CN1499293A - 检验方法及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

为了加强由两成分测试图案构成的散射测量，对应于两成分图案中每一成分的参考图案也被印制。散射测量信号从参考图案获取，对应于测试图案的各个成分，并且用于增强来自测试图案的信号，从而提高灵敏度和信噪比。

Description

检验方法及器件制造方法
技术领域
本发明涉及可用于由光刻技术进行器件制造的检验方法，和采用光刻技术制造器件的方法。
背景技术
光刻装置是把需要的图案施加在基底靶部上的机器。光刻装置可用于例如集成电路(IC)的制造。在那种情况下，构图部件，如掩膜，可用于形成与IC单层相对应的电路图案，该图案可成像于具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底(如：硅晶片)靶部(如：包括一个或许多小片的部分)上。通常，单基底包含连续曝光的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的分档器，其中通过将全部图案一次曝光于靶部上而辐射每个靶部。已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，其中通过投射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、并同时沿与该方向平行或反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。
在使用光刻投影装置的制造过程中，图案(例如在掩膜中的)成像于基底上，基底至少部分地由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖。在这种成像步骤前，可以对基底进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其他处理，如曝光后烘烤(post-exposure bake，简称PEB)、显影、硬烘烤和测量/检验成像特征。这一系列处理常用作形成器件单层图案的基础，器件如IC。这种带图案的层可经历各种处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等，完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最后，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后利用例如切割或锯断技术将这些器件彼此分开，单个器件可安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造：半导体加工实践入门”(Microchip Fabrication：A PracticalGuide to Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
这种在抗蚀剂显影后的测量和检验步骤，由于其在加工晶片产品的正常过程中进行因此称为在线的，该步骤有两个目的。第一，需要检测在已显影的抗蚀剂中图案错误的靶部区域。如果足够数量的小片有错误，那么晶片具有图案的抗蚀剂将被剥离并再次曝光，错误被幸运地纠正，而不是用带着错误的图案执行加工步骤如刻蚀而造成永久的错误。第二，对于顺序的曝光，测量可以检测并校正光刻装置中的误差，如照明设置或曝光时间。但是，光刻装置中的很多误差并不能很容易地检测到或根据曝光中的图案确定数量。缺陷检测不总是直接指示缺陷的原因。这样，各种用于检测和测量光刻装置中误差的离线方法都是已知的。这些方法可以包括用测量装置代替基底或对特殊测试图案进行曝光，如在各种不同的机器设置上。这样的离线技术很费时间，而且经常是相当长的时间，在此期间该装置不能用于产生曝光，因此，在线技术可以利用或可以在产生曝光的同时进行，所以其是用于检测和测量光刻装置中的误差的首选。
为了测量尺寸误差，如：由彗形像差造成的重叠和左右尺寸差，目前使用基于图像的工具，如重叠的盒中盒(box-in-box)(或框中框)(frame-in-frame)和用于测量彗差临界尺寸(critical dimension，简称CD)的扫描电子显微镜(scanning electron microscopes，简称SEM)。这些技术，也是离线技术，其不足之处在于，它们都采用局部测量，不一定精确反映投影系统或在所有小片或靶部上的处理状态。
