JP2004287400A - 検査方法とデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】該検査方法は、リソグラフィ装置を使用して、互いに異なる第1と第2のパターン構成要素G1,G2を組み合わせたテストパターンを基板Wにプリントする段階と、リソグラフィ装置を使用して、前記第1と第2のテストパターン構成要素G1,G2に各々対応する第1と第2の基準パターンRG1,RG2を前記基板Wにプリントする段階と、スキャタロメータを使用して、前記テストパターンと前記第1及び第2の規準パターンとの第1、第2、第3の反射スペクトルS1,S2,S3を測定する段階と、前記第1、第2、第3の反射スペクトルから前記基板W上の前記テストパターンのパラメータを指示する情報を得る段階とを含んでいる。
【選択図】図4
Description
リソグラフィ装置を使用して、互いに異なる第1と第2のパターン構成要素を組み合わせたテストパターンを基板上にプリントする段階と、
リソグラフィ装置を使用して、前記第1と第2のパターン構成要素に各々対応する第1と第2の基準パターンを前記基板上にプリントする段階と、
スキャタロメータを使用して、前記テストパターンの第1、第2、第3の反射スペクトルと、前記第1及び第2の規準パターンの第1、第2、第3の反射スペクトルとを測定する段階と、
前記第1、第2、第3の反射スペクトルから前記基板上の前記テストパターンのパラメータを指示する情報を得る段階とを含む検査方法により達せられた。
基準パターンを加えることで、単一テストパターンを使用するスキャタロメトリに比して感度が改善され、スキャタロメトリのデータから所望の情報を得る過程が簡単化される。幾つかの場合、基準パターンの再構成は、2構成要素のテストパターンの再構成より簡単で、最初に行われる。その場合、基準パターンの再構成の結果が、テストパターンの再構成に利用される。別の場合には、所望の情報が、異なるスペクトルを比較することで直接得られ、テストパターンの再構成を必要としない。
好ましくは、スキャタロメトリ段階は、垂直入射白色光によるスキャタロメータを使用して行う。
少なくとも部分的に放射線感受性材料層により覆われた基板を得る段階と、
放射系を使用して放射投影ビームを得る段階と、
パターニング素子を使用して、投影ビームの横断面にパターンを付与する段階と、
パターン付与された投影ビームを放射線感受性材料層のターゲット区画に投影する段階とを有する形式のものにおいて、
前記パターンが、プロセス層に相応するパターンと、互いに異なる第1及び第2のパターン構成要素の組み合わせを含むテストパターンと、前記第1及び第2のパターン構成要素に各々対応する基準パターンとを含み、かつまた
スキャタロメトリを使用して、前記テストパターンと、前記第1及び第2の基準パターンとの第1、第2、第3の反射スペクトルを測定する段階と、
前記基板上の前記テストパターンのパラメータを指示する情報を、前記第1、第2、第3の反射スペクトルから得る段階とを特徴としている。
本発明のこの態様の一好適実施例では、パラメータを指示する前記情報は、リソグラフィ装置又は処理工程のパラメータを調節するのに使用され、その後で、別の基板が用意され、パターニング素子を使用しパターン付与されたビームを投影することで、投影ビームを得る段階が反復される。このようにして、基板上で行われたスキャタロメトリの成績を使用して、リソグラフィ装置又は処理工程を調節することで、後続の露光を改善することができる。
ここで使用する「パターニング素子」という用語は、基板のターゲット区画にパターンが形成されるように、投影ビーム横断面にパターンを付与するのに使用できる素子を指すものと広義に解釈されたい。注意すべき点は、投影ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット区画に設けられる目標パターンに正確には対応しないでよい点である。概して、投影ビームに付与されるパターンは、ターゲット区画に形成されるデバイス、例えば集積回路の1つの特定機能層に対応する。
照明系は、また放射投影ビームの指向、付形、制御いずれか用の屈折、反射、屈折反射各光学素子を含む種々の光学的な構成素子を包含するものであり、該素子は、また以下で集合的に又は単独で「レンズ」とも呼ばれる。
リソグラフィ装置は、また基板を比較的屈折率の高い液体、例えば水に浸漬することで、投影系の最終素子と基板との間の空間を満たす種類のものでもよい。浸漬液体は、またリソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の第1素子との間にも満たすことができる。浸漬技術は、技術上公知であり、該技術により投影系の開口数を増すことができる。
図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を略示したものである。該装置には、
放射投影ビーム(例えばUV放射線又はDUV放射線)PBを得るための照明系(照明器)ILと、
パターニング素子(例えばマスク)MAを支持し、かつ素子PLに対するパターニング素子の精密位置決め用の第1位置決め素子PMに接続された第1支持構造物(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆ウェーハ)Wを支持し、かつ素子PLに対し基板を精密位置決めするための第2位置決め素子PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
パターニング素子MAにより投影ビームPBに付与されたパターンを、基板Wのターゲット区画C(例えば1個以上のダイを含む)上に結像させるための投影系(例えば屈折投影レンズ)PLとが含まれている。
照明器ILは、放射線源SOから放射ビームを受け取る。線源とリソグラフィ装置とは、例えば線源がエキシマレーザの場合は、別個のユニットである。その場合、線源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられておらず、放射ビームは、線源SOから、例えば適当な指向性ミラー及び/又はビームエキスパンダを含むビーム放出系BDを介して照明器ILへ達する。別の場合、例えば線源が水銀灯の場合、線源はリソグラフィ装置に統合された一部となる。線源SOと照明器ILとは、必要であれば、ビーム放出系BDと引っくるめて放射系と呼んでよい。
1. ステップモードでは、マスクテーブルMTと基板テーブルWTとが、事実上定置のまま、投影ビームに付与された全パターンが1つのターゲット区画Cに一括投影(すなわち単一の静止露光で)される。次いで、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に変位され、それによって別の1つのターゲット区画Cが露光される。ステップモードでは、露光区域の最大寸法によって、単一の静止露光で結像されるターゲット区画の寸法が制限される。
2. 走査モードでは、マスクテーブルMTと基板テーブルWTとが同時に走査される一方、投影ビームに付与されたパターンが、ターゲット区画C(例えば単一の動的露光)に投影される。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度と方向とは、投影系PLの倍率(縮尺)及び画像反転特性により決定される。走査モードでは、露光区域の寸法により、単一の動的露光でのターゲット区画の幅(非走査方向での)が制限される一方、走査運動の距離により、ターゲット区画の高さ(走査方向での)が制限される。
3. 別のモードの場合、プログラム可能なパターニング素子を支持するマスクテーブルMTは事実上定置のままで、基板テーブルWTのほうを移動させるか走査するかして、投影ビームに付与されたパターンがターゲット区画Cへ投影される。このモードでは、概して、パルス放射線源が用いられ、プログラム可能なパターニング素子が、基板テーブルWTの各移動後に、又は走査中の連続放射パルスの間に、要求どおりに更新される。この操作モードは、プログラム可能なパターニング素子、例えば既述の種類のプログラム可能なミラー配列を利用する無マスクのリソグラフィに、容易に適用できる。
図2は、本発明が一部をなしているリソグラフィ処理工程の流れ図である。図1に関連して既に説明したリソグラフィ装置を使用して行われる露光段階S4の前に、基板、例えばシリコンウェーハは、プライミング段階S1、レジスト層を被覆する回転コーティング段階S2、レジストから溶剤を除去するソフトベイク段階S3の各段階で処理を受ける。露光後、ウェーハは、検査段階S8の前に、露光後ベイク段階S5、(レジストが陽画用か陰画用かに応じて)露光レジスト又は非露光レジストが除去される現像段階S6、ハードベイク段階S7の各段階で処理を受ける。検査段階S8は、種々異なる測定及び検査を含み、かつまた以下で説明する、本発明によるスキャタロメトリ段階を含んでいる。ウェーハが検査段階を通過すると、処理段階S9が行われる。この段階は、レジスト被覆されていない基板区域のエッチング、製品層の被着、金属化、イオン注入等々を含んでいる。処理段階S9の後、残存レジストは、剥離段階S10で剥がされ、最終検査段階S11が実施された後、別の層のための処理工程が再開される。基板は、検査段階S8で不合格になると、直接に剥離段階S9が実施され、同じプロセス層をプリントする別の工程が試みられる。
図示のように、スキャタロメータは、垂直入射スキャタロメータである。しかし、同じ原理は、傾斜入射スキャタロメータを使用する場合にも適用できる。単一角度での、或る波長範囲の反射ではなく、むしろ単一波長の、或る角度範囲での反射が測定されるスキャトロメトリの変化形式を使用してもよい。
図8から分かるように、テストパターンGは、内側ピッチPiと外側ピッチPoを有する2バーの格子を含んでいる。第1パターン構成要素は、内側ピッチPiに等しいピッチの単一バーの格子を含み、第2パターン構成要素は、外側ピッチPiに等しいピッチの単一バーの格子を含んでいる。図9と図10には、2つの基準パターンRG1',RG2'が示され、該基準パターンは、各々、ピッチPiの単一の格子と、ピッチPoの単一の格子とを含んでいる。
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は、既述の説明とは別様に実施することもできることは言うまでもない。既述の説明は、本発明を制限する意図のものではない。
BD ビーム放出素子
IL 照明系
AM 調節装置
IN 積分器
CO 集光レンズ
PB 投影ビーム
MA マスク
MT マスクテーブル
M1,M2 マスク位置合わせマーク
PM 第1位置決め素子
PL 投影系(レンズ)
W 基板
WT 基板テーブル
PW 位置決め素子
IF 位置センサ
C ターゲット区画
P1,P2 基板位置合わせマーク
TS テストパターン
10 スキャタロメータ
11 線源
13 分光計
G1,G2 パターン構成要素
TL 表面の層
BL 底面の層
IL 中間層
S1,S2,S3 スキャタロメトリ信号
RG1,RG2 基準パターン
Claims (11)
- 検査方法において、該検査方法が、
リソグラフィ装置を使用して、互いに異なる第1及び第2のパターン構成要素(G1,G2)を含むテストパターンを、基板(W)にプリントする段階と、
リソグラフィ装置を使用して、前記第1及び第2のパターン構成要素(G1,G2)に各々対応する第1及び第2の基準パターン(RG1,RG2)を前記基板(W)にプリントする段階と、
スキャタロメータを用いて、前記テストパターンと前記第1及び第2の基準パターンの第1、第2、第3の反射スペクトル(S1,S2,S3)とを測定する段階と、
前記第1、第2、第3の反射スペクトル(S1,S2,S3)から、前記基板(W)上の前記テストパターンのパラメータを指示する情報を得る段階とを含む検査方法。 - 前記第1及び第2のテストパターン構成要素(G1,G2)が形状を異にしている、請求項1に記載された検査方法。
- 前記第1及び第2のテストパターン構成要素(G1,G2)が、前記基板(W)上に設けられた複数プロセス層(TL,BL)の間で位置を異にしている、請求項1に記載された検査方法。
- 前記テストパターン(G)が、第1及び第2のプロセス層(TL,BL)の互いの上面にプリントされた第1と第2の位置合わせマーク(G1,G2)を含み、かつまた前記第1及び第2の基準パターンが、対応する基準位置合わせマーク(RG1,RG2)を含み、該マークが、各々、第1及び第2のプロセス層(TL,BL)にプリントされるが、オーバーレイはしていない、請求項3に記載された検査方法。
- 前記テストパターン(G)が、内側ピッチ(Pi)及び外側ピッチ(Po)を有する2バー格子パターンを含み、かつまた前記第1及び第2の基準パターンが、各々、内側ピッチに等しいピッチを有する単一バーの格子と、外側ピッチに等しいピッチを有する単一バーの格子とを含む、請求項2に記載された検査方法。
- 前記スキャタロメータが垂直入射スキャタロメータである、請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載された検査方法。
- 情報を得る前記段階が、前記第1及び第2の反射スペクトル(S1,S2)を用いて前記第1及び第2の基準パターン(RG1,RG2)を再構成し、かつまた再構成された基準パターンを使用して前記テストパターンを再構成する作業を含む、請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された検査方法。
- 情報を得る前記段階で、前記情報が、テストパターン(G1,G2)の再構成なしに、前記反射スペクトルから直接に得られる、請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された検査方法。
- デバイス製造方法であって、
放射線感受性材料層により少なくとも部分的に覆われた基板(W)を得る段階と、
放射系を用いて放射投影ビーム(PB)を得る段階と、
パターニング素子(MA)を使用して該投影ビームの横断面にパターンを付与する段階と、
パターン付与された投影ビームを、放射線感受性材料層のターゲット区域(C)に投影する段階とを含む形式のものにおいて、
前記パターンが、プロセス層を表すパターンと、互いに異なる第1及び第2のパターン構成要素(G1,G2)の組み合わせを含むテストパターンと、各々前記第1及び第2のテストパターン構成要素に対応する第1及び第2の基準パターン(RG1,RG2)とを含み、
スキャタロメータを用いて、前記テストパターン(G1,G2)と前記第1及び第2の基準パターン(RG1,RG2)との第1、第2、第3の反射スペクトル(S1,S2,S3)を測定する段階と、
前記第1、第2、第3の反射スペクトルから、前記基板(W)上の前記テストパターン(G1,G2)のパラメータを指示する情報を得る段階とを含むことを特徴とする、デバイス製造方法。 - 前記テストパターン(G1,G2)が、製品層のパターンに隣接する区域、例えばスクライブ・ラインにプリントされる、請求項9に記載されたデバイス製造方法。
- パラメータを指示する前記情報が、リソグラフィ装置及び処理工程のパラメータを調節するために使用され、その後で別の基板(W)が得られ、かつ放射投影ビーム(PB)を得る段階が、パターニング素子(MA)の使用とパターン付与されたビームの投影とにより反復される、請求項9又は請求項10に記載されたデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02257610 | 2002-11-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004287400A true JP2004287400A (ja) | 2004-10-14 |
JP3972035B2 JP3972035B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=32524092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003408155A Expired - Fee Related JP3972035B2 (ja) | 2002-11-01 | 2003-10-31 | 検査方法とデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7148959B2 (ja) |
JP (1) | JP3972035B2 (ja) |
KR (1) | KR100543534B1 (ja) |
CN (1) | CN100568100C (ja) |
DE (1) | DE60314484T2 (ja) |
SG (1) | SG120958A1 (ja) |
TW (1) | TWI227382B (ja) |
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- 2003-10-30 DE DE60314484T patent/DE60314484T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-30 SG SG200306441A patent/SG120958A1/en unknown
- 2003-10-31 JP JP2003408155A patent/JP3972035B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-31 CN CNB2003101209463A patent/CN100568100C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-31 KR KR1020030077073A patent/KR100543534B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR20040038885A (ko) | 2004-05-08 |
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JP3972035B2 (ja) | 2007-09-05 |
CN100568100C (zh) | 2009-12-09 |
CN1499293A (zh) | 2004-05-26 |
SG120958A1 (en) | 2006-04-26 |
TWI227382B (en) | 2005-02-01 |
US7148959B2 (en) | 2006-12-12 |
US20040119970A1 (en) | 2004-06-24 |
DE60314484D1 (de) | 2007-08-02 |
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TW200424787A (en) | 2004-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A02 | Decision of refusal |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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