JP2008502126A - 光学結像系の像品質測定システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】結像系の物体面上に配置されたパターンを結像系の像面上に結像するために設けられた光学結像系であって、結像系の物体側及び像側の少なくとも一方の上に配置された浸漬液によって結像することができる液浸系として構成される光学結像系の光学測定用の測定システムにおいて、測定構造体を有する少なくとも1つの構造体キャリアであって、浸漬液の領域内に配置されるように設けられ、且つ保護システムを割り当てられ、それにより、浸漬液によって引き起こされる劣化に対する測定構造体の耐性を高めるようにした構造体キャリアを備える、測定システム。
【選択図】図1
Description
Claims (31)
- 結像系の物体面上に配置されたパターンを結像系の像面上に結像するために設けられた光学結像系であって、結像系の物体側及び像側の少なくとも一方の上に配置された浸漬液によって結像することができる液浸系として構成される光学結像系の光学測定用の測定システムにおいて、
測定構造体を有する少なくとも1つの構造体キャリアであって、浸漬液の領域内に配置されるように設けられ、且つ保護システムを割り当てられ、それにより、浸漬液によって引き起こされる劣化に対する測定構造体の耐性を高めるようにした構造体キャリアを備える、測定システム。 - 物体側測定構造体を有する、結像系の物体側に配置すべき物体側構造体キャリアと、
像側測定構造体を有する、結像系の像側に配置すべき像側構造体キャリアとを備え、
結像系によって物体側測定構造体を像側測定構造体上に結像したとき、重ね合わせパターンが生成されるように、物体側測定構造体及び像側測定構造体を互いに一致させており、さらに
重ね合わせパターンの局部分解収集用の検出器を備え、
物体側構造体キャリア及び像側構造体キャリアの少なくとも一方は、浸漬液の領域内に配置されるように設けられ、且つ保護システムを割り当てられ、それにより、浸漬液によって引き起こされる劣化に対する測定構造体の耐性を高めるようにした、請求項1に記載の測定システム。 - 構造体キャリアは、基板であって、測定構造体を形成する被膜が、少なくとも1つの基板表面に塗布される基板を備える、請求項1に記載の測定システム。
- 被膜は、金属又は合金、特にクロム又はクロム含有金属からなる、請求項3に記載の測定システム。
- 保護システムは、測定構造体を形成する被膜及び基板に対して、基板及び保護システムによって被膜の全側部がほぼ液密状に閉鎖されるように塗布される、請求項3に記載の測定システム。
- 保護システムは、測定放射光を透過する少なくとも1つの保護層を有する、請求項1に記載の測定システム。
- 保護システムは、測定構造体に塗布された保護層だけによって形成される、請求項1に記載の測定システム。
- 保護層は、測定放射光を透過する単一材料層によって形成される、請求項6に記載の測定システム。
- 保護層は、浸漬液をほとんど透過しない少なくとも1つのバリア層を有する、請求項6に記載の測定システム。
- バリア層は、浸漬液に対して実質的な化学的耐性を有する材料であって、バリア層の、測定構造体と反対側に面する外側から、バリア層の、測定構造体に面する側まで貫通する細孔をほとんど有していない少なくとも1つのバリア層材料からなる、請求項9に記載の測定システム。
- 保護層は、二酸化ケイ素の単一層である、請求項6に記載の測定システム。
- 二酸化ケイ素の個々の層は、幾何学的層厚さが約30nm〜約100nmである、請求項11に記載の測定システム。
- 保護層は、上下に重なる複数の材料層を有する、請求項6に記載の測定システム。
- 保護層は、保護層と浸漬液との間に形成された固体/液体境界面用の反射防止層として構成される、請求項6に記載の測定システム。
- 保護層は、測定構造体を形成する金属被膜の、浸漬液に対して被膜の材料より化学的に安定している金属製の電気メッキである、請求項6に記載の測定システム。
- 保護層は、測定構造体を形成する金属被膜の材料の、浸漬液に対して被膜の材料より化学的に安定している反応生成物からパッシベーション層のように形成される、請求項6に記載の測定システム。
- 保護層は、測定構造体を形成する下側の被膜のために考えられる形状ずれに関して、保護層の、放射光入射面として機能する外側が平坦面であるように補正される、請求項6に記載の測定システム。
- 保護システムは、構造体キャリアから分離した構成部品であって、測定構造体及び浸漬液間に取り付けられた、又は取り付けられることができる構成部品である、請求項1に記載の測定システム。
- 保護システムは、気体又は液体を満たすことができる隙間が、測定構造体及び保護システム間に生じることができるように構成される、請求項1に記載の測定システム。
- 保護システムは、測定中に測定構造体及び浸漬液間に配置される、測定放射光を透過する平行平面プレートを有する、請求項1に記載の測定システム。
- 保護システムは、プレート用の保持構造体であって、構造体キャリア上に載置されたとき、保護すべき測定構造体の側方を囲み、それにより、プレート及び保持構造体によって形成された保護システムによって測定構造体が液密状に閉鎖されるようにする、保持構造体を有する、請求項20に記載の測定システム。
- 結像系の結像品質を説明する少なくとも1つの結像パラメータを重ね合わせパターンから決定するための評価装置が設けられ、該評価装置は、重ね合わせパターンを評価するための評価プログラムと、重ね合わせパターンの構造体に対する保護システムの光学効果を計算によって考慮に入れるための補正プログラムとを備える、請求項2に記載の測定システム。
- 保護システムの光学効果の決定は、少なくとも1つの測定変数を、保護システム付きの測定構造体について決定し、それにより、測定変数の第1測定値を決定できるようにし、また、他の点では同一である保護システムなしの測定構造体について決定し、それにより、測定変数の第2測定値を決定できるようにし、第1及び第2測定値間に差を生じる、請求項22に記載の測定システム。
- 保護システム付きの測定構造体及び保護システムなしの測定構造体は、小領域だけに保護システムを設けた1つの測定構造体によって形成される、請求項23に記載の測定システム。
- 光学結像系の光学測定用の測定システムのための構造体キャリアにおいて、保護システムによって保護された少なくとも1つの測定構造体であって、それにより、浸漬液によって引き起こされる劣化に対する測定構造体の耐性を高めるようにした、少なくとも1つの測定構造体を有する構造体キャリア。
- 測定構造体は、回折格子である、請求項25に記載の構造体キャリア。
- 測定構造体は、モアレ測定法のための線構造体である、請求項25に記載の構造体キャリア。
- 測定構造体は、少なくとも1つのピンホールを有する、請求項25に記載の構造体キャリア。
- 保護システムは、測定構造体上に配置された、測定放射光を透過するが浸漬液をほとんど透過しない保護層によって形成される、請求項25に記載の構造体キャリア。
- 保護層は、二酸化ケイ素の単一層である、請求項29に記載の構造体キャリア。
- 光学結像系の光学測定用の測定システムのための構造体キャリアであって、保護システムによって保護され、それにより、浸漬液によって引き起こされる劣化に対する測定構造体の耐性を高めるようにした、測定フィールドを制限するためのダイアフラム構造体を有する構造体キャリア。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011003898A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置のためのセンサ |
WO2011105307A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | Nikon Corporation | Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012129557A (ja) * | 2005-04-25 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2019510266A (ja) * | 2016-03-02 | 2019-04-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置及び投影レンズを測定する方法 |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
KR101381538B1 (ko) | 2003-02-26 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
SG10201404132YA (en) | 2003-04-11 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
KR101597475B1 (ko) | 2003-04-11 | 2016-02-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
TW200509205A (en) | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20180112884A (ko) | 2003-06-13 | 2018-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI536430B (zh) | 2003-06-19 | 2016-06-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
WO2005006416A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4524669B2 (ja) | 2003-07-25 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系の検査方法および検査装置 |
