JP2012514871A - 光散乱計測ターゲット設計の最適化 - Google Patents
光散乱計測ターゲット設計の最適化 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012514871A JP2012514871A JP2011545386A JP2011545386A JP2012514871A JP 2012514871 A JP2012514871 A JP 2012514871A JP 2011545386 A JP2011545386 A JP 2011545386A JP 2011545386 A JP2011545386 A JP 2011545386A JP 2012514871 A JP2012514871 A JP 2012514871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- target
- information
- accuracy
- metrology
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
- G03F7/706839—Modelling, e.g. modelling scattering or solving inverse problems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/706831—Recipe selection or optimisation, e.g. select or optimise recipe parameters such as wavelength, polarisation or illumination modes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Abstract
【選択図】図2
Description
Claims (26)
- 計測ターゲット設計を最適化するための方法であって、
a)前記計測ターゲット設計に関する情報、前記ターゲットが形成される基板に関する情報、前記計測ターゲットを形成するために用いられるプロセスに関する情報、または前記計測ターゲットを測定するために用いられる計測システムに関する情報を含む入力を受け取ること、
b)前記計測ターゲットの1または複数の光学的特徴を生成するために前記入力を用いて前記計測システムにより計測信号のモデルを獲得すること、
c)前記基板上の前記計測ターゲットを用いて前記計測システムによりなされる1または複数の測定の予測される精度および正確さを決定するために前記1または複数の光学的特徴に計測アルゴリズムを適用すること、
d)前記計測ターゲット設計に関する前記情報の少なくとも一部を修正すること、および、
e)前記精度および正確さが最適化された後に前記計測ターゲット設計を表わす情報を表示または格納することを備える、方法。 - 前記計測ターゲットはオーバーレイターゲットである、請求項1に記載の方法。
- 前記計測ターゲットは微分光散乱オーバーレイターゲットである、請求項2に記載の方法。
- 前記計測ターゲットはマルチセル微分光散乱オーバーレイターゲットである、請求項3に記載の方法。
- b)は、前記計測信号がオーバーレイに対して強い感度を有する計測特徴空間内に1または複数の領域を決定すること、および、これらの領域内の特徴により大きく重み付けをするために計測レシピを修正することを含む、請求項1に記載の方法。
- b)は、有限数の係数を有する数式により前記計測信号のモデルを獲得すること、および、高次の係数の大きさを無視することができる計測特徴の1または複数の値から計測寄与に適用される重みを増大させること、および/または、高次の係数の大きさを無視することができない計測特徴の1または複数の値から計測寄与の重みを低減させることを含む、請求項1に記載の方法。
- c)は、前記計測ターゲットの特徴から計測信号感度を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- さらに、前記1または複数の測定の精度および正確さを最適化するために、d)およびe)の間にb)、c)およびd)を繰り返すことを含む、請求項1に記載の方法。
- b)、c)およびd)を繰り返すことは、前記計測ターゲットを表わす前記情報を集積回路設計のための標準形式に格納することを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記計測ターゲット設計に関する前記情報は、前記ターゲット設計の1または複数の設計パラメータを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測ターゲット設計に関する前記情報は、1または複数のターゲット設計自由度を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲットが形成される基板に関する前記情報は、前記基板上の1または複数の材料層に関する積層および形状の情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測ターゲットを形成するために用いられるプロセスに関する前記情報は、前記ターゲットを形成するために用いられる前記プロセスに関するプロセス変化データを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記計測ターゲットを測定するために用いられる計測システムに関する前記情報は、前記計測装置により用いられる光学、前記計測装置により用いられるプローブ放射、または前記光学装置により用いられる検出器を特徴付ける1または複数のパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光学的特徴は、前記計測ターゲットにより散乱された放射のシミュレートされたスペクトルを含む、請求項1に記載の方法。
- c)は、前記シミュレートされたスペクトルの1または複数の特徴を、所定の計測測定値に関連する1または複数のスペクトルと比較することを含む、請求項15に記載の方法。
- 計測ターゲット設計を最適化するための装置であって、
a)前記計測ターゲット設計に関する情報、前記ターゲットが形成される基板に関する情報、前記計測ターゲットを形成するために用いられるプロセスに関する情報、または前記計測ターゲットを測定するために用いられる計測システムに関する情報を含む入力を受け取るように設定された光学シミュレータであって、前記計測ターゲットの1または複数の光学的特徴を生成するために前記入力を用いて前記計測システムにより計測信号のモデルを獲得するように設定されている、光学シミュレータと、
b)前記基板上の前記計測ターゲットを用いて前記計測システムによりなされる測定の予測される精度および正確さを決定するために前記光学的特徴に計測アルゴリズムを適用するように設定された計測シミュレータと、
c)最適化された計測ターゲット設計を形成するために前記設計を最適化すべく前記計測ターゲット設計に関する前記情報の少なくとも一部を修正するように設定された最適化ループと、を備える、装置。 - さらに、前記最適化された計測ターゲット設計を表わすための前記情報を表示するように設定されたディスプレイを備える、請求項17に記載の装置。
- さらに、前記最適化された計測ターゲット設計を表わす情報を記憶するように設定されたデータ記憶装置を備える、請求項17に記載の装置。
- 前記最適化ループは、計測レシピ最適化データを生じさせるように設定されている、請求項17に記載の装置。
- 前記計測レシピ最適化データは、1または複数の対応する計測特徴から計測寄与に適用される重みの1または複数の値を含む、請求項20に記載の装置。
- 前記最適化ループは、計測レシピ最適化データを生じさせるように設定されている、請求項17に記載の装置。
- 前記計測レシピ最適化データは、1または複数の重み関数上に前記計測信号の1または複数の依存関係を含む、請求項22に記載の装置。
- 前記最適化ループは、プロセス変化の空間にわたって前記計測システムによりなされた測定の正確性の精度の推定を生じさせるように設定されている、請求項17に記載の装置。
- 計測ターゲットデザインを最適化するための装置であって、
