JP2008042200A - 角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置 - Google Patents
角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008042200A JP2008042200A JP2007200475A JP2007200475A JP2008042200A JP 2008042200 A JP2008042200 A JP 2008042200A JP 2007200475 A JP2007200475 A JP 2007200475A JP 2007200475 A JP2007200475 A JP 2007200475A JP 2008042200 A JP2008042200 A JP 2008042200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- structures
- offset
- array
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4788—Diffraction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】ある実施形態では、ターゲットは、第1の方向への特定の大きさのオフセットである構造の一部および反対方向への同じ大きさのオフセットである構造の第2の部分を除いて、実質的に等間隔の構造のアレイを備える。基板上のターゲットは、そのアラインメントの測定に使用でき、第1の層上に重畳している第2の層に付与されている同じターゲットは、オーバレイの測定に使用できる。
【選択図】図4
Description
基板上で複合アライメント・オーバレイターゲットを露光するように構成されている露光ツールと、
基板上で複合アライメント・オーバレイターゲット放射を当てるように構成されている放射源と、
複合アライメント・オーバレイターゲットから反射した放射を検出するように構成されているディテクタと、を備え、
複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを有し、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第2の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置する、
検査装置が提供される。
構造の第1のアレイにアラインメント放射ビームを当てるステップと、
構造の第1のアレイから反射したアラインメント放射ビームを、基板上以外に位置するモデルターゲットから反射したアラインメント放射ビームと比較するステップと、
モデルターゲットに対する基板のアラインメントを判定するステップと、
基板上のレジスト層に、基板上の構造の第1のアレイがその上に重畳している構造の第2のアレイを有するように、構造の第1のアレイに類似した構造の第2のアレイを与えるステップと、
構造の重畳アレイにオーバレイ放射ビームを当てるステップと、
構造の重畳アレイから回折した放射回折スペクトルを測定するステップと、
構造の重畳アレイのオーバレイの範囲を判定するために回折放射の強度の非対称性を判定するステップとを含む、
検査方法が提供される。
基板上の複合アライメント・オーバレイターゲットを露光するように構成されている露光ツールと、
複合アライメント・オーバレイターゲットを照射するために放射ビームを供給するように構成されている放射源と、
複合アライメント・オーバレイターゲットから反射した放射ビームを検出するように構成されているディテクタと、を備え、
複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを備え、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1のオフセットの方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置している、
リソグラフィ装置が提供される。
基板上の複合アライメント・オーバレイターゲットを露光するための露光ツールと、
複合アライメント・オーバレイターゲットを放射するために放射ビームを供給するための放射源と、
複合アライメント・オーバレイターゲットから反射した放射ビームを検出するためのディテクタと、を備え、
複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを備え、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1の方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置する、
リソグラフィセルが提供される。
[0025] 放射ビームB(例えば、UV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0026] パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータによりパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続しているサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0027] 基板(例えば、レジストが塗布されたウェーハ)Wを保持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0028] 基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のダイを含む)にパターニングデバイスMAにより、放射ビームBに与えるパターンを投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズ系)PLとを備える。
A=K×OV (1)
ここで、Kは未知の比例係数である。
A1=K(OV+d)
A2=K(OV−d) (2)
A=K×OV+A_ツール (3)
Claims (20)
- 複合アライメント・オーバレイターゲットを備えており、複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを有し、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1の方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセットが実質的に基板の平面内に位置する、基板。
- 前記ターゲットが前記構造のアレイ上に重畳している構造の層を有し、前記構造の層が前記構造のアレイに類似したオフセットを有する、請求項1に記載の基板。
- 前記構造の約半分が前記第1の方向に前記第1のオフセットを有し、前記構造の残りが前記反対方向に前記第2のオフセットを有する、請求項1に記載の基板。
- 前記第1のオフセットの大きさが前記第2のオフセットと実質的に同じである、請求項1に記載の基板。
- 前記オフセットが10nmから50nmまでの間である、請求項1に記載の基板。
- 前記オフセットが約20nmである、請求項5に記載の基板。
- 前記ターゲットが格子を含み、前記構造が格子のバーである、請求項1に記載の基板。
- 前記ターゲットが矩形構造の一次元アレイを有する、請求項1に記載の基板。
- 前記ターゲットが矩形構造の2次元アレイを有する、請求項1に記載の基板。
- 複合アライメント・オーバレイターゲットを備えており、複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを備え、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対するオフセットを有し、オフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する異なるオフセットを有し、第1および第2の部分のオフセットが同じ方向であり、且つ実質的に基板の平面内に位置する、基板。
- 前記ターゲットが前記構造のアレイ上に重畳している構造の層を有し、前記構造の層が前記構造のアレイに類似したオフセットを有する、請求項10に記載の基板。
- 前記オフセットが10nmから50nmまでの間である、請求項10に記載の基板。
- 複合アライメント・オーバレイターゲットを備える基板であって、該ターゲットが2つの重畳層を備え、各層が構造のアレイを備えるターゲットを含み、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1のオフセットの方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置する、基板。
- 前記構造の約半分が前記第1の方向に前記第1のオフセットを有し、前記構造の残りが前記反対方向に前記第2のオフセットを有する、請求項13に記載の基板。
- 前記第1のオフセットの大きさが前記第2のオフセットと実質的に同じである、請求項13に記載の基板。
- 前記オフセットが10nmから50nmまでの間である、請求項13に記載の基板。
- 基板の特性を測定するように構成されている検査装置であって、
基板上で複合アライメント・オーバレイターゲットを露光するように構成されている露光ツールと、
基板上で複合アライメント・オーバレイターゲット放射を当てるように構成されている放射源と、
複合アライメント・オーバレイターゲットから反射した放射を検出するように構成されているディテクタと、を備え、
複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを有し、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第2の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置する、
検査装置。 - 基板上に構造の第1のアレイを与えるステップであって、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1の方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置する、ステップと、
構造の第1のアレイにアラインメント放射ビームを当てるステップと、
構造の第1のアレイから反射したアラインメント放射ビームを、基板上以外に位置するモデルターゲットから反射したアラインメント放射ビームと比較するステップと、
モデルターゲットに対する基板のアラインメントを判定するステップと、
基板上のレジスト層に、基板上の構造の第1のアレイがその上に重畳している構造の第2のアレイを有するように、構造の第1のアレイに類似した構造の第2のアレイを与えるステップと、
構造の重畳アレイにオーバレイ放射ビームを当てるステップと、
構造の重畳アレイから回折した放射回折スペクトルを測定するステップと、
構造の重畳アレイのオーバレイの範囲を判定するために回折放射の強度の非対称性を判定するステップとを含む、
検査方法。 - 基板の特性を測定するように構成されているリソグラフィ装置であって、
基板上の複合アライメント・オーバレイターゲットを露光するように構成されている露光ツールと、
複合アライメント・オーバレイターゲットを照射するために放射ビームを供給するように構成されている放射源と、
複合アライメント・オーバレイターゲットから反射した放射ビームを検出するように構成されているディテクタと、を備え、
複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを備え、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の前記同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1のオフセットの方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置している、
リソグラフィ装置。 - 基板の特性を測定するように構成されているリソグラフィセルであって、
基板上の複合アライメント・オーバレイターゲットを露光するための露光ツールと、
複合アライメント・オーバレイターゲットを放射するために放射ビームを供給するための放射源と、
複合アライメント・オーバレイターゲットから反射した放射ビームを検出するためのディテクタと、を備え、
複合アライメント・オーバレイターゲットが構造のアレイを備え、前記構造の第1の部分が構造の仮定周期的アレイに対する第1のオフセットを有し、第1のオフセットが第1の方向にあり、前記構造の第2の部分が構造の同じ仮定周期的アレイに対する第2のオフセットを有し、第2のオフセットが第1の方向とは反対の方向にあり、第1および第2のオフセット両方が実質的に基板の平面内に位置する、
リソグラフィセル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/500,494 | 2006-08-08 | ||
US11/500,494 US20080036984A1 (en) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008042200A true JP2008042200A (ja) | 2008-02-21 |
JP4965376B2 JP4965376B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=39050390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007200475A Expired - Fee Related JP4965376B2 (ja) | 2006-08-08 | 2007-08-01 | 基板、検査装置、検査方法、リソグラフィ装置、およびリソグラフィセル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080036984A1 (ja) |
JP (1) | JP4965376B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011525713A (ja) * | 2008-06-26 | 2011-09-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバレイ測定装置、リソグラフィ装置、及びそのようなオーバレイ測定装置を用いたデバイス製造方法 |
US8502955B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a characteristic |
KR101330116B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2013-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 특성을 결정하는 방법 |
JP2018165838A (ja) * | 2010-09-28 | 2018-10-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光ツール及びマイクロリソグラフィ結像の方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US20080144036A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
NL1036632A1 (nl) * | 2008-03-26 | 2009-09-29 | Asml Netherlands Bv | Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Method of Measuring a Property of a Substrate. |
US9188875B2 (en) | 2008-12-16 | 2015-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Calibration method, inspection method and apparatus, lithographic apparatus, and lithographic processing cell |
CN102460310B (zh) * | 2009-06-17 | 2014-07-02 | Asml荷兰有限公司 | 重叠测量的方法、光刻设备、检查设备、处理设备和光刻处理单元 |
TWI417942B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-12-01 | Ind Tech Res Inst | 二維陣列疊對圖樣組之設計方法、疊對誤差量測方法及其量測系統 |
US8604452B2 (en) * | 2011-03-17 | 2013-12-10 | Cymer, Llc | Drive laser delivery systems for EUV light source |
WO2016005167A1 (en) | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, inspection method and device manufacturing method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093833A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-04-06 | Svg Lithography Systems Inc | 多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ |
JP2004517477A (ja) * | 2000-12-27 | 2004-06-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | オーバーレイの測定方法 |
JP2004517476A (ja) * | 2000-12-27 | 2004-06-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 基準位置合わせマークに対する基板の位置合わせを測定する方法 |
JP2005142563A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Asml Netherlands Bv | 第1及び第2位置合せマークの相対位置を計測する方法及び装置 |
WO2005079498A2 (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
JP2006157023A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Accent Optical Technologies Inc | オーバレイマークを設計する方法 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4200395A (en) * | 1977-05-03 | 1980-04-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Alignment of diffraction gratings |
US4578590A (en) * | 1983-05-02 | 1986-03-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Continuous alignment target pattern and signal processing |
JPS6414918A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Nikon Corp | Stepper |
JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
JPH0444307A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5627624A (en) * | 1994-10-31 | 1997-05-06 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit test reticle and alignment mark optimization method |
US5808742A (en) * | 1995-05-31 | 1998-09-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks |
US5703692A (en) * | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5880838A (en) * | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US5963329A (en) * | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
US6330355B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Frame layout to monitor overlay performance of chip composed of multi-exposure images |
US6671048B1 (en) * | 1999-10-21 | 2003-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for determining wafer misalignment using a pattern on a fine alignment target |
US6429943B1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
JP2003532306A (ja) * | 2000-05-04 | 2003-10-28 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | リソグラフィ・プロセス制御のための方法およびシステム |
US6710876B1 (en) * | 2000-08-14 | 2004-03-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Metrology system using optical phase |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US6753961B1 (en) * | 2000-09-18 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Spectroscopic ellipsometer without rotating components |
IL138552A (en) * | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
US6768983B1 (en) * | 2000-11-28 | 2004-07-27 | Timbre Technologies, Inc. | System and method for real-time library generation of grating profiles |
US7067931B1 (en) * | 2000-12-14 | 2006-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Self-compensating mark design for stepper alignment |
US6515744B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-02-04 | Therma-Wave, Inc. | Small spot ellipsometer |
WO2002065545A2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US6699624B2 (en) * | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
EP1370828B1 (en) * | 2001-03-02 | 2016-11-23 | Accent Optical Technologies, Inc. | Line profile asymmetry measurement using scatterometry |
US6704661B1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
US6785638B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
DE10142316A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-04-17 | Advanced Micro Devices Inc | Halbleiterstruktur und Verfahren zur Bestimmung kritischer Dimensionen und Überlagerungsfehler |
US7061615B1 (en) * | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
US6608690B2 (en) * | 2001-12-04 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Optical profilometry of additional-material deviations in a periodic grating |
US6772084B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6813034B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US7061627B2 (en) * | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US6721691B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-04-13 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology hardware specification using a hardware simulator |
US6982793B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
US6949462B1 (en) * | 2002-04-04 | 2005-09-27 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with multiple polarization states |
US6928628B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7170604B2 (en) * | 2002-07-03 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Overlay metrology method and apparatus using more than one grating per measurement direction |
US7046376B2 (en) * | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
US6919964B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-07-19 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using a finite difference method |
US20040066517A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-04-08 | Hsu-Ting Huang | Interferometry-based method and apparatus for overlay metrology |
US6957119B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-10-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method for monitoring matched machine overlay |
DE60314484T2 (de) * | 2002-11-01 | 2008-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7068363B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7230704B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Diffracting, aperiodic targets for overlay metrology and method to detect gross overlay |
US7230703B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
US7061623B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
US7425396B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-09-16 | Infineon Technologies Ag | Method for reducing an overlay error and measurement mark for carrying out the same |
US7791727B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US20060109463A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
US7453577B2 (en) * | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
DE102005046973B4 (de) * | 2005-09-30 | 2014-01-30 | Globalfoundries Inc. | Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers |
US7486408B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with reduced scribe lane usage for substrate measurement |
US7415319B2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7564554B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-07-21 | Intel Corporation | Wafer-based optical pattern recognition targets using regions of gratings |
US7642550B2 (en) * | 2006-07-25 | 2010-01-05 | Micron Technology, Inc. | Multi-layer structures for parameter measurement |
-
2006
- 2006-08-08 US US11/500,494 patent/US20080036984A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-08-01 JP JP2007200475A patent/JP4965376B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093833A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-04-06 | Svg Lithography Systems Inc | 多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ |
JP2004517477A (ja) * | 2000-12-27 | 2004-06-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | オーバーレイの測定方法 |
JP2004517476A (ja) * | 2000-12-27 | 2004-06-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 基準位置合わせマークに対する基板の位置合わせを測定する方法 |
JP2005142563A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Asml Netherlands Bv | 第1及び第2位置合せマークの相対位置を計測する方法及び装置 |
WO2005079498A2 (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
JP2006157023A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Accent Optical Technologies Inc | オーバレイマークを設計する方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011525713A (ja) * | 2008-06-26 | 2011-09-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバレイ測定装置、リソグラフィ装置、及びそのようなオーバレイ測定装置を用いたデバイス製造方法 |
US8823922B2 (en) | 2008-06-26 | 2014-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus |
US8502955B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a characteristic |
KR101330116B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2013-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 특성을 결정하는 방법 |
JP2018165838A (ja) * | 2010-09-28 | 2018-10-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光ツール及びマイクロリソグラフィ結像の方法 |
JP6993941B2 (ja) | 2010-09-28 | 2022-01-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光ツール及びマイクロリソグラフィ結像の方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080036984A1 (en) | 2008-02-14 |
JP4965376B2 (ja) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4965376B2 (ja) | 基板、検査装置、検査方法、リソグラフィ装置、およびリソグラフィセル | |
JP4787232B2 (ja) | 測定方法、検査装置、およびリソグラフィ装置 | |
JP4672704B2 (ja) | 基板のオーバーレイ誤差を測定する方法、基板製造方法、および検査装置 | |
JP5288808B2 (ja) | 測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 | |
US8830447B2 (en) | Inspection method for lithography | |
US7605907B2 (en) | Method of forming a substrate for use in calibrating a metrology tool, calibration substrate and metrology tool calibration method | |
US7724370B2 (en) | Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell | |
US7599064B2 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method, substrate for use in the methods | |
US20100201963A1 (en) | Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Inspection Method | |
US9746785B2 (en) | Sub-wavelength segmentation in measurement targets on substrates | |
US9255892B2 (en) | Substrate, a method of measuring a property, an inspection apparatus and a lithographic apparatus | |
KR20110015624A (ko) | 리소그래피용 검사 장치 | |
US20110028004A1 (en) | Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method | |
JP2009081436A (ja) | オーバレイエラーの測定方法、検査装置及びリソグラフィ装置 | |
JP5525547B2 (ja) | 特性を求める方法 | |
NL1036683A1 (nl) | Focus sensor, inspection apparatus, lithographic apparatus and control system. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120301 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |