JP6678253B2 - アライメントシステムウェーハスタックビーム分析器 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は2016年6月3日に出願された米国仮特許出願第62/345,678号の優先権を主張し、この出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0023] 図1A及び図1Bは、それぞれ、本発明の実施形態を実施することができる、リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’の概略図である。リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’は、それぞれ、以下のものを含む、即ち、放射ビームB(例えば、深紫外線又は極端紫外線放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス)MAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジスト塗布ウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された、基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、を含む。リソグラフィ装置100及び100’は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを、基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された、投影システムPSも有する。リソグラフィ装置100では、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは反射型である。リソグラフィ装置100’では、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは透過型である。
[0050] 図3は、リソグラフィックセル300を示しており、これは、時にはリソセル又はクラスターとも呼ばれる。リソグラフィ装置100及び100’は、リソグラフィックセル300の一部を形成することがある。リソグラフィックセル300は、基板上で露光前及び露光後プロセスを実行するための装置を含むこともある。従来、これらの装置は、レジスト層を堆積させるためのスピンコータSC、露光されたレジストを現像するための現像液DE、冷却プレートCH、及びベークプレートBKを含む。基板ハンドラ又はロボットROは、入力/出力ポートI/O1、I/O2から基板をピックアップし、異なる処理装置の間で基板を移動させ、リソグラフィ装置のローディングベイLBに届ける。これらのデバイスは、しばしば総称してトラックと呼ばれ、トラック制御ユニットTCUの制御下にあり、トラック制御ユニットTCUは、それ自体が監視制御システムSCSによって制御され、監視制御システムSCSは、リソグラフィ制御ユニットLACUを介してリソグラフィ装置も制御する。従って、異なる装置を動作させて、スループット及び処理効率を最大化することができる。
[0052] デバイスフィーチャを正確に基板上に配置するようにリソグラフィプロセスを制御するために、通常、アライメントマークが基板上に設けられ、またリソグラフィ装置は、基板上のマークの位置を正確に測定しなくてはならない1つ又は複数のアライメントシステムを含む。これらのアライメントシステムは、効果的に位置を測定する装置である。異なる時期及び異なる製造業者からの異なる種類のマーク及び異なる種類のアライメントシステムが知られている。現在のリソグラフィ装置で広範に使用されている種類のシステムは、米国特許第6,961,116号(den Boefら著)に記載されているような自己参照干渉計に基づいている。一般的に、複数のマークを別個に測定してX位置及びY位置を取得する。しかしながら、公開されている米国特許出願第2009/195768A号(Bijnenら著)に記載されている技術を使用して、X及びYの組み合わせ測定を行うことができる。これらの両方の開示の内容全体が、参照により本明細書に組み込まれる。
[0077] 図6は、一実施形態による、強化されたアライメントシステムを使用して基板上のターゲットの位置を測定するためのフローチャート600を示す。強化されたアライメントシステムは、前述の従来の精度誤差でマーク位置の従来の測定を提供する。更に、強化されたアライメントシステムは、製造上のアライメント誤差を低減するために使用することができるマーク及びセンサの両方についての追加の光学的情報を提供する。単に例示目的のために、図6に示す工程について、図1〜図5に示した例示的な動作環境を参照して説明する。しかしながら、フローチャート600はこれらの実施形態に限定されない。なお、工程は、異なる順序で実施することができ、又は、特定の用途に応じて実施されないことがあることを理解されたい。
[0085] 本明細書では、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されていることがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ装置は、磁区メモリ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等のためのガイダンス及び検出パターン、集積光学システムの製造などの、他の用途を有することがあることを理解されたい。当業者であれば、そのような代替の用途の文脈において、本明細書での「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語の同義としてみなすことができることを、理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後で、例えば、トラック(通常、レジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、計測ツール及び/又は検査ツールで処理されることがある。適用可能である場合、本明細書の開示は、そのような他の基板処理ツールに適用することができる。更に、基板は、例えば多層ICを生成するために2度以上処理されることがあり、その結果、本明細書で使用する基板という用語は、複数の処理済層を既に包含している基板を指すこともある。
Claims (16)
- アライメントシステムであって、
光を生成するように構成された放射源と、
前記生成された光を受け取り、複数のターゲットを上に有する基板に前記生成された光を向けるように構成された対物系投影システムと、
前記基板から光を受け取り、前記受け取った光を第1及び第2のビームに分割するように構成された光分波器と、
前記複数のターゲットから反射された前記第1のビームを測定するように構成されたビーム分析器と、
前記基板上の回折格子から反射された前記第2のビーム、及び前記放射源から生成された基準ビームに基づいて、干渉パターンを生成するように構成された干渉計と、
前記干渉計から前記干渉パターンを受け取るように構成された検出器と、
前記第1のビームの測定値及び前記干渉パターンを受け取って処理し、前記基板を前記処理結果に基づく位置に配置するように前記アライメントシステムに指示するように構成されたプロセッサと、
を含む、アライメントシステム。 - 前記ビーム分析器は、前記第2のビームを測定するように更に構成される、請求項1に記載のアライメントシステム。
- 前記ビーム分析器は、前記第1のビームの波長、偏光、及びビームプロファイルを測定し、前記第1のビームの測定結果に基づいて、前記複数のターゲットのそれぞれのオーバーレイオフセットを決定するように更に構成される、請求項2に記載のアライメントシステム。
- 前記プロセッサは、製造プロセス中にプリントされたパターンと前記複数のターゲットのそれぞれとの間の距離を測定することにより、前記複数のターゲットのそれぞれに関連したオーバーレイオフセットを決定するように更に構成される、請求項3に記載のアライメントシステム。
- 前記プロセッサは、前記オーバーレイオフセットを基準と比較することにより、前記複数のターゲットのそれぞれについてオーバーレイオフセット誤差を決定するように更に構成される、請求項4に記載のアライメントシステム。
- 前記プロセッサは、前記複数のターゲットのそれぞれについての前記オーバーレイオフセット誤差のうち、類似のオーバーレイオフセット誤差を組にしてグループ分けするように更に構成される、請求項5に記載のアライメントシステム。
- 前記プロセッサは、前記オーバーレイオフセット誤差の組を使用して、オフセット補正テーブルを生成するように更に構成される、請求項6に記載のアライメントシステム。
- 前記プロセッサは、前記オフセット補正テーブルを使用して、前記アライメントシステムを較正するように更に構成される、請求項7に記載のアライメントシステム。
- 基板を位置合わせする方法であって、
放射源を使用して光を生成することと、
前記生成された光を対物系投影システム内で受け取り、複数のターゲットを上に有する基板に前記生成された光を向けることと、
前記受け取った光を第1及び第2のビームに分割する光分波器において前記基板からの光を受け取ることと、
前記複数のターゲットから反射された前記第1のビームを測定することと、
前記基板上の回折格子から反射された前記第2のビーム、及び前記放射源から生成された基準ビームに基づいて、干渉パターンを生成することと、
検出器において、干渉計から前記干渉パターンを受け取ることと、
前記第1のビームの前記測定値及び前記干渉パターンをプロセッサにおいて受け取って処理することと、
前記基板を前記処理結果に基づく位置に配置するようにアライメントシステムに指示することと、
を含む、方法。 - 前記第2のビームを測定することを更に含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第1のビームを測定することは、前記第1のビームの波長、偏光、及びビームプロファイルを測定すること、並びに、前記第1のビームの測定結果に基づいて、前記複数のターゲットのそれぞれのオーバーレイオフセットを決定すること、を更に含む、請求項10に記載の方法。
- 前記処理することは、製造プロセス中にプリントされたパターンと前記複数のターゲットのそれぞれとの間の距離を測定することにより、前記複数のターゲットのそれぞれに関連したオーバーレイオフセットを決定することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記処理することは、前記オーバーレイオフセットを基準と比較することにより、前記複数のターゲットのそれぞれについてオーバーレイオフセット誤差を決定することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記処理することは、前記複数のターゲットのそれぞれについての前記オーバーレイオフセット誤差のうち、類似のオーバーレイオフセット誤差を組にしてグループ分けすることを更に含む、請求項13に記載の方法。
- 前記処理することは、前記オーバーレイオフセット誤差の組を使用して、オフセット補正テーブルを生成することを更に含む、請求項14に記載の方法。
- 前記処理することは、前記オフセット補正テーブルを使用して、前記アライメントシステムを較正することを更に含む、請求項15に記載の方法。
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