プロセッサと、
メモリと、を備え、
前記プロセッサにより実行されるために前記メモリ内に格納されている命令であって、当該命令は、前記プロセッサにより実行されることにより計測ターゲットを最適化するための方法を実施するように構成されており、前記方法は
a)前記計測ターゲット設計に関する情報、前記ターゲットが形成される基板に関する情報、前記計測ターゲットを形成するために用いられるプロセスに関する情報、および前記計測ターゲットを測定するために用いられる計測システムに関する情報を含む入力を受け取ること、
b)前記計測ターゲットの1または複数の光学的特徴を生成するために前記入力を用いる前記計測システムにより計測信号のモデルを獲得すること、
c)前記基板上の前記計測ターゲットを用いて前記計測システムによりなされる1または複数の測定の予測される精度および正確さを決定するために前記1または複数の光学的特徴に計測アルゴリズムを適用すること、
d)前記計測ターゲット設計に関する前記情報の少なくとも一部を修正すること、前記1または複数の測定の精度および正確さを最適化するためにb)、c)およびd)を繰り返すこと、および
e)前記精度および正確さが最適化された後に前記計測ターゲット設計を表わす情報を表示または格納することを備える、装置。 - コンピュータ読み取り可能媒体であって、その内部にコンピュータ読み取り可能の命令が格納されており、前記命令は、プロセッサにより実行されることにより計測ターゲットを最適化するための方法を実施するように構成されており、前記方法は
a)前記計測ターゲット設計に関する情報、前記ターゲットが形成される基板に関する情報、前記計測ターゲットを形成するために用いられるプロセスに関する情報、および前記計測ターゲットを測定するために用いられる計測システムに関する情報を含む入力を受け取ること、
b)前記計測ターゲットの1または複数の光学的特徴を生成するために前記入力を用いる前記計測システムにより計測信号のモデルを獲得すること、
c)前記基板上の前記計測ターゲットを用いて前記計測システムによりなされる1または複数の測定の予測される精度および正確さを決定するために前記1または複数の光学的特徴に計測アルゴリズムを適用すること、
d)前記計測ターゲット設計に関する前記情報の少なくとも一部を修正すること、および
e)前記精度および正確さが最適化された後に前記計測ターゲット設計を表わす情報を表示または格納することを備える、媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/350,826 | 2009-01-08 | ||
US12/350,826 US8214771B2 (en) | 2009-01-08 | 2009-01-08 | Scatterometry metrology target design optimization |
PCT/US2010/020046 WO2010080732A2 (en) | 2009-01-08 | 2010-01-04 | Scatterometry metrology target design optimization |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014210497A Division JP5855728B2 (ja) | 2009-01-08 | 2014-10-15 | 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012514871A true JP2012514871A (ja) | 2012-06-28 |
JP2012514871A5 JP2012514871A5 (ja) | 2014-06-05 |
JP5635011B2 JP5635011B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=42312538
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011545386A Active JP5635011B2 (ja) | 2009-01-08 | 2010-01-04 | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
JP2014210497A Active JP5855728B2 (ja) | 2009-01-08 | 2014-10-15 | 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体 |
JP2015240051A Pending JP2016066093A (ja) | 2009-01-08 | 2015-12-09 | 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014210497A Active JP5855728B2 (ja) | 2009-01-08 | 2014-10-15 | 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体 |
JP2015240051A Pending JP2016066093A (ja) | 2009-01-08 | 2015-12-09 | 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8214771B2 (ja) |
EP (1) | EP2386114B1 (ja) |
JP (3) | JP5635011B2 (ja) |
KR (1) | KR101281301B1 (ja) |
WO (1) | WO2010080732A2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015039021A (ja) * | 2009-01-08 | 2015-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
JP2016504569A (ja) * | 2012-11-09 | 2016-02-12 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 最適化されたシステムパラメータによる光学計測のための装置および方法 |
JP2017502339A (ja) * | 2013-12-30 | 2017-01-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 |
JP2017526973A (ja) * | 2014-08-29 | 2017-09-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法、ターゲット、及び基板 |
KR101860038B1 (ko) | 2013-12-30 | 2018-05-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 타겟의 디자인을 위한 방법 및 장치 |
JP2020524276A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | ケーエルエー コーポレイション | 撮像ベースオーバーレイ及び散乱計測ベースオーバーレイのためのハイブリッドオーバーレイ標的設計 |
JP2022535149A (ja) * | 2019-07-10 | 2022-08-04 | ケーエルエー コーポレイション | データ駆動型ミスレジストレーションパラメータ設定および測定システムおよび方法 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130110477A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-02 | Stilian Pandev | Process variation-based model optimization for metrology |
