JP2008515189A - 半導体パッケージを形成する方法、及びパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
電磁干渉(EMI)及び/又は電磁放射シールドは、導電層(34,46)を封止材(32)の上に形成することにより形成される。導電層は導電接着剤(38,48,52)及び金属塗膜(36,50)の複合材料を含む。ループワイヤ(30)は導電層及びリードフレーム(10)に接続される。
Description
本発明は概して半導体素子パッケージに関し、特に無線周波数による干渉をシールドする半導体素子パッケージに関する。
半導体素子パッケージまたは集積回路チップキャリアは多くの高密度電子デバイス用途に使用される。集積回路または半導体装置は外部環境から、エポキシ材料で封止することにより、または熱可塑性樹脂を用いてトランスファー成形により半導体装置を封止することにより保護される。しかしながら、熱可塑性封止材料は、無線周波数干渉(RFI)または電磁干渉(EMI)のような放射型の干渉からシールドする機能を持たない。
回路が小型になり、高密度になり、そしてより高い周波数で、かつより過酷な環境において動作するようになるにつれて、回路を無線周波数干渉(RFI)または電磁干渉(EMI)のような放射型の干渉からシールドする必要が益々大きくなっている。例えば、携帯電話機及び他の移動体通信機器をこのような放射型の干渉から保護する必要がある。スパークプラグの近くに取り付けられるマイクロコントローラのような自動車回路も干渉からシールドする必要がある。従来のパッケージは、パッケージ内部の半導体装置をこのような電磁波から保護する機能を持たない。
従来のシールドシステムは、シールドする対象となる回路を取り囲む金属筐体を使用する。この金属筐体は内部回路を電磁干渉(EMI)及び無線周波数干渉(RFI)から保護し、かつ回路からのRFI信号またはEMI信号が外部に現われるのを防止する。別の解決法では、パッケージを成形する前に金属キャップを半導体装置に被せる。この解決法は、大規模半導体チップ(すなわち、少なくとも1インチ平方の大きさ)を収容するボールグリッドアレイパッケージに適用することができる。更に別の解決法では、金属コーティングを樹脂封止半導体装置に施す。しかしながら、これらの解決法はいずれも幾つかの不具合を有する。例えば、金属筐体を使用することにより、パッケージの全体サイズが大きくなり、かつ金属シールド材を半導体装置に取り付けるために更に別の半田付け工程が必要になり、更に別の半田付けプロセスにより発生する熱によって半導体装置の性能が劣化する恐れがある。
従って、いずれの半導体チップサイズにも対応する種々のパッケージに使用することができ、かつコスト効率の高い、部品レベルのシールドを行なう必要がある。
添付の図とともに以下に示す詳細な記述は、本発明の現時点で好ましい実施形態についての記述として行なわれ、そして本発明を実施することができる唯一の形態を表わすものではない。同じ、または等価な機能は、本発明の技術思想及び技術範囲に包含されるべき異なる実施形態によって実現することができることを理解されたい。
本発明は半導体パッケージであり、この半導体パッケージは、フラグ及びリードフィンガを含むリードフレームと、フラグに取り付けられ、かつリードフィンガに電気的に接続される半導体チップと、半導体チップを覆う封止材と、封止材上の導電層と、そしてリードフレームを導電層に電気的に接続するワイヤと、を有する。導電層はシールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む。導電接着剤をシールド金属と組み合わせることにより、導電層がモールド封止材から剥がれるのを防止する。
本発明は半導体パッケージを形成する方法を提供し、本方法は、
フラグ及び複数のリードフィンガを有するリードフレームを作製する工程と、
半導体チップをフラグに取り付ける工程と、
半導体チップをこれらのリードフィンガに電気的に接続する工程と、
リードフレームに電気的に接続されるループワイヤを形成する工程と、
半導体チップ、及びループワイヤの少なくとも一部分を封止材により封止する工程と、そして
シールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む導電層を封止材の上に形成する工程と、を含み、ループワイヤは導電層に接触するのでリードフレームが導電層に電気的に接続される。
フラグ及び複数のリードフィンガを有するリードフレームを作製する工程と、
