JP2008539394A - プローブカードアセンブリの熱により誘起される運動に対処するための装置と方法 - Google Patents

プローブカードアセンブリの熱により誘起される運動に対処するための装置と方法 Download PDF

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Abstract

プローブカードアセンブリは、試験される電子デバイスと接するためのプローブを有する、プローブヘッドアセンブリを含み得る。プローブヘッドアセンブリは、配線基板と電気的に接続し、また補強板に機械的に取り付けられ得る。配線基板は試験装置との電気的接続を提供し得、また補強板は、プローブカードアセンブリを試験装置に取り付けるための構造を提供し得る。補強板は配線基板よりも大きな機械的強度を有し得、また配線基板よりも、熱により誘起される運動の影響を受けにくくし得る。配線基板は、配線基板の中央の位置で補強板に取り付けられ得る。配線基板が補強板に対して膨張および収縮し得るように、配線基板が補強板に取り付けられる他の位置に、空隙が設けられ得る。

Description

図1Aは、新しく製造された半導体ウエハー112または他の電子デバイス上のダイ(図示せず)を試験するために使用される、例示的な従来技術プローブシステムを示す。図1Aのプローブシステムは、試験ヘッド104およびプローバ102(断面図126にて図示し、プローバ102の内部の部分図を示す)を含む。半導体ウエハー112のダイ(図示せず)を試験するために、図1Aに示すように、ウエハー112は可動の試料台106の上に置かれ、ウエハー112のダイ(図示せず)上の端子(図示せず)が、プローブカードアセンブリ108のプローブ124と接触するように、試料台106が動かされる。このようにしてプローブ124と試験されるウエハー112のダイ(図示せず)との間に、一時的な電気的接続が確立される。
一般的に、ケーブル110または他の通信手段が、試験器(図示せず)を試験ヘッド104に接続する。電気コネクタ114は、試験ヘッド104をプローブカードアセンブリ108に電気的に接続する。図1Aに示すプローブカードアセンブリ108は、コネクタ114からプローブ基板122に電気的接続を提供し得る配線盤120を含み、前記プローブ基板はプローブ124に電気的接続を提供し得る。
このようにして、ケーブル110、試験ヘッド104、および電気コネクタ114は、試験器(図示せず)とプローブカードアセンブリ108との間の電気経路を提供し、プローブカードアセンブリ108は、これらの電気経路をプローブ124に延長する。このようにして、プローブ124が、ウエハー112上のダイ(図示せず)の端子(図示せず)と接する間に、ケーブル110、試験ヘッド104、電気コネクタ114,およびプローブカードアセンブリ108は、試験器(図示せず)とダイ(図示せず)との間に複数の電気経路を提供する。試験器(図示せず)は、これらのダイ(図示せず)への電気経路を通じて試験データを書き込み、試験データに応答してダイ(図示せず)によって生成される応答データは、これらの電気経路を通じて試験器(図示せず)に戻される。
特定の温度または温度の範囲にわたってウエハー112のダイ(図示せず)を試験することは、多くの場合有益である。この目的のために、加熱要素または冷却要素(図示せず)を試料台106またはプローバ102の他の場所に含め、試験の間ウエハー112を加熱または冷却することができる。たとえウエハー112(図示せず)が発熱し得る場合にも。加熱/冷却要素(図示せず)のどちらか、もしくはダイ(図示せず)の動作からのかかる加熱または冷却は、ウエハー112およびプローブ基板122の膨張または収縮の原因となり得、ウエハー112上のプローブ124および端子(図示せず)の位置を変化させ、それは、図1Aの略水平な面内でのプローブ124と端子(図示せず)との間の不整列の原因となり得る(この水平な面は、図1Aで「x、y」と表示した方向にあり、以下「x、y」運動と称す。図1Aで、「x」と表示した方向はページに沿って水平であり、「y」と表示した方向は、ページを貫通する方向で水平であり、「z」と表示した方向は上下向きである。これらの方向は相対的であり、便宜上のものであり、限定するものとして解釈されるべきではない)。かかる「x、y」の不整列が大きくなりすぎると、プローブ124は、もはや端子(図示せず)のすべてと接することができなくなる。
試験の間にウエハー112を加熱または冷却するための加熱要素または冷却要素(図示せず)の使用、および/または試験されるときのウエハー112のダイによる発熱はまた、ウエハー112に対向するプローブカードアセンブリ108の側面(ウエハー112に対向するプローブカードアセンブリの側面は、以下「前側」または「ウエハー側」と称す)と、プローブカードアセンブリの反対側(プローブカードアセンブリの反対側は、「後側」または「試験器側」と以下称す)との間の温度勾配をもたらす。かかる温度勾配は、プローブカードアセンブリ108がたわむ、またはゆがむ原因となり得る。かかるたわみがウエハー112の方に向くと、プローブカードアセンブリ108は過度の力でウエハー112を圧迫し、ウエハー112またはプローブカードアセンブリ108に損傷を与え得る。かかるたわみがウエハー112から離れる方に向くと、プローブ124の一部または全部は移動(図1Aに関して略上下方向に)して、ウエハー112上の端子(図示せず)と接しなくなり得る。プローブ124が端子(図示せず)と接しない場合には、ウエハー112上のダイ(図示せず)は、不成功として不当に試験される。(ウエハー112の方への、またはウエハー112から離れる運動は、図1Aの「z」方向で表示し、以下「z」運動と称する。)
しばしば、プローブカードアセンブリ108を、加熱(または冷却)された試料台106を有するプローバ102に設置した直後に、プローブカードアセンブリ108は、熱により誘起される運動を受ける。プローブカードアセンブリ108の前側と後側との間で、十分な温度平衡が達成された後にのみ、運動は停止し、プローブカードアセンブリ108の位置は安定する。もちろん、かかる平衡は、プローブカードアセンブリ108の前側の温度が、後側の温度と全く等しい完全平衡である必要はなく、むしろ、前側の温度および後側の温度は、プローブカードアセンブリ108の構造が熱による運動に抵抗することができるように、十分に近ければよい。かかる温度平衡またはほぼ平衡に達するまでの所要時間は、しばしば「熱平衡時間」または「熱浸漬時間」と称する。
一般に、プローブ基板122は配線盤120に直接的に取り付けられ、配線盤120は次いでプローバ102上の試験ヘッドプレート121に取り付けられる。図1Bに示すように、試験ヘッドプレート121はプローバ102の中に開口部132を形成し、その開口部132の中にプローブ基板122が適合する(図1Aに略示するように)。試験ヘッドプレート121は、プローブカードアセンブリ108を試験ヘッドプレート121に固定するボルト用の穴134を含み得る。(クランプ締めまたはボルト締め以外の技法が、プローブカードアセンブリ108を試験ヘッドプレート121に取り付けるために使用され得る。)配線盤120は一般的に、熱により誘起される「x、y」および「z」運動に特に影響を受けやすい、プリント回路基板材料から作られる。プローブカードアセンブリの熱により誘起される運動(「x、y」運動および「z」運動を含む)に対抗するための技法の改良、および熱平衡時間の短縮が望まれる。
プローブカードアセンブリの一部の実施形態によると、プローブヘッドアセンブリは、前記プローブカードアセンブリをプローバに取り付けるように構成され得る、金属補強板に直接的に取り付けられ得る。配線基板は、前記プローブヘッドアセンブリとの電気的接続を提供し得る。前記配線基板が前記補強板に対して膨張および収縮することができるように、前記配線基板は、前記補強板に取り付けられ得る。前記補強板は、前記配線基板よりも大きな機械的強度および/または剛性を有することができ、従って、前記配線基板よりも、熱により誘起される運動および/または変形の影響を受けにくいことが可能である。前記補強板はまた、前記配線基板よりも低い熱膨張係数を有し得る。
プローブカードアセンブリの一部の実施形態によると、熱により誘起される運動に対して前記補強板をさらに強くおよび/または剛にするために、トラス構造が前記補強板に取り付けられ得る。前記トラス構造に対して前記補強板の配向および/または形状を調整するために、調整機構が含まれ得る。
プローブカードアセンブリの一部の実施形態によると、スタッド構造が、前記トラス構造に取り付けられ得る。前記プローブカードアセンブリがプローバに取り付けられる間に、試験ヘッド上の把持部が前記スタッド構造を把持し、前記トラス構造に前記試験ヘッドの前記強度を加え、熱により誘起される運動に対して前記プローブカードアセンブリをさらにまた強化することができる。
プローブカードアセンブリの一部の実施形態によると、ヒートシンクが、前記プローブカードアセンブリの前側から前記プローブカードアセンブリの後側への熱の伝達を促進するために提供され得る。送風機またはヒートポンプが、前記ヒートシンクに加えて、またはその代わりに使用され得る。
プローブカードアセンブリの一部の実施形態によると、温度制御デバイスがプローブヘッドアセンブリに提供され得、電子デバイスの試験の間に、前記プローブヘッドアセンブリを加熱および/または冷却することができる。そうすることによって、前記プローブヘッドアセンブリは膨張または収縮し得、前記電子デバイスの熱により誘起される膨張または収縮と調和することができる。
本明細書は、本発明の例示的な実施形態および適用を説明する。しかしながら、本発明は、これらの例示的な実施形態および適用に限定されず、また例示的な実施形態および適用が動作する、もしくは本明細書に説明される方法に、限定されるものではない。
図2A、図2B、図2C、図3A、および図3Bは、本発明の一部の実施形態による「z」方向の熱による運動に抵抗するように構成される、例示的なプローブカードアセンブリ200を示す。(本明細書で使用するように、運動には、運動、変形,たわみ,ゆがみなどが含まれる。)図2Aは、プローブカードアセンブリ200の上面図、図2Bは底面図、および図2Cは横断面図である。(図2Aおよび図2Bでは、「x」方向はページに沿って水平であり、「y」方向はページ上の上下方向であり、「z」方向は、若干斜めに示しているが、ページに対して垂直、すなわちページを貫通する方向であり、図2Cでは、「x」方向はページに沿って水平であり、「y」方向は、若干斜めに示しているが、ページに対して垂直、すなわちページを貫通する方向であり、「z」方向はページ上の上下方向である。これらの方向は、図示および考察だけの目的で提供されるが、しかしながら限定するものではない。)図3Aは、配線基板204だけの上面図を示し、図3Bは、補強板202だけの上面図を示す。図1Aおよび図1Bのプローバ102および試験ヘッド104とともに使用することに限定されないが、図2A、図2B、および図2Cに示す例示的なプローブカードアセンブリ200は、プローブカードアセンブリ108の代わりに、図1Aおよび図1Bのプローバ102および試験ヘッド104に使用され得る。
図2A、図2B、および図2Cに示すように、プローブカードアセンブリ200は、補強板202、配線基板204、およびプローブヘッドアセンブリ222を含み得る。図2Bおよび図2Cに示すように、プローブヘッドアセンブリ222は、複数のプローブ224を含むことができ、それは、図1Aに示すプローブ124と同じように、試験される半導体ダイ(図示せず)上の端子(図示せず)と接するように構成され得る。プローブ224は(または本明細書で説明する任意のプローブは)、弾力性のある、伝導性のある構造であり得る。プローブ224は、弾力性のある、伝導性のある構造であり得る。適切なプローブ224の限定されない例は、米国特許第5,476,211号、米国特許第5,917,707号、および米国特許第6,336,269号に説明されている、弾力性のある材料で上塗りされているプローブヘッドアセンブリ(例えば、プローブヘッドアセンブリ222に似たもの)上の伝導性端子(図示せず)に接合される心線から形成される複合構造を含む。あるいは、プローブ224は、米国特許第5,994,152号、米国特許第6,033,935号、米国特許第6,255,126号、米国特許第6,945,827号、米国特許出願公開第2001/0044225号、および米国特許出願公開第2004/0016119号に開示されている、スプリング要素などの、リソグラフィー形成構造であり得る。プローブ224の限定されないさらに他の例は、米国特許第6,827,584号、米国特許第6,640,432号、米国特許第6,441,315号、および米国特許出願公開第2001/0012739号に開示されている。プローブ224の限定されない他の例は、伝導性のポゴピン、バンプ、スタッド、型打ちしたスプリング、針、バックリングビームなどを含む。
試験されるダイ(図示せず)は、非個別化半導体ウエハー(例えば、図1Aのウエハー112に似たもの)のダイ、個別化されたダイ(例えば、キャリヤ(図示せず)内に保持される)、マルチチップモジュールを形成するダイ、または試験されるダイの他の任意の配列でもあり得る。理解されるように、配線基板204は、プローブヘッドアセンブリ222への電気的接続を提供することができ、補強板202は、プローブヘッドアセンブリ222への機械的安定性を提供することができる。
図2A、図2B、および図2Cに示すように、配線基板204は、試験ヘッドコネクタ208を含むことができ、それは、電気コネクタ114を受容し、それによって試験ヘッド104(図1A参照)との電気的接続を行うためであり得る。試験ヘッドコネクタ208は、例えば、ゼロ挿入力コネクタまたは試験ヘッド104からのポゴピンと係合するためのポゴパッドであり得る。図4(配線基板204およびプローブヘッドアセンブリ222の概略図を示す)に示すように、電気経路402が、配線基板204を通って電気的接続404にまで提供され得、それは次いで電気経路406へプローブヘッドアセンブリ222を通って接続され、プローブ224へ達し得る。このようにして、電気的接続404とともに、配線基板204およびプローブヘッドアセンブリ222は、試験ヘッドコネクタ208とプローブ224との間の複数の電気経路を提供する。
