程では、ステージ１１０としてウェハ２００における各ＬＥＤチップ１それぞれの接合予定領域に対応する各領域に支持体１２０が配置されたものを用いるので、接合工程において加熱されたチップであるＬＥＤチップ１からステージ１１０へ逃げる熱量を均一化することができ、実装品質の安定化を図れる。

（実施形態３）
本実施形態の実装方法は実施形態１と略同じであり、基板載置工程において、図８に示すように基板であるウェハ２００と各支持体１２０との間に断熱板１３０が介在する形でウェハ２００をステージ１１０の上記表面側に載置するようにしている点が相違する。

断熱板１３０は、熱伝導率が０．２２Ｗ／ｍ・Ｋのマイカ系材料により矩形板状に形成されている。ここで、断熱板１３０は、厚みを１ｍｍに設定してあるが、この厚みは特に限定するものではなく、例えば、０．２〜１ｍｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、断熱板１３０の材料は、マイカ系材料に限定するものではなく、高断熱性を有する材料であればよい。

また、上述のステージ１１０には、実施形態１と同様、上記表面側に載置される対象物を吸着するための複数の吸気孔１１４が断熱用凹部１１１の周部に形成されており、断熱板１３０がステージ１１０の上記表面に吸着されるようになっている。また、断熱板１３０は、ウェハ２００の載置予定領域内に、一部の吸気孔１１４に連通する吸気孔１３４が形成されており、ウェハ２００が断熱板１３０に吸着されるようになっている。

以上説明した本実施形態の実装方法によれば、基板載置工程においてウェハ２００と各支持体１２０との間に断熱板１３０が介在する形でウェハ２００をステージ１１０の上記表面側に載置するので、断熱板１３０を介在させないでウェハ２００をステージ１１０の上記表面側に載置してある場合に比べて、基板載置工程においてウェハ２００を吸着する際にウェハ２００に傷や割れが発生するのを防止することができ、また、接合工程においてＬＥＤチップ１に印加される圧力によりウェハ２００に生じる応力を低減できるとともに、ＬＥＤチップ１と支持体１２０との位置関係の相違に起因してＬＥＤチップ１から逃げる熱量のばらつきを低減でき、実装品質の安定化を図れる。

なお、実施形態２の実装方法においても、基板載置工程において本実施形態と同様の断熱板１３０を用いてもよいことは勿論である。

（実施形態４）
本実施形態の実装方法は実施形態３と略同じであり、基板載置工程において、図９に示すように、ステージ１１０として各支持体１２０のうち断熱用凹部１１１の内底面の最外周部に配置された支持体１２０が断熱用凹部１１１の内側面と内底面との境界に接しているものを用いる点が相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

しかして、本実施形態の実装方法によれば、基板載置工程において基板であるウェハ２００を吸着する際にウェハ２００をより安定して支持することができる。なお、実施形態１〜３においても本実施形態と同様に、基板載置工程において、ステージ１１０として、各支持体１２０のうち断熱用凹部１１１の内底面の最外周部に配置された支持体１２０が断熱用凹部１１１の内側面と内底面との境界に接しているものを用いてもよい。

ところで、上述の各実施形態では、チップとして、可視光を放射するＬＥＤチップ１を例示したが、チップは、可視光を放射するＬＥＤチップ１に限らず、紫外光を放射するＬＥＤチップなどでもよい。また、チップとしては、チップサイズが１ｍｍ□のＬＥＤチップを用いてもよい。また、上述のチップは、ＬＥＤチップ１に限らず、例えば、レーザダイオードチップ、フォトダイオードチップ、ＭＥＭＳチップ（例えば、加速度センサチップ、圧力センサチップなど）、赤外線センサチップ、半導体チップ（例えば、ＩＣチップなど）などでもよく、チップサイズも特に限定するものではなく、例えば０．２ｍｍ□〜５ｍｍ□程度のものを用いればよい。また、チップの厚みも特に限定するものではなく、例えば０．１〜０．５ｍｍ程度のものを用いればよい。また、基板の材料はＳｉに限らず、熱伝導性を有する材料であればよく、例えば、Ｃｕ、ＡｌＮなどでもよい。

１ＬＥＤチップ（チップ）
１１０ステージ
１１１断熱用凹部
１２０支持体
１３０断熱板
１４０ヘッド
１５０吸着コレット
２００ウェハ（基板）

Claims

熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装する実装方法であって、ステージの表面側に基板を載置する基板載置工程と、チップとステージの表面側に載置された基板との互いの接合面を接触させチップ側から加熱することによりチップと基板との互いの接合面を加熱して両者を接合させる接合工程とを備え、基板載置工程においては、基板とステージの前記表面に形成された断熱用凹部の内底面との間に基板側の先端部が尖り基板を支持する複数の支持体を介在させて基板をステージの前記表面側に載置することを特徴とする実装方法。
前記基板載置工程では、前記ステージとして前記基板における前記各チップそれぞれの接合予定領域に対応する各領域に前記支持体が配置されたものを用いることを特徴とする請求項１記載の実装方法。
前記基板載置工程では、前記基板と前記各支持体との間に断熱板が介在する形で前記基板を前記ステージの前記表面側に載置することを特徴とする請求項１または請求項２記載の実装方法。
前記各支持体は、Ｓｉからなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の実装方法。
前記基板載置工程では、前記ステージとして前記各支持体のうち前記断熱用凹部の内底面の最外周部に配置された支持体が前記断熱用凹部の内側面と内底面との境界に接しているものを用いることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の実装方法。