一种在器件制造中为测量线宽，间距和临界尺寸(CD)所用的在线技术称为“散射测量(scatterometry)”。散射测量的方法记述在Raymond等人著的“利用光学散射测量的多参数光栅计量学”(“Multiparameter Grating MetrologyUsing Optical Scatterometry”)，J.Vac.Sci.Tech.B，Vol.15 no.2 361-368 1997和Niu等人著的“DUV光刻中的反射光谱散射测量术”(“Specular SpectroscopicScatterometry In DUV Lithography”)，SPIE，Vol.3677，1999中。在散射测量中，白光被显影抗蚀剂中的周期性结构和在给定角度处检测到的最终的反射光谱所反射。对产生反射光谱的结构进行重建，如：利用精确耦波分析(RigorousCoupled-Wave Analysis，简称RCWA)或通过与模拟得到的光谱库进行比较。然而，结构的重建须计算地十分深入，并且这种技术可能承受低灵敏度和差的重复性。
在光刻中利用散射计的其他公开包括WO02/065545，其提议从两个重叠的光栅利用散射测量来测量重叠。它建议，如果可得到一个光栅没有被另一个光栅重叠的采样，那么测量可以被用于限制对两个重叠光栅导出的重叠的测量。US6,458,605和US2002/0041373利用从参考结构的测量中得到的参考库，来帮助从散射测量中获取信息。US2002/0041373提出在晶片上印制相同测试光栅的任意分布的聚焦能量矩阵(focus-energy matrix，简称FEM)，并根据散射测量获取信息，特别是根据矩阵中不同光栅的散射测量的差来获取信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用光刻技术制造器件的过程中进行在线测量的方法，该方法可提高精度，灵敏度和/或重复性。
根据本发明，这个和其他目的在检验方法中实施，包括：
利用光刻装置将测试图案印制到基底上，该测试图案包括第一和第二图案成分的组合，所述第一图案成分不同于所述第二图案成分；
利用光刻装置将第一和第二参考图案印制到所述基底上，所述第一和第二参考图案分别对应于所述第一和第二图案成分；
利用散射计测量所述测试图案以及所述第一和第二参考图案的第一，第二和第三反射光谱；和
由所述第一、第二和第三反射光谱得到表示所述基底上所述测试图案的参数的信息。
通过这个方法，可得到对基底上印制的测试图案的参数进行快速，准确和可重复测量的方法。该测试和参考图案可以在产生曝光的过程中印制，例如在划线(scribe lane)或边缘电路小片或基底的其他不使用的区域，且不需要相当多的额外时间。该反射光谱可以同样快速地由散射计进行测量而不会使生产线延误。本发明的测量方法因此可用作在线的质量检查(qualification)和校准工具。
增加参考图案与使用单个测试图案的散射测量技术相比提高了灵敏度，并能简化从散射测量数据中获取所需信息的过程。在某些条件下，参考图案的重建要比两个组分的测试图案的重建更简单，因此首先进行参考图案的重建。然后参考图案重建的结果用于简化测试图案的重建。在其他情况下，所需信息可以直接由不同光谱的比较获得，并不需要测试图案的重建。
在本发明的优选实施例中，第一图案成分包括印制于第一处理层上的第一对准标记，第二图案成分包括印制于第二处理层上的第二对准标记，且该第二图案成分重叠第一图案成分。参考图案包括分别印制于第一和第二处理层上相应的参考对准标记，但没有重叠。该实施例通过利用来自参考对准标记的散射测量信号增强加工之前的测试图案的散射测量信号而使对重叠的精确和灵敏测量能够确定重叠误差。来自测试图案的散射测量信号受对准标记变形的影响，该变形是因用来形成该对准标记并在中间进行的加工步骤引起的，该信号也受到支撑对准标记的层间的处理层的影响，还受到所要测量的重叠误差的影响。参考图案使这些影响能够与重叠带来的影响分开。
在本发明的另一优选实施例中，第一和第二图案成分包括具有不同间距的单条光栅(single bar grating)，其组合为包括双条光栅(two-bar grating)图案的测试图案，所述光栅图案具有内外间距。第一和第二参考图案分别包括一个间距与内间距相等的单条光栅和一个间距与外间距相等的单条光栅。来自参考光栅的散射测量信号包含关于双条光栅的两组分形式的信息，并且可使表示彗形像差的不对称信息与测试图案的散射测量响应分开。