US9311431B2 (en) | 2011-11-03 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corporation | Secondary target design for optical measurements |
US20130297061A1 (en) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | National Taiwan University | Method and computer-aided design system of manufacturing an optical system |
US9329033B2 (en) * | 2012-09-05 | 2016-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy |
US20140136164A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla -Tencor Corporation | Analytic continuations to the continuum limit in numerical simulations of wafer response |
US10769320B2 (en) * | 2012-12-18 | 2020-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Integrated use of model-based metrology and a process model |
KR102020021B1 (ko) | 2013-03-04 | 2019-09-10 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 식별, 디자인 및 검증 |
CN105051611B (zh) | 2013-03-14 | 2017-04-12 | Asml荷兰有限公司 | 图案形成装置、在衬底上生成标记的方法以及器件制造方法 |
US10955359B2 (en) * | 2013-11-12 | 2021-03-23 | International Business Machines Corporation | Method for quantification of process non uniformity using model-based metrology |
KR102265868B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2021-06-16 | 케이엘에이 코포레이션 | 요건에 대한 타겟 및 프로세스 감도 분석 |
US9553033B2 (en) * | 2014-01-15 | 2017-01-24 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor device models including re-usable sub-structures |
JP6433504B2 (ja) | 2014-02-21 | 2018-12-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ターゲット構成の最適化及び関連するターゲット |
US10073357B2 (en) * | 2014-02-21 | 2018-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Measuring a process parameter for a manufacturing process involving lithography |
CN106462076B (zh) | 2014-06-02 | 2018-06-22 | Asml荷兰有限公司 | 设计度量目标的方法、具有度量目标的衬底、测量重叠的方法、以及器件制造方法 |
KR102548650B1 (ko) | 2014-10-03 | 2023-06-27 | 케이엘에이 코포레이션 | 검증 계측 타겟 및 그 설계 |
US9589079B2 (en) * | 2014-11-17 | 2017-03-07 | Sunedison, Inc. | Methods and systems for designing photovoltaic systems |
US10185303B2 (en) * | 2015-02-21 | 2019-01-22 | Kla-Tencor Corporation | Optimizing computational efficiency by multiple truncation of spatial harmonics |
KR102028712B1 (ko) * | 2015-04-10 | 2019-10-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 |
CN112485971A (zh) * | 2015-04-21 | 2021-03-12 | 科磊股份有限公司 | 用于倾斜装置设计的计量目标设计 |
US9995689B2 (en) * | 2015-05-22 | 2018-06-12 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology using differential fitting |
US10754260B2 (en) | 2015-06-18 | 2020-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for process control with flexible sampling |
US9824176B2 (en) * | 2015-07-24 | 2017-11-21 | Nanometrics Incorporated | Optical critical dimension target design |
CN108027571B (zh) * | 2015-08-27 | 2020-06-23 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和器件制造方法 |
US10386829B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for controlling an etch process |
US9697310B2 (en) * | 2015-11-02 | 2017-07-04 | Winbond Electronics Corporation | Level faults interception in integrated circuits |
CN113467195A (zh) * | 2016-05-12 | 2021-10-01 | Asml荷兰有限公司 | 获得测量的方法、用于执行过程步骤的设备和计量设备 |
US10018919B2 (en) | 2016-05-29 | 2018-07-10 | Kla-Tencor Corporation | System and method for fabricating metrology targets oriented with an angle rotated with respect to device features |
JP6678253B2 (ja) * | 2016-06-03 | 2020-04-08 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | アライメントシステムウェーハスタックビーム分析器 |
US10095122B1 (en) | 2016-06-30 | 2018-10-09 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for fabricating metrology targets with sub-resolution features |
US10527952B2 (en) * | 2016-10-25 | 2020-01-07 | Kla-Tencor Corporation | Fault discrimination and calibration of scatterometry overlay targets |