図2A、図2B、および図2Cを再び参照すると、配線基板204は、上述の電気経路(図4での402)を提供するその能力のために選択され得る。例えば、配線基板204は、伝導性の導線(図示せず)が異なる層で導線(図示せず)を相互に接続するビア(図示せず)により形成され得る、絶縁材の複数の層(図示せず)を備え得る、当技術分野で公知の、プリント回路基板材料であり得る。
プローブヘッドアセンブリ222は、プローブ224のためのプラットフォームとして機能するための、また電気経路(図4での406)をプローブ224に提供するための能力のために選択され得る。プローブヘッドアセンブリ222は、導線(図示せず)および電気経路406(図4参照)を形成するビア(図示せず)を有する単一基板のような簡単なものであり得る。あるいは、プローブヘッドアセンブリ222は、より複雑であり得る。例えば、プローブヘッドアセンブリ222は、複数の基板を備え得る。
図5Aは、図2A、図2B、および図2Cに示すプローブカードアセンブリ200とともに使用され得る、複雑なプローブヘッドアセンブリ222の例を示す。図5Aでは、プローブヘッドアセンブリ222は、2つのスペーストランスフォーマー518および2つのインターポーザー520を含み得る。それぞれのスペーストランスフォーマー518は、差動ねじアセンブリ502(以下により詳細に説明する)によって、補強板202(図5Aに部分図のみを示す)に機械的に取り付けられ得る。それぞれのスペーストランスフォーマーは、試験される電子デバイス(図示せず)と接するためのプローブ224を含み得る。インターポーザー520は、配線基板204とスペーストランスフォーマー518との間に電気的接続を提供し得る。それぞれのインターポーザー520は、配線盤(例えば、プリント回路基板材料から作られる)を備え得、インターポーザー520の両面およびインターポーザー520を通る電気経路510(例えば、伝導性のあるビア)から伸びる電気伝導性のスプリング要素512および508は、配線基板204とスペーストランスフォーマー518との間に電気的接続を提供する。伝導性のスプリング要素512および508は、弾力性のある、伝導性の任意の構造であり得る。例えば、伝導性のスプリング要素512および508は、プローブ224に似たものであり得る。
スペーストランスフォーマー518は、セラミックまたは有機材料の層(図示せず)から作られ得、またスペーストランスフォーマー518を通る電気経路522は、異なる層上の導線を接続するビア(図示せず)を有する層(図示せず)上の伝導性の導線(図示せず)を備え得る。少なくとも1つのインターポーザーおよび少なくとも1つのスペーストランスフォーマーを含むプローブヘッドアセンブリの限定されない例は、米国特許第5,974,662号、米国特許第6,483,328号、および米国特許第6,509,751号に開示されている。以下の、米国特第5,806,181号、米国特許第6,690,185号、米国特許第6,640,415号、米国特許出願公開2001/0054905号、米国特許出願公開第2002/0004320号、および米国特許出願公開第2002/0132501号は、プローブヘッドアセンブリ222として使用することができるプローブヘッドアセンブリの他の例を開示している。別の例として、プローブヘッドアセンブリは、それぞれがプローブアレイを有し、プローブの大きなアレイを形成するよう位置付けられる、複数のプローブを備えることができる。かかるプローブヘッドアセンブリでは、それぞれのプローブヘッドは、独立して位置付け可能および調整可能であり得る。かかるプローブヘッドアセンブリの限定されない例は、「Method And Apparatus For Adjusting A Multi−Substrate Probe Structure」の名称で2005年6月24日に出願された米国特許出願第11/165,833号に開示されている。
図2A、図2B、および図2Cのプローブカードアセンブリ200の考察に戻り、図2A、図2B、および図2Cに示すように、補強板202によって提供され得る機械的な機能をここで参照すると、機械的締め具216は、プローブヘッドアセンブリ222を補強板202に機械的に取り付けることができる。図2Cに示すように、機械的締め具216は、配線基板204の穴242を貫通する。その結果として、プローブヘッドアセンブリ222は、配線基板204に直接的に取り付けられない。このようにして、配線基板204はまた、プローブヘッドアセンブリ222から熱的に切り離され得る。
機械的締め具216は、プローブヘッドアセンブリ222を補強板に固定するための任意の適切な手段も備え得る。例えば、機械的締め具216は、補強板のネジ穴(図3Bでの314)を貫通し、プローブヘッドアセンブリ222のネジ穴(図示せず)と係合する、ねじまたはボルト216(図2Cに示すように)のような簡単なものであり得る。あるいは、機械的締め具216は、追加の機能を提供するより複雑な構造であり得る。図5Aは、プローブヘッドアセンブリ222を補強板202に固定するだけでなく、さらに補強板202に対するプローブヘッドアセンブリ222(ひいてはプローブ224)の配向を制御するように構成され得る、機械的締め具の例を示す。
図5Aでは、プローブヘッドアセンブリ222(図5Aでのインターポーザー510およびスペーストランスフォーマー518)を補強板202に固定する機械的締め具は、差動ねじアセンブリ502であり得る。それぞれの差動ねじアセンブリ502は、補強板202にそれ自体がねじ込まれるナット506にねじ込まれるねじ(またはボルト)504を含に得る。このようにして、ナット506の内側はねじ504を受容するようにねじ切りをされ、またナット506の外側もまた、ナット506が補強板202にねじ込まれ得るようにねじ切りをされる。図5Aに示すように、ねじ504は、配線基板204の穴242およびインターポーザー520の穴514を貫通する。ねじ504は、スペーストランスフォーマー518に取り付けられるねじ切りされたスタッド516にねじ込まれる。配線基板204を貫通する穴242は余分な空隙を含み得、以下に説明するように、配線基板204が補強板202およびプローブヘッドアセンブリ222に対して移動(例えば、膨張および収縮)できるようにする。
アセンブリ502の1つのナット506の1つを調整することによって、対応するねじ切りされたスタッド516が取り付けられるスペーストランスフォーマー518の部分は、補強板202に向かって引っ張られ、または補強板202から押しやられ得る。それぞれがスペーストランスフォーマー518の異なる部分に取り付けられる複数のかかる差動ねじアセンブリ502を使用することによって、補強板202に対するスペーストランスフォーマー518の平面配向が調整され得る。
図5Bは、9つのねじ切りされたスタッド516を取り付けることができる、例示的なスペーストランスフォーマー518について示す。図5Bはまた、9つのナット506および9つのスタッド516にねじ込まれる、9つのねじ504を示す。(明瞭かつ簡潔に示すために、補強板202などの他の要素は図5Bに示さない。それでもやはり、上述し、図5Aに示すように、ナット506は補強板202にねじ込まれる。)第1の方向にナット506を回転させることは、対応するねじ切りされたスタッド516が取り付けられているスペーストランスフォーマー518の領域を、補強板202に向けて引っ張ることである。反対に、反対方向にナット506を回転させることは、ねじ切りされたスタッド516が取り付けられているスペーストランスフォーマー518の領域を、補強板202から離れるように押すことである。明白であるように、プローブ224が取り付けられるスペーストランスフォーマー518の表面540の平面配向および形状でさえも、補強板202に対して変えることができる。ねじ502のピッチ、ナット506の内側ねじの対応するピッチ、およびナット506の外側ねじのピッチは、補強板202に対するスタッド516の位置の微調整を可能にするように選択され得る。
図2Cに示すように、プローブカードアセンブリの補強板202がプローバ102のヘッドプレート121に取り付けられ、またプローブ224(二次元のアレイに配置され得る)がスペーストランスフォーマー518(図2Cに示すプローブヘッドアセンブリ222の一部を形成する)に取り付けられているので、補強板202に対するスペーストランスフォーマー518の平面配向または形状を調整することは、ヘッドプレート121に対するプローブ222の先端の平面配向を調整することであり、その結果として、プローブカードアセンブリ200がヘッドプレート121に取り付けられる間、先端は、試験されているダイの端子(図示せず)に対して平面にされ得る。
図5Aおよび図5Bに示す差動ねじアセンブリ502の数および配置は単なる例示である。かかるアセンブリ502よりも多い、または少ない数のものが使用され得、これらのアセンブリ502は、図5Aに示す配向および図5Bに示す配向以外の形態に配置され得る。スタッド516の数および間隔は、任意の多数の方法で選択され得る。例えば、スタッド516の数および間隔は、システムの立体模型および感度研究を実行するための有限要素法解析を使用して選択され得る。さらに、差動ねじアセンブリ502を使用する必要はない。実際には、プローブヘッドアセンブリ222を補強板202に固定するための、他の機構が使用され得る。例えば、分割ナットの差動ねじアセンブリが、ねじアセンブリ502の代わりに使用され得る。分割ナットは、ねじに予め荷重をかけることができ、緩みを防止し得る。別の例として、ねじアセンブリ502の一部は、補強板202からスペーストランスフォーマー518を押しやるが、補強板202に向けてスペーストランスフォーマー518を引っ張ることはできないアセンブリと、置き換えられ得る。
図2A、図2B、および図2Cのプローブカードアセンブリ200の考察に再び戻り、図2Cに示すように、プローブアセンブリ200では、配線基板204よりもむしろ補強板202が、プローバ102の試験ヘッドプレート121(図1B参照)に固定されるように構成され得る。図2A、図2B、図2Cに示す例示的なプローブカードアセンブリ200では、補強構造202は、放射状のアーム210を含み得る。図2Bおよび図2Cに最もよく見られるように、補強板202はまた、配線基板204のスロット302に配置されるタブ226を含み得る。放射状のアーム210およびタブ226を通る穴206および228は、試験ヘッドプレート121(図1Bを参照)の穴134と合致し、プローブカードアセンブリ200は、放射状のアーム210およびタブ226の穴206および228、および試験器ヘッドプレート121の穴134を貫通するボルト142によって、試験ヘッドプレート121(図1B参照)に取り付けられ得る。(図2Cでは、プローブカードアセンブリ200をプローバヘッドプレート121にボルト締めするためのボルト/ナットの組として、プローバヘッドプレート121を破線で示す。)
このようにして、補強板202が試験ヘッドプレート121にボルト締めされ、またプローブヘッドアセンブリ222が補強板202に取り付けられるので、補強板202がプローブヘッドアセンブリ222に機械的安定性を提供し得ることは、明白である。補強板202は、その強度および熱による運動に抵抗する能力のために選択され得る。例えば、補強板202(およびタブ226)は、通常配線基板204よりも強力で、運動、たわみ、ゆがみなどに対してより抵抗力のある金属(例えば、アルミニウム)を備え得る(例えば、上述のように、配線基板204は一般的にプリント回路基板材料から作られる)。補強板202(およびタブ226)が作られる他の金属の限定されない例は、鋼鉄、チタニウム、ニッケル、エックスインバー(ex invar)、コバール、黒鉛エポキシ、金属マトリクス材、セラミックなどを含む。さらに、前述の任意の材料の合金、または前述の任意の材料と他の材料との混合物も使用され得る。補強板202およびタブ226が、プローブヘッドアセンブリ222をプローバヘッドプレート121に取り付ける金属構造を形成し得ることは明白である。
図2A、図2B、図2C、図3A、および図3Bはまた、プローブ224の熱により誘起される運動を軽減するために実施される別の技法を示す。上述のように、一般的な配線基板204は、熱により誘起される運動の影響に対して敏感であり得る。図2A、図2B、図2C、図3A、および図3Bに示す例では、配線基板204が放射状に膨張および収縮するように、配線基板204は補強板202取り付けられ得る。すなわち、配線基板204は補強板202およびプローブヘッドアセンブリ222に対して放射状に動くことができる。これは、周囲温度の変化に応じた配線基板204の膨張または収縮によって引き起こされる、補強板202上での力を軽減する。
図2Aおよび図2Cに示すように、配線基板204は、配線基板204の一箇所(例えば、一般には中央)で補強板202に固定され得る。図2A、図2C、図3A、および図3Bに示すように、ねじまたはボルト214が、配線基板204を補強板202に固定するために使用され得る。かかるねじまたはボルト214は、補強板202の穴316(図3B参照)を貫通(またはねじ込みにより通過)し得、配線基板204(図3A参照)のネジ穴(または挿入部)252にねじ込まれ得る。
配線基板204がねじ214から放射状に離れて膨張し、またはねじ214に向かって放射状に収縮することができるように、空隙および他の方策が提供され得る。例えば、図2A、図2B、および図2Cでは、追加のボルト212およびナット232は、配線基板204が補強板202に対して回転することを防止する。図3Aに最もよく見られるように、ボルト212が貫通する配線基板204の穴246は、配線基板204の膨張および収縮のための空隙を設けるために細長い形であり得る。余分な空隙は同様に、プローブヘッドアセンブリ222を補強板202に固定する機械的締め具216が貫通する、配線基板204の穴242に提供され得る。余分な空隙により配線基板204は膨張および収縮することができる。余分な空隙は同様に、配線基板204のスロット302に提供され、配線基板204の膨張および収縮を可能にする。潤滑、ベアリング、または他の手段(図示せず)が配線基板204の表面に任意に提供され、補強板202およびプローブヘッドアセンブリ222に対する配線基板204の運動を促進し得る。
図6は、本発明の一部の実施形態よる、熱による運動に抵抗するように構成された別の例示的なプローブカードアセンブリ600の、簡略化されたブロック図を示す。プローブカードアセンブリ600は、トラス構造604が付いている以外は、プローブカードアセンブリ200に概略類似していると言える。プローブカードアセンブリ600の補強板202、配線基板204、およびプローブヘッドアセンブリ222は、プローブカードアセンブリ200で同様に名前付けおよび番号付けされた要素と同じであり得、また簡素かつ簡潔に図示するために、プローブカードアセンブリ200に対して上記で示し論じた詳細は省略し、ブロック図形式で図6に示される。図6(プローブカードアセンブリ600の側面図を示す)に示すように、トラス構造604は、補強板202に固定され得る。理解されるように、トラス構造604は、プローブカードアセンブリ600が熱により誘起される「z」運動および/または機械的運動にさらに抵抗することを支援する、さらなる補強構造となり得る。
トラス構造604および補強板202のみを示す図7Aおよび図7Bは、例示的なトラス構造604の詳細を示す。(図7Aは、トラス構造604および補強板202の上面図を示し、また図7Bは切断側面図を示す。)
図7Aおよび図7Bに示すように、トラス構造604は、補強板202に固定され得る。トラス構造604は、適切な任意の手段を利用して、補強板202に固定され得る。図7Aおよび図7Bでは、複数のねじ(またはボルト)614が、トラス構造604の穴(図示せず)を貫通し、補強板202の対応する穴(図示せず)にねじ込まれる。図7Aおよび図7Bに示す例示的なトラス構造604では、ねじ614の一部は、トラス構造604の主部を貫通し、またねじ614の一部は、トラス構造604の主部から延伸したアーム628を貫通する。
トラス構造604は、トラス構造604および補強板202が単一の固体の構造として達成できる剛性対重量比よりも、大きな剛性対重量比を有し得る複合構造を、補強板202との組み合わせにおいて、生成できるように設計され得る。トラス構造604は、穴がないことよりもむしろ、空隙を含むことができる。図7Aおよび図7Bに示す例示的なトラス構造604は、複数の略正方形の空隙620および複数略長方形または平らにされた楕円形の空隙618を含み得る。しかしながら、もちろん、空隙の数および形状は重要な問題ではなく、任意の数および形状の空隙でも使用され得る。空隙618、620は、機械的締め具216(図6、図7A、または図7Bに図示せず)へのアクセスを提供し得る。例えば、図7Aでは、機械的締め具216用の補強板202の穴314が、正方形の空隙620の一部を通じて見ることができる。
構造604は空隙618および620を含むことができるので、それは穴のない構造ほど重くない。しかしながら、機械的強度、すなわち剛性への寄与は、一般に、構造604の厚さの関数であり得る。従って、構造604が空隙618および620を有するという事実は、所与の厚さに対して、トラス構造604は穴のない構造よりも重量が少ないが、穴のない構造と略同量の機械的強度を提供し得ることを意味する。
トラス構造604が補強強度をプローブカードアセンブリ200に加えるので、補強板202を比較的薄くし得る。一般的に言えば、補強板202が薄くなるにつれて、プローブアセンブリ600の熱平衡時間は短縮される。上述のように、プローブカードアセンブリを加熱(または冷却)試料台106を有するプローバ(例えば、図1Aの102)に設置した直後に、プローブカードアセンブリは通常、熱により誘起される運動を受ける。十分な温度平衡が、プローブカードアセンブリの前側と後側との間で達した後のみ、プローブカードアセンブリの位置は安定する(すなわち、プローブカードアセンブリの重大な運動が停止する)。(図6では、前側は690と表示し、また後側は692と表示する。)上述のように、かかる平衡は、プローブカードアセンブリの前側の温度が後側の温度と等しい完全平衡である必要はなく、むしろ、前側の温度および後側の温度が、プローブカードアセンブリの感知できる運動が停止するほどに、十分に近いだけでよい。上述のように、かかる温度平衡またはほぼ平衡に達する所要時間はしばしば、熱浸漬時間または熱平衡時間と称する。補強板202が薄くなるにつれて、補強板202の熱質量は減少し、従って、プローブカードアセンブリ600の前側の温度と等しいまたはほぼ等しくなるように補強板202を加熱(または冷却)する時間は短縮される。従って、補強板202が薄くなるにつれて、熱平衡時間は短縮される。
プローブカードアセンブリ600の熱平衡時間は、補強板202とトラス構造604との間に熱抵抗材料(図示せず)を設置することによってさらに短縮され得る。熱抵抗材料(図示せず)は、トラス構造604を補強板202から熱的に絶縁し、トラス構造604による熱平衡時間へのいかなる寄与をも排除または低減することができる。トラス構造604が補強板202から熱的に絶縁されるので、補強板202のみが、トラス構造604もまたではなく、プローブカードアセンブリの前側(ダイ側)とほぼ温度平衡(上述のように)に達する必要がある。
さらに、トラス構造604は空隙618および620を有するので、トラス構造604はラジエータのように作用し、従って、略周囲温度に、または略周囲温度に近い温度に留まることができる。これはトラス構造604の空隙618および620により、空気がトラス構造604の周囲を循環し、トラス構造604に蓄積される任意の過剰熱を奪い去ることができるためである(または、空気がトラス構造604よりも暖かい場合には、トラス構造604を温める)。これは、トラス構造604それ自体が、感知されるレベルの熱により誘起される運動(「z」または「z、y」方向のどちらか)を受けることは起こりそうもないことを意味し、プローブカードアセンブリ600の熱平衡時間に対するトラス構造604の寄与(従って増加させる)をさらに除去する。
再び図6を参照すると、試験の間、試験される電子デバイス680は、もちろん、プローブカードアセンブリ600の前側690に位置付けられ得る。電子デバイス680が加熱される場合には、熱源(図示せず)もまた、プローブカードアセンブリ600の前側690に位置し得る。このようにして、温度勾配が、プローブカードアセンブリ600の前側690から後側692に向けて生成され得る。かかる温度勾配を矢印682によって図6に表し、ここでは矢印の方向は、温度下降を示している。温度勾配682の値が既知であるか、または見積られ得る場合には、プローブヘッドアセンブリ222、補強板202、およびトラス構造604の材料は、それぞれが同量に膨張または収縮することができるように選択され得る。すなわち、プローブヘッドアセンブリ222は、温度勾配682における予想温度に応じておおよそ特定の距離「d」だけ膨張するように、低い熱膨張係数を有する材料から作られ得る。プローブヘッドアセンブリ222よりも低温となる補強板202は、同様に温度勾配682における(比較的低い)予想温度に応じて同じ特定の距離「d」だけ膨張するように、比較的高い熱膨張係数を有する材料から作られ得る。補強板202よりもさらに低温となるトラス構造604は、同様に温度勾配682における(さらに低い)予想温度に応じて同じ特定の距離「d」に膨張するように、さらに高い熱膨張係数を有する材料から作られ得る。
図7Aおよび図7Bに示すように、プローブカードアセンブリ600は、トラス構造604に対する補強板202の位置を調整するための調整機構616を含み得る。図7Aおよび図7Bに示す調整機構616は、差動ねじアセンブリ502に関して略上述したように、それ自体がトラス構造604にねじ込まれる、ねじ切りされたナット634にねじ込まれるねじ632をそれぞれ含む、差動ねじアセンブリであり得る。すなわち、ねじ632はまた、補強板202に取り付けられたねじ切りされたスタッド636にねじ込まれる。差動ねじアセンブリ502に関してさらに上述したように、一方向にナット634を回転させることは、ねじ切りされたスタッド636(ひいては、スタッド636が取り付けられている補強板202の部分)を、トラス構造604に向けて引っ張ることであり、また反対方向にナット634を回転させることは、ねじ切りされたスタッド636(ひいては、スタッド636が取り付けられている補強板202の部分)を、トラス構造604から離れるように押すことである。明白なように、トラス構造604および補強板202上の様々な場所に配置される複数のかかる調整機構616(例えば、差動ねじ)を使用することにより、補強板202の平面配向および形状でさえも、トラス構造604に対して調整することができる。
調整機構616として差動ねじアセンブリを使用することは、単なる例示であり、トラス構造604に対して補強板202の平面配向を調整するための他の機構も使用され得る。例えば、1つ以上の差動ねじアセンブリ(例えば、616)は、補強板202をトラス構造604から離れるように押すだけの機構で置き換えられ得る。例えば、ねじ切りされたスタッド636は除去され得、その結果として、ねじ632が補強板202、またはねじ632と補強板202との間に配置される機械要素(例えば、金属球)を圧迫する。そのような構成では、第1の方向にねじ632を回転させることにより、ねじ632は補強板202を圧迫し、従って、補強板202をトラス構造604から離れるように押しやる。しかしながら、反対方向にねじ632を回転させることは、補強板202を引っ張ることなく、補強板202からねじ632を単に引き戻すことである。バネ仕掛けの機構(図示せず)が、補強板202にトラス604に向けてバイアス力を加えるために提供され得る。使用する調整機構616の型にかかわらず、図7Aおよび図7Bに示すものよりも多くのまたは少ない調整機構616が使用され得る。
プローブカードアセンブリ600の製造後、および/またはダイ(図示せず)を試験するプローブカードアセンブリ600の使用の合間に、調整機構616は、トラス構造604に対する補強板202の平面配向および/または形状を調整するために使用され得る。さらに、プローブカードアセンブリ600をプローバ102の試験ヘッドプレート121にボルト締めする前、またはプローブカードアセンブリ600が試験ヘッドプレート121にボルト締めされる間、あるいはプローブカードアセンブリ600を試験ヘッドプレート121から取り外した後に、調整機構616は補強板202を調整するために使用され得る。
調整機構616はまた、ダイ(図示せず)を試験する間、補強板202(またはプローブカードアセンブリ600の他の任意の部分)の熱により誘起される運動を打ち消すように、補強板202を調整するために使用され得る。ダイ(図示せず)の試験の間に検出されたプローブ224の運動に応じて、調整機構616は、検出された運動を打ち消すように、補強板202(上述のような)の選択された領域を押し、または引くように選択的に働かされ得る(すなわち、プローブ224が元の位置に戻るように補強板202を動かす)。
プローブ224の運動の検出は、適切な任意の方法で直接的または間接的に達成され得る。例えば、センサーが、かかる運動を検出するために使用され得る。図7Aおよび図7Bに示す例では、ひずみゲージ622が、空洞638を含み得る補強板202に配置され得、補強板202の特定の場所の応力のレベルを監視する。より多くのまたはより少ないセンサー622が使用され得るが、4つのかかるセンサー622が図7Aに例示されている。プローブヘッドアセンブリ222は補強板202に直接的に取り付けられるので、補強板202のひずみを監視することは、プローブ224の運動を間接的に監視することである。プローブが移動した、または移動しそうであることを示す十分なひずみが補強板202上で検出される場合には、調整機構616は検出されたひずみおよび/または予測される運動を打ち消すように選択的に働かされ得る。もちろん、ひずみゲージ以外のセンサー622が使用され得る。他のセンサーの例は、プローブ224またはプローブカードアセンブリ600の他の部分の運動を監視するためのレーザーを基にしたセンサー、およびプローブ224とダイ(図示せず)との間の接点接続の電気的抵抗を監視するためのセンサーを含む。
図8は、補強板202の運動または変形を監視するための、および運動または変形を打ち消すように補強板202を調整するためのシステムを示す。センサー622(例えば、ひずみゲージ)からの出力706は、プロセッサ704によって処理され得、またその結果はディスプレイ702に対する出力708であり得る。プロセッサ704は、例えば、ソフトウェア(ファームウェアまたはマイクロコードを含むが、これに限定されない)制御のもとで起動するマイクロプロセッサまたはコントローラであり得、またディスプレイ702は一般的なコンピュータディスプレイであり得る。人間のオペレータは、ディスプレイ702を観察し得、補強板202が運動または変形を受けていることを判定した後に、運動または変形を打ち消すように調整機構616を操作し得る。図8はまた、プロセッサ704が制御信号710を出力して、補強板202を調整するようにナット634を回転させるアクチュエータ712を駆動する、別の代替案を示す。例えば、かかるアクチュエータ712は精密ステッピングモーター(図示せず)であり得る。
図9Aおよび図9Bは、さらに別の例示的なプローブカードアセンブリ900(プローバ802に示す)を示す。プローブカードアセンブリ900は、プローブカードアセンブリ600と概略類似し得、プローブカードアセンブリ600で同様に名前付けおよび番号付けされた要素と同じであり得るプローブヘッドアセンブリ222、配線盤204、補強板202、およびトラス構造604を含み得る。図9Aに示すように、プローブカードアセンブリ900はまた、トラス構造604に固定され得るスタッド構造820を含み得る。可動の把持部822が試験ヘッド804に取り付けられ得、それは図1Aの試験ヘッド104と、その他の点では類似し得る(例えば、ケーブル810または他の通信媒体が、試験ヘッド804を試験器(図示せず)に接続する)。プローバ802はまた、図1Aのプローバ102と類似し得る。図9Aに示すように、プローブカードアセンブリ900は、ボルト842によりプローバヘッドプレート834にボルト締めされ得、それは、図1Aのプローバヘッドプレート121に類似し得る。図9Aには、プローブヘッドアセンブリ222およびダイ912を有する試料台906を見せるための、切り取り850が含まれていることに留意されたい。試料台906は、図1Aの試料台106に似たものであり得、また試験されるダイ912は、非個別化半導体ウエハー(例えば、図1Aのウエハー112に似たもの)、個別化されたダイ(例えば、キャリヤ(図示せず)内に保持される)、マルチチップモジュールを形成するダイ、または試験されるダイの他の任意の配列であり得る。