半導体チップをフラグに取り付ける工程と、
半導体チップをこれらのリードフィンガに電気的に接続する工程と、
リードフレームに電気的に接続されるループワイヤを形成する工程と、
半導体チップ、及びループワイヤの少なくとも一部分を封止材により封止する工程と、そして
シールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む導電層を封止材の上に形成する工程と、を含み、ループワイヤは導電層に接触するのでリードフレームが導電層に電気的に接続される。
本発明は更に半導体パッケージを形成する方法を提供し、本方法は、
第1及び第2リードフレームを有するリードフレームパネルを作製する工程であって、第1及び第2リードフレームの各々がフラグ及び複数のリードフィンガを含む構成の工程と、
第1及び第2半導体チップを、第1及び第2リードフレームのフラグにそれぞれ取り付ける工程と、
第1及び第2半導体チップを、第1及び第2リードフレームのフィンガにそれぞれ電気的に接続する工程と、
第1端及び第2端を有するボンディングワイヤを形成する工程と、
ボンディングワイヤの第1端を第1リードフレームのリードフィンガに、そしてボンディングワイヤの第2端を第2リードフレームのリードフィンガに電気的に接続する工程と、
封止材を第1及び第2半導体チップ、及びボンディングワイヤを覆うように形成する工程であって、ボンディングワイヤの一部分が露出する構成の工程と、
導電層を封止材及びボンディングワイヤの上に形成する工程であって、導電層がボンディングワイヤの露出部分に電気的に接続され、かつシールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む構成の工程と、そして
リードフレームパネルを個片化して第1及び第2パッケージ素子を形成する工程と、を含む。
第1及び第2リードフレームを有するリードフレームパネルを作製する工程であって、第1及び第2リードフレームの各々がフラグ及び複数のリードフィンガを含む構成の工程と、
第1及び第2半導体チップを、第1及び第2リードフレームのフラグにそれぞれ取り付ける工程と、
第1及び第2半導体チップを、第1及び第2リードフレームのフィンガにそれぞれ電気的に接続する工程と、
第1端及び第2端を有するボンディングワイヤを形成する工程と、
ボンディングワイヤの第1端を第1リードフレームのリードフィンガに、そしてボンディングワイヤの第2端を第2リードフレームのリードフィンガに電気的に接続する工程と、
封止材を第1及び第2半導体チップ、及びボンディングワイヤを覆うように形成する工程であって、ボンディングワイヤの一部分が露出する構成の工程と、
導電層を封止材及びボンディングワイヤの上に形成する工程であって、導電層がボンディングワイヤの露出部分に電気的に接続され、かつシールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む構成の工程と、そして
リードフレームパネルを個片化して第1及び第2パッケージ素子を形成する工程と、を含む。
本発明の好適な実施形態についての次の詳細な記述は、添付の図を参照しながら一読することにより一層深く理解される。本発明は例を通して示され、かつ同様の参照記号が同様の構成要素を指す添付の図によって制限されない。
この技術分野の当業者であれば、これらの図における構成要素が説明を簡単かつ明瞭にするために示され、そして必ずしも寸法通りには描かれていないことが分かるであろう。例えば、これらの図における幾つかの構成要素の寸法を他の構成要素に対して誇張して描いて本発明の実施形態を理解し易くしている。
次に、図1によれば、リードフレームパネル10の一部分は、第1素子部分12、第2素子部分14、及び第3素子部分16を含む。リードフレームパネル10はいずれかの半導体パッケージのリードフレームを含むことができ、この半導体パッケージとして、マイクロリードフレームパッケージ(MLF)及びバンプチップキャリア(BCC)とも呼ばれるクワッドフラットリードなし(QFN)パッケージ、ボールグリッドアレイ(BGA)パッケージ、クワッドフラットパッケージ(QFP)、または以下に更に詳細に説明する成形プロセスを使用して形成することができる、または個片化(シンギュレーション)により形成される他のいずれかのパッケージを挙げることができる。リードフレームパネル10は、ニッケル及び鉄を含む合金、またはニッケルパラジウムなどのようないずれかの導電材料とすることができる。リードフレームパネル10は、パターン形成リードフレームとして購入することができ、このリードフレームには、所望のパターンに既に形成されているボンディングパッド及びグランドパッドが設けられる。素子部分が3つしか図1には示されていないが、更に多くの素子部分を設けることができる。例えば、リードフレームパネル10は、どのような数の素子部分を含むこともできる。図示の実施形態では、これらの素子部分の各々は、製造を簡単にするために同じ構造を持つが、同じ構造を持つ必要はない。
