JP2001093833A - 多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ - Google Patents

多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ

Info

Publication number
JP2001093833A
JP2001093833A JP2000240007A JP2000240007A JP2001093833A JP 2001093833 A JP2001093833 A JP 2001093833A JP 2000240007 A JP2000240007 A JP 2000240007A JP 2000240007 A JP2000240007 A JP 2000240007A JP 2001093833 A JP2001093833 A JP 2001093833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grating
wafer
alignment
beam splitter
alignment sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000240007A
Other languages
English (en)
Inventor
Stuart T Stanton
ティー スタントン ステュアート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SVG Lithography Systems Inc
Original Assignee
SVG Lithography Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SVG Lithography Systems Inc filed Critical SVG Lithography Systems Inc
Publication of JP2001093833A publication Critical patent/JP2001093833A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理変数にかかわらずウエハとレチクルのア
ライメントを改善する。 【構成】 干渉性照明源からの電磁放射を受け取る固定
された基準格子および可動性のウエハ格子を持つアライ
メントセンサ。照明源はビームスプリッタによって2つ
のビームに分けられる。1つのビームは固定された基準
格子に向けられ、そして回折オーダーが集められる。ビ
ームスプリッタからの他のビームは可動ウエハ格子に向
けられる。可動性のウエハ格子のからの回折オーダーは
集められて、そして固定された基準格子からの回折オー
ダーと干渉させられて、固定された基準格子に関するウ
エハ移動あるいは不整列を示す位相シフトを引き起こ
す。ウエハ処理変数にかかわらず、個別の波長あるいは
色を持つ多チャネルが、検出およびアライメントを最適
化するために使われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に、対象物を正
確に整列させるか、あるいは位置決めするための装置
に、そして特に半導体デバイスの製造におけるフォトリ
ソグラフィで使われるようなマスクとウエハのアライメ
ントに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、ひと
つのウエハを生産するために、しばしば多数の処理ステ
ップが必要とされる。マスクのイメージはウエハに投影
される。そしてウエハはいくつものレイヤを製造するた
めに何度も処理されて、マイクロプロセッサのような、
半導体デバイスを作り出す。ウエハを処理する上では、
マスクあるいはレチクルとウエハの正確な位置決めおよ
びアライメントは時には重大である。そのマスクまたは
レチクルはそのウエハ上に映し出されるからである。
【0003】回折格子を使う多くのアライメントセンサ
があるが、これらのアライメントセンサはアライメント
を検出するために、ウエハ上の回折格子の上にマスク上
の回折格子を映し出すことが多い。1つのそのようなア
ライメントシステムが1996年12月23日にTrutn
a,Jr.氏によって出願された「Wafer/Mask Alignment Sy
stem Using Diffraction Gratings」と題される合衆国
特許第4,631,416号において開示された。そして
それはここに参照されて含まれている。その中に明らか
にされているのは、アライメントセンサと、そして回折
オーダーを発生させるための方法である。この方法は、
マスク格子からウエハ格子に、そしてマスク格子を通し
て戻る回折された光を用いて行われる。ゼロオーダーの
強度が検出され、そしてゼロオーダーの強度が極値にあ
るとき、アライメントが起こる。格子の生産を単純化す
るために、ホログラム位相格子がマスク上で使われる。
もう1つの格子を使っているアライメントシステムが1
989年7月18日にUchida氏他によって出願された
「Method for Aligning First and Second Objects, Re
lative to Each Other, and Apparatus for Practicing
This Method」と題する合衆国特許第4,848,911
号において開示されており、そしてそれはここに参照さ
れて含まれている。その中に明らかにされているのは、
マスクとウエハを整列させるための装置および方法であ
る。第1の1次元の回折格子がマスク上に形成され、そ
してチェッカー盤状のパターンを持っている、第2の回
折格子がウエハの上に形成される。マスク上の第1の回
折格子から回折された光ビームがウエハ上の第2の回折
格子に転送される。ウエハ上の第2の回折格子からの回
折された光ビームは、マスクの上の第1の回折格子に移
され、そして再びマスク上の第1の回折格子によって回
折される。マスクおよびウエハは、検出された回折光ビ
ームの強度に従ってお互いに対して正確にライン上にあ
る。もう1つの回折格子を使っているアライメントシス
テムが1992年3月31日にIshibashi氏他によって
出願された「Method and Apparatus for Aligning Two
Objects, and Method and Apparatus for Providing A
Desired Gap Between Two Objects」と題する合衆国特
許第5,100,234号において開示されており、そし
てそれはここに参照されて含まれている。その中に明ら
かにされているのは、マスク上に形成された第1の回折