図9Aにさらに示すように、プローブカードアセンブリ900が、プローバヘッドプレート834にボルト絞め(842)されると、把持部822は、スタッド構造820を把持することができる。把持部822は、試験ヘッド804に取り付けられ得、このようにしてプローブカードアセンブリ900の熱により誘起される運動に抵抗するうえでの、試験ヘッド804の強度を追加する。図9Aに示すように、把持部822は、剛体棒、プレート、または試験ヘッド804に組み込まれる他の構造874に取り付けられ得る。
図9Bに示すように、スタッド構造820は、スタッド830と、ボルト、溶接、または他の適切な任意の手段(図示せず)によってトラス構造604に取り付けられ得る、取り付け基部832とを含み得る。把持部822は、上下に(図9Bに対して)移動し、さらに水平運動および/または回転運動も可能なアクチュエータ824を含み得る。剛性板825はアクチュエータ824に取り付けられ得、また可動アーム826は剛性板825に取り付けられ得る。それぞれの可動アーム826は、把持部パッド828を含み得る。
最初に、アクチュエータ824は把持部822を、図9Bに破線890で示すように、外された状態に位置付け得る。プローブカードアセンブリ900がプローバヘッドプレート834にボルト締め842された後で(プローバヘッドプレート834にボルト締め842されたプローブカードアセンブリ900を図9Aに示す)、アクチュエータ824は、図9Bに破線890で示すように、把持部822をスタッド830に整列させることができる。次に、図9Bに破線892で示すように、剛性板825がスタッド830に対して接触するように、アクチュエータ824は把持部822を移動することができる。その後、図9Bの実線でおよび図9Aに示すように、把持部パッド828がスタッド830を把持するように、可動アーム826を移動させることができる。上述のように、試験ヘッド804は、かくしてプローブカードアセンブリ900の熱により誘起される「z」運動に耐えるような、強度に至ることができる。
図10A、図10B、および図10Cは、さらに別の例となるプローブカードアセンブリ1000を示し、それは、図10A、図10B、および図10Cに示すように、プローブカードアセンブリ200の同様に名前付けおよび番号付けされた要素と類似の、プローブヘッドアセンブリ222、配線基板204、および補強板202を含み得る。図10Bおよび図10Cに示すように、プローブカードアセンブリ1000はまた、プローブカードアセンブリ1000の前側に配置されるヒートシンク1002を含み得る。プローブヘッドアセンブリ222のための開口部1004を含み得るヒートシンク1002は、高熱伝導率を有する材料から作られ得、同様に高熱伝導率を有する取り付け部要素1006で補強板202に取り付けられ得る。図10Cに示す例では、それぞれの取り付け部要素1006は、ヒートシンク1002上のねじ切りされたスタッド1014にねじ込まれるねじ1008を含み得る。ねじ1008は補強板202のネジ穴(図示せず)および配線基板204の穴1012を貫通する。配線基板の穴1012は、図2A、図2B、および図2Cについて上述したように、配線基板に膨張および収縮させることができる余分な空隙を含み得る。ねじ切りされたスタッド1014は、補強板202に対して接触することができ、スタッド1014およびねじ1008は熱伝導性材料から作られ得る。
ヒートシンク1002および熱伝導性取り付け部要素1006が、プローブカードアセンブリ1002の前側から補強板202(プローブカードアセンブリ1002の後側)への、高熱伝導率を有する複数の経路を提供し得ることは、明白である。プローブカードアセンブリ1000がプローバ(例えば、図9Aのプローブカードアセンブリ900と似たもの)にボルト締めされる間に、ヒートシンク1002はかくして、試験されるダイ(図示せず)を保持する試料台(例えば、図9Aの906)に対面する。試料台が加熱または冷却される場合には、またはダイ(図示せず)が試験の間かなりの熱を生成または吸収する場合には、ヒートシンク1002および取り付け部要素1006はかくして、プローブカードアセンブリ1000の前側からプローブカードアセンブリ1000の後側へ、または後側から前側へ熱を伝導するための、低熱抵抗を有する複数の経路を提供することができる。これにより、プローブカードアセンブリ1000の前側および後側が温度平衡に達するまでの所要時間が削減され、ひいてはプローブカードアセンブリ1000の熱平衡時間を短縮する。これはまた、試験の間のプローブカードアセンブリ1000の前側と後側との間の温度平衡を維持することを支援し得る。プローブヘッドアセンブリ222を補強板202(図2C参照)に取り付ける機械的締め具216はまた、熱伝導性材料を備え得、かくしてプローブヘッドアセンブリ222(プローブカードアセンブリ1000の前側)から補強板202(プローブカードアセンブリ1000の後側)へ熱を伝導するための、低熱抵抗を有する追加の経路を提供し得る。
図10A、図10B、および図10Cには示されていないが、上述の熱伝導性経路(例えば、ヒートシンク1002ならびに熱伝導性取り付け部要素1006および/またはプローブヘッドアセンブリ222ならびに機械的締め具216)を通って補強板202に伝達される熱を、補強板202の周囲空気に逃すのを遅らせる、または防ぐために、熱絶縁材料(図示せず)が補強板202の周囲に配置され得る。トラス構造604が補強板202に取り付けられている(図6のように)場合には、熱絶縁材料(図示せず)はまた、トラス構造604の周囲に配置され得る。また、図10A、図10B、または図10Cに示されてはいないが、熱ダイオードがヒートシンク1002と補強板202との間の熱伝導性経路に配置され得、プローブカードアセンブリ1000の前側と後側との間の温度平衡(または別の所定の条件)が達成されている間はスイッチを切り、それにより熱エネルギーの伝導を停止するように構成され得る。
図11A、図11B、および図11Cに示す例示的なプローブカードアセンブリ1100は、ヒートシンク1002の代替案を示す。例示的なプローブカードアセンブリ1100では、送風機1102が、プローブカードアセンブリ1100の前側からプローブカードアセンブリ1100の後側へ空気を引く。図11A、図11B、および図11Cに示すように、送風機1102はプローブカードアセンブリ1100の前側から、配線基板204および補強板202の通路1104および1106を通って、プローブカードアセンブリ1100の後側へ空気を引く。(矢印1110は空気の流れの方向を示す。)再び、これにより、プローブカードアセンブリ1100の前側および後側が温度平衡に達するまでの所要時間を削減し得、ひいてはプローブカードアセンブリ1100の熱平衡時間を短縮し得る。これはまた、試験の間のプローブカードアセンブリ1100の前側と後側との間の温度平衡を維持することを支援し得、それはダイ(図示せず)の試験の間のプローブカードアセンブリ1100の熱により誘起される運動を除去または少なくとも軽減することができる。もちろん、通気路1104および1106のそれぞれは、複数の比較的小さな通路で置き換えられ得る。送風機1102および通路1104、1106はこのようにして、プローブカードアセンブリ1100の前側からプローブカードアセンブリ1100の後側へ、または後側から前側へ熱を伝導することができる。
図12Aおよび図12Bは、送風機1104が、カバー1202に置かれている送風機1204で置き換えられ得ることを除いては、図11A、図11B、および図11Cのプローブカードアセンブリ1100と概略類似し得るプローブカードアセンブリ1200を示す。すなわち、カバー1202が補強板202に取り付けられ得、図12Bに示す空洞1206を形成する。送風機1204は、プローブカードアセンブリ1200の前側から、配線基板204および補強板202の通路1104および1106を通って空気を引く。図12Bに示すように、空気はまた空洞1206を通り抜け、同時に補強板202を通り越す。(空気の流れを矢印1210によって示す。)再び、これにより、プローブカードアセンブリ1200の前側および後側が温度平衡に達するまでの所要時間を削減し得、ひいてはプローブカードアセンブリ1200の熱平衡時間を短縮することができる。これはまた、試験の間のプローブカードアセンブリ1200の前側と後側との間の温度平衡を維持することを支援し得、これはダイ(図示せず)の試験の間のプローブカードアセンブリ1200の熱により誘起される運動を除去、または少なくとも軽減することができる。送風機1204および通路1104、1106はこのようにして、プローブカードアセンブリ1200の前側からプローブカードアセンブリ1200の後側へ、または後側から前側へ熱を伝導することができる。通気路1104および1106のそれぞれは、複数の比較的小さな通路で置き換えられ得る。
図13A、図13B、および図13Cは、別の例示的なプローブカードアセンブリ1300を示す。プローブカードアセンブリ1300は、取り付け/配線構造1302およびプローブ(プローブ1324a〜1324dを示す)を有するプローブヘッドアセンブリ1322を含み得、このプローブはプローブ224と概略同様であり得る。取り付け/配線構造1302(図13A、図13B、および図13Cに部分的に示されている)は、プローブヘッドアセンブリ1322へのおよびからの電気配線と、プローバに取り付けるための構造との両方を提供し得る。プローブヘッドアセンブリ1322への配線と、プローバに取り付けるための構造との両方を提供するための、適切な任意の構造を表すことを意図しているので、取り付け/配線構造1302は図13A、図13B、および図13Cにおいて概略的に示されている。例えば、取り付け/配線構造1302は、図1Aの配線基板120と同様に、標準配線基板と同じくらい簡単なものであり得る。あるいは、取り付け/配線構造1302は、図2A、図2B、および図2Cの配線基板204および補強板202、図7Aおよび図7Bのトラス構造604、および図9Aおよび図9Bのスタッド構造820と類似の、これらのように構成される1つ以上の配線盤、補強板、トラス構造、およびスタッド構造を備え得る。さらに別の例として、取り付け/配線構造1302は、同軸ケーブルインターフェース(図示せず)または試験器(図示せず)とインターフェースをとるためのかかる他のコネクタを備え得る。同軸ケーブルインターフェース(図示せず)の例は、米国特許出願公開第2002/0195265号に開示されている。
プローブヘッドアセンブリ1322は、図2A、図2B、および図2Cのプローブヘッドアセンブリ222と概略類似し得、またプローブ1324a〜1324dは、図2A、図2B、および図2Cのプローブ224と類似し得る。図13A、図13B、および図13Cに示すように、プローブヘッドアセンブリ1322は、さらに1つ以上の温度制御デバイス1340を含み得る。
動作温度範囲にわたり半導体ダイを試験することが、時として所望される。すなわち、プローブカードアセンブリを経て、ダイへおよびダイから試験信号が通過し得る間、ダイの温度は比較的低温から比較的高温にまで(または逆に)変化する。しかしながら、潜在的な問題が存在する。ダイおよびプローブヘッドアセンブリは通常、異なる熱膨張係数を有する異なる材料から作られ得るので、ダイおよびプローブヘッドアセンブリは、温度の変化に応じて異なる比率で膨張または収縮する。例えば、プローブヘッドアセンブリは、ダイの一般的な材料であるシリコンよりも高い熱膨張係数を有し得る、セラミック材料で作られ得る。
図13Aおよび図13Bは、この問題を図示する。図13Aでは、プローブカードアセンブリ1300のプローブ1324a〜1324dは、試験される1つ以上のダイ1312の端子1344と接触させられ得る。(ダイ1312は、非個別化半導体ウエハー(例えば、図1Aのウエハー112に似たもの)のダイ、個別化されたダイ(例えば、キャリヤ内に保持される(図示せず))マルチチップモジュールを形成するダイ、または試験されるダイの他の任意の配列でもあり得る。)(図13A、図13Bにおいて、取り付け/配線構造1302、半導体ダイ1312、および試料台1306が部分的に示されている。上述のように、プローブカードアセンブリ1300はプローバ(図示せず)に取り付けられ得、また試料台1306はプローバ内にあり得る。)この例では、ダイ1312の温度は上昇し、これにより、ダイ1312およびプローブカードアセンブリ1322は温度の上昇に応じて膨張する。しかしながら、ダイ1312はプローブヘッドアセンブリ1322よりも大きな比率で膨張し、図13Bに示すように、プローブ1324a〜1324dは最終的に、ダイ1312の端子1344と整列しなくなる。図13Bの例では、プローブ1324dは対応する端子1344と不整列となり、その結果として、プローブ1324dと端子1344との間の接触が失われる。(プローブヘッドアセンブリ1322に対するダイ1312の純膨張が、図13Bの矢印1330によって表されている。)
プローブヘッドアセンブリ1322の温度制御デバイス1340は、プローブ1324a〜1324dおよび端子1344の不整列を修正するために働かされ得る。すなわち、温度制御デバイス1340は、プローブヘッドアセンブリ1322を加熱するように働かされ得るので、その結果として、それはダイ1312と同じくらい、またはほぼ同じくらい膨張する。図13Cでは、温度制御デバイス1340によって引き起こされるプローブヘッドアセンブリ1322の追加的な膨張を、矢印1332によって表す。図13Cに示すように、この膨張はプローブ1324a〜1324dを、端子1344に対して再整列させる。
もちろん、所定の試験温度範囲にわたり、プローブ1324a〜1324dがダイ1312のダイ端子1344と整列することを維持するために、冷却が必要な場合には、温度制御デバイス1340は、あるいはプローブヘッドアセンブリ1322を冷却し得る。実際に、ダイ1312の温度とは無関係にプローブヘッドアセンブリ1322の温度をこのように制御することによって、ダイ1312は、プローブ1324a〜1324dとダイの端子1344との整列を維持しつつ、他の方法で可能となるよりも、より大きな温度範囲にわたり試験され得る。このようにして温度制御デバイス1340は、例えばダイ1312の試験の間に、プローブ1324a〜1324dの位置(例えば、横方向の位置)を制御するために使用され得る。
一実施形態では、プローブ1324a〜1324dが取り付けられるプローブヘッドアセンブリ1322の部分は、セラミック材料を備え、またダイ1312はシリコンを備える。プローブヘッドアセンブリ1322およびダイ1312の両方が、ダイ1312のダイ(図示せず)が試験される温度範囲の中の最も高い温度である間に、プローブ1324a〜1324dは、ダイ1312上の端子1344と整列するようにプローブヘッドアセンブリ1322上で位置付けられ得る。このようにして、ダイ1312のダイを試験する間、最も高い試験温度においては、プローブ1324a〜1324dは、プローブヘッドアセンブリ1322の温度を変える必要なくダイ端子1344と自然に整列し、またより低い温度のすべてにおいては、プローブヘッドアセンブリ1322は温度制御デバイス1340(ひいては加熱デバイスであってもよい)によって加熱され得、プローブ1324a〜1324dをダイ端子1344と整列させる。
一部の実施形態では、プローブヘッドアセンブリ1322は、絶縁材の1つ以上の層の間に配置される伝導性材料の1つ以上の層を備える多層基板を備える。図14は、本発明の一部の実施形態による、かかる多層基板の例を示す。示すように、プローブヘッドアセンブリ1322は、電気的絶縁材料(例えば、セラミック)の複数の層1410、1412を備え得る。(2つの層1410、1412が示されているが、より多くの、またはより少ない層が使用され得る。)電気的伝導性パッドまたは導線1402、1404、1426は、絶縁層1410、1412の上に、およびそれらの間に配置され得、電気的伝導性ビア(図示せず)は、層1410、1412のうちの1つまたは両方を通って、異なる層上のパッドまたは導線を電気的に接続するように設けられ得る。図14に示すように、プローブ1324a〜1324dはパッド1404に取り付けられ得、パッド1402は、取り付け/配線構造1302(図13C参照)との電気的接続を提供し得る。層1410を通るビア(図示せず)、導線(例えば、層1410、1412との間の1426)、および層1412を通るビア(図示せず)は、パッド1402のうちの1つをパッド1404のうちの1つと電気的に接続することができる。
温度制御デバイス1340は、層1410、1412との間に組み込まれる1つ以上の伝導性導線1426を備え得る。すなわち、1つ以上の導線1426は、材料を通過する電流に応じて熱を発生する材料を備え得る。電流は、他の用途には使用されない(例えば、プローブ1324a〜1324dを有するパッド1404とは電気的に接続されない)1つ以上のパッド1402を通じて、かかる加熱器を形成する1つ以上の導線1426に供給され得る。電流は、パッド1402以外の電気的接続を通じて、温度制御デバイス1426に提供され得る。いかにして電流が温度制御デバイス1426に供給されるかにかかわらず、上述のように(図13A〜図13C参照)、ダイ1312の温度が試験の間に変化するときに、プローブ1324a〜1324dと試験されるダイ1312の端子1344との整列を維持するために、プローブヘッドアセンブリ1322を十分加熱するのに必要な量の電流が加えられ得る。
電流が材料を通過する間に熱を発生する電気的伝導性材料は、温度制御デバイス1340の一例にすぎない。他の例では、温度制御デバイス1340は、加熱または冷却された液体または気体が通過するチューブを備え得る。さらに、温度制御デバイス1340は、プローブヘッドアセンブリ1322の外側に配置され得る。
図15は、ダイの温度が変化し、検出された不整列を補償するために必要なプローブヘッドアセンブリの温度を調整するときの、ダイを試験する間の、プローブカードアセンブリのプローブとダイの端子との整列を監視するためのプロセス1500を示す。図16は、図15のプロセスを実施するためのシステム1600の、簡略化されたブロック図を示し、また図17は、図15のプロセスが使用され得る、例示的な試験ヘッド1704およびプローバ1704を示す。
図15に示すように、プロセス1500は、プローバ内へのプローブカードアセンブリの設置をもって始まり得る(1502)。図17に示す例を参照すると、プローブカードアセンブリ1300(上述のように、取り付け/配線構造1302およびプローブヘッドアセンブリ1322を含み得る)は、プローバ1702のプローバヘッドプレート1732にボルト締めされ得る。図15を再び参照すると、プローブカードアセンブリのプローブは次いで、試験されるダイの端子と接触することができる(1504)。例えば、図17に示すように、ダイ1312は、プローバ1702の試料台1706の上に設置され得、試料台1706は、ダイ1312のダイ(図示せず)の端子1321を移動させ、プローブカードアセンブリ1300のプローブ1324と接触させることができる。図15の1506では、ダイが試験され得る。図17に示す例では、試験器(図示せず)は、ケーブル1710を経て試験ヘッド1704へ、プローブカードアセンブリ1300を通ってダイ1312のダイ(図示せず)へ伝達され得る試験データを生成し、またダイ(図示せず)によって生成される応答データは、プローブカードアセンブリ1300、試験ヘッド1704、およびケーブル1710を通って、元の試験器(図示せず)へと伝達され得る。(図1Aの114と同様な接続が、示されていないが存在し得、試験ヘッド1704をプローブカードアセンブリ1300に接続する。)図15の508では、1506でダイが試験されているときに、ダイの温度が変化され得る。例えば、図17の試料台1706は、ダイ1312を加熱および/または冷却するための加熱器および/または冷却器を含み得る。1506でダイを試験し、また1508でダイの温度を変化させる間、図15のプロセスは、1510で、プローブおよびダイ端子がなおも適切に整列しているかを決定する。整列している場合には、図15のプロセス1500は、1506でダイの試験を継続し、1508でダイの温度を変化させ、1510でプローブおよびダイ端子の整列を監視する。しかしながら、1510で、プローブおよびダイ端子がもはや適切に整列していないと決定される場合には、プロセス1500は、図15に示すように、プローブおよび端子が再び整列するまで、1512でプローブヘッドアセンブリの温度を変化させ、次いで1510で整列を再検査する。(示されいないが、ダイの試験が完了した時点の1506の後で、プローブおよび端子をうまく整列させることなく何度も1512および1510を反復した後で、または他の理由のために、図15のプロセス1500を終了するための方策が提供され得る。)
図16は、図15の1510および1512を実施するための例示的なシステムを示す。図16に示すように、システム1600は、メモリ1604に保存されているソフトウェア(マイクロコードまたはファームウェアを含むが、これに限定されない)に従って動作するプロセッサ1604を含み得る。プロセッサ1604はモニター1606から入力1610を受信し、またモニター1606からの入力1610が、プローブおよびダイ端子が整列していないことを示しているかどうかを決定する(図15の1510)ことができ、整列していない場合には、制御信号1612をプローブヘッドアセンブリの温度制御デバイス1608に出力する(図15の1512)ことができる。温度制御デバイス1608は、図13A〜図13Cおよび図14A〜図14Dに関連して上述した、任意の温度制御デバイスであり得る。
モニター1606は、プローブがダイ端子と整列していないことを直接的または間接的に決定するための、任意のデバイスまたはシステムであり得る。図17は、1つのかかる例示的なモニター1606を示す。図17では、整列マーク1724が、プローブヘッドアセンブリ1322の上に配置され得る。対応する整列マーク1726が、ダイ1312の上に配置され得る。プローブヘッドアセンブリ1322上のマーク1724が、ダイ1312上の対応するマーク1726と整列する間は、プローブ1324はダイ端子1321と適切に整列する。プローバ1702の内のカメラ1720および1722が、プローブヘッドアセンブリ1322上の整列マーク1724がダイ1312上の対応する整列マーク1726と整列するかどうかを決定するために使用され得る。図17のモニター1606は、このようにカメラ1720および1722を備え得、またプロセッサ1604への入力1610は、カメラ1720および1722によって生成される画像データを備え得る。
もちろん、カメラ1720および1722は、図16のシステム1600において使用され得るモニター1606の一例にすぎない。別の例として、整列マーク1724および1726は、プローブヘッドアセンブリ1322またはダイ1312のうちの1つの上のプローブ、およびプローブヘッドアセンブリ1322またはダイ1312の他のものの上の標的パッドにより置き換えられ得、標的パッドは、標的パッドの上のプローブの位置に対応する信号を出力し、かかる信号は、ダイ1312に対するプローブヘッドアセンブリ1322の相対的な運動を示す。
図15に示すフィードバック制御プロセス1500に対する代替案として、図17のシステムがフィードバック制御なして動作され得る。すなわち、図17のシステムは、1510での、ダイ端子1726とのプローブ1324の整列を監視することなく、動作され得る。代わりに、プローブヘッドアセンブリ1322の温度は、1508でのダイ1312のダイの温度に対する変化に従って、1512で変化され得る。図15のプロセス1500のかかる簡略化されたバージョンは、プローブ1324の位置とダイ1312の温度との関係が既知である、および予測可能な場合には、特に有用であり得る。
図18は、図13A、図13B、および図13Cに示すプローブヘッドアセンブリ1322の別の実施例である、例示的なプローブヘッドアセンブリ1322を示す。図18に示すように、プローブヘッドアセンブリ1322は、複数のプローブ基板1808(3つ以上を含み得るが、2つを示す)を備える。複数のプローブ1812(プローブ224と同じであり得る)は、それぞれのプローブ基板1808に取り付けられ得、試験されるダイ(図示せず)の端子と接するように配置され得る。それぞれのプローブ基板1808は、取り付け構造1802に取り付けられ得、それは、とりわけ図13Aに示され、上述する取り付け/配線構造1302に取り付けられる。プローブ基板1808は、ボルト、ねじ、クランプ締め、接着剤などの使用を含むがそれらに限定されない任意の適切な方法で、取り付け構造1802に取り付けられ得る。
図18に示すように、それぞれのプローブ基板1808は、図13A、図13B、および図13Cに関連して概略的に上述した、プローブ基板1808を膨張および収縮するための温度制御デバイス1810を含み得る。図18にさらに示すように、取り付け構造1802はまた、図13A、図13B、および図13Cに関連して上述した略同様の方法で、取り付け構造1802を膨張および収縮するための温度制御デバイス1804を含み得る。プローブ基板1808は取り付け構造1802に取り付けられるので、取り付け構造1802を膨張または収縮することは、プローブ基板1808の位置に影響を与える。図13Aの温度制御デバイス1340と概略的に類似し得る温度制御デバイス1804および1810は、かくして、試験されるダイ(図示せず)上のダイ端子(図示せず)に対してプローブ1812を位置付けるための、2段制御を提供する。すなわち、取り付け構造1802の中の温度制御デバイス1804は、プローブ基板1808の位置に影響を与え、それぞれのプローブ基板1808の中の温度制御デバイス1810は、プローブ基板1808に取り付けられるプローブ1812の位置に影響を与える。
図13A、図13B、および図13Cに示す温度制御デバイス1340(または図14Cおよび14Dに示す温度制御デバイス1426)の代替案として、プローブヘッドアセンブリ1322を伸張または圧縮するように、プローブヘッドアセンブリ1322に機械的な力が加えられ得、その結果として、それは試験中のダイ1312の膨張または収縮と調和するように膨張または収縮し得る(図13A、図13B、および図13Cに略示するように)。例えば、ねじ切りされたスタッド(図示せず)が、プローブヘッドアセンブリ1322の周辺端部に取り付けられ得、ねじ切りされたアクチュエータ(図示せず)が、引張力または圧縮力をプローブヘッドアセンブリ1322に加えて、プローブヘッドアセンブリ1322をそれぞれ伸張または圧縮するために使用され得る。例として、かかる引張力は、図13Bから図13Cへの移行の中に示すように(図13Cの矢印1332によって表すように)、プローブヘッドアセンブリ1322を伸張する(膨張する)ために、プローブヘッドアセンブリ1322に加えられ得る。さらに別の代替案として、温度制御デバイス1340と、機械的な力をプローブヘッドアセンブリ1322に加える機械デバイスとの両方が、プローブヘッドアセンブリ1322を膨張または収縮するために使用され得る。同様に、機械的な力を図18の取り付け構造1802およびプローブ基板1808に加えるための機械デバイス(図示せず)が、図18の温度制御デバイス1804および1810の代わりに、または併せて使用され得る。
本明細書に説明している多様な技法は、多様な組み合わせの中で併用され得る。図19は、図2A、図2B、および図2Cに関連して上述しているような配線盤204および補強板202を含み得る、例示的なプローブカードアセンブリ1800を示す。プローブカードアセンブリ1800はまた、図6、図7A、および図7Bに関連して上述しているようなトラス構造604を含み得る。図9Aおよび図9Bに関連して説明しているスタッド構造と類似のスタッド構造820が、トラス構造604に取り付けられ得る。プローブカードアセンブリ1800はまた、図10A、図10B、および図10Cに関連して上述しているようなヒートシンク1002を含み得る。プローブカードアセンブリ1800は、図13A、図13B、図13C、図14A、図14B、図14C、および図14Dに関連して上述しているような温度制御デバイス1340を有するプローブヘッドアセンブリ1322を含み得る。図19のプローブカードアセンブリ1800はこのように、プローブカードアセンブリ200、600、900、1000、および1300の特長を組み合わせる。
他の組み合わせも可能である。例えば、プローブカードアセンブリ1800は、ヒートシンク1002の代わりに、またはそれに追加して、プローブカードアセンブリ1100および1200の送風機1102または1204と類似の送風機、ならびに空気通路1104および1106と類似の空気通路を含み得る。別の例として、トラス構造604が、プローブカードアセンブリ900から除去され得、スタッド構造820が、補強板202に取り付けられ得る。さらに別の例として、トラス構造604が、プローブアセンブリ1000、1100、または1200の補強板202に(図7Aおよび図7Bに示すように)取り付けられ得る。さらに他の組み合わせも可能である。
本発明の例示的な実施形態および適用を本明細書において説明してきたが、本発明を、これらの例示的な実施形態および適用に、ならびに例示的な実施形態および適用が動作する、または本明細書に説明されている方法に、限定することは意図されていない。実際に、例示的な実施形態に対する多くの変形および修正が可能である。例えば、実施形態のそれぞれは本明細書において、半導体ダイを試験するという状況のもとで説明されているが、本発明はそのように限定されず、デバイスを精査することによってデバイスが試験または監視される、任意の器具、システム、またはシナリオに適用される。
別の例として、本明細書に示され、説明されている例示的なカードアセンブリの一部は、1つのプローブヘッドアセンブリ(例えば、とりわけ、図2Cに示される222)を有するとして示され、任意のそれらのプローブカードアセンブリは、それぞれがプローブのセットを備える2つ以上のプローブヘッドアセンブリを有するように構成され得、またプローブヘッドアセンブリは、それぞれのプローブヘッドアセンブリの上に、プローブのセットを備える大きなプローブのアレイを形成するように配置され得る。複数のプローブヘッドアセンブリを有するプローブカードアセンブリの限定されない例は、「Method And Apparatus For Adjusting A Multi−Substrate Probe Structure」の表題で2005年6月24日に出願された米国特許出願第11/165,833号に示されている。かかるプローブカードアセンブリは、それぞれのプローブヘッドアセンブリが、他のプローブヘッドアセンブリから独立して単独で動き得るように構成され得る。
図1Aは、例示的な従来技術のプローバ、試験ヘッド、およびプローブカードアセンブリの側面図を示す。切り取りが、プローバの内部の部分図を提供する。 図1Bは、プローブカードアセンブリを除いた、図1Aのプローバおよび試験ヘッドの斜視図を示す。 図2Aは、本発明の一部の実施形態による、例示的なプローブカードアセンブリの上面図を示す。 図2Bは、図2Aのプローブカードアセンブリの底面図を示す。 図2Cは、図2Aのプローブカードアセンブリの切断側面図を示す。 図3Aは、本発明の一部の実施形態による、図2Aのプローブカードアセンブリの配線盤を示す。 図3Bは、本発明の一部の実施形態による、図2Aのプローブカードアセンブリの補強板を示す。 図4は、本発明の一部の実施形態による、図2Aの配線基板およびプローブヘッドアセンブリの概略図である。 図5Aは、本発明の一部の実施形態による、例示的なプローブヘッドアセンブリおよび例示的な取り付け部/調整機構を示す。 図5Bは、本発明の一部の実施形態による、図5Aのプローブヘッドアセンブリのスペーストランスフォーマー上の取り付け部/調整機構の例示的な配置を示す。 図6は、本発明の一部の実施形態による、別の例示的なプローブカードアセンブリを示す、簡略化されたブロック図である。 図7Aは、本発明の一部の実施形態による、図6のプローブカードアセンブリのトラス構造および補強板の上面図を示す。 図7Bは、本発明の一部の実施形態による、図6のプローブカードアセンブリのトラス構造および補強板の切断側面図を示す。 図8は、本発明の一部の実施形態による、図7Aのトラス構造に対する補強板の配向を自動的に調整するための、システムのブロック図を示す。 図9Aは、本発明の一部の実施形態による、さらに別の例示的なプローブカードアセンブリを示す。プローブカードアセンブリは、本発明の一部の実施形態による、例示的なプローバに設置されて示される。 図9Bは、図9Aのスタッド構造および把持部の詳細図を示す。 図10Aは、本発明の一部の実施形態による、さらに別の例示的なプローブカードアセンブリの上面図を示す。 図10Bは、図10Aのプローブカードアセンブリの底面図を示す。 図10Cは、図10Aのプローブカードアセンブリの切断側面図を示す。 図11Aは、本発明の一部の実施形態による、さらなる例示的なプローブカードアセンブリの上面図を示す。 図11Bは、図11Aのプローブカードアセンブリの底面図を示す。 図11Cは、図11Aのプローブカードアセンブリの切断側面図を示す。 図12Aは、本発明の一部の実施形態による、さらに、さらなる例示的なプローブカードアセンブリの上面図を示す。 図12Bは、図12Aのプローブカードアセンブリの横断面図を示す。 図13Aは、本発明の一部の実施形態による、試験されるウエハーを有する、さらに別の例示的なプローブカードアセンブリおよび試料台の部分側面図を示す。 図13Bは、本発明の一部の実施形態による、試験されるウエハーを有する、さらに別の例示的なプローブカードアセンブリおよび試料台の部分側面図を示す。 図13Cは、本発明の一部の実施形態による、試験されるウエハーを有する、さらに別の例示的なプローブカードアセンブリおよび試料台の部分側面図を示す。 図14は、本発明の一部の実施形態による、図13A、図13B、および図13Cのプローブカードアセンブリと共に使用され得る、例示的なプローブヘッドアセンブリを示す。 図15は、本発明の一部の実施形態による、温度の範囲にわたってダイを試験する間に、プローブおよびダイ端子の整列を監視および修正するために使用し得る、例示的なプロセスを示す。 図16は、本発明の一部の実施形態による、図15のプロセスを導入し得る、例示的なシステムを示す。 図17は、本発明の一部の実施形態による、図16のモニターの例を示す、例示的なプローバ、プローブカードアセンブリ、およびウエハーを示す。 図18は、本発明の一部の実施形態による、例示的なプローブヘッドアセンブリを示す。 図19は、本発明の一部の実施形態による、本明細書に説明している他のプローブカードアセンブリの特長の組み合わせを示す、例示的なプローブカードアセンブリを示す。

Claims (31)

  1. 試験装置に取り付けられるように構成される補強構造と、
    試験される電子デバイスと接するように配置される複数のプローブを備えるプローブ構造であって、該補強構造が該プローブ構造の運動に抵抗するように、該補強構造に固定して取り付けられる、プローブ構造と、
    該プローブ構造に電気的インターフェースを提供するように構成される配線基板であって、該補強構造に可動的に取り付けられる、配線基板と、
    を備える、プローブカードアセンブリ。
  2. 前記補強構造は、前記配線基板よりも大きな機械的強度を有する、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  3. 前記補強構造は金属の構造である、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  4. 前記プローブ構造は、前記補強構造に直接機械的に取り付けられる、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  5. 前記配線基板は、該配線基板が前記補強構造に取り付けられる位置から、放射状に膨張または収縮することができる、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  6. 前記配線基板が前記補強構造に取り付けられる前記位置は、該配線基板の中央の位置である、請求項5に記載のプローブカードアセンブリ。
  7. 前記補強構造に取り付けられるトラス構造をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  8. 前記トラス構造に対して前記補強構造の配向を選択的に変化させるように構成される調整機構をさらに備える、請求項7に記載のプローブカードアセンブリ。
  9. 前記調整機構は、差動ねじアセンブリを備える、請求項8に記載のプローブカードアセンブリ。
  10. 前記調整機構は、前記補強構造の形状を選択的に変化させるように構成される、請求項8に記載のプローブカードアセンブリ。
  11. 前記補強板に対して前記プローブ構造の配向を選択的に変化させるように構成される調整整機構さらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  12. 前記調整機構は、差動ねじアセンブリを備える、請求項11に記載のプローブカードアセンブリ。
  13. 前記調整機構は、前記補強板の形状を選択的に変化させるように構成される、請求項11に記載のプローブカードアセンブリ。
  14. 前記プローブカードアセンブリの片側から該プローブカードアセンブリの反対側への、熱の伝達を促進するための手段をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  15. 前記プローブ構造が前記補強構造に取り付けられている間に、該補強構造に対して該プローブ構造の位置を調整するための手段をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  16. 前記電子デバイスは半導体ダイを備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  17. 前記プローブ構造は、前記プローブが取り付けられる表面を有するプローブ基板を備え、前記補強構造は、該プローブ基板の該表面に略垂直となる方向への、該プローブ構造の運動に抵抗する、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  18. 前記プローブ構造は、前記プローブが取り付けられる表面を有するプローブ基板を備え、前記配線基板は、該プローブ基板の該表面に略平行となる方向へ、該補強構造に対して移動可能である、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  19. 前記プローブ構造は、前記プローブが取り付けられる表面を有するプローブ基板を備え、前記プローブカードアセンブリは、該表面に略平行となる方向へ、該プローブ構造を選択的に熱により膨張および/または収縮させるための手段をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  20. 前記プローブの横方向の位置を、選択的に制御するための手段をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  21. 前記プローブ構造の温度を変えるように構成される、熱制御要素をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  22. 前記プローブ構造の運動に抵抗するために、前記試験装置の構造要素によって係合されるように構成される、スタッド構造をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  23. 前記補強構造の外側部分は、前記試験装置に取り付けられるように構成され、前記プローブカードアセンブリは、該補強構造の内側部分の運動に抵抗するために、該試験装置の構造要素によって係合されるように構成されるスタッド構造をさらに備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  24. プローブカードアセンブリを作る方法であって、
    試験装置に取り付けられるように構成される補強構造を提供するステップと、
    該補強構造がプローブ構造の運動に抵抗するように、該プローブ構造を該補強構造に固定して取り付けるステップであって、該プローブ構造は、試験される電子デバイスと接するように構成される複数のプローブを備える、ステップと、
    配線基板が該補強構造に対して可動となるように、該配線基板を該補強構造に取り付けるステップであって、該配線基板は、該プローブ構造と該試験装置との間の電気的インターフェースを提供する、ステップと、
    を包含する、方法。
  25. 前記補強構造は、前記インターフェース構造よりも大きな機械的強度を有する、請求項24に記載の方法。
  26. 前記補強構造は金属の構造である、請求項24に記載の方法。
  27. 前記配線基板が、前記補強構造に取り付けられる位置から放射状に膨張または収縮することができるように、該配線基板を該補強構造に取り付けるステップ、をさらに包含する、請求項24に記載の方法。
  28. 前記位置は、前記配線基板の中央の位置である、請求項27に記載の方法。
  29. トラス構造を前記補強構造に取り付けるステップ、をさらに包含する、請求項24に記載の方法。
  30. 前記プローブカードアセンブリの片側から該プローブカードアセンブリの反対側への、熱伝達コンジットを提供するステップ、をさらに包含する、請求項29に記載の方法。
  31. 前記電子デバイスは、半導体ダイを備える、請求項24に記載の方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010271160A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Micronics Japan Co Ltd 電気的接続装置
JP2011137801A (ja) * 2009-12-30 2011-07-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード
JP2011141263A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード
JP2012510633A (ja) * 2008-12-03 2012-05-10 フォームファクター, インコーポレイテッド 熱応答を改善するためのプローブカードアセンブリの機械的分離
JP2013250235A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Mitsubishi Electric Corp 検査装置及び検査方法
JP2014038100A (ja) * 2012-08-16 2014-02-27 Feinmetall Gmbh 被検体の電気検査のための検査ヘッド
JP2016138898A (ja) * 2016-04-21 2016-08-04 三菱電機株式会社 検査装置
KR20180092027A (ko) * 2017-02-08 2018-08-17 삼성전자주식회사 프로브 카드 어셈블리

