JP2006157023A - オーバレイマークを設計する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 スキャトロメトリ測定で使用するオーバレイターゲットグレーティングの設計方法は、A)サンプル層パラメータを選択し、B)第1ターゲット特性を有する第1ターゲットグレーティングを選択し、C)入射光の角度範囲にわたって第1ターゲット特性のオーバレイオフセット変化の標準偏差を平均して、数学モデル化ターゲットでの反射光のASDを計算し、D)第1増分によって第1ターゲットグレーティング特性をシフトさせ、E)ステップCから繰り返して、F)ステップCとステップEのASDを比較し、大きい方を新たな開始グレーティング特性とし、G)最大の所望のASDが得られるまで、ステップC−Fを繰り返し、H)実際のターゲットを、上記ASDと対応するターゲットグレーティング特性を有するように設計する。
【選択図】図2
Description
R=|U(z2)xU(z2)*|=R(pitch, LSratio, θi, ΔOL)
R=|U(z2)xU(z2)*|=R(pitch, LSratio, λi, ΔOL)
R=|U(z2)×U(z2)*|=|Rp×Rp *|+|Rs×Rs *|
Ψ=Ψ(pitch, LSratio, λi, ΔOL)
Δ=Δ(pitch, LSratio, λi, ΔOL)
Claims (24)
- A 1以上の層の材料、膜厚、層の上にパターン化された部材の側壁の角度を含むサンプル層パラメータを少なくとも一つ選択し、
B 以下のステップで変化する第1ターゲット特性を有する第1ターゲットグレーティングを選択し、
C 入射光の角度範囲にわたって第1ターゲット特性のオーバレイオフセット変化の標準偏差を平均することによって、第1ターゲットグレーティング特性を持つ数学的にモデル化されたターゲットで反射された光の平均標準偏差を計算し、
D 第1の増分によって第1ターゲットグレーティング特性をシフトさせ、
E ステップCから繰り返して、
F ステップCからのASDとステップEからのASDとを比較して、どちらが大きいか決定し、より大きなASDターゲットグレーティング特性を新たな開始グレーティング特性とし、
G 最大の所望のASDが得られるまで、ステップCからステップFまで反復プロセスを繰り返し、
H 基板上で使用される実際のターゲットを、最大の所望のASDと対応する特性と実質的に等しいターゲットグレーティング特性を有するように設計する、
上記各ステップを含む、サンプルのスキャトロメトリ(scatterometry)測定で使用するオーバレイ・ターゲットグレーティングを設計する方法。 - 各々の層パラメータは、ルックアップテーブルから決定した定数と一致する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1ターゲットのグレーティング特性は、開始時の既知の標準ターゲットを用いるか、材料パラメータに基づく根拠のある最良の推測を得ることのいずれかによって選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1ターゲットのグレーティング特性は、ピッチ及び/またはライン−スペース比である、請求項1に記載の方法。
- オーバレイオフセットは、およそ2〜8nm、3〜7nm、4〜6nm、又は5nmの増分でシフトさせる、請求項1に記載の方法。
- 前記ASDは、前記第1ターゲットグレーティングからモデル化する反射率についての既知の数式を用いて計算される、請求項1に記載の方法。
- ターゲットのピッチ及びライン/スペース比を第1の増分でシフトさせることによって、前記第1ターゲットグレーティング特性を変化させる、請求項1に記載の方法。
- 実際のターゲット上の実測を行うことなく、ソフトウェアを使用してステップAからステップGまでの全てを数学的に実行する、請求項1に記載の方法。
- 角度スキャトロメーター、反射率計、又は偏光解析器を使用してスキャトロメトリの遂行に用いるように前記ターゲットを適合させた、請求項1に記載の方法。
- A 1以上の層材料、膜厚、及び層の上のパターン化された部材の側壁角度を含むサンプル層パラメータを選択するステップであって、各層パラメータはルックアップテーブルから決定される定数に対応し、前記定数はターゲット最適化アルゴリズムで使用される、ステップと、
B 既知の開始用の標準ターゲットを用いるか、あるいは材料パラメータに基づいて、以下のステップで変化する第1ピッチ及びライン−スペース比を有する第1ターゲットグレーティングを選択し、
C 前記第1ターゲットグレーティングからの反射率のモデル化についての既知の数式を用いて、入射光の角度範囲にわたって、ピッチ及びライン/スペース比を5nmの増分でオーバレイオフセットをシフトさせて得られた標準偏差を平均することによって、前記第1ピッチ及びライン/スペース比を有する数学的にモデル化されたターゲットで反射された光の平均標準偏差(ASD)を計算し、
D 第1ピッチ及びライン−スペース比を第1増分によってシフトさせ、
E ステップCを繰り返し、
F ステップCからのASDとステップEからのASDとを比較し、どれがより大きいかを決定し、より大きなASDターゲットグレーティング特性を新しい第1のピッチ及びライン−スペース比とし、
G 実質的に最大の所望のASDが得られるまで、ステップCからステップFまで反復プロセスを繰り返し、
H ステップGで得られた最大のASDに対応する第1ピッチとライン−スペース比と実質的に一致するピッチ及びライン−スペース比を有する実際のターゲットを設計する、
上記各ステップを含む、サンプルのスキャトロメトリ測定で使用するオーバレイターゲットグレーティングを設ける方法。 - ASDがもはや増えなくなるまでステップC−Fを繰り返す、請求項10に記載の方法。
- 層又は基板の上でスキャトロメトリを遂行する方法であって、
請求項10のステップHで設計されたターゲットを前記層又は基板の上に設けるステップと、
前記ターゲットを光で照射するステップと、
前記ターゲットから反射された光を観測するステップと、
前記反射光を処理してオーバレイエラーを決定するステップと
を含む、方法。 - 請求項10に記載のステップを用いて設計されたスキャトロメトリターゲットを有する基板を備えた、マイクロエレクトロニックデバイス、マイクロメカニカルデバイス、又はマイクロ−エレクトロメカニカルデバイスの製造用基板。
- オーバレイマークの最適化されたパラメータを計算する方法であって、
オーバレイのグレーティングターゲットのピッチpとライン−スペース比rにおける回折サインの平均標準偏差(ASD)を計算し、
最適化方法を用いて、オーバレイ測定が最も敏感である場合の最大のASD値を決定する、方法。 - 前記最適化方法の1つがシンプレックス法又はランダムウォーク法である、請求項14に記載の方法。
- オーバレイマークを設計する方法であって、
プローブ光でオーバレイマークを照射し、
プローブ光とオーバレイマークとの相互作用の結果として生じる回折を観測し、
オーバレイ測定の感度を増すために最適化するオーバレイマークのパラメータを選択し、
最適化アルゴリズムを用いてオーバレイマークのパラメータを最適化し、オーバレイ測定の最大感度を得る、方法。 - 前記オーバレイマークは、少なくとも上層のグレーティングターゲット層と下層のグレーティングターゲット層とを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記グレーティングターゲットは、1次元周期的構造体である、請求項16に記載の方法。
- 前記グレーティングターゲットは、2次元周期的構造体である、請求項18に記載の方法。
- 前記プローブ光は、レーザ光源から生じ、回折は前記プローブ光の走査角度の関数として観測される、請求項16に記載の方法。
- 前記プローブ光は、ブロードバンド光源から生じ、回折は波長の関数として観測される、請求項16に記載の方法。
- 前記オーバレイマークの選択されたパラメータの1つは、グレーティングターゲットのピッチである、請求項16に記載の方法。
- 前記オーバレイマークの選択されたパラメータの1つは、グレーティングターゲットのライン−スペース比である、請求項16に記載の方法。
- 前記オーバレイグレーティングターゲットのピッチpとライン−スペース比rにおける回折サインの平均標準偏差(ASD)を計算し、
オーバレイ測定が最も敏感である場合の最大のASDを決定する最適化方法を、さらに含む、請求項16に記載の方法。
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