第1素子部分12、第2素子部分14、及び第3素子部分16の各々は一つのフラグ18、及び当該フラグ18を取り囲む複数のリードフィンガ20を含む。フラグ18はいずれかの特定の形状に制限されることはない。制限されるのではなく、フラグ18は、リードフレームパネル10内部における「X字状」などの形状を有する開口窓とすることができる。更に、フラグ18はリードフレームパネル10の他の領域に対して隆起させる、または窪ませることができる。
リードフレームパネル10が、リードフィンガ20が所望通りに形成されている形で購入されない場合、リードフィンガ20はこの技術分野では公知のパターニング及びエッチングにより形成することができる。リードフィンガ20は個別のグランドパッドを含むことができる。グランドパッドは、EMIシールド導電層またはEMIシールド素子を接地に接続するために専用に使用されるリードフィンガである。この技術分野の当業者であれば、リードフィンガ20の数、及びリードフィンガの構造は単なる例示に過ぎないことが理解できるであろう。
フラグ18には半導体チップまたは集積回路22が搭載される。詳細には、半導体チップ22は半導体ウェハから切り出され、そしてこれらのフラグ18の各々の上にこの技術分野では公知のピックアンドプレース装置を使用して搭載される。各チップ22はそれぞれのフラグ18の内の一つに、この技術分野では公知の接着剤によって取り付けられる。一の実施形態では、一つの半導体チップが各フラグの上に搭載される。別の実施形態では、一つよりも多くの半導体チップが一つのフラグの上に搭載される。例えば、半導体チップは同じフラグの上で別の半導体チップに隣接して搭載することができる、または同じフラグの上に搭載された別の半導体チップの上に積み重ねることができる。従って、複数のチップを同じ平面内で一つのフラグの上に搭載することができる、または互いに積み重ねることができる。図1に示す実施形態では、第2チップ24は半導体チップ22の上に取り付けられる。第2チップ24は別の半導体チップとすることができ、このチップは集積回路を有する、または微小電気機械システム(MEMS)のような微細加工部品を有し、このMEMSは、微細加工素子、センサ、アクチュエータ、及び電子部品を共通のシリコン基板の上に集積することにより形成される。第2チップ24は第1チップ22と同じサイズとすることができるが、この構成にする必要はなく、この技術分野では公知のように、下側チップよりも大きなチップ及び小さなチップを下側チップの上に積み重ねることができる。第2チップ24は第1チップ22から、この技術分野では公知のスペーサ25を使用する方法のような種々の方法によって離間させることができる。
各チップ22はリードフィンガ20に電気的に接続される。この例では、チップ22は複数のボンディングパッド(図示せず)を含み、これらのボンディングパッドはリードフィンガ20に第1ワイヤ26によって接続される。第1ワイヤ26は、アルミニウムまたは金のような導電材料により作製される。一の実施形態では、各ワイヤ26の直径は約1/1,000〜1/2,000インチ径である。通常、第1ワイヤ26はリードフィンガ20にボールボンディングによって、そしてチップボンディングパッドにステッチボンディングによって市販のワイヤボンディング装置を使用してワイヤボンディングされる。しかしながら、フリップチップバンプのような他の接続手段を使用することができ、そして本発明は、チップ22をリードフィンガ20に接続する方法によって制限されるものではない。
第2チップ24も第1チップ22及びリードフィンガ20の内の少なくとも一つに第2ワイヤ28によって接続される。第2ワイヤ28は第1ワイヤ26と同じサイズであり、かつ同じ導電材料により形成されることが好ましい。半導体チップ22〜24が電気的に互いに、リードフィンガ20に達するボンディングワイヤによって接続される場合、隣接する素子部分のグランドパッドを同じワイヤボンディングプロセスの間に電気的に互いに接続することもできる。一の実施形態では、接続は、これらのグランドパッドを互いに複数のボンディングワイヤを使用してワイヤボンディングすることにより行なわれ、これらのボンディングワイヤは、上に説明したように、半導体チップのボンディングパッドにワイヤボンディングするために使用されるボンディングワイヤと同じである。しかしながら、例えば複数のワイヤの直径が異なる場合、別のワイヤボンディングプロセスを使用してグランドパッド群及びボンディングパッド群を接続することができる。