格子と、そしてウエハ上に形成された第2の回折格子で
ある。わずかに異なった周波数を持っている2本の光ビ
ームが、お互いに干渉して、そして第1および第2の回
折格子によって回折される。回折された複数の光ビーム
は、結合されて検出光ビームとなる。これはウエハとマ
スクとの間の変位を表している位相シフト、あるいはウ
エハとマスクとの間のギャップを表している位相シフト
を持っている。もう1つのアライメントシステムは、1
992年11月29日にIshibashi氏他によって出願さ
れた「Method And An Apparatus For Measuring A Disp
lacement Between Two Objects And A Method and Appa
ratus For Measuring A Gap Distance Between Two Obj
ects」と題する合衆国特許第5,151,754号におい
て開示されている。そしてそれはここに参照されて含ま
れている。マスクとウエハのような、2つの対象物が、
それぞれ少なくとも1つの回折格子を持っている。異な
った周波数の2本の光ビームが回折格子によって回折さ
れる。特定のオーダーの光ビームが、回折された干渉光
ビームのそれぞれから検出されて、そしてビート信号に
変換される。変位はこれらのビート信号間のフェーズ差
異に従って得られる。もう1つのアライメントセンサあ
るいはポジション検出装置が、1992年12月15日
にKomatsu氏他によって出願された「Adjustable Beam A
nd Interference Fringe Position」と題された合衆国
特許第5,171,999号において明らかにされてい
る。それはここに参照されて含まれている。そこで明ら
かにされたのは、ポジション検出装置あるいはアライメ
ントセンサであり、これらは基板上の回折格子と、異な
る周波数と異なる方向を持つ1対の干渉性光ビームによ
って回折格子を照明するためのアライメント光学系とを
持っている。さらにもう1つのアライメントセンサが、
1996年9月24日にGallatin氏他によって出願され
た「Mask And Wafer Diffraction GratingAlignment Sy
stem Wherein The Diffracted Light Beams Return Sub
stantially Along An Incident Angle」と題する合衆国
特許第5,559,601号において開示されており、そ
してそれはここに参照されて含まれている。その中に開
示されているのは、マスク上の回折格子と、そしてウエ
ハ上の回折格子とを持っている格子-格子干渉計ウエハ
アライメントシステムである。マスクとウエハに関する
アライメント情報を得るために、決定された強度の周知
の周波数成分の前もって決定された角度および位相、な
らびに振幅において回折オーダーが検出される。
【0004】上記のアライメント装置あるいはセンサー
のすべては、ウエハとマスクを整列させるためには、十
分に能力を発揮する。マスク上の位置合せマークあるい
はレチクルとウエハは、受容できる結果をもって用いら
れている一方、さらに減少しているフィーチャサイズあ
るいはライン幅がウエハ上に作り出されており、これら
は改善されたアライメントセンサの必要をもたらしてい
る。多数の層がウエハ上に形成されているときには、そ
れらが位置合せマークを覆うか、あるいは不明瞭にする
ので、従来のアライメントセンサでは、それらの検出が
難しいという結果になるために、種々の処理ステップに
おける正確なアライメントの困難度は増加している。高
品質のマスクあるいはレチクルの上に位置合せマークを
作り出すこともまた、レチクルあるいはマスクのコスト
に、そしてそのために全体的な製造工程に望ましくない
追加を余儀なくさせる結果となる。マスクとウエハとの
間のアライメントを改善して、そしていろいろな用途に
おいて工程段階から独立しているより良い信頼性を供給
するための、改善されたアライメントセンサとアライメ
ント方法が望まれている。さらに、半導体製造技術が進
展するにつれて、正確度とスピード両方においてアライ
メントセンサを改善するという継続的な要求がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】処理変数にかかわらず
ウエハとレチクルのアライメントを改善することが本発
明の目的である。
【0006】冗長なアライメント情報を提供することが
本発明のさらなる目的である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明はマスクとウエハ
のアライメントを決定するのに、干渉計装置を使用す
る。照明源が干渉性の電磁放射をビームスプリッタに供
給する。その放射は、多数の個別の波長を持つことがで
きる。垂直近い入射で照明するために、ビームスプリッ
タはその干渉性放射を、第1の固定されている、あるい
は動かない回折格子と、そして可動性のウエハ上に置か
れた第2の回折格子とに分割する。固定されている基準
格子からの回折オーダーは、可動性ウエハ格子からの回
折オーダーと共に、集められる。可動性のウエハ格子の
動きは、測定可能な位相シフトを引き起こす。集められ
た回折オーダーは検出され、そして位相シフトが決定さ
れる。信号プロセッサは、位相シフトと、そして他の情
報に基づいてどんな不整合でも計算して、そしてステー
ジコントローラに制御信号を供給する。従って、ウエハ
格子と固定されている格子との間にアライメントが維持
される。他の手段によっても、マスクステージが固定さ
れている格子に関して正確に位置決めされる。照明源か
らの、異なった回折オーダーと異なった波長あるいは電
磁放射の色を含んでいる多重チャネルの使用は、ウエハ
上の異なったレイヤあるいはコーティングと関係づけら
れた処理変数にかかわらず、アライメント情報を獲得す
るのに役立つ。照明源を選択的に偏向させることによっ
て、そして中央の分極化された部分をビームスプリッタ
上に供給することによって、異なったチャネルあるいは
回折オーダーと波長が、最適なコントラストのためにバ
ランスされることができる。あるいは、コントラストは
最小となり得て、干渉を抑制して、回折している強度を
測ることによって、アライメントセンサが潜像度量衡学
(LIM)方法の使用を許すようなモードにおいて機能
することを可能にする。
【0008】
【発明の実施の形態】アライメントを決定するために必
要とされる位相検出が、比較的単純であることは、本発
明の利点である。
【0009】マスクあるいはレチクル上に格子を提供す
る出費が避けられることは本発明のさらなる利点であ
る。
【0010】干渉計幾何学を持っていることは本発明の
特徴である。
【0011】固定されている格子が使われることは本発
明のもう1つの特徴である。
【0012】処理変数にかかわらず、必要なアライメン
ト情報を得るために多数の個別の波長が使われるのは本
発明のさらにもう1つの特徴である。
【0013】これらと他の目的、利点と特徴は次のいっ
そう詳細な説明を考慮することによって容易に明白にな
るであろう。
【0014】
【実施例】図1はフォトリソグラフィシステムにおける
アライメントシステムの簡略化された図解である。ウエ
ハ10が可動性のウエハステージ12の上に置かれてい
る。ウエハステージはX−Y両方向に移動できる。ウエ
ハステージ12には自動校正検出器14が、隣接して取
り付けられている。マスク20がマスクステージ22に
取り付けられている。一般にマスクステージ22は、ウ
エハステージ12の動きの軸に平行な平面において、単
独の軸に沿って移動する。これは一般的にY方向にあ
る。ウエハ10とマスクの間に20が置かれているのは
投影光学機器16である。投影光学機器16はウエハ1
0の部分上にマスク20を結像させる。投影光学機器1
6の光軸は破線32によって示されている。説明上の便
利さのために、ウエハ10上にマスク20を映し出すた
めの照明系については描かれていない。マスク20とウ
エハ10との間には、ビームスプリッタ18がある。粗
いアライメントチャネル26が、ビームスプリッタ18
と結び付けられている。粗いアライメント26は比較的
大きい値、例えば数ミクロン、以内までのウエハのアラ
イメントを決定する。マスクターゲット検出器24がマ
スク上のターゲットを検出するために使われていて、そ
してウエハターゲットと組み合わせられて使われること
もできる。異なるフィールド高さを収容するために、可
動性である多数の光学アライメントチャネルが使われる
かもしれないから、自動校正検出器14はウエハステー
ジ12上にマウントされなくてはならず、そして異なる
チャネルポジションと位置合せマークとに関して、微細
アライメントセンサ光アライメントチャネルパスとアク
ティニック露光投影光学パスとの間のオフセットを周期
的に測定するために使われている。アライメント情報は
コントローラ28に結びつけられるか、あるいは供給さ
れる。そしてコントローラはウエハステージ12とマス
クステージ22の動きをコントロールすることによっ
て、マスクステージとウエハステージの走査の間のアラ
イメントを維持する。本発明が指向する微細アライメン
トセンサ30は1ミクロン以内のアライメントおよびポ
ジション情報を提供する。これによって小さいフィーチ
ャサイズを持つ半導体デバイスの製造での微細アライメ
ントを提供できる。さらに、微細アライメントセンサ3
0は処理変数にかかわらず改善されたアライメントを供
給する。
【0015】図2は、図1において一般的に示されてい
る微細アライメントセンサ30を概略的に描いている。
アライメント照明源34は電磁放射をファイバー・オプ
ティックス36に向ける。アライメント照明源34によ
って供給された電磁放射は実質的にコヒーレント光とな
っているべきである。しかしながら、照明源34は複数
の個別の波長を持っていることもできる。例えば、波長
は630から870ナノメータの間にあって、そして少
なくとも4つの個別の波長、すなわち630ナノメータ
と870のナノメータの間で等しく分けられることが望
ましい波長、を持つこともできる。ファイバー・オプテ
ィックス36は、単一モード偏波を保存するファイバで
あることができる。ファイバー・オプティックス36の
端には、偏光アウトプット取り付け具38がある。矢印
40は偏光アウトプット取り付け具38の回転を表して
いる。照明源34からの電磁放射は、レンズ42と4
6、絞り44を通して、ビームスプリッタ50に向けら
れて、そしてビームフォルダー48によって折り曲げら
れる。ビームスプリッタ50の上には、ビーム分離を効
果的にするためのコーティング54を持っている。電磁
放射のビームは、振幅あるいは偏光タイプのビームスプ
リッタを使用することによって、分けられるか、あるい
は複製されるかもしれない。同じく、ビームスプリッタ
50の中央位置52は、振幅あるいは偏光タイプコーテ
ィングの使用によって分けられるか、あるいは複製され
るかもしれない。選択されたビーム分割の方法に依存し
て、4つのウエーブプレート54Aにいたることが要求
されるかもしれない。したがって、電磁放射の結果とし
ての2つのビームは、相互的に位相がロックされている
であろう。非回折の光を吸収する表面56は、ビームス
プリッタ50に隣接した1つの側面に置かれる。ビーム
スプリッタ50からの電磁放射のビームの1つは垂直に
近い入射で固定された基準回折格子60を照明する。固
定基準格子60はどのようなタイプの格子であってもよ
い。固定基準格子60は固定された基準62に取り付け
られている。固定された基準62は静止しており、そし
て図1において示されたようなマスクステージへの基準
として周知の安定した位置にある。ビームスプリッタ5
0からの電磁放射の第2のビームは、ウエハ10に取り
付けられたか、またはそれと結び付いたウエハ回折格子
68を照らし出す。ウエハ格子68はどのような格子で
あってもよいが、しかしウエハ10の動きの方向に関し
て45度の向きに適応させられた軸を持つ同じ周期を持
っている2次元格子であることが望ましい。固定基準格
子60もまた、類似の2次元格子であることができる。
格子60および68は、同じ周期(s)と向きを持つ格
子を含んでいるべきである。ウエハ10の動きの方向は
矢印69によって示される。矢印69はX方向における
移動を示している。ビームスプリッタ50からの電磁放
射の第1のビームあるいは部分が固定基準格子60を照
明し、その結果、回折オーダー64A、64B、64C
と64Dが対物レンズ58によって集められる。ライン
64Bおよび64Cは、第1の回折オーダーを表し、そ
してライン64Aおよび64Dが第2の回折オーダーを
表している。ただ2つのオーダーだけがレンズ58によ
って集められるように示されているが、2を越えるオー
ダーが集められることもできる。点線65は、マルチ波
長の照明源が使われるときの、異なった電磁放射の波長
あるいは色からの回折オーダーを表している。ライン6
4A−Dによって表される回折オーダーは、ビームスプ
リッタ50に入り、そしてオプティカルファイバコレク
タ72A−Dおよび74A−Dに向けられる。可動性の
ウエハ格子を照明している電磁放射の第2のビームある
いは部分68は、対物レンズ58に類似している無色の
対物レンズ66によって回折され、集められ、そしてビ
ームスプリッタ50に入る。それぞれの回折オーダー7
0A−Dは、それぞれのオプティカルファイバコレクタ
72A−Dに向けられる。オプティカルファイバコレク
タ72A−72Dからの結果的な電磁放射は、検出器7
6Aによって集められる。検出器76Aは電磁放射を信
号プロセッサ78の中に入力される信号に換える。同様
に、光ファイバコレクタ74A−Dによって集められた
電磁放射は検出器76B によって検出される。検出器
76Bは電磁放射を信号プロセッサ78の中に入力され
る信号に換える。2つの検出器76Aおよび76Bが示
されて入るが、検出器76Aおよび76Bは検出器アレ
イであってもよく、あるいは単独検出器内に取り込まれ
たものであってもよい。信号プロセッサ78は、検出器
76Aおよび検出器76Bからのそれぞれの信号を、固
定基準格子60を基準にしたウエハ格子68の変位ある
いは不整合を表す信号に換える。ウエハ10が移動する
か、あるいは走査されるにつれて、可動性のウエハ格子
68と固定された基準格子60との間のどのような不整
合も、ビートをもたらす結果として位相遅延を生じさせ
る。これはよく知られている技術を用いて信号プロセッ
サ78によって処理される。したがって、検出器76A
および76Bは、すべてのオーダーおよび色の上に生じ
る時間的な信号を検出するための、単なるマルチ素子検
出器であることもできる。そのために、1つのオーダー
に関するすべての情報は、ステージスキャンからのレー
ザー計測データにクロックされた干渉ビートの位相の形
態となっている。
【0016】図3は瞳孔80における種々の回折オーダ
ーの状況を概略的に示している。瞳孔80の平面図から
見られるのは、図2において示されている2次元可動性
格子68によって回折オーダーが作られているというこ
とである。円82は、特定の色あるいは波長に関する2
次元格子の1つのディメンションの結果としての第1の
回折オーダーを表している。円82Aは、もう1つの第
2の色あるいは波長に関する2次元格子の1つのディメ
ンションの結果としての第1の回折オーダーを表してい
る。円84は第1の波長あるいは色における2次元格子
の1つのディメンションに関する第2の回折オーダーを
表している。円84Aは第2の波長あるいは色における
2次元格子の1つのディメンションの結果としての第2
の回折オーダーを表している。同様に円86は、第1の
波長あるいは色に関しての、第1の格子に直交する、第
2格子に関する2次元格子の他のディメンションの結果
としての、第1の回折オーダーを表している。円86A
は、第2の波長あるいは色に関する2次元格子の他のデ
ィメンションの結果としての、第1の回折オーダーを表
している。円88は、第1の波長あるいは色に関する2
次元格子の他のディメンションの結果としての、第2の
回折オーダーを表している。円88Aは、第2の波長あ
るいは色に関する、第2の格子に関する2次元格子の他
のディメンションの結果としての第2の回折オーダーを
表している。第1および第2の格子は互いに直行し、そ
して走査あるいは移動の方向に対して45度角に位置決
めされていることが望ましい。格子の回折オーダーの振
幅および位相において、多くの情報が利用可能である。
ただ2つだけのオーダーだけが示されてはいるが、明ら
かに2つ以上のオーダーを集めることもできる。ただ2
つの異なった色あるいは波長に関するオーダーだけが示
されてはいるが、明らかにさらに多くを使うこともで
き、そして少なくとも4つの個別の電磁放射の波長ある
いは色が利用されることが望ましい。
【0017】図4Aおよび4Bは、固定されている格子
に対するウエハ格子の動きの結果としての位相変化また
はシフトを描いている。干渉性照明が格子168を十分
に照明した結果として、照明ビーム90からθ度の方向
において伝播する回折電磁放射が生じる。矢印94は照
明ビーム90の回折の結果としての平面波92の伝搬方
向を示している。図4Bは図4Aに関する、X軸に沿っ
ての、格子168の水平シフトの結果としての位相の結
果的な変更を示している。図4BはΔXとして示されて
いる周期Pのおよそ4分の1だけシフトされた格子16
8を示している。結果として、シフトされたか、あるい
は遅延された平面波96がもたらされ、オリジナルの平
面波位置92から位相シフトΔφの結果を得る。したが
って、この位相シフトが検出されて、そして測定される
が、その結果は直接的に水平方向の配置ならびに格子1
68のアライメントに、そして相応して格子168に取
り付けられたウエハのアライメントに関連している。
【0018】図5は、最適化したアライメントを達成す
るための学習モードにおいて本発明を実践するための望
ましい方法あるいはプロセスを示すブロック図である。
この方法においては、デバイスの製造の間のウエハの処
理によるウエハ格子上の、非対称性あるいはコーティン
グのようなプロセス変量には影響されない。図5におい
ては、ブロック200が第1のウエハへの照明行為ある
いはステップを表わしている。このウエハは1つの格子
を有しており、その上に多数の別々の波長を持つアライ
メント照明がなされる。別々の波長は少なくとも4つで
あって、そして630ナノメータと870ナノメータと
の間の範囲にある。ブロック202は最良のアライメン
ト情報を持つ回折オーダーおよび波長を識別する行為あ
るいはステップを表している。最良アライメント情報を
決定する上では、最強の信号が使われることもでき、あ
るいは期待される回折オーダーまたは波長に関連する信
号強度と以前の情報の組み合わせが考慮されるかもしれ
ない。したがって、処理変数から判断してアライメント
の最も良い表示を提供する色あるいは波長と、そして回
折オーダーの両方を選択することによって、最良アライ
メント情報の検出の最適化が決定される。例えば、いく
つかの色あるいは波長が金属粒ノイズ、他の干渉または
エッジ効果に依存して、より良い信号を供給するかもし
れない。ブロック204はウエハの条件を決定する行為
あるいはステップを表している。ブロック206は、処
理変数によって、識別されたオーダーと、波長と、そし
てウエハの条件を蓄積する行為あるいはステップを表し
ている。ブロック208は、類似の条件あるいは処理変
数を持つウエハ上の次のウエハ処理において、識別され
たオーダーと使用された波長を選択するために蓄積され
ている情報を使う行為あるいはステップを表している。
【0019】上の工程段階あるいは方法は、ウエハ処理
変数にかかわらず最も正確なアライメントを得るため
に、最も信頼できる情報を提供することができる特定の
波長あるいは色および回折オーダーを探すことによっ
て、このシステムがアライメント手順を学習するか、あ
るいは最適化することを可能にする。したがって、本発
明の装置および方法の結果として、マスクあるいはレチ
クルに対するウエハのアライメントが向上し、アライメ
ント正確度とスループットが改善される。
【0020】本発明の動作は図1〜5を参照することに
よって容易に明らかにすることができる。図1を参照す
ると、粗アライメント26はウエハ10とマスク20と
の間にアライメントを検出して、そしてそれを図2にお
いて示されている、ウエハ格子60および68の周期以
内とすることが可能である。図2に示されているウエハ
格子60および68の周期は、1から5ミクロンの範囲
にあるべきであって、そしてなるべくなら2.5ミクロ
ンとされるべきである。したがって、図1および図2に
示されている微細アライメントセンサ30は、実質的に
2.5ミクロン以下の、そして1ナノメートルのオーダ
ーである、アライメント正確度を達成するために利用さ
れる。レチクルあるいはマスクに整列される用にウエハ
上に置かれた、非常に正確な、そして可動性格子68と
同じ周期を持つ、比較的安定している、そして正確な基
準格子60を利用することによって、このアライメント
正確度が達成される。基準格子60に関する可動性ウエ
ハ格子68のどんな不整列でも、そして粗アライメント
位置も、基準信号からの位相シフトとして検出される。
この位相シフトは図2に示される信号プロセッサ78に
よって利用され、ステージコントローラ128への不整
列情報を提供する。それに応じてステージ制御装置12
8は、図1に示されたウエハステージ12とマスクステ
ージ22を移動させて、アライメントを維持する。マス
クステージ22の動きは一般に、基準格子60が取り付
けられている固定基準62から、図1において示される
粗アライメント26によって決定されるような粗アライ
メントポジションとの距離を基準にして行われる。
【0021】本発明はまた、位相測定アスペクトを削除
することによって、容易に潜像度量衡学(LIM)モード
に変換されうるという利点を持っている。これは偏光ア
ウトプット取り付け具38と、ビームスプリッタ50の
中央偏光部分52の使用によって可能にされる。偏光ア
ウトプット取り付け具38を回転させることによって、
固定基準格子60に供給される電磁放射は減らされ、お
よび/または削除されることができる。これは命令によ
って本発明を潜像度量衡学センサーに変えるという利点
を持っている。潜像度量衡学は周知の診断法である。こ
れは種々の潜在的な格子像に関する種々のオーダー輝度
を比較することによって、種々の限界寸法エラー、非対
称性、および光行差とを減らすことができるので、いく
つかのアプリケーションにおいて望ましいものである。
そのために、いくつかのアプリケーションにおいては、
アライメントセンサを潜像度量衡学センサーに換えるこ
とのできる能力は有利である。
【0022】本発明のアライメントセンサにおける基準
位相は、固定されている格子60からもたらされる。そ
れぞれのオーダーおよび波長のために、対物レンズ58
は基準格子60からの干渉性、単色のビームをコリメー
トする。これらの基準オーダーのいずれもが、ビームス
プリッタ50によって作られたのと同じ波長のビームに
フェーズロックされている。これらのビームはウエハ格
子68を探査して、そして同一の幾何学的配置において
回折する。ウエハ10がX方向において走査されると
き、位相遅延は変化し、そして干渉ビートが起こるであ
ろう。少損失コーティング54を使用することによっ
て、エネルギー保存の理由から、同じ回折オーダーの直
交するビームにおけるビートはコンプリメンタリとなる
はずで、それで光または電磁気輻射が常にどこかで検出
される。どんな干渉計とも同じように、位相は任意であ
る、しかし差異は重要である。このアライメントセンサ
は、粗アライメントの使用によって位相差異を測定する
ので、2パイ係数エラーまたは1波長全体のシフトによ
る、あらゆる不明瞭が除去される。本発明の利点は基準
格子60が常に同じ予測可能な回折効率を持っていると
いうことである。しかしながら、ウエハ格子68はロス
を生じ、そのためオーダー間において効率の再分配をも
たらしている。いくつかのアプリケーションにおいて
は、最も高い周辺コントラストのために基準振幅のバラ
ンスをとることは有用であるかもしれない。何の位相変
化もなくこのバランス能力を供給するために、ビームス
プリッタ50の中央の部分52は偏光処理されることも
ある。このときビームスプリッタ50の残り部分は振幅
スプリットコーティングが施されている。したがって、
偏光アウトプット取り付け具38を回転させることによ
って、何らの不必要な光損失を被ることなくバランスを
達成することができる。このことは、照明源34と結び
付いている偏光アウトプット取り付け具38をツイスト
させることによって達成される。さらに偏光アウトプッ
ト取り付け具38は、振幅をゼロにまで低下させるため
にも使われることができ、これによって前に論じられた
潜像度量衡学モードを効率的に生じさせることができ
る。
【0023】したがって本発明は、半導体の製造のため
のフォトリソグラフィにおいて使われるマスクとウエハ
との間のアライメントを改善する上で、多くの利点を持
っている。固定された基準格子の使用は、使用される各
マスクあるいはレチクル上に高品質な格子を設けること
を不必要にする。分離された、そして明確な別個のマス
ク位置合せマークが可能となる。加えるに、本発明のア
ライメントセンサは容易に潜像度量衡学での使用のため
に転換されることができる。さらに、多数の波長の使用
は、種々の処理変数および非対称性による検出およびア
ライメントを最適化する方法をもたらすことを可能と
し、それによってスループットが向上される。
【0024】望ましい実施例が示されて、そして説明さ
れたけれども、それは本発明の精神と範囲から離れるこ
となく、種々の変更がなされ得ることは当業技術におい
て熟練した人たちにとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を利用するフォトリソグラフィシステム
の1部の概略的な図である。
【図2】本発明のアライメントセンサを説明する概略的
な図である。
【図3】回折オーダーが回折格子から集められる様子を
描いた平面図である。
【図4】回折格子の水平移動による平面波の位相の変化
を概略的に例証する図である。
【図5】マスクとウエハを整列させる上での、生産効率
を増やす方法を説明するブロック図である。
【符号の説明】
10 ウエハ 12 ウエハステージ 14 自動校正検出器 16 投影光学機器 20 マスク 22 マスクステージ 26 粗アライメント 30 微細アライメントセンサ 34 アライメント照明源 36 ファイバー・オプティックス 38 偏光アウトプット取り付け具 50 ビームスプリッタ 52 中央偏光部分 54A ウエーブプレート 56 吸収表面 58 対物レンズ 60 基準回折格子 62 固定された基準 68 ウエハ回折格子 69 方向矢印 70 回折オーダー 72 オプティカルファイバコレクタ 76 検出器 80 瞳孔 82〜88 回折オーダー 90 照明ビーム 92 平面波

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アライメントセンサにおいて、 ビームスプリッタを含み、 前記ビームスプリッタは照明源からの電磁放射を受け取
    り、 前記ビームスプリッタからの電磁放射の第1の部分を受
    け取るために位置決めされた固定された格子を含み、 前記ビームスプリッタからの電磁放射の第2の部分を受
    け取るために位置決めされた可動格子を含み、 前記固定された格子および前記可動格子からの回折され
    た電磁放射を受け取るために前記ビームスプリッタに隣
    接して位置決めされた検出器を含み、 前記検出器に結合された信号プロセッサを含み、 それによって前記固定された格子と前記可動格子との間
    の相対アライメントが検出される、ことを特徴とするア
    ライメントセンサ。
  2. 【請求項2】 照明源が複数の個別の波長で構成されて
    いる、請求項1記載のアライメントセンサ。
  3. 【請求項3】 複数の個別の波長が4つからなる、請求
    項2記載のアライメントセンサ。
  4. 【請求項4】 前記固定された格子および前記可動格子
    が2次元の格子である、請求項1記載のアライメントセ
    ンサ。
  5. 【請求項5】 前記ビームスプリッタが偏光ビームスプ
    リッタである、請求項1記載のアライメントセンサ。
  6. 【請求項6】 前記ビームスプリッタが振幅分割ビーム
    スプリッタである、請求項1記載のアライメントセン
    サ。
  7. 【請求項7】 照明源に結合された偏光出力取り付け具
    と、 前記ビームスプリッタ上の中央偏光部分とをさらに含
    み、 それによって潜像度量衡学モードを得られる、請求項6
    記載のアライメントセンサ。
  8. 【請求項8】 前記固定された格子と前記可動格子とが
    同じ周期を持つ、請求項1記載のアライメントセンサ。
  9. 【請求項9】 前記周期が、1と5ミクロンとの間にあ
    る、請求項8記載のアライメントセンサ。
  10. 【請求項10】 前記固定された格子がウエハの上に置
    かれ、そして前記固定された格子がマスクの上に置かれ
    る、請求項1記載のアライメントセンサ。
  11. 【請求項11】 アライメントセンサにおいて、 固定基準を含み、 マスクステージを含み、 前記マスクステージは前記固定基準に対して動くことが
    でき、 ウエハステージを含み、 前記ウエハステージは前記固定基準に対して動くことが
    でき、 ビームスプリッタを含み、 前記ビームスプリッタは実質的に干渉性(コヒーレント)
    の照明源からの電磁放射を受け取り、 前記固定された基準に取り付けられて、そして前記ビー
    ムスプリッタからの電磁放射の第1の部分を受け取るよ
    うに位置決めされた固定格子を含み、 前記ウエハステージの上に置かれたウエハに取り付けら
    れて、そして前記ビームスプリッタからの電磁放射の第
    2の部分を受け取るように位置決めされた可動格子を含
    み、 前記固定された格子および前記可動格子からの回折され
    た電磁放射を受け取る前記ビームスプリッタに隣接する
    ように位置決めされた検出器を含み、 前記検出器に結合された信号プロセッサを含み、 前記信号プロセッサは位相差異を識別し、 これによって前記固定された格子と前記可動格子との間
    の相対的なアライメントが検出され、 前記信号プロセッサおよび前記マスクステージと前記ウ
    エハステージに結合されたステージ制御装置を含み、 前記ステージ制御装置は前記マスクステージと前記ウエ
    ハステージの相対的な位置を制御し、 それによって前記マスクステージと前記ウエハステージ
    との間のアライメントが維持される、ことを特徴とする
    アライメントセンサ。
  12. 【請求項12】 実質的に干渉(コヒーレント)性の照明
    源は、複数の個別の波長で構成されている、請求項11
    記載のアライメントセンサ。
  13. 【請求項13】 前記固定された格子と前記可動格子と
    のアライメントの最適化された検出のために、前記信号
    プロセッサが回折オーダーと、複数の個別の波長と、そ
    してウエハ条件を識別するための情報を蓄積するための
    記憶装置を含む、請求項12記載のアライメントセン
    サ。
  14. 【請求項14】 前記信号プロセッサが、ウエハ条件に
    依存してアライメントの検出を最適化するように、記憶
    装置内の情報から選択を行う選択装置を含む、請求項1
    3記載のアライメントセンサ。
  15. 【請求項15】 前記固定されている格子と前記可動格
    子が、2次元の格子である、請求項11記載のアライメ
    ントセンサ。
  16. 【請求項16】 転換形アライメントセンサにおいて、 複数の個別の波長を持っている実質的に干渉(コヒーレ
    ント)性の照明源を含み、 前記干渉性照明源と関連づけられた偏光アウトプット取
    り付け具を含み、 それによって前記干渉性照明源からの電磁放射の偏光が
    選択的に制御され、 固定された基準を含み、 マスクステージを含み、 前記マスクステージは前記固定された基準に対して移動
    することができ、ウエハステージを含み、 前記ウエハステージは前記固定された基準に対して移動
    することができ、 ビームスプリッタを含み、 前記ビームスプリッタは前記実質的に干渉性の照明源か
    らの電磁放射を受け取り、 前記ビームスプリッタの中央部分上に置かれた偏光コー
    ティングを含み、 前記固定された基準に取り付けられて、そして前記ビー
    ムスプリッタからの電磁放射の第1部分を受け取るよう
    に位置決めされた固定された格子を含み、 前記ウエハステージ上に置かれたウエハに取り付けられ
    て、前記ビームスプリッタからの電磁放射の第2の部分
    を受け取るように位置決めされた可動格子を含み、 前記固定された格子と前記可動格子からの回折された電
    磁放射を受け取るように、前記ビームスプリッタに隣接
    して位置決めされた検出器を含み、 前記検出器に結合された信号プロセッサを含み、 前記信号プロセッサは位相差異を検出し、 それによって前記固定された格子と前記可動格子との間
    の相対的なアライメントが検出され、 前記信号プロセッサに、そして前記マスクステージおよ
    び前記ウエハステージに結合されたステージ制御装置を
    含み、 前記ステージ制御装置は前記マスクステージと前記ウエ
    ハステージとの相対的な位置を制御し、 これによって前記マスクステージと前記ウエハステージ
    との間のアライメントが維持される、ことを特徴とする
    転換形アライメントセンサ。
  17. 【請求項17】 前記固定された格子と前記可動格子と
    が2次元格子である、請求項16記載のアライメントセ
    ンサ。
  18. 【請求項18】 フォトリソグラフィにおけるマスクと
    ウエハのアライメントの方法において、 多数の個別の波長を持つアライメント照明を用いて、ウ
    エハ格子を持つウエハを照明するステップを含み、 多数の個別の波長を持つアライメント照明を用いて、固
    定された格子を照明するステップを含み、ウエハ格子お
    よび固定された格子からの回折された電磁放射から、最
    適化されたアライメント情報を提供する回折オーダーお
    よび波長を識別するステップを含み、 ウエハの条件を決定するステップを含み、 識別された回折オーダーおよび波長、ならびにウエハの
    条件に関する情報を蓄積するステップを含み、 類似のウエハ条件下で引き続くウエハ処理において利用
    する回折オーダーと波長とを選ぶために、蓄積された情
    報を使用するステップを含み、 これによって引き続くウエハ処理において必要とされる
    アライメントが実質的に改善される、ことを特徴とする
    マスクおよびウエハのアライメント方法。
  19. 【請求項19】 多数の個別の波長は4つから構成され
    る、請求項18記載の方法。
  20. 【請求項20】 多数の個別の波長は780および87
    0ナノメータの範囲にある、請求項18記載の方法。
JP2000240007A 1999-08-10 2000-08-08 多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ Pending JP2001093833A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/371,337 US6469793B1 (en) 1999-08-10 1999-08-10 Multi-channel grating interference alignment sensor
US09/371337 1999-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001093833A true JP2001093833A (ja) 2001-04-06

