JP2009038396A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】それぞれのゲート電極とドレインとが交差接続された一対のnチャネル型MISFETを有するSRAMメモリセルの、交差接続部の配線MD2の表面を酸化シリコン膜21の表面より突出した形状とし、この配線MD2上に、容量絶縁膜となる窒化シリコン膜23と、上部電極24を形成する。この配線MD2、窒化シリコン膜23および上部電極24とで容量Cを形成することができ、α線によるソフトエラーを低減することができる。また、配線MD2側壁にも容量を形成することができるため、容量の増加を図ることができる。
【選択図】図11
Description
図1は、実施の形態1であるSRAMのメモリセルを示す等価回路図である。図示のように、このメモリセルMCは、一対の相補性データ線(データ線DL、データ線/(バー)DL)とワード線WLとの交差部に配置され、一対の駆動用MISFETQd1,Qd2 、一対の負荷用MISFETQp1,Qp2 および一対の転送用MISFETQt1,Qt2 により構成されている。駆動用MISFETQd1,Qd2 および転送用MISFETQt1,Qt2 はnチャネル型MISFETで構成され、負荷用MISFETQp1,Qp2 はpチャネル型MISFETで構成されている。
本実施の形態のSRAMの製造方法を図19〜図22を用いて説明する。なお、図2〜図9を用いて説明したプラグP1および配線MD1、MD2形成工程までは、実施の形態1の場合と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態のSRAMの製造方法を図23および図24を用いて説明する。なお、図2〜図10を用いて説明した酸化シリコン膜21の表面のエッチング工程までは、実施の形態1の場合と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態のSRAMの製造方法を図25および図26を用いて説明する。なお、図2〜図7を用いて説明した酸化シリコン膜21形成工程までは、実施の形態1の場合と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態5(実施の形態2〜4についても同様)においては、上部電極24に、プラグP2(負荷用MISFETQp1およびQp2のソースと接続されている)の側壁を介して、電源電位(Vcc)を供給したが、このプラグP2の底面を介して、電源電位(Vcc)を供給することもできる。
本実施の形態6(実施の形態2〜4についても同様)においては、メモリセル約1個分の領域について説明したが、本発明を、メモリセルアレイに適用する場合について説明する。
本実施の形態7(実施の形態2〜4についても同様)においては、上部電極24に、電源電位(Vcc)を供給し、図1中の蓄積ノードAもしくはBと電源電位(Vcc)との間に容量Cを形成したが、図1中の蓄積ノードAB間に容量を形成することもできる。
2 素子分離
3 p型ウエル
4 n型ウエル
5 酸化シリコン膜
8 ゲート酸化膜
9 多結晶シリコン膜
14 p−型半導体領域
16 サイドウォールスペーサ
17 窒化シリコン膜
18 p+型半導体領域
19 CoSi2層
20 PSG膜
21 酸化シリコン膜
22 下部電極
22a 下部電極
22b 下部電極
23 窒化シリコン膜
24 上部電極
25 酸化シリコン膜
27 酸化シリコン膜
A 蓄積ノード
B 蓄積ノード
An1 活性領域
An2 活性領域
Ap1 活性領域
Ap2 活性領域
C 容量
C1 コンタクトホール
C2 コンタクトホール
C3 コンタクトホール
DL、/DL データ線
G ゲート電極
HM 配線溝
INV1 CMOSインバータ
INV2 CMOSインバータ
M1 第1層配線
M2 第2層配線
MC メモリセル
MC11、MC12 メモリセル
MC21、MC22 メモリセル
MD1 配線
MD2 配線
OP1 開口部
OP2 開口部
P1 プラグ
P2 プラグ
P3 プラグ
Qd1 駆動用MISFET
Qd2 駆動用MISFET
Qp1 負荷用MISFET
Qp2 負荷用MISFET
Qt1 転送用MISFET
Qt2 転送用MISFET
WL ワード線
a 凹部
Vcc 電源電圧
Vss 基準電圧
Claims (2)
- 一対の相補性データ線とワード線との交差部に配置された第1および第2の転送用MISFETと、第1および第2の駆動用MISFETと、第1および第2の負荷用MISFETとを有し、前記第1の駆動用MISFETおよび前記第1の負荷用MISFETと、前記第2の駆動用MISFETおよび前記第2の負荷用MISFETとが交差結合したメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記第1および第2の転送用MISFETと、前記第1および第2の駆動用MISFETと、前記第1および第2の負荷用MISFETとは、半導体基板の主面に形成され、
前記第1および第2の転送用MISFETのソースおよびドレイン領域と、前記第1および第2の駆動用MISFETのソースおよびドレイン領域と、前記第1および第2の負荷用MISFETのソースおよびドレイン領域とは、前記半導体基板内に形成され、
前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜に形成された第1開口部とを有し、
前記第1開口部の側壁および底部には、前記第1開口部の側壁および底部に沿って形成された第1導電性膜を下部電極とし、前記第1導電性膜の上部に形成された第2絶縁膜を容量絶縁膜とし、前記第2絶縁膜の上部に形成された第2導電性膜を上部電極とする第1容量素子が形成され、