追加ワイヤ30を第2(上側)チップ24にワイヤボンディングする。追加ワイヤは、第2チップ24のグランドパッドに電気的に接続され、かつワイヤ28及び26を経由してリードフレームのグランドパッドに電気的に接続されることが好ましい。追加ワイヤ30は非常に高いループを描くので、ワイヤ30は封止材の高さを超えて延びることになるが、これについては以下に更に詳細に説明する。図1に示す実施形態では、追加ワイヤ30は第2チップ24から上に向かって延びる。形成される素子がチップ22のようなチップを1つしか含まない場合、追加ワイヤ30はチップから上に向かって延びる必要がある。別の構成として、追加ワイヤは一つの素子のグランドパッドから隣接素子のグランドパッドに延びることができる。追加ワイヤ30は細いので、後続の成形封止プロセスの間に流れ易くなる、または断線する恐れがある。追加ワイヤ30を、モールド封止材を後続の成形プロセスにおいて流し込む方向に揃えることにより、追加ワイヤ30はワイヤ形状を維持し易くなり、流れ難くなる。追加ワイヤを、モールド封止材を流し込む方向に揃えるのではなく、モールド封止材を追加ワイヤ30に対して90度の角度の方向に流し込む場合、ワイヤ30は流れ易くなる。細いワイヤ及びモールド封止材を流し込む方向に関連する上述の問題を防止するために、太いワイヤを使用することができる。
追加ワイヤ30を第2チップ24にワイヤボンディングした後、成形封止プロセスを行なってモールド化合物またはモールド封止材32を、第1チップ22及び第2チップ24、及びワイヤ24,26,28,及び30を覆うように形成する。モールド封止材32はシリカ充填樹脂、セラミック、ハロゲンフリー材料、またはこれらの材料の組み合わせとすることができる。モールド封止材32は通常、液状樹脂を使用して流し込み、次に加熱してUV照射による硬化、または大気中での硬化により固化させる。封止材32は固体の組成物とすることもでき、この固体組成物を加熱して液状にし、そして冷却してチップ22及び24を覆う固体モールドを形成する。他のいずれかの封止プロセスを使用することができる。追加ワイヤ30は封止材32を超えて延び、そして露出する。封止材32をチップ22及び24を覆うように形成した後、バリ取り(de−flash)、またはクリーニングを行なって追加ワイヤ30を露出させる。いずれの従来のバリ取り法、またはクリーニング法も使用することができる。バリ取りプロセスでは処理を行なう必要はない、すなわち化学プロセス、高圧水洗浄プロセス、または機械プロセスを行なう必要はない。
封止後、導電層34を封止材32、及びワイヤ30の露出部分の上に形成する。導電層34はシールド金属層36及び導電接着剤層38を含む。導電接着剤層38はエポキシを含むことができる。シールド金属層36はポリマー、金属、金属合金(強磁性体材料または強誘電体材料のような)、インクなど、またはこれらの材料の組み合わせとすることができる。一の実施形態では、金属層36はアルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル鉄(NiFe)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)など、またはこれらの金属の組み合わせである。金属層36が非鉄金属(例えば、Al、Cu、Sn、及びZn)である場合、金属層36及び追加ワイヤ30は素子部分をEMIから、半導体チップ22及び24を金属層36にグランドパッドを通して接地することにより保護するように機能する。強磁性体材料(NiFeのような)を使用する場合、金属層36が素子部分を磁気放射線から保護することになり、この構造は、半導体チップ22及び24が磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスを含む場合に有用となる。従って、保護を強い磁気放射線に対してだけ行なう必要がある場合、追加ワイヤ30を設ける必要はない。しかしながら、非強磁性体材料及び強磁性体材料の両方、例えば銅層及びNiFe層の両方を一緒に使用して金属層36を形成する場合、素子部分を電界及び磁界の両方から電磁シールドまたは広帯域シールドを使用して保護し、この構造は、半導体チップ22及び24が、例えばMRAMデバイス及びトランジスタの両方を含む場合に有用となる。
図1に示す実施形態では、導電層34を封止材32に、第1導電接着剤層38を、封止材32を所定位置で覆うように、例えばステンシルまたはマスクを使用して塗布することにより塗布する。すなわち、マスクを成形素子の上に載置し、そして導電接着剤層38を封止材32の露出部分に塗布する。次に、マスクを取り外し、そしてシールド金属層36を、封止材32の内の新規に露出した部分に塗布する。最後に、別の導電接着剤層38をシールド金属層36の上に塗布する。このようにして、シールド金属36及び導電接着剤38の複合材料を封止材32に塗布する。接着剤38を金属36と混合することにより、金属層36を封止材32に強固に固定して、金属に外部応力が加わるときに金属が封止材から剥離することがないようにする。
シールド金属層36は、物理気相成長(PVD)、化学気相成長(CVD)、原子層堆積(ALD)、電解メッキ、無電解メッキ、フレームスプレー、導電塗料スプレー、真空蒸着、パッド印刷など、またはこれらの方法の組み合わせにより堆積させることができる。金属層36は約1〜50ミクロンの厚さとすることができ、5〜7ミクロンの厚さに限定することが好ましい。金属層36の厚さは所望のシールド効果によって変わる。金属層36の最小の厚さは、金属層36を形成するために使用されるプロセスによって変わり、そして最大の厚さは金属層36に加わる応力の大きさによって変わり、応力の大きさは、少なくとも使用する材料によって変わる。
上述の追加ワイヤ30はシールド金属層36をグランドパッドに電気的に接続するが、ワイヤ30をグランドパッドに電気的に接続してEMI保護を行なうようにする必要はない。ボンディングパッド、半導体チップサイズ、及びフラグサイズの設計によって可能になるのであれば、ワイヤ30が接地用パッド群ではなく、未使用の接地用ボンディングパッド群、または接地される予定のボンディングパッド群の全てを接続することができるようにする。別の表現をすると、接地用ボンディングパッド群は、未使用のボンディングパッド群が接地される場合の、または未使用のボンディングパッド群が、素子部分を個片化して一つのパッケージとし、そしてプリント回路基板(PCB)に取り付けた時点において、次に接地されることになる場合の全ての未使用のボンディングパッド群とすることができる。
導電層34を堆積させた、または塗布した後、各素子部分を互いから分離して個片化する。別の表現をすると、各素子部分を切り出す、またはソーイングを使用して切り出して個々の素子部分とすることができる。ラインを素子部分12,14,及び16の間に引き、これらのラインが、複数の素子部分の個片化が行なわれる領域を示す。
次に、図2を参照すると、本発明の別の実施形態による個片化の前にリードフレームパネルの上に形成される複数の素子部分40,42,44が示される。素子部分40,42,及び44は図1の素子12,14,及び16と同様の構成である。すなわち、これらの素子部分は積層半導体チップ22及び24を含み、これらの半導体チップはスペーサ25によって分離され、更に互いに、かつリードフィンガ20にワイヤ26及び28によって電気的に接続される。追加ワイヤ30は第2チップ24から上に向かって延びる。チップ22及び24、及びワイヤ26,28,及び30は封止材32によって覆われ、そしてワイヤ30の一部分が露出する。図1に示す実施形態と同じように、チップ22及び24の数及び構成は例示である。
モールド封止材32を充填した後、バリ取り、またはクリーニングを行なって追加ワイヤ30を露出させる。いずれの従来のバリ取り、またはクリーニングも使用することができる。バリ取りプロセスでは処理を行なう必要はない、すなわち化学プロセス、高圧水洗浄プロセス、または機械プロセスを行なう必要はない。ワイヤ30の一部分を露出させた後、導電層34に関して上に議論したいずれかの材料とすることができる導電層46を封止材32、及びワイヤ30の露出部分の上に形成する。導電層46及びフラグ18はEMIシールドまたは電磁シールドを形成し、いずれのシールドを形成するかは導電層46として使用する材料によって変わる。従って、ワイヤ30は導電層46に接続されるので、導電層46は接地される。パッケージングされた個々の半導体装置は、導電層46を形成した後にパッケージを個片化することにより形成される。
この第2の実施形態では、導電層46は第1導電接着剤層48、第2シールド金属層50、及び第3導電接着剤層52により形成される。詳細には、第1導電接着剤層48は封止材32の表面を覆うように形成される。この第1層48は、約3〜約5ミクロンの範囲の厚さとなるように非常に薄くする必要がある。次に、第2シールド金属層50は第1層の上に形成される。第2層50は、ステンシルまたはマスクを用いてスクリーン印刷して、または塗布して塗布領域の周りに未塗布領域が形成されるようにすることが好ましい。次に、第3導電接着剤層52は、ステンシル印刷で形成される金属層50の上に形成される。このようにして、第1層48及び第3層52は互いに接触し、そして第1層48は封止材32に固定されるので、金属層50は封止材32に強固に固着する。
次に、図3を参照すると、ステンシル60の上平面図が示される。ステンシル60を使用して第1導電接着剤層38を、封止材32の上に第1の実施形態に従って形成する(図1)、または第2シールド金属層50を第1導電接着剤層48の上に第2の実施形態に従って形成する(図2)。ステンシル60は、ステンレス鋼のような高い強度の非常に硬質の材料、または他の適切な材料により作製することができ、そしてステンシル60には、複数の穴62が均一パターンとなるように形成される。これらの穴62は、円形または矩形のようないずれかの形状とすることができ、シールド要件によって変わるサイズ及び間隔を有する。一の実施形態では、約250μmの直径、及び約80μmの間隔を有するステンシル60を作製した。
図4は、半導体パッケージを本発明に従って形成する方法を示すフローチャートである。第1工程70では、上に説明したようなフラグ及び複数のリードフィンガを有するリードフレームを作製する。第2工程72では、半導体チップをリードフレームのフラグに取り付け、そして第3工程74では、チップをリードフレームのリードフィンガ群に電気的に接続する。次に、工程76では、ループワイヤを形成し、そしてループワイヤによってリードフレームへの電気的な接続を行ない、次に工程78では、チップ、及びループワイヤの少なくとも一部分を樹脂材料または封止材で封止する。ループワイヤが露出しない場合、工程80を行なってループワイヤの一部分を露出させることができる。この時点で、素子をシールドする準備が整う。一の実施形態では、工程82を行ない、この工程では、導電接着剤層を封止材の上に形成し、そして次に工程84において、シールド金属層を第1接着剤層の上にマスクまたはステンシルを用いて塗布する、または印刷する。次に、工程86では、別の導電接着剤層を第1接着剤層、及びステンシル印刷で形成される金属層を覆うように形成する。金属層は連続していないので、第1接着剤層及び第2接着剤層は混合し、そして金属層を封止材の上に強固に固定する。更に、ループワイヤが導電層に接触するので、導電層はリードフレームに電気的に接続される。工程82を行なわない場合、工程84では、第1導電接着剤層を封止材の上に、マスクまたはステンシルを使用して形成し、次に金属層をステンシル印刷で形成される接着剤層の上に形成する。次に、工程84では、第2導電接着剤層を、ステンシル印刷で形成される第1層、及び金属層を覆うように形成する。第2接着剤層は第1接着剤層と融合し、そして金属層を封止材に強固に固定する。複数のパッケージが同時に形成されている場合、個片化工程90を行なって個々のパッケージを形成する。
EMIシールド及び/又は電磁シールドを部品レベルで形成するプロセスを提供してきたことを理解されたい。このプロセスは、QFNに対して特に望ましい、というのは、処理を、追加の処理装置を必要とすることなく行なうことができるからである。更に、このプロセスは、EMI放射及び/又は電磁放射を部品レベルで防止するためのコスト効率の高い方法である。ワイヤを使用して導電層を接地する方法は、QFNのような一体形アレイに成形される(すなわち、予め成形される、または個々に成形される、のいずれでもない)パッケージに対して特に有用である。種々のセラミック層を使用して製造されるセラミックリードレスチップキャリア(CLCC)のような予め成形されるパッケージはEMIを、上側金属キャップを接地し、そして下側接地平面にビアを通して半田付けすることにより防止することができる。リードフレームを第1側面で露出させ、かつ複数のアレイパッケージ(MAP)を第2側面で成形するQFNパッケージまたは他のパッケージでは、成形化合物が第2側面の全体を被覆する。成形されたMAPリードフレームの個々の素子は互いに近接して配置されるので、成形プロセスの間、個々のキャップを各素子にかぶせることができず、正規の位置に保持することができない。隣接する素子の間の距離を長くし、そして成形前に個々のキャップを使用する方法は、他の技術的課題を伴う上に、コストが非常に高く付く。個々のキャップをかぶせ、そして保持する方法は困難であり、かつ成形プロセス自体の障害となり得る。パッケージを予め成形しないプロセスフローに起因して、金属キャップを使用することができない。更に、ビアをCLCCに設けるために使用されるプロセスは、QFN,BGAなどのタイプのパッケージを形成するために使用される成形プロセスとは異なる。例えば、ビアをQFNタイプのパッケージに形成するために、ビアはモールド封止材の中に形成する必要があり、この処理によって製造コストが高くなり、複雑さが増す。