Family

ID=23463556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000240007A Pending JP2001093833A (ja) 1999-08-10 2000-08-08 多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6469793B1 (ja)
EP (1) EP1076264B1 (ja)
JP (1) JP2001093833A (ja)
KR (1) KR100577107B1 (ja)
CA (1) CA2314512A1 (ja)
DE (1) DE60030374T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008042200A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Asml Netherlands Bv 角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置
JP2015535089A (ja) * 2012-10-19 2015-12-07 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント カンパニー リミティド 軸外アライメントシステム及びアライメント方法
JP2017528757A (ja) * 2014-08-25 2017-09-28 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 測定方法、測定装置、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US10775704B2 (en) 2016-02-19 2020-09-15 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242464B2 (en) * 1999-06-24 2007-07-10 Asml Holdings N.V. Method for characterizing optical systems using holographic reticles
US20050010310A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Touzov Igor Victorovich Method of alignment for precision tools.
US6992778B2 (en) * 2003-08-08 2006-01-31 Mitutoyo Corporation Method and apparatus for self-calibration of a tunable-source phase shifting interferometer
WO2009028494A1 (ja) * 2007-08-28 2009-03-05 Nikon Corporation 位置検出装置、位置検出方法、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008029970A1 (de) * 2008-06-26 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zum Überwachen einer lateralen Abbildungsstabilität
NL2007216A (en) 2010-09-08 2012-03-12 Asml Netherlands Bv Self-referencing interferometer, alignment system, and lithographic apparatus.
US8885172B2 (en) 2011-02-01 2014-11-11 Zygo Corporation Interferometric heterodyne optical encoder system
EP2699967B1 (en) 2011-04-22 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
WO2012144905A2 (en) * 2011-04-22 2012-10-26 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
CN103135371B (zh) * 2011-12-02 2015-02-11 上海微电子装备有限公司 基于分束偏折结构的小光斑离轴对准系统
CN103293884B (zh) * 2012-02-24 2014-12-17 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的离轴对准系统及对准方法
US9030661B1 (en) * 2013-03-15 2015-05-12 Kla-Tencor Corporation Alignment measurement system
CN103226058B (zh) * 2013-04-02 2015-06-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于补偿算法的光栅衍射效率的测量方法
TWI626517B (zh) * 2013-08-22 2018-06-11 阿德文泰克全球有限公司 陰影遮罩-基板對準方法
KR20170092522A (ko) 2014-09-08 2017-08-11 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕 금속 격자 및 이의 측정 방법
CN104964649B (zh) * 2015-07-20 2017-07-28 哈尔滨工业大学 光栅分光式同步移相干涉测量装置及方法
WO2017167637A1 (en) 2016-03-30 2017-10-05 Asml Netherlands B.V. Substrate edge detection
CN107331643B (zh) * 2016-04-29 2021-02-12 上海微电子装备(集团)股份有限公司 对准装置及其方法
EP3309616A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
KR102328438B1 (ko) * 2017-06-02 2021-11-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 장치
KR20210032663A (ko) 2019-09-17 2021-03-25 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
CN111751012B (zh) * 2020-06-03 2021-12-14 中国科学院西安光学精密机械研究所 动态高分辨光学波前相位测量方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3071858D1 (en) * 1980-07-31 1987-01-22 Ibm Method and device for optical distance measurement
JPS5972728A (ja) 1982-10-20 1984-04-24 Canon Inc 自動整合装置
US4631416A (en) 1983-12-19 1986-12-23 Hewlett-Packard Company Wafer/mask alignment system using diffraction gratings
KR900004269B1 (ko) 1986-06-11 1990-06-18 가부시기가이샤 도시바 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치
JPH0810123B2 (ja) 1986-09-12 1996-01-31 株式会社ニコン 光学装置
US4988197A (en) 1987-12-28 1991-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects
US5171999A (en) * 1989-02-28 1992-12-15 Nikon Corporation Adjustable beam and interference fringe position
US5151754A (en) 1989-10-06 1992-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and an apparatus for measuring a displacement between two objects and a method and an apparatus for measuring a gap distance between two objects
JP2893823B2 (ja) * 1990-03-20 1999-05-24 株式会社ニコン 位置合わせ方法及び装置
US5402230A (en) 1991-12-16 1995-03-28 Tsinghua University Heterodyne interferometric optical fiber displacement sensor for measuring displacement of an object
EP1278104B1 (en) 1994-01-24 2007-06-13 ASML Holding N.V. Grating-grating interferometric alignment system
US5801390A (en) * 1996-02-09 1998-09-01 Nikon Corporation Position-detection method and apparatus with a grating mark
US6160622A (en) * 1997-12-29 2000-12-12 Asm Lithography, B.V. Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008042200A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Asml Netherlands Bv 角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置
JP2015535089A (ja) * 2012-10-19 2015-12-07 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント カンパニー リミティド 軸外アライメントシステム及びアライメント方法
JP2017528757A (ja) * 2014-08-25 2017-09-28 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 測定方法、測定装置、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US10775704B2 (en) 2016-02-19 2020-09-15 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein

Also Published As

Publication number Publication date
EP1076264B1 (en) 2006-08-30
DE60030374D1 (de) 2006-10-12
CA2314512A1 (en) 2001-02-10
KR20010049931A (ko) 2001-06-15
US6469793B1 (en) 2002-10-22
KR100577107B1 (ko) 2006-05-08
EP1076264A2 (en) 2001-02-14
EP1076264A3 (en) 2005-03-02
DE60030374T2 (de) 2006-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001093833A (ja) 多チャンネル格子の干渉アライメントセンサ
US7528953B2 (en) Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging
US5333050A (en) Measuring method and apparatus for meausring the positional relationship of first and second gratings
US4902133A (en) Method and an apparatus for aligning first and second objects with each other
US5202748A (en) In situ process control system for steppers
US5751426A (en) Positional deviation measuring device and method for measuring the positional deviation between a plurality of diffraction gratings formed on the same object
JP2020016898A (ja) アライメントシステム
TW200846654A (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
EP0520625A1 (en) Alignment device
JPH039403B2 (ja)
JPH08167559A (ja) アライメント方法及び装置
US5585923A (en) Method and apparatus for measuring positional deviation while correcting an error on the basis of the error detection by an error detecting means
JP7435703B2 (ja) 面位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、および基板処理システム
US8456641B1 (en) Optical system
JPH0749926B2 (ja) 位置合わせ方法および位置合わせ装置
JP2906433B2 (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
JPH08186069A (ja) 露光装置
JPH02272305A (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JPH09293663A (ja) 位置検出装置及び該装置を備えた露光装置
JPH08162393A (ja) 位置合わせ装置
JP3111556B2 (ja) 微細パターンの形成装置
US8422027B2 (en) Imaging optical system for producing control information regarding lateral movement of an image plane or an object plane
JP2554626B2 (ja) 回折格子による位置合わせ方法および位置合わせ装置
JP2683409B2 (ja) 位置合わせ装置
JPH0587530A (ja) 干渉計測装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050307

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060914

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060915

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070803

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070830

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080408

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080725

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081023

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081120