优选地，散射测量步骤在已显影抗蚀剂中的图案上进行，但如果在潜在的抗蚀剂图像上有足够的对比度，那么散射测量步骤也可以在显影前进行。由于在加工步骤进行前检测像差，因此如果像差已严重到足以导致有缺陷的器件，那么抗蚀剂会被剥去，基底返回到重新成像的步骤中。
优选地，使用正入射的白光散射测量来进行散射测量步骤。
根据本发明的另一方面，提供一种器件制造方法，其包括：
-提供一基底，其至少部分地由一层辐射敏感材料覆盖；
-利用辐射系统提供辐射的投影光束；
-利用构图部件使投影光束在其横截面上具有一图案；
-将具有图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的靶部，
其特征在于：
所述图案包括：代表处理层的图案，包括第一和第二图案成分组合的测试图案，所述第一图案成分不同于所述第二图案成分；且第一和第二参考图案分别对应于所述第一和第二图案成分；所述图案通过：
利用散射计测量所述测试图案的第一、第二和第三反射光谱以及所述第一和第二参考图案；和
由所述第一、第二和第三反射光谱得到表示所述基底上所述测试图案的参数的信息。
优选地，该测试图案印制于邻近产品层图案的区域，如划线(scribe lane)。这样，没有在基底上占用不必要的空间，也可为器件生产留出最大的区域。
在本发明该方面的优选实施例中，表示参数的所述信息用于调整光刻装置的参数或方法，在其后提供另一基底，并且重复提供投影光束，利用构图部件以及投影带图案的光束的所述步骤。这样，在基底上进行的散射测量的结果可用于调整光刻装置或过程，使随后的曝光得到改善。
虽然本文特别提及了在IC的制造中光刻装置的使用，但是应该理解这里所述的光刻装置可以有其他的应用，如制造集成光学系统、磁域存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。有经验的技术人员会理解，在文中这些可替换的应用中，这里术语“晶片”或“电路小片”的任何使用都可认为分别与更常用的术语“基底”或“靶部”同义。这里提到的基底可以在曝光前或曝光后在例如轨道(一种工具，其专门将一层抗蚀剂涂在基底上并对曝光的抗蚀剂显影)或计量或检测工具中进行处理。只要可适用，这里的公开就可以应用于这样和其他的基底加工工具。此外，可以对基底进行多次加工，例如为制作多层IC，因此这里使用的术语基底也可以指已经包含多个已处理层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含各种类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(如波长为365、248、193、157或126nm)和远紫外(EUV)辐射(如波长在5-20nm范围内)，也包括粒子束，如离子束或电子束。
这里使用的术语“构图部件”应广泛解释为能够用于给投影光束在其横截面上赋予图案的部件，使基底的靶部产生图案。通常，赋予投影光束的图案会和靶部中形成的器件的特殊功能层相对应，如集成电路。
构图部件可以是透射型的也可以是反射型的。构图部件的例子包括掩膜，程控反射镜阵列，和程控LCD面板。掩膜在光刻中是熟知的，其包括的掩膜类型如二进制型，交替相移型，和衰减相移型，以及各种混合掩膜类型。程控反射镜阵列的例子采用了小反射镜的矩阵排列，每个小反射镜都可以单独地倾斜，这样可将入射的辐射光束向不同方向反射；用这种方式，反射光束可形成图案。在构图部件的每个例子中，支撑结构可以是框架或工作台，例如其可依据需要固定或移动，且其可以保证构图部件例如相对于投影系统位于理想位置处。这里术语“划线板”或“掩膜”的任何使用都可以认为其与更常用的术语：“构图部件”是同义的。
这里所用的术语“投影系统”应该广义地解释为包含各种形式的投影系统，其包括折射光学系统，反射光学系统，和反射折射光学系统，正如适合例如所用的曝光辐射，或例如使用浸液或使用真空的其他要素。这里术语“透镜”的任何使用都可以认为其与更常用的术语“投影系统”同义。
照明系统也可包含各种类型的光学部件，包括折射、反射和反射折射光学部件，这些部件用于操纵，整形或控制辐射的投影光束，且这些部件在下文中还可以整体或特别地称为“透镜”。
光刻装置可以有两个(双级式)或多个基底台(和/或两个或多个掩膜图案)的形式。在这种“多级式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，而一个或多个其他台用于曝光。
光刻装置可以是这样一种，基底浸入在具有相对较高折射率的液体中，如水，以便填满投影系统的最后一个元件和基底之间的空间。浸液也可以用于光刻装置中的其他空间，如在掩膜和投影系统的第一个元件之间。浸入技术(immersion techniques)是本领域中用于增加投影系统的数值孔径的公知技术。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施例，其中：
图1描绘可用于本发明实施方法中的光刻投影装置；
图2是根据本发明实施例的光刻工艺的流程图；
图3描绘可用于本发明的方法中的散射计；
图4到图6描绘用于本发明第一种方法中的测试图案以及第一和第二参考图案；
图7描绘原始重叠信号和根据本发明第一种方法增强的重叠信号；
图8到图10描绘用于本发明第二种方法中的测试图案以及第一和第二参考图案。
在图中相应的参考符号表示相应的部件。
具体实施方式
光刻投影装置
图1示意性地描绘了根据本发明特定实施例的一种光刻装置。该装置包括：
照明系统(照明装置)IL，用来提供辐射的投影光束PB(如UV辐射或DUV辐射)。
第一支撑结构(如掩膜台)MT，用来支撑构图部件(如掩膜)MA，并连接到将构图部件相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM；
基底台(如晶片台)WT，用于保持基底(如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并连接到将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW；和
投影系统(如折射投影透镜)PL，用于通过构图部件MA将赋予投影光束PB的图案成像于基底W的靶部C(如包括一个或多个电路小片)上。
如这里描述的，该装置是透射型的(如采用透射掩膜)。另外，该装置可以是反射型的(如采用上文提到的程控反射镜阵列)。
照明装置IL接收来自辐射源SO的辐射光束。该辐射源和光刻装置可以是完全分开的，例如当辐射源为受激准分子激光器时。在这种情况下，该辐射源不再认为是组成光刻装置的一部分，借助于光束传递系统BD辐射光束从辐射源SO射到照明装置IL上，光束传递系统包括例如适当的导向镜(directingmirror)和/或扩束器。在其他情况下，辐射源可以是该装置的组成部分，例如当光源为水银灯时。辐射光源SO和照明装置IL，如需要加之光束传递系统BD，都可被称作辐射系统。
照明装置IL可以包括调整有角度的光束亮度分布的调整装置AM。通常，至少可以调整位于光瞳平面上亮度分布的外径向量和/或内径向量(通常分别称为δ-外和δ-内)。另外，照明装置IL通常包括各种其他部件，如积分器IN和聚光器CO。照明装置提供被调节的(conditioned)辐射光束，称为投影光束PB，在其横截面上有理想的均匀性和亮度分布。
投影光束PB入射到掩膜MA上，该掩膜支撑在掩膜台MT上。通过掩膜MA，投影光束PB穿过透镜PL，该透镜将光束聚焦到基底W的靶部C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(如干涉装置)，基底台WT可以精确地移动，如在光束PB的光路中定位不同的靶部。类似地，如在从掩膜库中机械取出掩膜MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器(未明确绘于图1中)将掩膜MA相对于光束PB的光路精确定位。一般地，目标台MT和WT的移动可借助于长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)来实现，这两个模块是组成定位装置PM和PW的部分。然而，在分档器(与扫描装置相对)的情况下，掩膜台MT可仅与短冲程传动器连接，或被固定。可用掩膜对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2来对准掩膜MA和基底W。
所描述的装置可按照以下优选模式使用：
1.在步进模式中，掩膜台MT和基底台WT基本保持不动，赋予投影光束的整个图案一次(即单次静态曝光)投射到靶部C上。然后基底台WT向X和/或Y方向移动以使不同的靶部C可被曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，掩膜台MT和基底台WT被同步扫描，赋予投影光束的图案投射到靶部C上(即，单次动态曝光)。基底台WT相对于掩膜台MT的速度和方向由投影系统PL的放大率(缩小率)和图像反转特性决定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中靶部的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了靶部的高度(在扫描方向上)。
3.在另一种模式中，掩膜台MT支持程控构图部件且基本保`不动，基底台WT被移动或扫描，赋予投影光束的图案投射到靶部C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在基底台WT每次移动后或在扫描过程中两次连续辐射脉冲之间，程控构图部件可根据需要更新图案。这种操作模式可以很容易地应用于无掩膜的光刻术中，该技术利用了程控构图部件，如前文提到的程控反射镜阵列。
可以将上述模式结合使用和/或进行变化，也可以使用完全不同的模式。
图2是组成本发明一部分的光刻工艺的流程图。在曝光步骤S4前，可利用上面参考图1所述的光刻装置来完成，基底如硅晶片经历涂底漆的步骤S1，使其涂敷一层抗蚀剂的旋转涂敷步骤S2，和除去抗蚀剂中溶剂的软烘烤步骤S3。在曝光后，晶片经历曝光后烘烤步骤S5、显影步骤S6，在显影步骤S6中，曝光或未曝光的抗蚀剂(取决于抗蚀剂是阳性的还是阴性的)被除去，以及硬烘烤步骤S7和检验步骤S8。检验步骤S8包括各种不同的测量和检验，并且根据本发明包括散射测量步骤，该步骤将在下面详细叙述。如果晶片通过检验，那么进行处理步骤S9。这一步骤包括蚀刻基底上没有覆盖抗蚀剂的区域，沉积生产物层，镀金属，离子注入等。在处理步骤S9后，残余的抗蚀剂将在S10中剥离，在对另一层重新开始加工前进行最后的检验S11。如果基底不能通过S8的检验，那么其可以直接引导到剥离步骤S10，并且进行印制同一处理层的再次尝试。
在检验步骤S8中，可使用如图3所示的散射计。其他检验和/或测量也可用其他工具进行。散射计10包括宽带(白光)辐射源11，所述辐射源将辐射通过分束器12导向到晶片W上的测试结构TS上。反射的辐射通过光谱仪13，其测量镜面反射辐射的光谱(亮度作为波长的函数)。根据这个数据，可以重建引起该检测光谱的结构，如通过精确耦波分析和非线性衰退或通过与模拟光谱库进行比较。通常，为了重建，结构的通用式是已知的，并且一些参数根据制造结构的工艺知识来假定，只有结构的一小部分参数可由散射测量数据来确定。
如图所示，散射计是正入射散射计。但其相同的原理可用于使用倾斜入射的散射测量中。也可使用散射测量的各种变化，其中，测量单一波长中一定角度范围处的反射，而不是测量一定波长范围内的单一角度处的反射。
实施例1
根据本发明的第一种方法，其用于测量重叠，印刷于基底W上的测试结构包括印制在上处理层TL上的第一标记或第一图案成分G1，和印制在下处理层BL上的第二标记或第二图案成分G2。掩膜G1和G2可采用任何方便的形式，如光栅，方格图案，箱，框，人字纹等。为使重建容易而选择标记的形式，特别是光栅的使用允许使用快速的重建技术。也可以为改善灵敏度而选择标记的类型。如果精确印制，且不被后续处理影响，那么两个标记G1和G2应该是相同的，并且没有重叠误差，完全对准。虽然第一和第二标记(图案成分)形式上相同，但是它们在基底处理层上的位置是不同的。当包括标记G1、G2的测试图案用正入射的偏振光照射时，反射的TE、TM或相位信号包含两光栅相对位置的信息。然而，由于包含光栅G1、G2的上下层TL、BL之间的中间处理层IL的内部反射和干涉，包含重叠信息的总反射信号的振幅非常弱，且信噪比低。此外噪声由印制过程中标记G1、G2的变形引入，并且在下层标记G2的情况下，由印刷时进行的处理引入。
根据本发明，为了改善对重叠的测量，两个参考标记RG1、RG2在测试图案的两部分G1、G2印制的同时进行印制。参考图案RG1提供在顶层TL上，且与第一标记G1相对应。参考图案RG2提供在底层BL上，且与第二对准标记G2相对应。参考图案RG1、RG2接近包括对准标记G1、G2的测试图案而进行印制，但RG1、RG2彼此分开。参考标记RG1、RG2和测试图案应该足够地靠近，以使它们被印制过程中或由后续处理步骤造成的任何变形以相同的方式影响。同时，它们应该分开得足够远，从而可以进行各自的散射测量而不会发生串扰(crosstalk)。
