JP2020524276A - 撮像ベースオーバーレイ及び散乱計測ベースオーバーレイのためのハイブリッドオーバーレイ標的設計 - Google Patents
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Abstract
Description
ウェハ401がチャック402上に留まっている間に実行されてもよい。したがって、ウェハ401は、撮像光学システム403による測定と散乱計測システム404の測定との間で動いてはならない。一例では、ウェハ401の周りの減圧は、撮像光学システム403による測定と散乱計測システム404の測定との間で壊されない。一例では、撮像光学システム403による測定及び散乱計測システム404による測定のうちの1つの測定は、別の測定の後に行われる。別の一例では、撮像光学システム403による測定及び散乱計測システム404による測定は、少なくとも部分的に同時に、又は同時に行われる。
Claims (15)
- オーバーレイ標的であって、
並列格子構造を含むセル内の撮像ベースオーバーレイ標的設計と、
格子上格子構造を含む前記セル内の異なる位置にある散乱計測ベースオーバーレイ標的設計であって、前記格子上格子構造内の格子が互いに対してシフトさせられており、前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計が、前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と比べて異なるピッチを有する、散乱計測ベースオーバーレイ標的設計と、を備えるオーバーレイ標的。 - 前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計は、前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と比べて異なる限界寸法を有する、請求項1に記載のオーバーレイ標的。
- 前記撮像ベースオーバーレイ標的設計及び前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計は、それぞれ、前記オーバーレイ標的の2つの隣接した層上に配設されている、請求項1に記載のオーバーレイ標的。
- 前記2つの隣接した層のうちの1つの層上の前記撮像ベースオーバーレイ標的設計のためのパターンが、前記2つの隣接した層のうちの別の層上の前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と異なる、請求項3に記載のオーバーレイ標的。
- 前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計とは、前記オーバーレイ標的のセル内にあって、共通の方向軸線に沿って指向させられており、複数の前記セルが前記オーバーレイ標的上にあり、前記セルのうちの2つは、互いに垂直である方向軸線を有する、請求項1に記載のオーバーレイ標的。
- 方法であって、
撮像光学システムによってチャック上のウェハのオーバーレイ標的を取得するステップであって、それにより取得画像を形成し、前記オーバーレイ標的が、撮像ベースオーバーレイ標的設計及び散乱計測ベースオーバーレイ標的設計を含む、ステップと、
前記取得画像を用いて前記撮像光学システムによって前記オーバーレイ標的を測定するステップと、
前記取得画像を用いて前記散乱計測システムによって前記オーバーレイ標的を測定するステップと、含む方法。 - 前記散乱計測システムによる前記測定するステップは、前記撮像光学システムによる前記測定するステップの前にある、請求項6に記載の方法。
- 前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計は、前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と比べて異なる限界寸法を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記撮像ベースオーバーレイ標的設計及び前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計は、それぞれ、前記オーバーレイ標的の2つの隣接した層上に配設されている、請求項6に記載の方法。
- 前記2つの隣接した層のうちの1つの層上の前記撮像ベースオーバーレイ標的設計のためのパターンは、前記2つの隣接した層のうちの別の層上の前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と異なる、請求項9に記載の方法。
- 前記撮像ベースオーバーレイ標的設計と前記散乱計測ベースオーバーレイ標的設計とは、前記オーバーレイ標的のセル内にあって、共通の方向軸線に沿って指向させられており、複数の前記セルが前記オーバーレイ標的上にあり、セルのうちの2つは、互いに垂直である方向軸線を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記撮像光学システムによる前記測定するステップと前記散乱計測システムによる前記測定するステップとは、少なくとも部分的に同時に行われる、請求項6に記載の方法。
- システムであって、
オーバーレイ標的を有するウェハを保持するように構成されたチャックであって、前記オーバーレイ標的が、撮像ベースオーバーレイ標的設計及び散乱計測ベースオーバーレイ標的設計を含む、チャックと、
前記チャック上の前記オーバーレイ標的を測定するように構成された撮像光学システムと、
前記チャック上の前記オーバーレイ標的を測定するように構成された散乱計測システムと、
前記撮像光学システム及び前記散乱計測システムと電気通信しているプロセッサであって、前記撮像光学システムと前記散乱計測システムとが、同じ前記オーバーレイ標的を測定するように構成されている、プロセッサと、を備えるシステム。 - 前記撮像光学システムによって前記チャック上の前記オーバーレイ標的を取得し、それにより取得画像を形成するように構成された撮像光学システム取得モジュールを更に備え、前記撮像光学システム及び前記散乱計測システムは、前記取得画像を用いる、請求項13に記載のシステム。
- 前記撮像光学システムと前記散乱計測システムとは、前記オーバーレイ標的を少なくとも部分的に同時に測定するように構成されている、請求項13に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762521782P | 2017-06-19 | 2017-06-19 | |
US62/521,782 | 2017-06-19 | ||
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US15/995,731 | 2018-06-01 | ||
PCT/US2018/037430 WO2018236653A1 (en) | 2017-06-19 | 2018-06-14 | HYBRID RECOVERY TARGET DESIGN FOR IMAGING-BASED RECOVERY AND DIFFUSIOMETRY-BASED RECOVERY |
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JP2020524276A true JP2020524276A (ja) | 2020-08-13 |
JP2020524276A5 JP2020524276A5 (ja) | 2021-07-26 |
JP7018970B2 JP7018970B2 (ja) | 2022-02-14 |
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ID=64657997
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JP2019570044A Active JP7018970B2 (ja) | 2017-06-19 | 2018-06-14 | 撮像ベースオーバーレイ及び散乱計測ベースオーバーレイのためのハイブリッドオーバーレイ標的設計 |
Country Status (8)
Country | Link |
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US (1) | US11112369B2 (ja) |
EP (1) | EP3635488A4 (ja) |
JP (1) | JP7018970B2 (ja) |
KR (1) | KR102353260B1 (ja) |
CN (1) | CN110770654B (ja) |
SG (1) | SG11201911992TA (ja) |
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CN110770654B (zh) | 2022-11-18 |
WO2018236653A1 (en) | 2018-12-27 |
KR102353260B1 (ko) | 2022-01-18 |
SG11201911992TA (en) | 2020-01-30 |
EP3635488A1 (en) | 2020-04-15 |
US11112369B2 (en) | 2021-09-07 |
KR20200010585A (ko) | 2020-01-30 |
EP3635488A4 (en) | 2021-04-28 |
TW201905586A (zh) | 2019-02-01 |
US20180364179A1 (en) | 2018-12-20 |
JP7018970B2 (ja) | 2022-02-14 |
TWI752237B (zh) | 2022-01-11 |
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