US10496781B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-12-03 | Kla Tencor Corporation | Metrology recipe generation using predicted metrology images |
KR102370347B1 (ko) | 2017-02-02 | 2022-03-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치 및 연계된 컴퓨터 제품 |
EP3367166A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-29 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring variation, inspection system, computer program, and computer system |
KR102451504B1 (ko) | 2017-04-28 | 2022-10-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 제품 유닛들의 제조를 위한 공정들의 시퀀스의 최적화 |
JP7431824B2 (ja) * | 2018-11-21 | 2024-02-15 | ケーエルエー コーポレイション | スキャトロメトリオーバーレイ(scol)測定方法及びscol測定システム |
WO2020122996A1 (en) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Kla Corporation | Multiple-tool parameter set configuration and misregistration measurement system and method |
CN113574643A (zh) * | 2019-03-21 | 2021-10-29 | 科磊股份有限公司 | 半导体装置中参数稳定的错位测量改善 |
US11487929B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-11-01 | Kla Corporation | Target design process for overlay targets intended for multi-signal measurements |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021767A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Canon Inc | 位置観察方法及び位置観察装置 |
JP2002110507A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | アライメント方法 |
JP2004077550A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | マーク設計システム、マーク設計方法、マーク設計プログラムおよびこのマーク設計方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006108386A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Canon Inc | 位置検出方法 |
JP2006157023A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Accent Optical Technologies Inc | オーバレイマークを設計する方法 |
JP2006226994A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-08-31 | Accent Optical Technologies Inc | 特性シグナチャのマッチングによる光波散乱計測方法 |
JP2009539109A (ja) * | 2006-06-01 | 2009-11-12 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 次数選択されたオーバレイ測定 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5166752A (en) | 1990-01-11 | 1992-11-24 | Rudolph Research Corporation | Simultaneous multiple angle/multiple wavelength ellipsometer and method |
US5181080A (en) | 1991-12-23 | 1993-01-19 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for evaluating the thickness of thin films |
JPH08202020A (ja) | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Sony Corp | フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法 |
US5805290A (en) | 1996-05-02 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of optical metrology of unresolved pattern arrays |
US6248602B1 (en) | 1999-11-01 | 2001-06-19 | Amd, Inc. | Method and apparatus for automated rework within run-to-run control semiconductor manufacturing |
JP4077141B2 (ja) | 2000-06-30 | 2008-04-16 | 株式会社東芝 | デザインルール作成方法、デザインルール作成システム及び記録媒体 |
US6430737B1 (en) | 2000-07-10 | 2002-08-06 | Mentor Graphics Corp. | Convergence technique for model-based optical and process correction |
US6581193B1 (en) | 2001-06-13 | 2003-06-17 | Kla-Tencor | Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy |
US6678046B2 (en) | 2001-08-28 | 2004-01-13 | Therma-Wave, Inc. | Detector configurations for optical metrology |
US6673638B1 (en) | 2001-11-14 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for the production of process sensitive lithographic features |
US6886153B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe |
FI113876B (fi) * | 2002-02-15 | 2004-06-30 | Valtion Teknillinen | Uudet tärkkelyspohjaiset liimat |