本発明を実施する装置はほとんどの部分が、この技術分野の当業者には公知の電子部品及び電子回路により構成される。従って、回路の詳細については本発明の基本コンセプトを理解し、そして評価するために必要と考えられる程度以上に説明するということはせず、本発明の示唆が不明瞭になる、または示唆から外れてしまうことがないようにしている。
本明細書ではこれまで、本発明について特定の実施形態を参照しながら説明してきた。しかしながら、この技術分野の当業者であれば、種々の変形及び変更を、以下の請求項に示す本発明の技術範囲から逸脱しない範囲において加え得ることが分かるであろう。従って、明細書及び図は、本発明を制限するものとしてではなく例示として捉えられるべきであり、そしてこのような変更の全てが本発明の技術範囲に含まれるべきものである。
効果、他の利点、及び技術的問題に対する解決法について、特定の実施形態に関して上に記載してきた。しかしながら、効果、利点、及び問題解決法、及びいずれかの効果、利点、または問題解決法をもたらし、またはさらに顕著にし得る全ての要素(群)が、いずれかの請求項または全ての請求項の必須の、必要な、または基本的な特徴または要素であると解釈されるべきではない。本明細書で使用されるように、「comprises」、「comprising」という用語、または他の全てのこれらの変形は包括的な意味で適用されるものであり、一連の要素を備える(comprises a list of elements)プロセス、方法、製品、または装置がこれらの要素のみを含むのではなく、明らかには列挙されていない、またはそのようなプロセス、方法、製品、または装置に固有の他の要素も含むことができる。本明細書で使用される「a」または「an」という用語は「1つ以上(one or more)」として定義される。本明細書で使用される「plurality」という用語は「2つの、または2つよりも多くの(two or more than two)」として定義される。本明細書で使用される「another」という用語は「少なくとも2番目以降の(at least a second or more)」として定義される。本明細書で使用される「coupled」という用語は「connected」として定義されるが、必ずしも直接的にという意味ではなく、必ずしも機械的にという意味でもない。記述及び請求項において用いられているとすると、「前の(front)」、「後の(back)」、「上側の(top)」、「下側の(bottom)」、「上に(over)」、「下に(under)」などの用語は、表現上の目的で使用し、必ずしも恒久的な相対位置を表わすために使用するのではない。ここで、このように使用する用語は適切な条件の下では入れ替え可能であるので、本明細書に記載する本発明の実施形態が、例えば例示の配置以外の配置で、または本明細書に記載する配置以外の配置で動作することができることを理解されたい。
Claims (19)
- フラグ及びリードフィンガを有するリードフレームと、
フラグに取り付けられ、かつリードフィンガに電気的に接続される半導体チップと、
半導体チップを覆う封止材と、
封止材の上に位置し、かつシールド金属層及び導電接着剤層の複合層を含む導電層と、
リードフレームを導電層に電気的に接続するワイヤとを備える半導体パッケージ。 - 導電層は、封止材の表面の第1領域の上にステンシル印刷で形成される第1導電接着剤層、及び封止材の表面の第2領域の上にステンシル印刷で形成されるシールド金属を含み、第2領域は第1領域を取り囲み、そして導電接着剤層はシールド金属及び第1導電接着剤層を覆う、請求項1記載の半導体パッケージ。
- 導電層は第1導電接着剤層と、ステンシル印刷で形成される第2シールド金属層と、そして第3導電接着剤層と、を含み、第1層及び第3層は離間した位置で互いに接触する、請求項1記載の半導体パッケージ。
- ループワイヤはリードフレームに半導体チップ及びボンディングワイヤを経由して接続される、請求項1記載の半導体パッケージ。
- シールド金属は強磁性体材料を含む、請求項1記載の半導体パッケージ。
- 導電性強磁性体材料はNiFeを含む、請求項5記載の半導体パッケージ。
- シールド金属は、アルミニウム、銅、錫、及び亜鉛から成るグループから選択される元素を含む、請求項1記載の半導体パッケージ。
- フラグ及び複数のリードフィンガを有するリードフレームを作製する工程と、
半導体チップをフラグに取り付ける工程と、
半導体チップをこれらのリードフィンガに電気的に接続する工程と、
リードフレームに電気的に接続されるループワイヤを形成する工程と、
半導体チップ、及びループワイヤの少なくとも一部分を封止材により封止する工程と、
シールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む導電層を封止材の上に形成する工程と、を含み、ループワイヤは導電層に接触するのでリードフレームが導電層に電気的に接続される、半導体パッケージを形成する方法。 - 導電層を形成する工程では、
シールド金属を含む第1層を封止材の上に形成し、シールド金属は封止材にステンシルを使って塗布され、そして
導電接着剤を含む第2層を封止材及びシールド金属の上に形成し、第2層は第1層及び封止材の両方に接触する、請求項8記載の半導体パッケージを形成する方法。 - 導電層を形成する工程では、
第1導電接着剤層を封止材の上に形成し、
シールド金属を含む第2層を第1層の上に形成し、シールド金属は第1層にステンシルを使って塗布され、そして
導電接着剤を含む第3層を第1及び第2層の上に形成し、第3層は第1及び第2層の両方に接触し、かつ接着する、請求項8記載の半導体パッケージを形成する方法。 - ループワイヤはリードフレームに半導体チップ及びボンディングワイヤを経由して接続される、請求項8記載の半導体パッケージを形成する方法。
- シールド金属は導電性強磁性体材料を含む、請求項8記載の半導体パッケージを形成する方法。
- 導電性強磁性体材料はNiFeを含む、請求項12記載の半導体パッケージを形成する方法。
- シールド金属は、アルミニウム、銅、錫、及び亜鉛から成るグループから選択される元素を含む、請求項8記載の半導体パッケージを形成する方法。
- 第1及び第2リードフレームを有するリードフレームパネルを作製する工程であって、第1及び第2リードフレームの各々がフラグ及び複数のリードフィンガを含む構成の工程と、
第1及び第2半導体チップを、第1及び第2リードフレームのフラグにそれぞれ取り付ける工程と、
第1及び第2半導体チップを、第1及び第2リードフレームのフィンガにそれぞれ電気的に接続する工程と、
第1端及び第2端を有するボンディングワイヤを形成する工程と、
ボンディングワイヤの第1端を第1リードフレームのリードフィンガに、そしてボンディングワイヤの第2端を第2リードフレームのリードフィンガに電気的に接続する工程と、
封止材を第1及び第2半導体チップ、及びボンディングワイヤを覆うように形成する工程であって、ボンディングワイヤの一部分が露出する構成の工程と、
導電層を封止材及びボンディングワイヤの上に形成する工程であって、導電層がボンディングワイヤの露出部分に電気的に接続され、かつシールド金属及び導電接着剤の複合材料を含む構成の工程と、
リードフレームパネルを個片化して第1及び第2パッケージ素子を形成する工程と、を含む、半導体パッケージを形成する方法。 - 封止材を形成する工程では、
封止材を第1及び第2半導体チップ、及びボンディングワイヤの上に形成し、及び、ボンディングワイヤの一部分を、封止材の一部分を除去することにより露出させる、請求項15記載の半導体パッケージを形成する方法。 - 導電層を形成する工程では、
シールド金属を含む第1層を封止材の上に形成し、シールド金属は封止材にステンシルを使って塗布され、
導電接着剤を含む第2層を封止材及びシールド金属の上に形成し、第2層は第1及び封止材の両方に接触する、請求項15記載の半導体パッケージを形成する方法。 - 導電層を形成する工程では、
第1導電接着剤層を封止材の上に形成し、
シールド金属を含む第2層を第1層の上に形成し、シールド金属は第1層にステンシルを使って塗布され、
導電接着剤を含む第3層を第1及び第2層の上に形成し、第3層は第1及び第2層に接触し、かつ接着する、請求項15記載の半導体パッケージを形成する方法。 - シールド金属は導電性強磁性体材料を含む、請求項15記載の半導体パッケージを形成する方法。
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