前記下部電極は、前記第1の駆動用MISFETのドレイン、前記第1の負荷用MISFETのドレイン、前記第2の駆動用MISFETのゲート電極および前記第2の負荷用MISFETのゲート電極を電気的に接続して前記メモリセルの第1の蓄積ノードを形成し、前記第2の駆動用MISFETのドレイン、前記第2の負荷用MISFETのドレイン、前記第1の駆動用MISFETのゲート電極および前記第1の負荷用MISFETのゲート電極を電気的に接続して前記メモリセルの第2の蓄積ノードを形成し、
前記第1容量素子は、前記第1の蓄積ノードおよび前記第2の蓄積ノードと電源電圧線との間、前記第1の蓄積ノードおよび前記第2の蓄積ノードと基準電圧線との間、もしくは前記第1の蓄積ノードと前記第2の蓄積ノードとの間に電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記第1開口部は、前記第1および第2の駆動用MISFETのゲート電極と、前記第1および第2の負荷用MISFETのドレインとに達していることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008268565A JP2009038396A (ja) | 2001-01-30 | 2008-10-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001022132 | 2001-01-30 | ||
JP2008268565A JP2009038396A (ja) | 2001-01-30 | 2008-10-17 | 半導体集積回路装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006035994A Division JP4535506B2 (ja) | 2001-01-30 | 2006-02-14 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009038396A true JP2009038396A (ja) | 2009-02-19 |
Family
ID=18887584
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002561287A Expired - Lifetime JP4056392B2 (ja) | 2001-01-30 | 2001-12-26 | 半導体集積回路装置 |
JP2008268565A Pending JP2009038396A (ja) | 2001-01-30 | 2008-10-17 | 半導体集積回路装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002561287A Expired - Lifetime JP4056392B2 (ja) | 2001-01-30 | 2001-12-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7067864B2 (ja) |
JP (2) | JP4056392B2 (ja) |
KR (3) | KR100574715B1 (ja) |
CN (2) | CN100394605C (ja) |
TW (1) | TW550791B (ja) |
WO (1) | WO2002061840A1 (ja) |
Families Citing this family (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3535615B2 (ja) | 1995-07-18 | 2004-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
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JP4083397B2 (ja) | 2001-06-18 | 2008-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
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WO2002061840A1 (fr) | 2002-08-08 |
US20040009639A1 (en) | 2004-01-15 |
KR20030069986A (ko) | 2003-08-27 |
CN100394605C (zh) | 2008-06-11 |
KR100574715B1 (ko) | 2006-04-28 |
KR20060004703A (ko) | 2006-01-12 |
KR100625129B1 (ko) | 2006-09-18 |
TW550791B (en) | 2003-09-01 |
US20060128094A1 (en) | 2006-06-15 |
CN101174633A (zh) | 2008-05-07 |
JP4056392B2 (ja) | 2008-03-05 |
US7067864B2 (en) | 2006-06-27 |
US7488639B2 (en) | 2009-02-10 |
JPWO2002061840A1 (ja) | 2004-06-03 |
KR20040060975A (ko) | 2004-07-06 |
CN1449586A (zh) | 2003-10-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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