当以与测试图案相同的方式照射时，参考图案RG1、RG2产生散射测量信号S2、S3，所述信号只包含各自光栅的信息。然后散射测量信号S2、S3可用于标准化散射测量信号S1以提供加强的散射测量信号S1-e。该实例如图7所示，从中可以看出加强的信号S1-e有更大的振幅，但仍保留了相同的原始信号的相位独特标记。信噪比得到有效地改善。增强的重叠信号可由三个反射分光信号得到。第一个是“原始”重叠信号，由两个叠加光栅产生。第二个和第三个是由底部和顶部参考光栅产生的信号。然后该增强的重叠信号可由顶部参考光栅信号减去底部参考光栅信号，再去除原始重叠信号而得到。
实施例2
用于本发明第二种方法的光栅结构绘于图8到图10中。本发明的第二种方法测量有差别的尺寸不对称，所述不对称是由光刻装置，特别是投影系统PL中的彗形像差引起的或是由作用于基底的处理引起的。
如图8所示，测试图案G包括具有内间距Pi和外间距Po的双条光栅。第一图案成分包括间距与内间距相等的单条光栅，第二图案成分包括一间距与外间距相等的单条光栅。两个参考光栅RG1′、RG2′如图9和图10所示，分别包括间距为Pi的单条光栅和Po的单条光栅。
如在第一种方法中，测试图案G和参考图案RG1′、RG2′同样被反射的偏振光照射。最终的反射光谱S1′、S2′、S3′包含任何有差别的尺寸不对称的信息也包含光栅的实际形状信息。该任何有差别的尺寸不对称的信息包含在来自双间距光栅的反射光谱S1′中，同时反射光谱S2′、S3′包含光栅本身的信息。如在第一种方法中，反射光谱S2′、S3用于加强反射光谱S1′，从而提供包含尺寸不对称的信息，并具有改善的信噪比。
尽管本发明的特定实施例叙述如上，但是应可意识到本发明还可用描述以外的其他方式实施。上述描述并不意味限制本发明。

Claims (11)

1.一种检验方法包括：
利用光刻装置将测试图案印制到基底上，该测试图案包括第一和第二图案成分的组合，所述第一图案成分与所述第二图案成分不同；
利用光刻装置将第一和第二参考图案印制到所述基底上，所述第一和第二参考图案分别对应于所述第一和第二图案成分；
利用散射计测量所述测试图案以及所述第一和第二参考图案的第一，第二和第三反射光谱；和
由所述第一、第二和第三反射光谱得到表示所述基底上所述测试图案的参数的信息。
2.根据权利要求1所述的检验方法，其中所述第一和第二图案成分在形式不同。
3.根据权利要求1所述的检验方法，其中所述第一和第二图案成分在所述基底上提供的多个处理层中的位置不同。
4.根据权利要求3所述的检验方法，其中所述测试图案包括分别印制于第一和第二处理层顶部的第一和第二对准标记，且所述第一和第二参考图案包括分别印制于第一和第二处理层上的相应的参考对准标记，但参考图案并不重叠。
5.根据权利要求2所述的检验方法，其中所述测试图案包括具有内间距和外间距的双条光栅，且所述第一和第二参考图案分别包括间距与内间距相等的单条光栅和间距与外间距相等的单条光栅。
6.根据前述任一权利要求所述的检验方法，其中所述散射计是正入射散射计。
7.根据前述任一权利要求所述的检验方法，其中所述获取信息的步骤包括利用所述第一和第二反射光谱重建所述第一和第二参考图案，并且利用重建的参考图案来重建所述测试图案。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的检验方法，其中在所述获取步骤中，所述信息直接由所述反射光谱获取，不用重建测试图案。
9.一种器件制造方法，包括以下步骤：
-提供一基底，其至少部分地由一层辐射敏感材料覆盖；
-利用辐射系统提供辐射的投影光束；
-利用构图部件使投影光束在其横截面上具有一图案；
-将具有图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的靶部，
其特征在于：
所述图案包括：代表处理层的图案，包括第一和第二图案成分组合的测试图案，所述第一图案成分不同于所述第二图案成分；且第一和第二参考图案分别对应于所述第一和第二图案成分；所述图案通过：
利用散射计测量所述测试图案的第一、第二和第三反射光谱以及所述第一和第二参考图案；和
由所述第一、第二和第三反射光谱得到表示所述基底上所述测试图案的参数的信息。
10.根据权利要求9所述的器件制造方法，其中所述测试图案印制于邻近产品层图案的区域，如一划线。
11.根据权利要求9或10所述的器件制造方法，其中表示参数的所述信息用于调整光刻装置的参数或方法，在其后提供另一基底，并且重复提供投影光束，利用构图部件以及投影大图案的光束的所述步骤。
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