CN102323724B (zh) | 2003-07-28 | 2014-08-13 | 株式会社尼康 | 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101419192B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI497565B (zh) | 2003-09-29 | 2015-08-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method |
KR101111364B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-02-27 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법 |
EP1672682A4 (en) | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
KR101394764B1 (ko) | 2003-12-03 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
KR101941351B1 (ko) | 2003-12-15 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
EP1704445A2 (de) * | 2004-01-16 | 2006-09-27 | Carl Zeiss SMT AG | Vorrichtung und verfahren zur optischen vermessung eines optischen systems, messstrukturträger und mikrolithographie-projekti onsbelichtungsanlage |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7990516B2 (en) | 2004-02-03 | 2011-08-02 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4845880B2 (ja) | 2004-06-04 | 2011-12-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像系の像品質測定システム |
JP4760708B2 (ja) | 2004-06-09 | 2011-08-31 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法、メンテナンス方法 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101342330B1 (ko) | 2004-07-12 | 2013-12-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2506289A3 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101223459A (zh) | 2005-05-27 | 2008-07-16 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 光散射盘、其用途以及波阵面测量设备 |
US7242843B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-07-10 | Corning Incorporated | Extended lifetime excimer laser optics |
DE102005040749B3 (de) * | 2005-08-26 | 2007-01-25 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur interferometrischen Messung einer optischen Eigenschaft eines Prüflings sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung |
DE102005041203A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken |
FR2890742B1 (fr) * | 2005-09-12 | 2007-11-30 | Production Et De Rech S Appliq | Equipement et procede de surveillance d'un dispositif lithographique a immersion. |
US7495743B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Immersion optical lithography system having protective optical coating |
US7459669B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Sensor and lithographic apparatus |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100590173C (zh) * | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
US7760345B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-07-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Method and apparatus for determining at least one optical property of an imaging optical system |
KR100963036B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2010-06-14 | 주식회사 엘지화학 | 회절 격자를 이용한 레이저 간섭 리소그래피 방법 |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
DE102011005826A1 (de) | 2011-03-21 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Vorrichtung |
US9234741B2 (en) * | 2014-04-01 | 2016-01-12 | Dmetrix, Inc. | Interferometric apparatus with computer-generated hologram for measuring non-spherical surfaces |
DE102014226269A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Wellenfrontmesseinrichtung, Projektionsobjektiv mit einer solchen Messeinrichtung und mit einer solchen Messeinrichtung zusammenwirkender optischer Wellenfrontmanipulator |
US9786053B2 (en) | 2015-03-06 | 2017-10-10 | ZephaVision, LLC | Optical measuring device |
US10380728B2 (en) * | 2015-08-31 | 2019-08-13 | Kla-Tencor Corporation | Model-based metrology using images |
DE102016202198A1 (de) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Moiré-Vermessung eines optischen Prüflings |
DE102016212477A1 (de) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems |
US10705435B2 (en) * | 2018-01-12 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement |
AU2019207864B2 (en) * | 2018-01-12 | 2023-12-14 | Damae Medical | Dynamic focusing system for an optical device |
CN110879131B (zh) * | 2018-09-06 | 2021-10-01 | 舜宇光学(浙江)研究院有限公司 | 目视光学系统的成像质量测试方法、成像质量测试装置和电子设备 |
CN110243289A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-09-17 | 桂林电子科技大学 | 一种实时云纹干涉图高速相位提取系统及提取方法 |
KR20210025937A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 전자 디바이스 |
US11164307B1 (en) * | 2020-07-21 | 2021-11-02 | Kla Corporation | Misregistration metrology by using fringe Moiré and optical Moiré effects |
Citations (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58202448A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08153676A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-06-11 | Toshiba Corp | アライメントマーク及びその製造方法と、このアライメントマークを用いた露光方法及びこの露光方法を用いて製造された半導体装置 |
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000018916A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Sony Corp | 計測装置及び計測方法 |
JP2001210573A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Daido Steel Co Ltd | アライメントマークの形成方法 |
US6381013B1 (en) * | 1997-06-25 | 2002-04-30 | Northern Edge Associates | Test slide for microscopes and method for the production of such a slide |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2003524175A (ja) * | 2000-02-23 | 2003-08-12 | カール−ツアイス−スチフツング | 波面検出装置 |
EP1420449A1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method with reversed alignment markers |
JP2004165666A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2004207711A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2004207709A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
WO2004074937A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法 |
JP2004287400A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | 検査方法とデバイス製造方法 |
JP2004363588A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2005513809A (ja) * | 2001-12-24 | 2005-05-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | イメージングシステムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 |
WO2005043607A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005123258A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
JP2005191570A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Asml Netherlands Bv | 測定方法、位置合せマークを提供するための方法及びデバイス製造方法 |
JP2005202375A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | 液浸リソグラフィー用投影対物レンズ |
JP2005252239A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 液浸リソグラフィ流体 |
JP2007513526A (ja) * | 2003-12-09 | 2007-05-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用センサ及びリソグラフィ装置の測定値を得る方法 |
JP2007520893A (ja) * | 2004-02-03 | 2007-07-26 | ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー | 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム |
JP2007527611A (ja) * | 2003-07-08 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP5973773B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-08-23 | 株式会社トプコン | 回転角検出装置 |
Family Cites Families (238)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5919912Y2 (ja) | 1978-08-21 | 1984-06-08 | 清水建設株式会社 | 複合熱交換器 |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4418984A (en) | 1980-11-03 | 1983-12-06 | Hughes Aircraft Company | Multiply coated metallic clad fiber optical waveguide |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS6113794Y2 (ja) | 1981-01-16 | 1986-04-28 | ||
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS57153433U (ja) | 1981-03-20 | 1982-09-27 | ||
US4537813A (en) * | 1982-09-27 | 1985-08-27 | At&T Technologies, Inc. | Photomask encapsulation |
JPS59226317A (ja) | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明装置 |
JPS61113376A (ja) | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Sony Corp | テレビジヨン信号の動き検出装置 |
JPH0653120B2 (ja) | 1985-05-10 | 1994-07-20 | オリンパス光学工業株式会社 | 超音波診断装置 |
JPS6265326U (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
JPS63157419U (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-14 | ||
US5062705A (en) * | 1989-09-13 | 1991-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for evaluating a lens |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH0465603U (ja) | 1990-10-11 | 1992-06-08 | ||
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP2938187B2 (ja) | 1991-09-20 | 1999-08-23 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法及び同方法を実施するための装置 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP3240189B2 (ja) | 1992-10-12 | 2001-12-17 | 株式会社日立製作所 | 光学素子及び光学素子の製造方法 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
WO1995005309A1 (de) | 1993-08-13 | 1995-02-23 | Putzmeister-Werk Maschinenfabrik Gmbh | Verfahren und anordnung zur oberflächenbearbeitung von grossobjekten |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3186011B2 (ja) | 1994-06-24 | 2001-07-11 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JP3521544B2 (ja) | 1995-05-24 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
KR100422887B1 (ko) | 1995-03-16 | 2005-02-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및방법 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5883704A (en) | 1995-08-07 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system |
US5798838A (en) | 1996-02-28 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having function of detecting intensity distribution of spatial image, and method of detecting the same |
JP3991166B2 (ja) | 1996-10-25 | 2007-10-17 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
CN1244021C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 光刻装置和曝光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands B.V., Veldhoven | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
US5767959A (en) * | 1997-03-28 | 1998-06-16 | Nikon Corporation | Lens distortion measurement using moire fringes |
US6292255B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-09-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Dose correction for along scan linewidth variation |
US6013401A (en) | 1997-03-31 | 2000-01-11 | Svg Lithography Systems, Inc. | Method of controlling illumination field to reduce line width variation |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6563565B2 (en) | 1997-08-27 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Apparatus and method for projection exposure |
JP3445120B2 (ja) | 1997-09-30 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
TW449672B (en) | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
JPH11194479A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Nikon Corp | フォトマスクの製造方法及び装置 |
AU2184799A (en) | 1998-01-29 | 1999-08-16 | Nikon Corporation | Illumination meter and exposure system |
JP4207240B2 (ja) | 1998-02-20 | 2009-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
AU2747899A (en) | 1998-03-20 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure system |
AU2958299A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device |
WO1999066370A1 (fr) | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede relatif a l'elaboration d'un masque |
JP2000012453A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法 |
JP2000029202A (ja) | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Nikon Corp | マスクの製造方法 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000097616A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 干渉計 |
US6307635B1 (en) * | 1998-10-21 | 2001-10-23 | The Regents Of The University Of California | Phase-shifting point diffraction interferometer mask designs |
US6563567B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
US6281967B1 (en) | 2000-03-15 | 2001-08-28 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method |
US6448568B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-09-10 | Applied Materials, Inc. | Electron beam column using high numerical aperture photocathode source illumination |
DE69930398T2 (de) | 1999-09-20 | 2006-10-19 | Nikon Corp. | Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren |
US6292608B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-09-18 | Agilent Technologies, Inc. | Line scan camera |
JP2001144004A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
KR20010085493A (ko) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 시마무라 기로 | 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법 |
JP2002100561A (ja) | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001284210A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002071513A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
WO2002042728A1 (fr) | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Nikon Corporation | Procede et dispositif permettant de mesurer les aberrations d'un systeme optique de projection et procede et dispositif d'exposition |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
WO2002063664A1 (fr) | 2001-02-06 | 2002-08-15 | Nikon Corporation | Systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
EP1231517A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method of measuring wave front aberrations |
JP4921644B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2012-04-25 | オリンパス株式会社 | 波面測定装置および波面測定方法 |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
KR100588121B1 (ko) | 2002-03-01 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마스크 또는 기판 이송방법, 상기 방법에 적합한저장박스, 디바이스 또는 장치 및 상기 방법을 포함하는디바이스제조방법 |
JP2003254725A (ja) | 2002-03-04 | 2003-09-10 | Nikon Corp | 波面収差測定方法及び波面収差測定装置 |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP2005536775A (ja) | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1416327B1 (en) | 2002-11-01 | 2007-06-20 | ASML Netherlands B.V. | Inspection method and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG142129A1 (en) * | 2002-11-13 | 2008-05-28 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP1420499B1 (en) | 2002-11-15 | 2006-06-14 | Minebea Co., Ltd. | Rotor with embedded permanent magnets |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP2004301825A (ja) | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR101101737B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
EP1584089B1 (en) | 2002-12-19 | 2006-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
CN1316482C (zh) | 2002-12-19 | 2007-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射层上斑点的方法和装置 |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7130037B1 (en) | 2003-01-09 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspecting wafers and reticles with increased resolution |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
WO2004093159A2 (en) | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
KR101238142B1 (ko) | 2003-04-10 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
WO2004093160A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
KR101364928B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
KR101597475B1 (ko) | 2003-04-11 | 2016-02-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
SG10201404132YA (en) | 2003-04-11 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR20050122269A (ko) | 2003-04-17 | 2005-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피를 이용하기 위한 오토포커스 소자의광학적 배열 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200509205A (en) | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
TWI282487B (en) | 2003-05-23 | 2007-06-11 | Canon Kk | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7145643B2 (en) | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
KR101915921B1 (ko) | 2003-08-21 | 2019-01-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
EP1510870A1 (en) | 2003-08-29 | 2005-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101419192B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005093948A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
EP1519231B1 (en) | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI497565B (zh) | 2003-09-29 | 2015-08-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method |
EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
JP4747263B2 (ja) | 2003-11-24 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置 |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101394764B1 (ko) | 2003-12-03 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
EP1700163A1 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-13 | Carl Zeiss SMT AG | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
JP5420821B2 (ja) | 2004-01-14 | 2014-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射屈折投影対物レンズ |
KR101230757B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-06 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
CN1938646B (zh) | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
CN101727021A (zh) | 2004-02-13 | 2010-06-09 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜 |
EP1721201A1 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-15 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050231695A1 (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for immersion lithography using high PH immersion fluid |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
JP5769356B2 (ja) | 2004-05-17 | 2015-08-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4845880B2 (ja) | 2004-06-04 | 2011-12-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像系の像品質測定システム |
KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
JP2006339448A (ja) | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Canon Inc | 受光ユニットを有する露光装置 |
-
2005
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- 2005-06-03 TW TW094118291A patent/TWI406100B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-03 TW TW102122226A patent/TW201341976A/zh unknown
-
2008
- 2008-03-27 US US12/057,098 patent/US7760366B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-05 US US12/850,740 patent/US8488127B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-14 US US13/918,113 patent/US8823948B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-08-11 US US14/456,100 patent/US9429495B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58202448A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08153676A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-06-11 | Toshiba Corp | アライメントマーク及びその製造方法と、このアライメントマークを用いた露光方法及びこの露光方法を用いて製造された半導体装置 |
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
US6381013B1 (en) * | 1997-06-25 | 2002-04-30 | Northern Edge Associates | Test slide for microscopes and method for the production of such a slide |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000018916A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Sony Corp | 計測装置及び計測方法 |
JP2001210573A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Daido Steel Co Ltd | アライメントマークの形成方法 |
JP2003524175A (ja) * | 2000-02-23 | 2003-08-12 | カール−ツアイス−スチフツング | 波面検出装置 |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2005513809A (ja) * | 2001-12-24 | 2005-05-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | イメージングシステムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 |
JP2004287400A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | 検査方法とデバイス製造方法 |
JP2004165666A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
EP1420449A1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method with reversed alignment markers |
JP2004207709A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2004207711A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
WO2004074937A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法 |
JP2004363588A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2007527611A (ja) * | 2003-07-08 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP2005123258A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
WO2005043607A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007513526A (ja) * | 2003-12-09 | 2007-05-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用センサ及びリソグラフィ装置の測定値を得る方法 |
JP2005202375A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | 液浸リソグラフィー用投影対物レンズ |
JP2005191570A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Asml Netherlands Bv | 測定方法、位置合せマークを提供するための方法及びデバイス製造方法 |
JP2005252239A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 液浸リソグラフィ流体 |
JP2007520893A (ja) * | 2004-02-03 | 2007-07-26 | ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー | 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム |
JP5973773B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-08-23 | 株式会社トプコン | 回転角検出装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012129557A (ja) * | 2005-04-25 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2011003898A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置のためのセンサ |
WO2011105307A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | Nikon Corporation | Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2011176312A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 瞳透過率分布の測定方法および測定装置、露光方法および露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015144275A (ja) * | 2010-02-25 | 2015-08-06 | 株式会社ニコン | 光学系の測定方法、露光装置の制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2019510266A (ja) * | 2016-03-02 | 2019-04-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置及び投影レンズを測定する方法 |
US10585356B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-03-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure apparatus and method for measuring a projection lens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9429495B2 (en) | 2016-08-30 |
US7796274B2 (en) | 2010-09-14 |
US20130293869A1 (en) | 2013-11-07 |
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WO2005119368A2 (en) | 2005-12-15 |
WO2005119368A3 (en) | 2006-05-11 |
TWI406100B (zh) | 2013-08-21 |
US7760366B2 (en) | 2010-07-20 |
KR101257960B1 (ko) | 2013-04-24 |
US20080180688A1 (en) | 2008-07-31 |
EP1774405B1 (en) | 2014-08-06 |
US20100315651A1 (en) | 2010-12-16 |
JP4845880B2 (ja) | 2011-12-28 |
US20080252876A1 (en) | 2008-10-16 |
US8488127B2 (en) | 2013-07-16 |
US8823948B2 (en) | 2014-09-02 |
CN101833247B (zh) | 2013-11-06 |
CN100594430C (zh) | 2010-03-17 |
KR101368523B1 (ko) | 2014-02-27 |
TW201341976A (zh) | 2013-10-16 |
US20140347654A1 (en) | 2014-11-27 |
CN101833247A (zh) | 2010-09-15 |
KR20070024561A (ko) | 2007-03-02 |
CN1973246A (zh) | 2007-05-30 |
KR20120066055A (ko) | 2012-06-21 |
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