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6972578B2 (en) 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
JP4465995B2 (ja) * 2003-07-02 2010-05-26 株式会社日立製作所 プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Okiセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
KR100656586B1 (ko) * 2005-01-07 2006-12-13 삼성전자주식회사 프로브 카드 냉각용 공기 분사기를 갖는 웨이퍼 번인 시스템
KR100592214B1 (ko) * 2005-03-21 2006-06-26 주식회사 파이컴 프로브 카드 제조방법
US7285968B2 (en) * 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly
KR100956472B1 (ko) 2005-04-27 2010-05-07 에어 테스트 시스템즈 전자 장치들을 테스트하기 위한 장치
JP2006319273A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Agilent Technol Inc インターフェースアッセンブリ、及びそれを用いた乾燥ガス封入装置
US7471094B2 (en) * 2005-06-24 2008-12-30 Formfactor, Inc. Method and apparatus for adjusting a multi-substrate probe structure
JP4979214B2 (ja) * 2005-08-31 2012-07-18 日本発條株式会社 プローブカード
US7671614B2 (en) * 2005-12-02 2010-03-02 Formfactor, Inc. Apparatus and method for adjusting an orientation of probes
US7622935B2 (en) * 2005-12-02 2009-11-24 Formfactor, Inc. Probe card assembly with a mechanically decoupled wiring substrate
US7843202B2 (en) * 2005-12-21 2010-11-30 Formfactor, Inc. Apparatus for testing devices
US7859277B2 (en) * 2006-04-24 2010-12-28 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus, systems and methods for processing signals between a tester and a plurality of devices under test at high temperatures and with single touchdown of a probe array
US7495458B2 (en) * 2006-05-17 2009-02-24 Texas Instruments Incorporated Probe card and temperature stabilizer for testing semiconductor devices
US20080036483A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Probe card for flip chip testing
US20080048685A1 (en) * 2006-08-28 2008-02-28 Corad Technology Inc. Probe card having vertical probes
JP2008134170A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Micronics Japan Co Ltd 電気的接続装置
US7884627B2 (en) * 2006-12-29 2011-02-08 Formfactor, Inc. Stiffener assembly for use with testing devices
US7471078B2 (en) * 2006-12-29 2008-12-30 Formfactor, Inc. Stiffener assembly for use with testing devices
JP5426365B2 (ja) * 2007-03-14 2014-02-26 日本発條株式会社 プローブカード
KR101029697B1 (ko) * 2007-03-20 2011-04-18 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 전기적 접속장치
US20080231258A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Formfactor, Inc. Stiffening connector and probe card assembly incorporating same
CN101663591A (zh) * 2007-03-26 2010-03-03 株式会社爱德万测试 连接用板、探针卡及设有探针卡的电子元件测试装置
DE102007027380A1 (de) * 2007-06-11 2008-12-18 Micronas Gmbh Nadelkartenanordnung
KR100791945B1 (ko) * 2007-08-23 2008-01-04 (주)기가레인 프로브 카드
JP2009133722A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
US7688063B2 (en) * 2008-02-19 2010-03-30 Formfactor, Inc. Apparatus and method for adjusting thermally induced movement of electro-mechanical assemblies
JP5021519B2 (ja) * 2008-02-22 2012-09-12 日本電子材料株式会社 プローブカード
JP5553480B2 (ja) * 2008-02-26 2014-07-16 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
JPWO2009107747A1 (ja) * 2008-02-29 2011-07-07 日本発條株式会社 配線基板およびプローブカード
US8324915B2 (en) * 2008-03-13 2012-12-04 Formfactor, Inc. Increasing thermal isolation of a probe card assembly
JP5643476B2 (ja) * 2008-04-16 2014-12-17 日本電子材料株式会社 二重弾性機構プローブカード
DE102008034918B4 (de) * 2008-07-26 2012-09-27 Feinmetall Gmbh Elektrische Prüfeinrichtung für die Prüfung eines elektrischen Prüflings sowie elektrisches Prüfverfahren
US20100039133A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Formfactor, Inc. Probe head controlling mechanism for probe card assemblies
US8004296B2 (en) * 2008-08-19 2011-08-23 Centipede Systems, Inc. Probe head apparatus for testing semiconductors
DE202008013982U1 (de) * 2008-10-20 2009-01-08 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Messsystem zum Bestimmen von Streuparametern
US8760187B2 (en) * 2008-12-03 2014-06-24 L-3 Communications Corp. Thermocentric alignment of elements on parts of an apparatus
US7772863B2 (en) * 2008-12-03 2010-08-10 Formfactor, Inc. Mechanical decoupling of a probe card assembly to improve thermal response
US8030957B2 (en) 2009-03-25 2011-10-04 Aehr Test Systems System for testing an integrated circuit of a device and its method of use
US20100264949A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Formfactor, Inc. Flexure band and use thereof in a probe card assembly
US8269514B2 (en) * 2009-08-25 2012-09-18 Formfactor, Inc. Method and apparatus for multilayer support substrate
US8872532B2 (en) * 2009-12-31 2014-10-28 Formfactor, Inc. Wafer test cassette system
US8779793B2 (en) * 2010-03-03 2014-07-15 Nvidia Corporation System and method for temperature cycling
DE102010033991A1 (de) * 2010-03-11 2011-12-01 Rhode & Schwarz Gmbh & Co. Kg Messspitze mit integriertem Messwandler
US8736294B2 (en) * 2010-12-14 2014-05-27 Formfactor, Inc. Probe card stiffener with decoupling
KR101270591B1 (ko) * 2011-06-02 2013-06-03 (주)기가레인 프로브 카드
US20120319710A1 (en) * 2011-06-15 2012-12-20 Probelogic, Inc. Method and apparatus for implementing probes for electronic circuit testing
TWI428608B (zh) * 2011-09-16 2014-03-01 Mpi Corp 探針測試裝置與其製造方法
KR101897008B1 (ko) * 2012-03-08 2018-09-12 주식회사 코리아 인스트루먼트 프로브 카드
JP6031238B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
US9360514B2 (en) * 2012-04-05 2016-06-07 Board Of Regents, The University Of Texas System Thermal reliability testing systems with thermal cycling and multidimensional heat transfer
ITMI20120996A1 (it) 2012-06-08 2013-12-09 Technoprobe Spa Scheda di misura per un'apparecchiatura di test di dispositivi elettronici
JP5928203B2 (ja) * 2012-07-10 2016-06-01 三菱電機株式会社 検査装置
US10214966B2 (en) 2012-07-13 2019-02-26 Halliburton Energy Services, Inc. Rotary drill bits with back-up cutting elements to optimize bit life
JP6195709B2 (ja) * 2012-12-17 2017-09-13 株式会社日本マイクロニクス プローブカード、検査装置、及び検査方法
KR102077062B1 (ko) * 2013-02-25 2020-02-13 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 이를 포함하는 프로빙 장치
KR20140110443A (ko) * 2013-03-08 2014-09-17 삼성전자주식회사 프로브 카드
JP6259590B2 (ja) * 2013-06-12 2018-01-10 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及びその製造方法
TWI614548B (zh) * 2013-10-28 2018-02-11 高雄晶傑達光電科技股份有限公司 點燈測試裝置
US20150123697A1 (en) * 2013-11-07 2015-05-07 Qualcomm Incorporated Methods and apparatuses for ac/dc characterization
SG11201607222RA (en) 2014-03-06 2016-09-29 Technoprobe Spa High-planarity probe card for a testing apparatus for electronic devices
EP3114489B1 (en) * 2014-03-06 2018-08-01 Technoprobe S.p.A Probe card for a testing apparatus of electronic devices, particularly for extreme temperature applications
TW201606314A (zh) * 2014-08-14 2016-02-16 漢民科技股份有限公司 台北巿大安區敦化南路2 段38 號14 樓 探針卡結構及其組裝與更換方法
KR102328101B1 (ko) 2015-07-07 2021-11-17 삼성전자주식회사 프로브 카드, 프로브 카드용 단열 커버 어셈블리, 및 이를 갖는 반도체 디바이스의 검사 장치
TWI836645B (zh) 2016-01-08 2024-03-21 美商艾爾測試系統 測試器設備及測試微電子裝置的方法
US11280827B2 (en) * 2016-02-29 2022-03-22 Teradyne, Inc. Thermal control of a probe card assembly
CN107422241B (zh) * 2016-03-23 2019-10-15 创意电子股份有限公司 使用探针卡的方法及系统
US10060963B2 (en) 2016-04-01 2018-08-28 Formfactor Beaverton, Inc. Probe systems, storage media, and methods for wafer-level testing over extended temperature ranges
JP6652443B2 (ja) * 2016-05-06 2020-02-26 株式会社日本マイクロニクス 多層配線基板及びこれを用いたプローブカード
KR102566685B1 (ko) * 2016-07-18 2023-08-14 삼성전자주식회사 프로브 카드용 클램핑 장치 및 이를 포함하는 프로브 카드
KR102227072B1 (ko) 2016-11-23 2021-03-12 주식회사 기가레인 프로브 카드용 나사 체결 장치 및 이를 구비한 프로브 카드 조립장치
EP3589965B1 (en) 2017-03-03 2023-12-06 AEHR Test Systems Electronics tester
JP7360263B2 (ja) * 2019-07-18 2023-10-12 Thk株式会社 アクチュエータ
KR20210016782A (ko) * 2019-08-05 2021-02-17 삼성전자주식회사 탄성부를 가진 스티프너 및 스티프너 핸들링 툴
TWI733312B (zh) * 2020-01-20 2021-07-11 創意電子股份有限公司 探針卡模組
CN113140477B (zh) * 2020-01-20 2022-09-16 创意电子股份有限公司 探针卡模块
JP7148017B2 (ja) * 2020-03-13 2022-10-05 日本電産リード株式会社 検査治具及びそれを備えた基板検査装置
TWI759937B (zh) * 2020-11-03 2022-04-01 中華精測科技股份有限公司 板狀連接器及晶圓測試組件
TWI776476B (zh) * 2021-04-20 2022-09-01 旺矽科技股份有限公司 探針卡及其檢測裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1183901A (ja) * 1997-09-02 1999-03-26 Nippon Denshi Zairyo Kk プローブカード
JP2000346875A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Advantest Corp プローブカードおよびこれを用いたic試験装置
JP2003528459A (ja) * 2000-03-17 2003-09-24 フォームファクター,インコーポレイテッド 半導体接触器を平坦化するための方法と装置
JP2005338061A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Feinmetall Gmbh 検査品の電気的検査のための検査装置
WO2006001476A1 (ja) * 2004-06-29 2006-01-05 Tokyo Electron Limited プローブカード

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US624247A (en) * 1899-05-02 Door-hanger
US3963985A (en) * 1974-12-12 1976-06-15 International Business Machines Corporation Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads
US4770748A (en) * 1987-02-24 1988-09-13 Roncell, Inc. Vacuum distillation system
US5124639A (en) * 1990-11-20 1992-06-23 Motorola, Inc. Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
US5325052A (en) * 1990-11-30 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Limited Probe apparatus
JP2802849B2 (ja) 1992-03-16 1998-09-24 日立電子エンジニアリング株式会社 プローブカードの反り補正機構
US5422574A (en) * 1993-01-14 1995-06-06 Probe Technology Corporation Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US20020053734A1 (en) * 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US6624648B2 (en) * 1993-11-16 2003-09-23 Formfactor, Inc. Probe card assembly
US6246247B1 (en) * 1994-11-15 2001-06-12 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of using same
US5828226A (en) * 1996-11-06 1998-10-27 Cerprobe Corporation Probe card assembly for high density integrated circuits
JPH11145215A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置およびその制御方法
JPH11160356A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法
US6917525B2 (en) * 2001-11-27 2005-07-12 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs
US6509751B1 (en) * 2000-03-17 2003-01-21 Formfactor, Inc. Planarizer for a semiconductor contactor
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
DE10039336C2 (de) * 2000-08-04 2003-12-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von Halbleiterschaltungen und Testvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
TWI223083B (en) * 2001-01-31 2004-11-01 Wentworth Lab Inc Probe card assembly, method of adjusting the planarization of the same and method of assembling the same
US6762612B2 (en) * 2001-06-20 2004-07-13 Advantest Corp. Probe contact system having planarity adjustment mechanism
US6972578B2 (en) * 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
US7071714B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
US7064953B2 (en) * 2001-12-27 2006-06-20 Formfactor, Inc. Electronic package with direct cooling of active electronic components
US6891385B2 (en) * 2001-12-27 2005-05-10 Formfactor, Inc. Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components
JP3621938B2 (ja) * 2002-08-09 2005-02-23 日本電子材料株式会社 プローブカード
TW594899B (en) * 2002-12-18 2004-06-21 Star Techn Inc Detection card for semiconductor measurement
US6894523B2 (en) * 2003-07-01 2005-05-17 Intel Corporation System and method for testing semiconductor devices
US6853205B1 (en) * 2003-07-17 2005-02-08 Chipmos Technologies (Bermuda) Ltd. Probe card assembly
KR100541110B1 (ko) * 2004-06-25 2006-01-11 삼성전기주식회사 다파장 반도체 레이저 제조방법
US7285968B2 (en) * 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1183901A (ja) * 1997-09-02 1999-03-26 Nippon Denshi Zairyo Kk プローブカード
JP2000346875A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Advantest Corp プローブカードおよびこれを用いたic試験装置
JP2003528459A (ja) * 2000-03-17 2003-09-24 フォームファクター,インコーポレイテッド 半導体接触器を平坦化するための方法と装置
JP2005338061A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Feinmetall Gmbh 検査品の電気的検査のための検査装置
WO2006001476A1 (ja) * 2004-06-29 2006-01-05 Tokyo Electron Limited プローブカード

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012510633A (ja) * 2008-12-03 2012-05-10 フォームファクター, インコーポレイテッド 熱応答を改善するためのプローブカードアセンブリの機械的分離
JP2010271160A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Micronics Japan Co Ltd 電気的接続装置
JP2011137801A (ja) * 2009-12-30 2011-07-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード
JP2011141263A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード
JP2013250235A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Mitsubishi Electric Corp 検査装置及び検査方法
US8981805B2 (en) 2012-06-04 2015-03-17 Mitsubishi Electric Corporation Inspection apparatus and inspection method
JP2014038100A (ja) * 2012-08-16 2014-02-27 Feinmetall Gmbh 被検体の電気検査のための検査ヘッド
US9513331B2 (en) 2012-08-16 2016-12-06 Feinmetall Gmbh Test head for electrical testing of a test specimen
JP2016138898A (ja) * 2016-04-21 2016-08-04 三菱電機株式会社 検査装置
KR20180092027A (ko) * 2017-02-08 2018-08-17 삼성전자주식회사 프로브 카드 어셈블리
KR102600623B1 (ko) 2017-02-08 2023-11-08 삼성전자주식회사 프로브 카드 어셈블리

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