US20030160163A1 (en) | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Alan Wong | Optical metrology target design for simultaneous measurement of multiple periodic structures |
US7712056B2 (en) * | 2002-06-07 | 2010-05-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Characterization and verification for integrated circuit designs |
US7092110B2 (en) | 2002-07-25 | 2006-08-15 | Timbre Technologies, Inc. | Optimized model and parameter selection for optical metrology |
US7266480B2 (en) * | 2002-10-01 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Rapid scattering simulation of objects in imaging using edge domain decomposition |
US20040181768A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Krukar Richard H. | Model pattern simulation of semiconductor wafer processing steps |
US7346878B1 (en) * | 2003-07-02 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection |
US7608468B1 (en) * | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
US7135344B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-11-14 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Design-based monitoring |
US8073667B2 (en) * | 2003-09-30 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process |
US7573574B2 (en) | 2004-07-13 | 2009-08-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006012388A2 (en) | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
JP4904034B2 (ja) | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
US7094507B2 (en) | 2004-10-29 | 2006-08-22 | Infineon Technologies Ag | Method for determining an optimal absorber stack geometry of a lithographic reflection mask |
JP4707374B2 (ja) | 2004-11-26 | 2011-06-22 | Okiセミコンダクタ株式会社 | Esd保護回路の構成を決定する方法及びシミュレーション方法 |
US7557921B1 (en) * | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
KR100660861B1 (ko) | 2005-02-23 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 결과를 예측하고 제어하는 반도체 공정 제어장치 |
US7695876B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-04-13 | Brion Technologies, Inc. | Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control |
US7480050B2 (en) | 2006-02-09 | 2009-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, sensor, and method of measuring properties of a substrate |
US7925486B2 (en) * | 2006-03-14 | 2011-04-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout |
US8214771B2 (en) * | 2009-01-08 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corporation | Scatterometry metrology target design optimization |
-
2009
- 2009-01-08 US US12/350,826 patent/US8214771B2/en active Active
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2011545386A patent/JP5635011B2/ja active Active
- 2010-01-04 EP EP10729404.3A patent/EP2386114B1/en active Active
- 2010-01-04 KR KR1020117013856A patent/KR101281301B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-04 WO PCT/US2010/020046 patent/WO2010080732A2/en active Application Filing
-
2014
- 2014-10-15 JP JP2014210497A patent/JP5855728B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-09 JP JP2015240051A patent/JP2016066093A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021767A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Canon Inc | 位置観察方法及び位置観察装置 |
JP2002110507A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | アライメント方法 |
JP2004077550A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | マーク設計システム、マーク設計方法、マーク設計プログラムおよびこのマーク設計方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006108386A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Canon Inc | 位置検出方法 |
JP2006157023A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Accent Optical Technologies Inc | オーバレイマークを設計する方法 |
JP2006226994A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-08-31 | Accent Optical Technologies Inc | 特性シグナチャのマッチングによる光波散乱計測方法 |
JP2009539109A (ja) * | 2006-06-01 | 2009-11-12 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 次数選択されたオーバレイ測定 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015039021A (ja) * | 2009-01-08 | 2015-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
JP2016504569A (ja) * | 2012-11-09 | 2016-02-12 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 最適化されたシステムパラメータによる光学計測のための装置および方法 |
US10296692B2 (en) | 2013-12-30 | 2019-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for design of a metrology target |
JP2017502339A (ja) * | 2013-12-30 | 2017-01-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 |
KR101860038B1 (ko) | 2013-12-30 | 2018-05-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 타겟의 디자인을 위한 방법 및 장치 |
KR101860042B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2018-05-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 타겟의 디자인을 위한 장치 및 방법 |
US10386176B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, target and substrate |
JP2019012291A (ja) * | 2014-08-29 | 2019-01-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法、ターゲット、及び基板 |
JP2017526973A (ja) * | 2014-08-29 | 2017-09-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法、ターゲット、及び基板 |
US10718604B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, target and substrate |
US11204239B2 (en) | 2014-08-29 | 2021-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, target and substrate |
US11428521B2 (en) | 2014-08-29 | 2022-08-30 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, target and substrate |
JP2020524276A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | ケーエルエー コーポレイション | 撮像ベースオーバーレイ及び散乱計測ベースオーバーレイのためのハイブリッドオーバーレイ標的設計 |
JP7018970B2 (ja) | 2017-06-19 | 2022-02-14 | ケーエルエー コーポレイション | 撮像ベースオーバーレイ及び散乱計測ベースオーバーレイのためのハイブリッドオーバーレイ標的設計 |
JP2022535149A (ja) * | 2019-07-10 | 2022-08-04 | ケーエルエー コーポレイション | データ駆動型ミスレジストレーションパラメータ設定および測定システムおよび方法 |
JP7258210B2 (ja) | 2019-07-10 | 2023-04-14 | ケーエルエー コーポレイション | データ駆動型ミスレジストレーションパラメータ設定および測定システムおよび方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8214771B2 (en) | 2012-07-03 |
KR101281301B1 (ko) | 2013-07-03 |
JP5635011B2 (ja) | 2014-12-03 |
US20100175033A1 (en) | 2010-07-08 |
KR20110095363A (ko) | 2011-08-24 |
JP5855728B2 (ja) | 2016-02-09 |
EP2386114B1 (en) | 2018-10-31 |
WO2010080732A3 (en) | 2010-10-07 |
EP2386114A4 (en) | 2017-10-25 |
EP2386114A2 (en) | 2011-11-16 |
JP2015039021A (ja) | 2015-02-26 |
JP2016066093A (ja) | 2016-04-28 |
WO2010080732A2 (en) | 2010-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5855728B2 (ja) | 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体 | |
JP7236481B2 (ja) | 計測モジュール、及び計測ターゲットの設計方法 | |
TWI675179B (zh) | 多重圖案化參數之量測 | |
TWI631431B (zh) | 度量衡方法、電腦產品及系統 | |
US8832611B2 (en) | Process aware metrology | |
TWI612274B (zh) | 評估一繞射結構之電腦實施方法、非暫時性機器可讀儲存媒體及光學量測系統 | |
JP5739988B2 (ja) | 基板上の構造の測定 | |
US9091942B2 (en) | Scatterometry measurement of line edge roughness in the bright field | |
KR102013483B1 (ko) | 파라미터 추적을 위한 계측 시스템 최적화 | |
TWI685720B (zh) | 用於微影設備的度量衡方法 | |
US6954911B2 (en) | Method and system for simulating resist and etch edges | |
CN106062634A (zh) | 测量涉及光刻术的制造过程的过程参数 | |
Germer et al. | Developing an uncertainty analysis for optical scatterometry | |
CN101413791A (zh) | 在光学计量中用近似和精细衍射模型确定结构的轮廓参数 | |
CN115461684B (zh) | 希望用于多信号测量的叠加目标的目标设计过程 | |
JP4996049B2 (ja) | 薄膜デバイスの膜厚計測方法及び膜厚計測装置 | |
TWI711890B (zh) | 在度量衡中的資料之估計 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140404 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140411 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5635011 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |