TWI631431B - 度量衡方法、電腦產品及系統 - Google Patents

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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

一種方法包括：自目標之經量測值判定目標之結構不對稱性之類型；及執行目標之光學量測之模擬以判定與不對稱性類型相關聯的不對稱性參數之值。一種方法包括：執行目標之光學量測之模擬以判定與自目標之經量測值判定的目標之結構不對稱性之類型相關聯的不對稱性參數之值；及分析不對稱性參數對與目標相關聯的目標形成參數之改變之敏感度。一種方法包括：使用由目標繞射之輻射之經量測參數來判定目標之結構不對稱性參數；及基於對與目標相關聯之目標形成參數之改變最不敏感的結構不對稱性參數而判定目標之量測光束之屬性。

Description

度量衡方法、電腦產品及系統
本發明係關於一種用於可用於(例如)藉由微影技術進行器件製造之度量衡方法、裝置及電腦產品，且係關於一種使用微影技術來製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。 在微影程序(亦即，開發涉及微影曝光之器件或其他結構之程序，其通常可包括一或多個關聯處理步驟，諸如抗蝕劑之顯影、蝕刻等等)中，需要頻繁地進行所產生結構之量測，(例如)以用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(基板之兩個層之對準準確度)之特殊化工具。近來，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性--例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振--以獲得可供判定目標之所關注屬性之「光譜(spectrum)」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行的目標結構之重新建構；庫搜尋；及主成份分析。
器件製造商使用存在於基板上之目標(標記)來對準基板。對準感測器以亞奈米可重複性量測標記之部位。製造商亦使用目標之重疊週期性結構來量測(例如)產品上疊對。此處，亦可達成亞奈米總量測不確定度(TMU)。然而，目標之週期性結構之橫向輪廓可具有影響經量測屬性之不對稱性或形狀。度量衡裝置及對準感測器對由(例如)比如蝕刻、化學機械拋光(CMP)、沈積等等之處理步驟造成的目標結構不對稱性敏感。此不對稱性導致為大約幾奈米之量測誤差。此效應可開始支配位置及/或疊對預算，且因此需要解決方案。 可使用諸如平均工具誘發性移位(TIS)及/或TIS可變性(亦稱為TIS 3均方偏差)之參數來執行量測配方選擇(例如，其中每一配方具有照明之一或多個各種波長及/或一或多個偏振)。但在參考層展現不對稱輪廓時存在問題。 目標之週期性結構之形狀之不對稱性通常將具有對經量測疊對、對準等等之影響。此影響可取決於用於量測之照明設定而變化。 實際上在不知曉在處理及成像之後目標之週期性結構之形狀的情況下執行目標配方選擇。此外，當前程序之內容背景並不用於配方選擇之決策中。基於TIS及/或TMU之限定詞之使用並不總是導致相對於目標不對稱性最穩固之量測配方。 需要提供一種可改良產出率、可撓性及/或準確度的用於使用一目標之度量衡方法及裝置。此外，儘管本發明不限於此度量衡方法及裝置，但若此度量衡方法及裝置可應用於可運用暗場技術讀出之小目標結構，則將具有極大優點。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：自目標之經量測值判定該目標之一結構不對稱性之一類型；及執行該目標之光學量測之一模擬以判定與該不對稱性類型相關聯的一不對稱性參數之一值。 因此，自一目標之經量測值(例如，光學量測)判定該目標之結構不對稱性之一類型(例如，側壁角不對稱性、間隔不平衡等等)。執行該目標之光學量測之一模擬。該模擬係用以判定與該不對稱性類型相關聯之一不對稱性參數之一值。此結構不對稱性參數可為使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性的一位置偏移(例如，如本文所描述之X os )及/或一比例因數(如本文所描述之G )，該比例因數使使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性之一位置偏移與使用該目標進行之量測之歸因於該不對稱性之一程序相依比例因數偏移相關。該經判定不對稱性參數可用以(例如)校正與該目標之疊對量測結果相關聯的疊對之演算。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：執行一目標之光學量測之一模擬以判定與自該目標之經量測值判定的該目標之一結構不對稱性之一類型相關聯的一不對稱性參數之一值；及分析該不對稱性參數對與該目標相關聯的一目標形成參數之改變之一敏感度。 因此，執行一目標之光學量測之一模擬。該模擬係用以判定與自該目標之經量測值(例如，光學量測)判定之一結構不對稱性類型(例如，側壁角不對稱性、間隔不平衡等等)相關聯的一不對稱性參數(例如，X os 及/或G ) 之一值。另外，分析該不對稱性參數對與該目標相關聯的一目標形成參數之改變(例如，堆疊折射率之變化、堆疊厚度之變化等等)之一敏感度。在一實施例中，可針對一或多個光學量測設定(例如，波長、偏振等等)分析該敏感度以找到具有該敏感度之一低或最小值的該光學量測設定。該光學量測設定可用以進行該目標之疊對量測。另外，該不對稱性參數可用以(例如)自疊對量測校正疊對之演算。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：使用由一目標繞射之輻射之一經量測參數來判定該目標之一結構不對稱性參數；及基於對與該目標相關聯之一目標形成參數之改變最不敏感的該結構不對稱性參數而判定該目標之一量測光束之一屬性。 可自由該目標繞射之輻射之一經量測參數判定一結構不對稱性參數(例如，X os 及/或G ) 之一值。可藉由(例如)使用該經量測參數來判定一不對稱性類型及執行該目標之光學量測之一模擬以演算針對該不對稱性類型之該結構不對稱性參數而判定該結構不對稱性參數之該值。另外，基於對與該目標相關聯之一目標形成參數之改變(例如，堆疊折射率之變化、堆疊厚度之變化等等)最不敏感的該結構不對稱性參數而判定該目標之一量測光束之一屬性(例如，波長、偏振等等)。該經判定量測光束屬性可用以進行該目標之疊對量測。另外，該結構不對稱性參數可用以(例如)自疊對量測校正疊對之演算。 在一實施例中，提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用如本文所描述之一方法來評估至少一繞射量測目標；及根據該方法之結果而針對該等基板中之一或多者來控制該微影程序。在一實施例中，使該至少一繞射量測目標作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上，且根據該方法之該結果而針對稍後基板來控制該微影程序。 在一實施例中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器執行如本文所描述之一方法。 在一實施例中，提供一種系統，其包含：一檢測裝置，其經組態以將一光束提供於一基板上之一繞射量測目標上且偵測由該目標繞射之輻射以判定一微影程序之一參數；及如本文所描述之一非暫時性電腦程式產品。 本文中參看隨附圖式詳細地描述本發明之實施例之特徵及/或優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1 、M2 及基板對準標記P1 、P2 來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文中進一步描述可偵測對準標記之對準系統之實施例。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WTa保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WTa (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WTa相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件 (諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。 微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個台WTa、WTb (例如，兩個基板台)以及兩個站--曝光站及量測站--在該兩個站之間可交換該等台。舉例而言，在曝光站處曝光一個台上之一基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置，該等感測器兩者係由參考框架RF支撐。若位置感測器IF在台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤台之位置。作為另一實例，在曝光站處曝光一個台上之一基板時，不具有基板之另一台可在量測站處等待(其中視情況可發生量測活動)。此另一台具有一或多個量測器件且可視情況具有其他工具(例如，清潔裝置)。當基板已完成曝光時，不具有基板之台移動至曝光站以執行(例如)量測，且具有基板之台移動至卸載該基板且裝載另一基板之部位(例如，量測站)。此等多台配置實現裝置之產出率之相當大增加。 如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影單元或微影叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行一或多個曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序器件之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測一或多個屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。若偵測到誤差，則可對一或多個後續基板之曝光進行調整，尤其是在檢測可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之另一基板仍待曝光的情況下。又，可剝離及重工已經曝光之基板(以改良良率)或捨棄已經曝光之基板，藉此避免對已知有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行一另外曝光。另一可能性係調適後續程序步驟之設定以補償誤差，例如，可調整修整蝕刻步驟之時間以補償由微影程序步驟引起的基板間CD變化。 檢測裝置係用以判定基板之一或多個屬性，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之一或多個屬性如何在不同層間變化及/或橫越一基板而變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為了實現最快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度--在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差--且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測--此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除--或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後一可能性限制有缺陷基板之重工之可能性，但(例如)出於程序控制之目的仍可提供有用資訊。 由習知散射計使用之目標包含相對大週期性結構佈局(例如，包含一或多個光柵)，例如，40微米乘40微米。在彼狀況下，量測光束常常具有小於週期性結構佈局之光點大小(亦即，佈局填充不足使得週期性結構中之一或多者並未完全由光點覆蓋)。此情形簡化目標之數學重新建構，此係因為可將目標視為無限的。然而，舉例而言，因此可將目標定位於產品特徵當中而非切割道中，目標之大小已縮減(例如)至20微米乘20微米或更小，或縮減至10微米乘10微米或更小。在此情形下，可使週期性結構佈局小於量測光點(亦即，週期性結構佈局填充過度)。通常使用暗場散射量測來量測此目標，其中阻擋零繞射階(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中找到暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文據此係以引用方式併入。美國專利申請公開案US2011-0027704、US2011-0043791及US2012-0242970中已描述技術之進一步開發，該等專利申請公開案之全文據此係以引用方式併入。使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。在一實施例中，可在一個影像中量測多個目標。 在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性光柵，其經印刷成使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2-D週期性光柵，其經印刷成使得在顯影之後，該一或多個光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中。光柵之圖案對微影投影裝置(特別是投影系統PL)中之色像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，經印刷光柵之經量測資料可用以重新建構光柵。自印刷步驟及/或其他量測程序之知識，可將1-D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀)輸入至藉由處理單元PU執行之重新建構程序。 圖3之(a)中展示適合用於本發明之實施例中之暗場度量衡裝置。圖3之(b)中更詳細地說明目標T(包含諸如光柵之週期性結構)及繞射射線。暗場度量衡裝置可為單機器件，或(例如)在量測站處併入於微影裝置LA中抑或併入於微影製造單元LC中。貫穿裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由輸出11 (例如，諸如雷射或氙氣燈之源，或連接至源之開口)發射之輻射係由包含透鏡12、14及接物鏡16之光學系統經由稜鏡15而導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上。 在一實施例中，透鏡配置允許存取中間光瞳平面以用於空間-頻率濾光。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可(例如)藉由在為接物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供來自僅出於描述起見而經指定為「北」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相反方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要輻射將干涉所要量測信號。 如圖3之(b)中所展示，在基板W實質上垂直於接物鏡16之光軸O的情況下置放目標T。與軸線O成一角度而照射於目標T上之照明射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線‑1)。在運用填充過度之小目標T的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，週期性結構間距及照明角度可經設計或經調整成使得進入接物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖3之(a)及圖3之(b)中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被更容易地區分。 由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由接物鏡16收集，且被返回導向通過稜鏡15。返回至圖3之(a)，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相反孔徑而說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入接物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為‑1(S))為進入透鏡16之繞射射線。因此，在一實施例中，藉由在某些條件下量測目標兩次(例如，在使目標旋轉或改變照明模式或改變成像模式以分離地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度之後)來獲得量測結果。針對一給定目標比較此等強度提供該目標中之不對稱性之量測，且該目標中之不對稱性可用作例如疊對誤差之微影程序之參數的指示符。在以上所描述之情形下，改變照明模式。 光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重新建構之許多量測目的，其未在此處被詳細描述。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像DF係由-1或+1一階光束形成。將由感測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而若僅存在‑1階及+1階中之一者，則將不形成週期性結構特徵(例如，光柵線)之影像。 圖3所展示之孔徑板13及光闌21之特定形式純粹為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦可在量測中使用二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未繪示)。 為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞一圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，使用孔徑板13N或13S以量測在一個方向(取決於設置為X或Y)上定向之目標之週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖3之(c)及(d)中展示不同孔徑板。圖3之(c)說明離軸照明模式之另外兩種類型。在圖3之(c)之第一照明模式中，孔徑板13E提供來自僅出於描述起見而相對於先前所描述之「北」指定為「東」之方向的離軸照明。在圖3之(c)之第二照明模式中，孔徑板13W係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「西」之相反方向之照明。圖3之(d)說明離軸照明模式之另外兩種類型。在圖3之(d)之第一照明模式中，孔徑板13NW提供來自被指明為如先前所描述之「北」及「西」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13SE係用以提供相似照明，但提供來自被標註為如先前所描述之「南」及「東」之相反方向之照明。舉例而言，上文所提及之先前公佈之專利申請公開案中描述裝置之此等及眾多其他變化及應用的使用。 圖4描繪形成於基板上之實例複合度量衡目標。該複合目標包含緊密定位在一起之四個週期性結構(在此狀況下，光柵) 32、33、34、35。在一實施例中，該等週期性結構足夠緊密地定位在一起，使得其皆在由度量衡裝置之照明光束形成之量測光點31內。在彼狀況下，該四個週期性結構因此皆被同時地照明且同時地成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之一實例中，週期性結構32、33、34、35自身為藉由上覆週期性結構而形成之複合週期性結構(例如，複合光柵)，亦即，週期性結構在形成於基板W上之器件之不同層中經圖案化且使得一個層中之至少一個週期性結構與一不同層中之至少一個週期性結構疊對。此目標可具有在20微米×20微米內或16微米×16微米內之外部尺寸。另外，所有週期性結構係用以量測一特定對之層之間的疊對。為了促進目標能夠量測多於單一對之層，週期性結構32、33、34、35可具有經不同偏置之疊對偏移，以便促進經形成有複合週期性結構之不同部分之不同層之間的疊對之量測。因此，用於基板上之目標之所有週期性結構將用以量測一對層，且用於基板上之另一相同目標之所有週期性結構將用以量測另一對層，其中不同偏置促進區分該等層對。將在下文中特別參看圖7來解釋疊對偏置之涵義。 圖7之(a)至(c)展示具有不同偏置之各別目標T之疊對週期性結構(在此狀況下，光柵)的示意性橫截面。此等疊對週期性結構可用於基板W上，如圖3及圖4中所看到。僅出於實例起見而展示在X方向上具有週期性之週期性結構。可提供具有不同偏置且具有不同定向之此等週期性結構的不同組合。 以圖7之(a)開始，描繪形成於被標註為L1及L2之兩個層中之複合疊對目標600。在底部層L1中，第一週期性結構(在此狀況下，光柵)係藉由基板606上之特徵(例如，線) 602及空間604而形成。在層L2中，第二週期性結構(在此狀況下，光柵)係藉由特徵(例如，線) 608及空間610而形成。(橫截面經繪製成使得特徵602、608延伸至頁面中)。週期性結構圖案在兩個層中具有間距的P 情況下重複。僅出於實例起見而提及線602及608，可使用諸如圓點、區塊及通孔的其他類型之特徵。在圖7之(a)處所展示之情形下，不存在疊對誤差且不存在偏置，使得每一特徵608確切地處於底部週期性結構中之特徵602上方(其中量測為「線上線」--在一實施例中，在每一特徵608確切處於空間610上方時可不發生疊對誤差，其中量測為「渠溝上線」)。 在圖7之(b)處，具有偏置+d之相同目標被描繪為使得上部週期性結構之特徵608相對於下部週期性結構之特徵602向右移位達距離d (該距離d小於間距P)。亦即，特徵608及特徵602經配置成使得若其兩者確切地印刷於其標稱部位處，則特徵608將相對於特徵602偏移達距離d。偏置距離d實務上可能為幾奈米，例如，10奈米、20奈米，而間距P 係(例如)在300奈米至1000奈米之範圍內，例如，500奈米或600奈米。在圖7之(c)處，具有偏置-d之相同目標被描繪為使得特徵608相對於特徵602向左移位。舉例而言，上文所提及之專利申請公開案中描述圖7之(a)至(c)處所展示的此類型之經偏置目標及其在量測中之使用。 另外，如上文所提及，雖然圖7之(a)至(c)描繪處於特徵602上方之特徵608 (具有或不具有施加之為+d或-d之小偏置)(其被稱作具有為大約零之偏置的「線上線」目標)，但目標可具有為P/2(其為間距的一半)之經程式化偏置，使得上部週期性結構中之每一特徵608處於下部週期性結構中之空間604上方。此目標被稱作「渠溝上線」目標。在此狀況下，亦可施加為+d或-d之小偏置。「線上線」目標或「渠溝上線」目標之間的選擇取決於應用。 返回至圖4，週期性結構32、33、34、35亦可在其定向方面不同(如所展示)，以便在X及Y方向上繞射入射輻射。在一項實例中，週期性結構32及34為分別具有+d、-d之偏置之X方向週期性結構。週期性結構33及35可為分別具有偏移+d及-d之Y方向週期性結構。雖然說明四個週期性結構，但另一實施例可包括更大矩陣以獲得所要準確度。舉例而言，九個複合週期性結構之3×3陣列可具有偏置-4d、-3d、-2d、 -d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等週期性結構之分離影像。 圖5展示在使用來自圖3之(d)之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然感測器19不能解析不同個別週期性結構32至35，但感測器23可解析不同個別週期性結構32至35。暗矩形表示感測器上之影像之場，在此場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此場內，矩形區域42至45表示週期性結構32至35之影像。若週期性結構位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可看見產品特徵。影像處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像，以識別週期性結構32至35之分離影像42至45。以此方式，影像並不必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此情形極大地改良整體上之量測裝置之產出率。 一旦已識別週期性結構之分離影像，就可(例如)藉由平均化或求和經識別區域內之選定像素強度值來量測彼等個別影像之強度。可將該等影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影程序之不同參數。疊對效能為此參數之一實例。 圖6說明在使用(例如) PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號中所描述之方法的情況下如何經由如藉由比較週期性結構在+1階及-1階暗場影像中之強度而揭露之該等週期性結構之不對稱性來量測含有組件週期性結構32至35之兩個層之間的疊對誤差。在步驟M1處，經由圖2之微影製造單元來處理基板(例如，半導體晶圓)一或多次，以產生包括包含週期性結構32至35的目標之結構。在M2處，在使用圖3之度量衡裝置的情況下，使用一階繞射光束中之一者(比如-1)來獲得週期性結構32至35之影像。在一實施例中，使用第一照明模式(例如，使用孔徑板13NW而產生之照明模式)。接著，不管是藉由(例如)改變照明模式或改變成像模式抑或藉由在度量衡裝置之視場中旋轉基板W達180°，皆可使用另一一階繞射光束(+1)來獲得週期性結構之第二影像(步驟M3)。因此，在第二影像中捕捉+1繞射輻射。在一實施例中，改變經照明模式且使用第二照明模式(例如，使用孔徑板13SE而產生之照明模式)。在一實施例中，可藉由在0°及180°基板定向下進行量測而移除工具誘發性偽影，比如，工具誘發性移位(TIS)。 應注意，藉由在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微法影像。未解析個別週期性結構特徵。每一週期性結構將簡單地由某一強度位準之區域表示。在步驟M4中，在每一組件週期性結構之影像內識別所關注區(ROI)，將自該所關注區量測強度位準。 在已識別用於每一各別個別週期性結構32至35之所關注區P1、P2、P3、P4且已量測其強度的情況下，可接著判定週期性結構之不對稱性且因此判定(例如)疊對誤差。此判定係由影像處理器及控制器PU在步驟M5中比較針對每一週期性結構32至35之+1階及-1階所獲得之強度值以識別其強度之任何差(亦即，不對稱性)而進行。術語「差」不意欲係僅指減法。可以比率形式演算差。在步驟M6中，使用用於數個週期性結構之經量測不對稱性連同(在適用時)彼等週期性結構之疊對偏置之知識，以演算在目標T附近之微影程序之一或多個效能參數。所關注效能參數為疊對。可演算微影程序之其他效能參數，諸如焦點及/或劑量。該一或多個效能參數可經回饋以改良微影程序，用以改良圖6自身之量測及演算程序、用以改良目標T之設計，等等。 在用以判定疊對之一實施例中，圖8描繪說明針對在形成疊對目標之個別週期性結構內具有零偏移且不具有結構不對稱性的「理想」目標之疊對誤差OV與經量測不對稱性A之間的關係的曲線702。此等曲線圖係僅用以說明僅判定疊對之原理，且在每一曲線圖中，經量測不對稱性A及疊對誤差OV之單位係任意的。 在圖7之(a)至(c)之「理想」情形下，曲線702指示測定不對稱性A與疊對具有正弦關係。正弦變化之週期P 對應於週期性結構之週期(間距)，其當然轉換成適當尺度。正弦形式在此實例中係純粹的，但在實際情況下可包括諧波。出於簡單起見，在此實例中假定(a)來自目標之僅一階繞射輻射到達影像感測器23 (或在給定實施例中到達影像感測器23之等效者)，且(b)實驗目標設計係使得在此等一階內，在上部週期性結構結果與下部週期性結構結果之間在強度及疊對之間存在純粹正弦關係。此情形是否真實實務上係依據光學系統設計之功能、照明輻射之波長及週期性結構之間距P ，以及目標之設計及堆疊而變化。 如上文所提及，經偏置週期性結構可用以量測疊對，而非依賴於單一量測。此偏置具有供產生偏置之圖案化器件(例如，光罩)中所定義之已知值，該值用作對應於經量測信號之疊對之基板上校準。在該圖式中，以圖形方式說明演算。在圖6之步驟M1至M5中，針對分別具有偏置+d及-d之組件週期性結構(如(例如)圖7之(b)及圖7之(c)所展示)獲得不對稱性量測A(+d)及A(-d)。將此等量測擬合至正弦曲線會給出如所展示之點704及706。在已知偏置的情況下，可演算真實疊對誤差OV。正弦曲線之間距P 係自目標之設計為吾人所知。曲線702之垂直尺度開始時未為吾人所知，而是為吾人可稱為一階諧波比例常數K之未知因數。 以方程式項，假定疊對與經量測不對稱性A之間的關係如下：(1) 其中OV係在使得週期性結構間距P 對應於角度2π弧度之尺度上被表達。在使用具有具不同已知偏置以達到A之兩個值之週期性結構之兩個量測的情況下，吾人可求解兩個方程式以演算未知數K及疊對OV。 儘管此等量測技術快速且計算上相對簡單(一旦經校準)，但其依賴於疊對/橫向移位為不對稱性之唯一原因之假定。亦即，其假定關於(例如)目標中無結構不對稱性之「理想」情形。除了疊對/橫向移位以外，堆疊中之任何結構不對稱性(諸如經疊對週期性結構中之一者或兩者內之特徵之不對稱性)亦造成一階中之不對稱性。與疊對無關之此結構不對稱性明確地擾動量測，從而給出不準確結果。 作為結構不對稱性之一實例，目標之週期性結構中之一或多者可在結構上變形。舉例而言，目標之週期性結構特徵(例如，光柵線)之一或多個側壁可並非按預期垂直。作為另一實例，目標之週期性結構特徵之間的一個或空間(例如，渠溝之光柵空間)可比預期更大或更小。另外，目標之週期性結構之一或多個特徵(例如，光柵線)可具有小於或大於預期的寬度。另外，即使在關於目標之一或多個週期性結構之與預期之差均一的情況下，彼與預期之差可能並非相同於關於該目標之一或多個其他週期性結構之與預期之差。複合目標之下部週期性結構中之結構不對稱性為結構不對稱性之常見形式。該結構不對稱性可起源於(例如)在最初形成下部週期性結構之後執行的基板處理步驟，諸如化學機械拋光(CMP)。 參看圖7之(d)，示意性地描繪下部週期性結構之結構不對稱性之實例。圖7之(a)至(c)處之週期性結構中之特徵及空間在實際特徵及空間將在表面上具有某一斜率且具有某一粗糙度時被展示為成完美正方形側。然而，其意欲在輪廓方面至少對稱。下部週期性結構中之圖7之(d)處之特徵602及/或空間604根本不再具有對稱形式，而是已藉由(例如)一或多個處理步驟而變得失真。因此，舉例而言，每一空間604之底部表面已變得傾斜。特徵及空間之側壁角亦已變得不對稱。當使用僅兩個經偏置週期性結構藉由圖6之方法來量測疊對時，無法區分結構不對稱性與疊對，且結果，疊對量測變得不可靠。 因此，可藉由目標之一或多個週期性結構(例如，光柵)之不對稱結構變形而顯著縮減量測(例如，對準之量測(其中目標用於對準)、疊對之量測(其中目標用於疊對量測)等等)之準確度。可運用對產生或量測目標之程序之改變(例如，程序偏移)來校正起因於結構不對稱性之量測誤差，該等改變係(例如)基於良率(亦即，用以判定目標是否準確之經處理器件之評估)、目標之橫截面或複雜量測及分析型重新建構。然而，此等方法可慢及/或有破壞性。其僅可有效地用以校正常數不對稱性誘發性程序誤差。但並未藉由橫截面或良率量測有效地求解目標之結構不對稱性之變化。因此，舉例而言，需要評估及校正結構不對稱性之克服此等或其他限制中之一或多者的穩固解決方案。 因此，需要以較直接且簡單之方式區分對由疊對及其他效應造成的經量測目標不對稱性之貢獻。因此，在一實施例中，提供判定目標之不對稱變形之量度之穩固計算途徑，該量度接著可用以校正使用該目標進行之量測。使用目標進行之彼等量測天然地可用於(例如)藉由微影程序產生器件。另外，除了用以校正使用目標進行之量測以外，目標之不對稱變形之量度亦可用於目標之設計(重新設計)(例如，對設計之佈局作出改變)，可用於形成目標之程序(例如，對材料作出改變、對印刷步驟或條件作出改變，等等)、可用於量測條件之公式化(例如，對光學量測公式化在量測光束之波長、偏振、照明模式等等方面作出改變)，等等。 將在用以量測疊對之繞射目標之以+1階及-1階繞射為基礎之量測方面描述一實施例。上文已描述此量測技術之一些原理。然而，本發明之一實施例可應用於使用目標之其他量測技術。舉例而言，本文所描述之技術可應用於對準目標之量測。 如上文所提及，若目標完美地對稱，則自目標之+1階輻射與-1階輻射之間的經偵測強度不對稱性ΔI 係由如下方程式給出：(2) 其中K 為程序相依比例因數(一階諧波比例常數)、X 為目標之一週期性結構(例如，上部或頂部光柵)相對於目標之該週期性結構疊對的週期性結構(例如，下部或底部光柵)之橫向位移，且P 為週期性結構之間距。因此，可自使用2個經偏置週期性結構之量測之強度不對稱性獲得2個重疊週期性結構之間的疊對(OV)，如上文所描述。 但現在，考慮並未完美對稱之目標。且更具體言之，描述具有目標之不對稱變形之下部週期性結構(例如，底部光柵)之實施例。然而，本文所描述之技術可應用於目標之其他或額外類型之結構不對稱性，諸如目標之上部週期性結構(例如，頂部光柵)中之結構變形。 返回參看方程式(2)，結構不對稱性在彼方程式中引入2個額外項。第一項為至經量測強度不對稱性之K常數之偏移K os 。第二項為至橫向位移X之位置偏移X os 。因此，在存在目標之結構不對稱性的情況下，經偵測強度不對稱性ΔI 變成：(3) 該等額外項K os 及X os 係堆疊相依的(例如，取決於上覆目標中之週期性結構中之一或多者之材料、在目標中之週期性結構中之一或多者下方之材料或形成目標中之週期性結構中之一或多者之材料)及配方相依的(例如，取決於光學量測之一或多個參數，諸如波長、偏振等等)。 圖9展示目標之結構不對稱性(例如，圖7之(d)所說明之下部週期性結構之結構不對稱性)之效應。「理想」正弦曲線702不再適用。取而代之，至少大約地，結構不對稱性具有向不對稱性值A或ΔI添加偏移K os 之效應，該偏移K os 橫越所有疊對值相對恆定。另外，至少大約地，結構不對稱性具有將偏移X os 添加至橫向移位值之效應，其中偏移之效應在圖9中被表示為Xos / P且橫向移位值在圖9中被表示為XG / P，其中XG 為橫向移位(被展示為方程式(2)及(3)中之X )且P 為間距。所得曲線在圖9中被展示為712。 此外，最初額外術語K os 及X os 通常係未知數。因此，需要確定不對稱性之K os 及X os 或某其他相關量度。 可藉由一或多個各種技術判定偏移項K os 。舉例而言，對於目標之下部週期性結構，可在該下部週期性結構上方提供諸如上部週期性結構之上覆層之前使用本文所描述之技術直接量測該下部週期性結構。 作為另一實例，可使用(例如)具有較多不同偏置值中之三個偏置值的複合週期性結構而自量測演算偏移項K os 。亦即，經由此演算，可在方程式(3)中將K os 項與K項分離。全文各自以引用方式併入本文中的PCT專利申請公開案第WO 2013/143814號、美國專利申請公開案第2013/0258310號及歐洲專利申請案第13194522.2號中描述此判定之實例。舉例而言，可使用具有偏置-d 、+d 及零偏置或0.5P 偏置的至少3個經偏置複合週期性結構來量測偏移項K os 。作為另一實例，可使用具有偏置- d 、 + d 、 - d +0 . 5P 及+ d +0 . 5P 之至少4個經偏置複合週期性結構來量測偏移項K os 。 挑戰為偏移X os 之判定，此係因為此項被添加至實際移位X 。因此，實際上在不具有一些內容背景資訊的情況下沒有可能將此等術語解耦。 因此，在一實施例中，在計算模擬器中界定具有重疊週期性結構之目標堆疊，計算模擬器運用該模擬器中界定之輻射光束來模擬目標(亦即，重疊週期性結構)之光學量測。因此，依據數個參數pi (p1 , p2 , p3 等等)建立目標之經參數化模型。在1-D週期性結構中，此等參數可表示(例如)側壁之角度、特徵之高度或深度、特徵之寬度等等。目標材料及底層/上覆層之屬性亦由諸如折射率(在存在於量測輻射光束中之特定波長下)之參數表示。另外，可界定與量測光束相關聯之參數及諸如波長、偏振等等之量測。因此，雖然可藉由幾十個參數來界定目標，但模型將界定此等參數中之許多者具有固定值，而其他參數為可變或「浮動」參數。此外，可准許一些浮動參數變化，而不為完全獨立浮動參數。 另外，在模型中，提供如下參數：目標之週期性結構之標稱尺寸、任何材料之標稱值(例如，折射率等等)等等連同量測配方之值(即，與量測光束及諸如波長、偏振等等之量測相關聯之參數)，且接著在模擬中處理該等參數。在一實施例中,標稱值可包括經量測資料. 舉例而言，經量測資料可包括使用度量衡裝置進行之光學量測，且自此等量測重新建構標稱值。在模擬中，(例如)使用諸如RCWA之嚴密光學繞射方法或馬克士威方程式之任何其他求解程序使用表示模型之不同元件之形狀連同光學屬性之參數以演算散射屬性。此演算給出目標之所估計或模型繞射圖案。 另外，在模擬中，界定上部週期性結構相對於下部週期性結構之對應於X =0之位置，儘管結構不對稱性可使此位置未被精確界定。在一實施例中，使用者(例如，器件製造商)可基於(例如)程序或其他方法(諸如至電疊對量測之相關性或器件良率)之實體解釋或模型而給出輸入以界定此位置。舉例而言，可運用預期結構形狀(不具有任何程序誘發性不對稱性)之知識而界定位置。在一實施例中，使用者可運用位置之不同界定而再次重新執行模擬。位置可經界定(或經重新界定)使得自目標之量測結果係在器件設計之容許度內。亦即，舉例而言，位置可經界定(或經重新界定)使得疊對誤差係至少在用於器件設計之疊對預算內，理想地充分在疊對預算內。 一旦界定對應於X =0之位置，模擬器就在一實施例中演算針對給定目標堆疊及針對週期性結構之一或多個給定結構不對稱性之ΔI 之值。因此，在一實施例中，可自如在橫越偵測器之像素處(例如，在光瞳或影像平面中)判定的正一繞射階與負一繞射階之間的強度差量演算不對稱性誘發性誤差(例如，在光瞳平面中或在影像平面中)。在光瞳平面處存在偵測的情況下，可識別針對甚至少量不對稱性具有相對大不對稱性誘發性誤差之像素；可自針對整個光瞳平面之不對稱性誘發性誤差之演算排除此等像素。可藉由數值演算來演算不對稱性誘發性誤差以模擬對具有不對稱性之模型之特定量測裝置量測。美國專利申請公開案2006/0033921中揭示此演算之實施例，該專利申請公開案之全文係以引用方式併入本文中。另外，可在不同橫向移位(X 之不同值)下演算不對稱性誘發性誤差，以考量在此等不同橫向移位下之不對稱性誘發性誤差之差。參見(例如)美國專利申請公開案2012/0013881，該專利申請公開案之全文係以引用方式併入本文中。 因此，模擬器可將一或多個特定結構不對稱性應用於給定目標堆疊以得到ΔI 之值，可接著使用ΔI之值以演算(使用(例如)方程式(3))由特定結構不對稱性造成的K os 及X os 之值。 另外，項K os 與X os 藉由比例因數G 而彼此相關(例如，線性相關)：(4) 亦即，可自模擬之K os 及X os 之演算之值判定比例因數G 。 因此，若實際目標之堆疊之性質為吾人所知且實際目標之結構不對稱性之「類型」為吾人所知，則可判定關於實際目標且將對實際目標有效的來自模擬之G 之特定相干值。在具有來自模擬之G 之值的情況下，方程式(4)可用以自關於實際目標之經量測不對稱性偏移K os 演算用於實際目標之位置移位X os ，可使用(例如)上文所描述之一或多個技術來演算或量測該K os 值。 因此，為了自模擬達到與實際目標相干的G 之適當值，存在至少兩個另外考慮因素——實際目標之堆疊之性質及實際目標之結構不對稱性之「類型」。舉例而言，不對稱性之實際「類型」(例如，形狀)通常並未先驗地為吾人所知。舉例而言，結構不對稱性可為側壁角不對稱性、底部表面角度不對稱性、頂部表面角度不對稱性、某一其他類型之不對稱性，或其任何組合。在分段週期性結構(例如，具有週期性線及空間之光柵，其中該等線自身在(例如)垂直於週期性方向之方向上進一步分段)之狀況下，亦可需要考慮不同片段之間的不對稱性(不平衡)之可能性。 因此，在一實施例中，自實際目標之量測重新建構目標之不對稱性(不對稱性模型)之「類型」。舉例而言，不對稱性之每一類型具有依據波長及偏振而變化的K os 及/或疊對之值之特定「指紋」。因此，量測用於各種量測配方(例如，各種波長及/或偏振)(理想地亦在基板上之各種部位處)之實際目標之K os 及/或疊對之值會使能夠比較彼等量測與「指紋」，以判定哪一「指紋」具有至經量測K os 及/或疊對變化之最佳擬合，且因此識別結構不對稱性類型。 圖10(A)展示描繪針對鰭式場效電晶體堆疊中之2種類型之結構不對稱性——由線1100展示之側壁角不對稱性及由線1102展示之間隔不平衡對稱性之TE偏振之依據波長而變化的K os 變化之實例曲線圖。圖10(B)展示側壁角不對稱性之實例，其中特徵之側壁並非如預期垂直。舉例而言，可藉由蝕刻步驟誘發側壁角不對稱性。圖10(C)展示間隔不平衡之實例，其中至少一對特徵之間的空間不同於至少另一對特徵之間的間隔。舉例而言，可藉由間隔圖案化步驟引入間隔不平衡。 如圖10(A)中可看出，此2種類型之結構不對稱性橫越波長範圍具有顯著不同變化。此意謂多波長量測可藉由比較彼等多波長量測與「指紋」以找到最佳擬合以識別實際目標中之結構不對稱性之「類型」而識別結構不對稱性之類型。在具有結構不對稱性之「類型」之知識的情況下，可使用來自針對結構不對稱性之經判定「類型」所產生之模擬之K os 及X os 之值使用(例如)方程式(4)來導出G 之值。 如應瞭解，可針對不同偏振、照明模式等等及/或針對其他結構不對稱性獲得用於「指紋」之資料。因此，在一實施例中，可存在不同特定結構不對稱性之「指紋」庫及其組合，其中「指紋」為(例如)資料集合或表示資料之建構，諸如表示資料之公式、表示資料之曲線等等。雖然針對結構不對稱性之特定種類(例如，側壁角、間隔不平衡等等)來描述「指紋」，但「指紋」亦可表示不同種類之結構不對稱性(例如，側壁角及間隔不平衡兩者)之組合。因此，結構不對稱性之類型不限於結構不對稱性之一個種類，但實務上結構不對稱性傾向於結構不對稱性之一個種類，或受到結構不對稱性之一個種類支配。 另外，如上文所描述，實際堆疊之性質可並未以足夠準確度為吾人所知。歸因於程序改變(例如，由器件開發之研究及開發階段天然誘發或故意誘發，此係因為目標通常共用器件之材料層)，用於目標之實際堆疊可不同於用於模擬中之標稱堆疊。換言之，堆疊中可存在變化。 因此，在一實施例中，作出關於在光學量測之哪一或多個配方下，比例因數G 具有對程序改變之低敏感度(例如，最不敏感)之判定，該配方為光學量測之波長、偏振等等之設定。彼將意謂在運用彼配方的情況下，可自彼配方下之經量測K os 準確地演算不對稱性誘發性位置偏移X os (甚至在存在堆疊變化的情況下)。 程序改變可包括選自如下各者中之一或多者：堆疊材料之改變(例如，折射率之改變)、材料厚度之改變(例如，上覆材料之改變)、結構不對稱性之量值之改變等等。在一實施例中，程序改變可為堆疊中之除了結構不對稱性自身之類型以外的任何改變，此係因為特定程序之結構不對稱性之類型通常保持相當恆定，但可發生結構不對稱性之量值改變(例如，側壁斜率角度變化、間隔不平衡之寬度變化等等)。 為了判定G 對程序改變之敏感度，自方程式(4)辨識出：根據以下公式，位置偏移X os 之改變ΔX os 係由比例因數G 之程序誘發性改變ΔG 與經量測K os 之誤差ΔK os 之組合造成：(5) 然而第二項G× ΔK os 係關於量測誤差且可藉由(例如)平均化或一或多個其他量測誤差校正技術予以校正，需要評估第一項ΔG×K os 以判定針對哪一配方，比例因數G 具有對程序改變之低敏感度(例如，最小敏感度)。為了進行此操作，在模擬中相對於程序改變評估項ΔG ×K os 。亦即，在模擬中針對多種不同光學量測配方進行對程序參數之擾動(例如，根據蒙特卡羅法之擾動)。圖11(A)描繪展示用於在模擬中經模型化且在模擬中經受程序改變擾動的典型鰭式場效電晶體堆疊之光學量測配方之依據波長λ而變化的ΔG · K os (任意單位)之經模擬值的實例曲線圖。可看到，在為約720奈米之波長下，歸因於堆疊變化之位置誤差之變化最小。因此，可自彼配方下來自模擬器之經量測K os 及G 之值準確地演算不對稱性誘發性位置偏移Xos (甚至在存在堆疊誤差的情況下)。 作為一比較，圖11(B)描繪依據波長而變化的標稱堆疊敏感度的實例曲線圖。堆疊敏感度可被理解為信號之強度隨著由於目標(例如，諸如光柵之週期性結構)層之間的繞射之疊對改變而改變多少之量測。自圖11(B)可看到，出於不對稱性誘發性位置偏移之目的對程序改變最穩固之波長並不必需為具有最高堆疊敏感度之波長。因此，若為了最高堆疊敏感度最佳化光學量測配方之波長(旨在達成最佳總量測不確定度(TMU))，配方將達成良好TMU但具有相對不良不對稱性穩固性。 參看圖12，提供根據一實施例的說明判定目標之結構不對稱性參數及應用該不對稱性參數之方法的流程圖。在1200處，獲得實際目標之量測資料。此資料可為如本文所描述之以繞射為基礎之量測資料。 在1210處，執行堆疊調諧程序。在一實施例中，評估量測資料以判定實際目標之不對稱性之類型。在一實施例中，判定目標之結構不對稱性之類型包含評估自目標之量測之疊對之經判定值或自目標之量測之歸因於不對稱性(例如，K os )的程序相依比例因數偏移之經判定值，該等值係依據光學量測之參數而變化。在一實施例中，光學量測之參數包含光學量測之量測光束之波長及/或偏振。在一實施例中，評估經判定值包含判定(i)經判定值或表示經判定值之建構(例如，公式、線等等)與(ii)依據光學量測之參數而變化的疊對或程序相依比例因數偏移之值之一或多個指紋集合或表示值之指紋集合之一或多個指紋建構之間的擬合，每一指紋集合或指紋建構表示不對稱性之一不同類型。因此，如上文所描述，在一實施例中，此評估可涉及比較用於各種量測配方(例如，各種波長及/或偏振)之實際目標之疊對或K os 之經量測值與依據波長及/或偏振而變化的分別識別結構不對稱性之特定類型的疊對或K os 之一或多個「指紋」，以便判定哪一「指紋」具有對經量測疊對或K os 變化之最佳擬合且因此識別結構不對稱性類型。 另外，執行目標之經模擬表示之光學量測之模擬以判定與不對稱性類型相關聯之不對稱性參數之值(1230)。在一實施例中，自模擬判定使用目標進行之量測之歸因於不對稱性的程序相依比例因數偏移之值(例如，K os )及使用目標進行之量測之歸因於不對稱性之位置偏移之值(例如，X os )。在一實施例中，如上文所描述，模擬器演算針對給定目標堆疊及針對週期性結構之一或多個給定結構不對稱性之ΔI 之值。亦即，模擬器可將一或多個特定結構不對稱性應用於給定目標堆疊以得到ΔI 之值，可接著使用ΔI 之值以演算(使用(例如)方程式(3))由特定結構不對稱性造成的K os 及X os 之值。在一實施例中，在針對經指定不對稱性之設定為零之橫向移位的上覆週期性結構之光學量測之模擬。因此，經判定不對稱性類型可用以界定用於模擬之給定結構不對稱性或用以自複數個經模擬結構不對稱性當中選擇所要資料。 因此，自K os 及X os 之值，可判定不對稱性參數(1230)，諸如比例因數G ， 其使使用目標進行之量測之歸因於不對稱性之位置偏移(例如，X os )與使用目標進行之量測之歸因於不對稱性之程序相依比例因數偏移(例如，K os )相關。例如比例因數G 之不對稱性參數可用於進行校正、設計目標等等。在一實施例中，不對稱性參數可為使用目標進行之量測之歸因於不對稱性之位置偏移，例如，X os 之值。在一實施例中，使用如上文所描述之比例因數G 及使用目標進行之量測之歸因於不對稱性的程序相依比例因數偏移之經量測值(例如，K os 之經量測值)來判定位置偏移。 在1220處，執行程序穩固性評估。在一實施例中，分析不對稱性參數對與目標相關聯的目標形成參數之改變之敏感度。亦即，在一實施例中，作出關於在光學量測之哪一或多個配方下(該配方為光學量測之波長、偏振等等之設定)不對稱性參數(例如，比例因數G ) 具有對目標形成參數之改變(例如，程序改變)之低敏感度(例如，最不敏感)之判定。因此，在一實施例中，敏感度之分析包含針對不對稱性參數對目標形成參數之改變之敏感度之最小值判定光學量測之參數(例如，光學量測之量測光束之波長及/或偏振)之值。在一實施例中，分析包含執行模擬。舉例而言，在模擬中相對於程序改變評估項ΔG ×K os 。亦即，在針對多種不同光學量測配方之模擬中進行對程序參數之擾動，且具有(例如)ΔG ×K os 之最低值之配方係用以選擇用於實際目標之量測之配方且用以自模擬選擇不對稱性參數(例如，G 之特定值)。 在1230處，提供經判定不對稱性參數(在此狀況下為比例因數G )以用於量測之校正、目標之設計等等。如由1235所展示，可在目標用於體積製造中之前在製備或開發階段執行堆疊調諧及/或程序穩固性分析。另外或替代地，可在體積製造期間執行堆疊調諧及/或程序穩固性分析。在此狀況下，為了促進產出率，量測資料可來自(例如)目標之稀疏取樣。 在1295處描繪為了校正實際目標之量測之經判定不對稱性參數(在此狀況下，比例因數G )的實例使用。亦即，在一實施例中，經判定不對稱性參數應用於在大體積製造期間製造之目標之量測。在一實施例中，量測可來自目標之緻密取樣。因此，在一實施例中，可將經判定不對稱性參數前饋至進行實際目標之量測之程序。另外，可將不對稱性參數(例如，比例因數G ) 具有對目標形成參數之改變(例如，程序改變)之低敏感度(例如，最不敏感)之光學量測之配方(該配方為光學量測之波長、偏振等等之設定)前饋至進行實際目標之量測之程序。 在1260處，使用(例如)不對稱性參數(例如，比例因數G ) 具有對目標形成參數之改變(例如，程序改變)之低敏感度(例如，最不敏感)之光學量測之配方1250 (該配方為光學量測之波長、偏振等等之設定)獲得實際目標之量測資料。此資料可為如本文所描述之以繞射為基礎之量測資料。使用如(例如)在程序穩固性分析1220中判定的不對稱性參數(例如，比例因數G ) 具有對目標形成參數之改變(例如，程序改變)之低敏感度(例如，最不敏感)之光學量測配方(該配方為光學量測之波長、偏振等等之設定)獲得彼量測資料。如下文中所描述，量測資料可包含使用(例如)具有較多不同偏置值中之三個偏置值的複合週期性結構而捕捉的量測資料。 在1270處，自量測資料，判定使用目標進行之量測之歸因於不對稱性的程序相依比例因數偏移之值，例如，K os 。如上文所描述，可使用一或多種各種技術來判定程序相依比例因數偏移之值。舉例而言，如上文所描述，可使用(例如)具有較多不同偏置值中之三個偏置值的複合週期性結構而自量測資料判定程序相依比例因數偏移之值。 在1280處，使用不對稱性參數1240 (例如，比例因數G )以判定結構不對稱性對實際目標之量測之效應。在一實施例中，組合例如比例因數G 之不對稱性參數與程序相依比例因數偏移1270之值。亦即，方程式(4)可用以達到歸因於結構不對稱性之位置移位，例如，X os 。在目標之量測用以量測實際目標之疊對ov 的情況下，位置移位轉譯成實際疊對之改變，例如，。因此，在1290處，可校正疊對量測以考量結構不對稱性。 用於某一層之程序堆疊可顯著改變超出標稱。典型現有目標不能處置程序堆疊之大改變(亦即，程序改變)。另外，典型以繞射為基礎之疊對目標係用以量測一對層之間的疊對。但，不僅需要在單層對之間進行疊對量測，而且需要在多個層對當中進行疊對量測。因此，根據一實施例，提供包含總大小小但包括多設計光柵之集合的多光柵目標-叢集(光柵之單一叢集)之繞射度量衡目標；為參考方便起見，此目標被稱作延伸型操作範圍度量衡目標。本文所描述之技術可應用於延伸型操作範圍度量衡目標。 對於(例如)程序開發，來自延伸型操作範圍度量衡目標之光柵之子集可用於某一程序堆疊條件，而來自延伸型操作範圍度量衡目標之光柵之另一(另外若干)子集可用於另一程序堆疊條件，因此，能夠考量程序堆疊中之顯著變化。替代地或另外，對於(例如)多層疊對，來自延伸型操作範圍度量衡目標之光柵之子集可用於某一層對，而延伸型操作範圍度量衡目標之另一(另外若干)子集可用於另一層對，因此，實現多層疊對。 因此，在顯著程序堆疊變化(例如，不能藉由度量衡目標之特定光柵設計適當處置的程序堆疊之變化)之情形下，延伸型操作範圍度量衡目標允許放置將在對程序堆疊作出改變的情況下增加成功量測結果之機會之顯著不同設計(皆在目標之合理大小內)。此情形可歸因於主動預期程序堆疊變化之不同設計之存在而增加第一次量測成功之機會。且在多疊對量測之情形下，延伸型操作範圍度量衡目標允許在一個量測序列中在多個層之間進行疊對量測。亦即，在一實施例中，可在一個量測序列中量測多個層對，且在一實施例中，可同時偵測多個層對之繞射資料。 藉由在延伸型操作範圍度量衡目標中具有經不同設計之光柵，可藉由其中具有光柵之經不同設計集合的單一度量衡目標處置程序堆疊及/或多層中之顯著變化。藉此，可顯著縮減產生用於每一不同個別目標之不同圖案化器件(例如，光罩)之成本及/或量測時間之成本。另外，藉由延伸型操作範圍度量衡目標之相對小大小，可顯著縮減歸因於增加之量測時間之用於多個不同個別目標之目標「佔據面積」(亦即，為了容納此等個別層對目標，圖案化器件圖案上之可用空間)之成本及產出率之成本。因此，延伸型操作範圍度量衡目標可將所有此等多個目標帶入單一目標叢集內，該單一目標叢集自佔據面積之視點足夠小且相比於多個個別目標在量測時間方面亦更有利。 參看圖13，描繪延伸型操作範圍度量衡目標800之實施例。延伸型操作範圍度量衡目標800包含複數個子目標，在此實例中，包含四個繞射子目標802、804、806、808。如應瞭解，可提供不同數目個子目標。舉例而言，可提供僅僅兩個子目標。替代地，可提供三個、五個、六個、七個、八個等等子目標。在一實施例中，每一子目標802至808係與相鄰子目標分離達間隙820。在一實施例中，間隙為200奈米或更大、250奈米或更大、350奈米或更大、500奈米或更大、750奈米或更大，或1微米或更大。間隙促進子目標之重新建構，使得可分離地識別該等子目標。另外，間隙可幫助防止自一子目標延伸至另一子目標上之繞射之串擾。 每一子目標包含一週期性結構。在一實施例中，每一子目標包含至少一對週期性結構。在一實施例中，每一子目標包含至少兩對週期性結構。在一實施例中，子目標中之週期性結構之特徵(例如，線)在同一方向上延伸。在一實施例中，子目標之至少一週期性結構可具有在實質上垂直於該子目標之另一週期性結構之線延伸之方向的方向上延伸之線。在一實施例中，一個子目標之週期性結構之特徵延伸之方向可不同於另一子目標之週期性結構之特徵延伸之方向。 在一實施例中，如圖13中所展示，每一子目標具有第一對週期性結構810及第二對週期性結構812，第一對週期性結構810具有在第一方向上延伸之線，第二對週期性結構812具有在實質上垂直於第一方向之第二方向上延伸之線。在此實例中，每一子目標802至808具有與圖4之目標相似的總佈局。亦即，每一子目標具有：第一對光柵，其具有在相對隅角中在X方向上延伸之線；及第二對光柵，其具有在與第一對光柵相對之隅角中在Y方向上延伸之線。然而，子目標之佈局可不同於如圖13所描繪。舉例而言，週期性結構之部位可不同。作為另一實例，一對週期性結構之長度及/或寬度可不同於另一對週期性結構之長度及/或寬度。 子目標802至808具有大小使得其可完全或至少部分地配合於與圖4之目標相同的鄰接區域內。舉例而言，延伸型操作範圍度量衡目標800可具有在25微米×25微米內或等於25微米×25微米、在20微米×20微米內或等於20微米×20微米、在16微米×16微米內或等於16微米×16微米、在12微米×12微米內或等於12微米×12微米、在10微米×10微米內或等於10微米×10微米或在8微米×8微米內或等於8微米×8微米的外部尺寸。在一實施例中，子目標中之每一者之至少部分係在基板上之具有某一大小的鄰接區域內。在一實施例中，複數個子目標之每一週期性結構之至少部分係在基板上之具有某大小的鄰接區域內。在一實施例中，複數個子目標之每一週期性結構係在基板上之具有某大小的鄰接區域內。在一實施例中，該某大小小於或等於1000平方微米、小於或等於900平方微米、小於或等於800平方微米、小於或等於700平方微米、小於或等於600平方微米、小於或等於500平方微米、小於或等於450平方微米、小於或等於400平方微米、小於或等於350平方微米、小於或等於300平方微米、小於或等於250平方微米、小於或等於200平方微米、小於或等於150平方微米、或小於或等於100平方微米。在一實施例中，子目標802至808之週期性結構中之每一者不小於約3微米×3微米或不小於約4微米×4微米。在一實施例中，子目標802至808之週期性結構中之每一者不小於約9平方微米或不小於約16平方微米。 在一實施例中，子目標中之每一者之至少部分係在基板上之量測光點之區域內(例如，在量測光點之寬度內)。在一實施例中，複數個子目標之每一週期性結構之至少部分係在基板上之量測光點之區域內(例如，在量測光點之寬度內)。在一實施例中，複數個子目標之每一週期性結構係在基板上之量測光點之區域內(例如，在量測光點之寬度內)。在一實施例中，量測光點具有約35微米或更小、約30微米或更小、約25微米或更小或約20微米或更小、約15微米或更小或約10微米或更小的寬度(例如，直徑)。因此，在一實施例中，可在一個量測序列中量測多個子目標，且在一實施例中，可同時偵測多個子目標之繞射資料。 與圖4之目標類似，複數個子目標與另一週期性結構至少部分地疊對(僅僅為了清楚起見，該另一週期性結構未在圖13中被繪示)。在一實施例中，子目標802至806中之每一者與一各別週期性結構至少部分地疊對。在一實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標800與第二延伸型操作範圍度量衡目標800。在彼狀況下，第一延伸型操作範圍度量衡目標800之複數個子目標802至806中之每一者將與第二延伸型操作範圍度量衡目標800之各別子目標802至806疊對。在一實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標800可在一層中，且第二延伸型操作範圍度量衡目標800可在另一層中。在一實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標800可在一層中，且第二延伸型操作範圍度量衡目標800可在不同層中具有複數個子目標中之每一者。 另外，除了在單一佈局內產生多個子目標以外，複數個子目標中之每一者亦經設計以用於(a)不同程序條件及/或(b)多層疊對之不同層對。換言之，在一實施例中，複數個子目標之第一子目標802具有與複數個子目標之第二子目標804不同的設計。在一實施例中，子目標802至808中之每一者可具有一不同設計。在一實施例中，複數個子目標之兩個或兩個以上子目標802、808可具有與該複數個子目標之兩個或兩個以上其他子目標804、806不同的設計。 參看圖14，描繪具有針對不同程序條件而設計之複數個子目標的(圖13之設計之)延伸型操作範圍度量衡目標900、902之實例的使用。為了易於參考，在圖14中以列之形式描繪子目標802、804、806、808。如自圖13之佈局應瞭解，圖14中之子目標806、808實務上將位於圖14中之子目標802、804「前方」或「後方」，亦即，分別在頁面中及頁面外。另外，在此實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900係在一層中，且第二延伸型操作範圍度量衡目標902係在另一層中。亦即，在圖14中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之每一者係在頂部層處，且第二延伸型操作範圍度量衡目標902之子目標802、804、806、808中之每一者係在第一延伸型操作範圍度量衡目標900下方之單層中，使得第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之每一者與第二延伸型操作範圍度量衡目標902之各別子目標802、804、806、808至少部分地疊對。 在圖14之實例中，子目標802、804、806、808中之每一者經設計以用於不同程序堆疊。在此實例中，子目標802經設計以用於具有為100奈米之第一層904及為100奈米之第二層906之程序堆疊、子目標804經設計以用於具有為100奈米之第一層904及為110奈米之第二層906之不同程序堆疊、子目標806經設計以用於具有為110奈米之第一層904及為110奈米之第二層906之不同程序堆疊，且子目標808經設計以用於具有為120奈米之第一層904及為110奈米之第二層906之程序堆疊。如應瞭解，不同程序堆疊之條件可不同於用於此實例中之程序堆疊之條件。舉例而言，程序條件可為除了層厚度以外的程序條件。其他程序條件可包括折射率、層材料、蝕刻速率、烘烤溫度、曝光焦點、曝光劑量等等。另外，雖然在此實施例中，延伸型操作範圍度量衡目標900以與其疊對之關聯延伸型操作範圍度量衡目標902不同的方式經設計(例如，在圖14中，延伸型操作範圍度量衡目標902中之光柵線經分段，而延伸型操作範圍度量衡目標900中之光柵線並未經分段)，但延伸型操作範圍度量衡目標900及延伸型操作範圍度量衡目標902可相同。另外，雖然在圖14中能夠成功地量測4個不同程序堆疊，但可存在可能夠被成功地量測之不同數目個程序堆疊。 在設計之差方面，在一實施例中，差為子目標802、804、806、808中之至少一者與子目標802、804、806、808中之另一者之間的週期性結構之間距之差。在一實施例中，間距係選自100奈米至1000奈米之範圍。在一實施例中，設計之差為子目標802、804、806、808中之至少一者與子目標802、804、806、808中之另一者之間的週期性結構之特徵(例如，線)或空間寬度之差。在一實施例中，設計之差為子目標802、804、806、808中之至少一者與子目標802、804、806、808中之另一者之間的週期性結構之特徵(例如，虛線而非實線)之分段的差。在一實施例中，設計之差為子目標802、804、806、808中之至少一者與子目標802、804、806、808中之另一者之間的週期性結構之偏置(例如，量及/或方向)之差。在一實施例中，偏置經選擇為在1奈米至60奈米之範圍內。箭頭描繪偏置方向之實施例。確信無需偏置。在一實施例中，設計之差為上覆延伸型操作範圍度量衡目標之間的線或空間寬度之差(例如，「頂部CD與底部CD」之差)，例如，第一延伸型操作範圍度量衡目標之子目標802、804、806、808中之至少一者之線或空間寬度不同於上覆第二延伸型操作範圍度量衡目標之子目標802、804、806、808中之至少一者之線或空間寬度。在一實施例中，設計之差為子目標802、804、806、808與其關聯週期性結構之佈局的差。在一實施例中，設計之差為用於子目標802、804、806、808中之至少一者與子目標802、804、806、808中之另一者之間的量測光束之最佳波長之差。在將相同波長量測配方用於子目標802、804、806、808中之每一者的情況下，子目標802、804、806、808可經最佳化以接受關於每一子目標之最小效能損耗。或在一實施例中，多個波長可用於複數個子目標，或可自施加至子目標之寬頻帶輻射分離波長。如應瞭解，可使用設計參數之組合。 因此，在一實施例中，可在第一實例中將延伸型操作範圍度量衡目標900、902提供至具有子目標802之特性的程序堆疊，即，具有為100奈米之第一層904及為100奈米之第二層906之程序堆疊。因此，當進行彼等延伸型操作範圍度量衡目標900、902之量測時，來自子目標802之量測結果將對於彼程序堆疊係良好的，而來自子目標804、806及808之量測結果將較不如此良好。但，方便地，在第二實例中可將相同延伸型操作範圍度量衡目標900、902提供至具有子目標804之特性的程序堆疊，即，具有為100奈米之第一層904及為110奈米之第二層906之程序堆疊。因此，當在此不同程序堆疊中進行彼等延伸型操作範圍度量衡目標900、902之量測時，在此狀況下來自子目標804之量測結果將對於彼程序堆疊係良好的，而來自子目標802、806及808之量測結果將較不如此良好。 為了判定量測結果是否良好，可使用一或多個不同技術。舉例而言，在上文所提及之第一實例中，可簡單地不存在來自子目標804、806及808之任何或顯著較弱量測結果，此係因為其實際上不可量測。在另一實例中，可針對子目標中之每一者量測殘差(例如，疊對殘差)，且子目標中之一者之較低或最低殘差可表示來自該子目標之量測結果良好。在另一實例中，可藉由另一程序量測相同參數(例如，疊對)。作為一實例，電氣測試可經執行以判定用於參數之值，且具有與藉由電氣測試量測之值最接近的值之子目標可表示來自該子目標之量測結果良好。 參看圖15，描繪具有用於多層疊對之複數個子目標的(圖13之設計之)延伸型操作範圍度量衡目標1000、1002之實例的使用。為了易於參考，在圖15中以列之形式描繪子目標802、804、806、808。如自圖13之佈局應瞭解，圖15中之子目標806、808實務上將位於圖15中之子目標802、804「前方」或「後方」，亦即，分別在頁面中及頁面外。另外，在此實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900係在一層處，且第二延伸型操作範圍度量衡目標902在不同層中具有複數個子目標中之每一者。亦即，在圖15中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之每一者係在頂部層處，且第二延伸型操作範圍度量衡目標902之子目標802、804、806、808中之每一者係在第一延伸型操作範圍度量衡目標900下方之不同層中，使得第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之每一者與第二延伸型操作範圍度量衡目標902之各別子目標802、804、806、808至少部分地疊對。 在圖15之實例中，子目標802、804、806、808中之每一者經設計以用於不同層。在此實例中，子目標802經設計以用於量測用於頂部層與層1010之第一層對之疊對、子目標804經設計以用於量測用於頂部層與層1008之第二層對之疊對、子目標806經設計以用於量測用於頂部層與層1006之第三層對之疊對，且子目標808經設計以用於量測用於頂部層與層1004之第四層對之疊對。雖然此實例中之每一子目標量測一不同層對，但在一實施例中，子目標中之兩者或兩者以上可量測第一層對，且一或多個其他子目標可量測第二層對。另外，雖然在圖15中能夠量測4個不同層對，但可存在能夠被量測之不同數目個層對。 在此實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之每一者具有相同設計，且第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808在設計方面相同於第二延伸型操作範圍度量衡目標902之子目標802、804、806、808。然而，如上文所提及，第二延伸型操作範圍度量衡目標902之子目標802、804、806、808中之兩者或兩者以上係在不同層中，但仍在第一延伸型操作範圍度量衡目標900之底層。在一實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之一或多者可具有與第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之另一或多者不同的設計。在一實施例中，第一延伸型操作範圍度量衡目標900之子目標802、804、806、808中之一或多者可具有與第二延伸型操作範圍度量衡目標902之子目標802、804、806、808中之一或多者不同的設計。 在一實施例中，由於延伸型操作範圍度量衡目標中之子目標802、804、806、808中之每一者之部位，可易於進行關於每一特定不同層對之疊對。此外，因為延伸型操作範圍度量衡目標具有用於每一不同層對之子目標802、804、806、808，所以可在一個量測序列中採取複數個不同層對之量測，例如，可立即捕捉不同層對中之每一者之繞射資訊。代替分離地使用每一不同層對之經量測疊對值或除了使用每一不同層對之經量測疊對值以外，使用子目標802、804、806、808進行之量測之平均值、中值或其他統計值亦可用於程序控制。此情形可在存在對子目標802、804、806、808中之一或多者之歸因於其小之特定可靠度的關注點的情況下有用。統計值可幫助消除異常情況。 因此，延伸型操作範圍度量衡目標可開闢一種在(例如)程序開發階段及多層疊對量測時與度量衡目標一起工作的新方式。在進階節點(具有(例如)用於多重圖案化(例如，雙重圖案化)之困難且變化之程序及/或多個層)中，器件設計者及製造商動態地改變程序堆疊及/或使用多個層且預期度量衡將工作。因此，延伸型操作範圍度量衡目標可向度量衡量測帶來較大程序穩固性且增加關於相對未知程序堆疊之度量衡之第一次成功的機會。舉例而言，若延伸型操作範圍度量衡目標之子目標中之每一者之至少部分係在量測光點之區域內，則可實現來自量測速度之益處。若是，則延伸型操作範圍度量衡目標可(例如)增加關於對程序條件可未知之程序堆疊之度量衡的第一次成功之機會。另外，延伸型操作範圍度量衡目標可在目標「佔據面積」、圖案化器件製造及/或產出率方面以縮減之成本實現多個層之快速量測及/或處置程序堆疊之顯著變化。可在使用現有度量衡裝置之開發及/或製造位點處使用延伸型操作範圍度量衡目標，且可無需感測器硬體改變。 在一實施例中，提供用以設計度量衡目標之系統及方法。在一實施例中，度量衡目標應適合於預期及/或量測所要之不同程序堆疊。另外，度量衡目標應能夠涵蓋典型程序變化(其不同於與不同程序堆疊之顯著差)。因此，在一實施例中，設計方法係用以幫助確保度量衡目標之穩固性。亦即，可藉由使用程序堆疊資訊進行演算及/或模擬而設計度量衡目標(包括其關聯週期性結構)，以幫助確保該度量衡目標之穩固性。舉例而言，對於用於不同程序堆疊之延伸型操作範圍度量衡目標，可針對與特定不同程序堆疊相關聯之預期典型程序變化判定該延伸型操作範圍度量衡目標之每一子目標之穩固性，該特定不同程序堆疊係與子目標相關聯。 如上文所提及，自可印刷性及可偵測性觀點兩者，所提議度量衡目標設計可經受測試及/或模擬以便確認其適合性及/或生存力。在商用環境中，良好疊對標記可偵測性可被認為是低總量測不確定度以及短移動-獲取-移動時間之組合，此係因為慢獲取對生產線之總產出率有害。現代以微繞射為基礎之疊對目標(μDBO)可在一側上為大約10微米至20微米，其相比於40×160平方微米之目標(諸如用於監視器基板之內容背景中之目標)提供固有低偵測信號。 另外，一旦已選擇符合以上準則之度量衡目標，則存在可偵測性將相對於典型程序變化而改變之可能性，程序變化諸如膜厚度變化、各種蝕刻偏置，及藉由蝕刻程序及/或拋光程序誘發之幾何形狀不對稱性。因此，可有用的是選擇相對於各種程序變化具有低可偵測性變化及低疊對/對準變化之目標。同樣地，待用以產生待成像之微電子器件之特定機器之指紋(印刷特性，包括(例如)透鏡像差)一般而言將影響度量衡目標之成像及生產。因此，可有用的是確保度量衡目標抵抗指紋效應，此係因為一些圖案或多或少將受到特定微影指紋影響。 因此，在一實施例中，提供用以設計度量衡目標之方法。在一實施例中，需要模擬各種度量衡目標設計以便確認所提議度量衡目標設計中之一或多者之適合性及/或生存力。 在用於模擬涉及微影及度量衡目標之製造程序之系統中，可藉由(例如)如圖16所說明之各種功能模組描述主要製造系統組件及/或程序。參看圖16，功能模組可包括：一設計佈局模組1300，其界定度量衡目標(及/或微電子器件)設計圖案；一圖案化器件佈局模組1302，其界定基於目標設計如何以多邊形之形式佈置圖案化器件圖案；一圖案化器件模型模組1304，其模型化待在模擬程序期間利用之經像素化及連續色調圖案化器件之實體屬性；一光學模型模組1306，其界定微影系統之光學組件之效能；一抗蝕劑模型模組1308，其界定給定程序中所利用之抗蝕劑之效能；一程序模型模組1310，其界定抗蝕劑顯影後程序(例如，蝕刻)之效能；及一度量衡模組1312，其界定與度量衡目標一起使用之度量衡系統之效能且因此界定當與度量衡系統一起使用時之度量衡目標之效能。模擬模組中之一或多者之結果(例如，經預測輪廓及CD)提供於結果模組1314中。 在光學模型模組1306中捕捉照明及投影光學件之屬性，其包括(但不限於) NA均方偏差(σ)設定以及任何特定照明源形狀，其中σ (或均方偏差)為照明器之外部徑向範圍。經塗佈於基板上之光阻層之光學屬性——亦即，折射率、膜厚度、傳播及偏振效應——亦可作為光學模型模組1306之部分被捕捉，而抗蝕劑模型模組1308描述在抗蝕劑曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間發生的化學程序之效應，以便預測(例如)形成於基板上之抗蝕劑特徵之輪廓。圖案化器件模型模組1304捕捉目標設計特徵如何佈置於圖案化器件之圖案中，且可包括如(例如)美國專利第7,587,704號所描述之圖案化器件之詳細實體屬性之表示。模擬之目標為準確地預測(例如)邊緣置放及CD，可接著比較該等邊緣置放及CD與目標設計。目標設計通常被界定為預OPC圖案化器件佈局，且將以諸如GDSII或OASIS之經標準化數位檔案格式之形式被提供。 一般而言，光學模型與抗蝕劑模型之間的連接為抗蝕劑層內之經模擬空中影像強度，其起因於輻射至基板上之投影、抗蝕劑界面處之折射及抗蝕劑膜堆疊中之多次反射。輻射強度分佈(空中影像強度)係藉由光子之吸收而變為潛在「抗蝕劑影像」，該潛在抗蝕劑影像藉由漫射程序及各種負載效應予以進一步修改。足夠快以用於全晶片應用之有效率模擬方法藉由2維空中(及抗蝕劑)影像而近似抗蝕劑堆疊中之實際3維強度分佈。 因此，模型公式化描述總程序之大多數(若非全部)已知物理學及化學方法，且模型參數中之每一者理想地對應於一相異物理或化學效應。因此，模型公式化設定關於為了模擬總製造程序模型而可被使用之良好程度之上限。然而，有時模型參數可由於量測及讀取誤差而不準確，且系統中可存在其他缺陷。在運用模型參數之精確校準的情況下，可進行極準確模擬。 在製造程序中，各種程序參數之變化對可如實反映器件設計之合適目標之設計具有顯著影響。此等程序參數包括(但不限於)側壁角(藉由蝕刻或顯影程序予以判定)、(器件層或抗蝕劑層之)折射率、(器件層或抗蝕劑層之)厚度、入射輻射之頻率、蝕刻深度、地板傾斜、用於輻射源之消光係數、(用於抗蝕劑層或器件層之)塗層不對稱性、在化學機械拋光程序期間之侵蝕之變化，及其類似者。 度量衡目標設計之特徵可為各種參數，諸如目標係數(TC)、堆疊敏感度(SS)、疊對影響(OV)，或其類似者。堆疊敏感度可被理解為信號之強度隨著由於目標(例如，光柵)層之間的繞射之疊對改變而改變多少之量測。目標係數可被理解為針對一特定量測時間之由於藉由量測系統進行之光子收集之變化的信雜比之量測。在一實施例中，目標係數亦可被認為是堆疊敏感度對光子雜訊之比率；亦即，可將信號(亦即，堆疊敏感度)除以光子雜訊之量測以判定目標係數。疊對影響量測依據目標設計而變化的疊對誤差之改變。 本文描述界定供(例如)度量衡系統模擬中使用或目標製造程序模擬(例如，包括使用微影程序來曝光度量衡目標、顯影度量衡目標、蝕刻目標等等)中使用之度量衡目標設計的電腦實施方法。在一實施例中，可指定用於目標之一或多個設計參數(例如，幾何尺寸)，且可針對該一或多個設計參數指定另外離散值或值範圍。另外，使用者及/或系統可基於(例如)需要目標之微影程序而強加對在同一層中或若干層之間之一或多個設計參數(例如，間距與空間寬度之間的關係、關於間距或空間寬度之限度、特徵(例如，線)寬度(CD)與間距(例如，特徵寬度小於間距)之間的關係、不對稱性參數等等)之約束。在一實施例中，一或多個約束可關於離散值或範圍已被指定之一或多個設計參數，或關於一或多個其他設計參數。 圖17示意性地描繪根據一實施例之界定度量衡目標設計的電腦實施方法。該方法包括(在區塊B1處)提供用於度量衡目標之複數個設計參數(例如，幾何尺寸)中之每一者之值範圍或複數個值。 在一實施例中，度量衡目標設計系統之使用者可指定用於度量衡目標之設計參數(例如，幾何尺寸)中之一或多者。作為一實例，使用者可指定出需要延伸型操作範圍度量衡目標，且可進一步指定該延伸型操作範圍度量衡目標之子目標之數目。另外，在一實施例中，使用者可指定(例如，選擇)用於度量衡目標(諸如其之一或多個週期性結構)之設計參數中之一或多者中之每一者的離散值或值範圍。作為關於延伸型操作範圍度量衡目標之一實例，使用者可指定(例如，選擇)用於該延伸型操作範圍度量衡目標之一或多個子目標及該等子目標之一或多個週期性結構的設計參數中之一或多者中之每一者的離散值或值範圍。舉例而言，使用者可選擇用於度量衡目標之特徵(例如，線)寬度、空間寬度、度量衡目標之大小、間距等等之值範圍或集合。在度量衡目標包含多個週期性結構(例如，光柵)或經分段週期性結構(例如，光柵)之一實施例中，使用者可選擇或提供用於其他設計參數(例如，共用間距)之值範圍或集合。 在一實施例中，設計參數可包括選自如下各者之任一或多個幾何尺寸：目標之週期性結構之間距、目標之週期性結構特徵(例如，線)寬度、目標之週期性結構空間寬度、週期性結構之特徵之一或多個分段參數(取決於分段類型之在X及/或Y方向上的分段間距/特徵寬度/空間寬度)。另外，可針對單一層或複數個層(例如，兩個層或兩個層加一中間屏蔽層)指定參數。對於複數個層，其可共用間距。對於(例如)聚焦或對準目標之某些度量衡目標，可使用其他參數。其他設計參數可為諸如選自如下各者中之一或多者之實體限制：用於目標之度量衡系統中之輻射之波長、用於度量衡系統中之輻射之偏振、度量衡系統之數值孔徑、目標類型，及/或程序參數。在一實施例中，可提供非均一及非對稱圖案，例如，經調變疊對目標及聚焦目標。因此，設計參數可變化且在一特定方向上未必均一。 在區塊B2處，提供對度量衡目標之一或多個設計參數之一或多個約束。視情況，使用者可界定一或多個約束。約束可為線性代數表達式。在一實施例中，約束可為非線性的。一些約束可與其他約束相關。舉例而言，特徵寬度、間距及空間寬度相關使得若該三者中之任兩者為吾人所知，則可完全判定第三者。 在一實施例中，使用者可指定對度量衡目標之面積、尺寸或其兩者之約束。對於延伸型操作範圍度量衡目標，使用者可指定對子目標之數目之約束。 在一實施例中，約束可為度量衡參數約束。舉例而言，在一些度量衡系統中，系統之物理學可置放約束。舉例而言，用於系統中之輻射之波長可約束目標設計之間距，例如，下限。在一實施例中，存在關於依據波長、目標之類型及/或度量衡系統之孔徑而變化的間距之(上/下)限。可用作約束之實體限制包括選自如下各者中之一或多者：用於度量衡系統中之輻射之波長、用於度量衡系統中之輻射之偏振、度量衡系統之數值孔徑，及/或目標類型。在一實施例中，約束可為程序參數約束(例如，取決於蝕刻類型、顯影類型、抗蝕劑類型等等之約束)。在一實施例中，約束可為如本文所描述之不對稱性參數。 取決於所使用之特定程序，在一實施例中，一或多個約束可與一層之設計參數(例如，幾何尺寸)與另一層之設計參數(例如，幾何尺寸)之間的約束相關。 在區塊B3處，藉由處理器，方法藉由在用於設計參數之值範圍或複數個值內進行取樣而解出及/或選擇具有符合一或多個約束的一或多個設計參數之複數個度量衡目標設計。舉例而言，在涉及求解之一實施例中，可解出一或多個潛在度量衡目標設計。亦即，可藉由使用(例如)用以解出特定值之一或多個等式約束而解出所准許值來導出一或多個潛在度量衡設計。舉例而言，在涉及取樣之一實施例中，可藉由各種設計參數及約束界定凸多面體。可根據一或多個規則對凸多面體之體積進行取樣，以提供符合所有約束之樣本度量衡目標設計。一或多個取樣規則可應用於樣本度量衡目標設計。 然而，應注意，並非由此發現之所有度量衡目標設計皆同樣表示程序變化。因而，在一實施例中，可在區塊B4處進一步模擬使用本文所描述之方法而發現的度量衡目標設計，以判定(例如)度量衡目標設計中之一或多者之生存力及/或適合性。可接著在區塊B5處評估經模擬度量衡目標設計以藉由(例如)基於關鍵效能指數或穩固性準則而對一或多個度量衡目標設計順位來識別哪一或多個度量衡目標設計最佳或更表示程序變化。在區塊B6處，可選擇及使用特定度量衡設計(例如)以用於量測。 圖18展示說明一程序之流程圖，在該程序中度量衡目標用以監視效能，且用作用於控制度量衡之基礎。在步驟D1中，處理基板以產生如本文所描述之產品特徵及一或多個度量衡目標。在步驟D2處，使用(例如)圖6之方法來量測及演算微影程序參數(例如，疊對)值，且視情況使用不對稱性參數來校正微影程序參數(例如，疊對)值。在步驟D3處，可使用經量測微影程序參數(例如，疊對)值(連同如可得到之其他資訊)，以更新度量衡配方。經更新之度量衡配方係用於重新量測微影程序參數，及/或用於量測關於隨後經處理基板之微影程序參數。以此方式，所演算之微影程序參數之準確度得以改良。可視需要使更新程序自動化。在步驟D4中，使用微影程序參數值以更新控制器件製造程序中之微影圖案化步驟及/或其他程序步驟之配方以用於重工及/或用於處理另外基板。再次，可視需要使此更新自動化。 雖然本文所描述之度量衡目標之實施例已主要在疊對量測方面予以描述，但本文所描述之度量衡目標之實施例可用以量測一或多個額外或替代微影程序參數。舉例而言，度量衡目標可用以量測曝光劑量變化、量測曝光焦點/散焦等等。 雖然以上所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可對為形成於基板上之器件之功能部件的目標量測屬性。許多器件具有類似於光柵的規則週期性結構。如本文所使用之目標之術語光柵或週期性結構無需已針對正經執行之量測而特定地提供光柵或週期性結構。另外，度量衡目標之間距P 接近於量測工具之光學系統之解析度極限，但可比藉由微影程序在目標部分C中製造之典型產品特徵之尺寸大得多。實務上，可使疊對週期性結構之特徵及/或空間包括在尺寸方面相似於產品特徵之較小結構。 與如在基板及圖案化器件上實現的目標之實體結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列及/或描述目標設計之功能資料之電腦程式，其描述設計用於基板之目標之方法、描述在基板上產生目標之方法、描述量測基板上之目標之方法及/或描述分析量測以獲得關於微影程序之資訊之方法。此電腦程式可執行於(例如)圖3之裝置中之單元PU及/或圖2之控制單元LACU內。亦可提供經儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。在屬於(例如)圖3所展示之類型之現有度量衡裝置已經在生產中及/或在使用中的情況下，可藉由提供經更新電腦程式產品來實施本發明之一實施例，該經更新電腦程式產品用於使處理器執行本文所描述之方法中之一或多者。程式可視情況經配置以控制光學系統、基板支撐件及其類似者，以執行量測關於合適複數個目標之微影程序之參數之方法。程式可更新微影及/或度量衡配方以用於另外基板之量測。程式可經配置以控制(直接或間接地)微影裝置以用於另外基板之圖案化及處理。 雖然本文中之實施例已聚焦於用以量測疊對之度量衡目標，但此處之描述亦可應用於(在適當時具有修改)(例如)使用對準標記進行之微影裝置中之基板及/或圖案化器件對準。因此，舉例而言，可運用對準感測器直接量測用於對準標記之結構不對稱性偏移K os ，且接著可使用對準堆疊之模型以判定K os 與歸因於結構不對稱性之對準之位置偏移X os 之間的比例因數。相似地，可判定用於對準量測之適當配方。 另外，已在本文中描述關於以繞射為基礎之度量衡之實施例，該以繞射為基礎之度量衡(例如)自來自繞射階之強度量測重疊週期性結構之相對位置。然而，本文中之實施例可應用於(在需要時具有適當修改)以影像為基礎之度量衡，該以影像為基礎之度量衡(例如)使用目標之高品質影像來量測自層1中之目標1至層2中之目標2之相對位置。通常此等目標為週期性結構或「盒」(盒中盒(BiB))。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 對特定實施例之前述描述揭露本發明之實施例之一般性質使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
11‧‧‧輸出
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧稜鏡
16‧‧‧接物鏡
17‧‧‧光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧影像感測器
31‧‧‧量測光點/經照明光點
32‧‧‧組件週期性結構
33‧‧‧組件週期性結構
34‧‧‧組件週期性結構
35‧‧‧組件週期性結構
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
600‧‧‧複合疊對目標
602‧‧‧特徵
604‧‧‧空間
606‧‧‧基板
608‧‧‧特徵
610‧‧‧空間
702‧‧‧曲線
704‧‧‧點
706‧‧‧點
712‧‧‧曲線
800‧‧‧第一延伸型操作範圍度量衡目標/第二延伸型操作範圍度量衡目標
802‧‧‧繞射子目標/第一子目標
804‧‧‧繞射子目標/第二子目標
806‧‧‧繞射子目標
808‧‧‧繞射子目標
810‧‧‧週期性結構
812‧‧‧週期性結構
820‧‧‧間隙
900‧‧‧第一延伸型操作範圍度量衡目標
902‧‧‧第二延伸型操作範圍度量衡目標
904‧‧‧第一層
906‧‧‧第二層
1000‧‧‧延伸型操作範圍度量衡目標
1002‧‧‧延伸型操作範圍度量衡目標
1004‧‧‧層
1006‧‧‧層
1008‧‧‧層
1010‧‧‧層
1100‧‧‧線
1102‧‧‧線
1200‧‧‧步驟
1210‧‧‧步驟
1220‧‧‧程序穩固性分析
1230‧‧‧步驟
1235‧‧‧步驟
1240‧‧‧不對稱性參數
1250‧‧‧光學量測之配方
1260‧‧‧步驟
1270‧‧‧程序相依比例因數偏移
1280‧‧‧步驟
1290‧‧‧步驟
1295‧‧‧步驟
1300‧‧‧設計佈局模組
1302‧‧‧圖案化器件佈局模組
1304‧‧‧圖案化器件模型模組
1306‧‧‧光學模型模組
1308‧‧‧抗蝕劑模型模組
1310‧‧‧程序模型模組
1312‧‧‧度量衡模組
1314‧‧‧結果模組
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
B1‧‧‧區塊
B2‧‧‧區塊
B3‧‧‧區塊
B4‧‧‧區塊
B5‧‧‧區塊
B6‧‧‧區塊
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
DF‧‧‧影像
D1‧‧‧步驟
D2‧‧‧步驟
D3‧‧‧步驟
D4‧‧‧步驟
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
L1‧‧‧底部層
L2‧‧‧層
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構/光罩台
M1‧‧‧步驟
M2‧‧‧步驟
M3‧‧‧步驟
M4‧‧‧步驟
M5‧‧‧步驟
M6‧‧‧步驟
O‧‧‧光軸/軸線
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
P1‧‧‧所關注區
P2‧‧‧所關注區
P3‧‧‧所關注區
P4‧‧‧所關注區
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧影像處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
ROI‧‧‧所關注區
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧度量衡目標
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置； 圖2描繪根據本發明之一實施例之微影製造單元或叢集； 圖3之(a)為用於使用提供某些照明模式之第一對照明孔徑來量測根據本發明之實施例之目標的暗場量測裝置之示意圖； 圖3之(b)為用於給定照明方向之目標之繞射光譜的示意性細節； 圖3之(c)為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式之第二對照明孔徑的示意性說明； 圖3之(d)為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時組合第一對孔徑與第二對孔徑之提供另外照明模式的第三對照明孔徑的示意性說明； 圖4描繪基板上之多重週期性結構(例如，多重光柵)目標之形式及量測光點之輪廓； 圖5描繪圖3之裝置中獲得的圖4之目標之影像； 圖6為展示使用圖3之裝置且可適於本發明之實施例之疊對量測方法之步驟的流程圖； 圖7之(a)至圖7之(d)展示具有為大約零之不同疊對值之疊對週期性結構(例如，光柵)的示意性橫截面； 圖8說明在理想目標結構中之疊對量測的原理； 圖9說明疊對量測之結構不對稱性對目標結構之疊對量測之效應； 圖10(A)為描繪針對兩種不同類型之結構不對稱性——側壁角結構不對稱性及間隔不平衡結構不對稱性之依據波長而變化的實例K os 值的曲線圖； 圖10(B)為側壁角結構不對稱性之示意性表示； 圖10(C)為間隔不平衡結構不對稱性之示意性表示； 圖11(A)為展示依據光學量測配方之波長而變化的ΔG · K os 之經模擬值(任意單位)的曲線圖； 圖11(B)為描繪依據光學量測配方之波長而變化的堆疊敏感度之實例值的曲線圖； 圖12描繪根據本發明之一實施例的說明判定結構不對稱性參數及應用該不對稱性參數之程序的流程圖； 圖13說明根據本發明之一實施例之延伸型操作範圍度量衡目標； 圖14說明根據本發明之一實施例的為了考量程序堆疊變化之延伸型操作範圍度量衡目標的使用； 圖15說明根據本發明之一實施例的用於多層疊對量測之延伸型操作範圍度量衡目標的使用； 圖16示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於設計度量衡目標之系統； 圖17描繪根據本發明之一實施例的說明設計度量衡目標之程序的流程圖；及 圖18描繪根據本發明之一實施例的說明一程序之流程圖，在該程序中度量衡目標用以監視效能，且用作用於控制度量衡之基礎。

Claims (30)

  1. 一種方法，其包含：自目標之經量測值判定該目標之一不對稱變形(asymmetric deformation)；執行該目標之光學量測之一模擬(simulation)以判定與該不對稱變形相關聯的一不對稱性參數之一值；及基於該目標之該不對稱變形之量測重新設計該目標或形成該目標。
  2. 如請求項1之方法，其中該不對稱性參數包含使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性之一位置偏移。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該不對稱性參數包含一比例因數，該比例因數將使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性之一位置偏移與使用該目標進行之量測之歸因於該不對稱性之一程序相依比例因數偏移相關。
  4. 如請求項1或2之方法，其中判定該目標之該不對稱變形包含：評估自該目標之量測判定之疊對之值，或自該目標之量測判定的歸因於該不對稱性的一程序相依比例因數偏移之值，該等值係依據該光學量測之一參數而變化。
  5. 如請求項4之方法，其中光學量測之該參數包含該光學量測之一量測光束之波長及/或偏振。
  6. 如請求項4之方法，其中評估該等經判定值包含：判定(i)該等經判定值或表示該等經判定值之一建構與(ii)依據該光學量測之該參數而變化的該疊對或程序相依比例因數偏移之值之一或多個指紋集合或表示該等指紋集合之值(the fingerprint sets of values)之一或多個指紋建構之間的一擬合，每一指紋集合或指紋建構表示一不同不對稱變形。
  7. 如請求項1或2之方法，其進一步包含：分析該不對稱性參數對與該目標相關聯之一目標形成參數之改變的一敏感度。
  8. 如請求項7之方法，其中分析該敏感度包含：針對該不對稱性參數對該目標形成參數之改變之該敏感度之一最小值判定該光學量測之一參數之一值。
  9. 如請求項8之方法，其中該光學量測之該參數包含該光學量測之一量測光束之波長及/或偏振。
  10. 如請求項7之方法，其中該分析包含執行關於該不對稱性參數對與該目標相關聯的該目標形成參數之改變之該敏感度的一模擬。
  11. 如請求項1或2之方法，其中該目標包含上覆週期性結構。
  12. 如請求項11之方法，其中執行該模擬包含：針對一經指定不對稱性模擬在設定為零之一橫向移位處的上覆週期性結構之該光學量測。
  13. 如請求項1或2之方法，其進一步包含：自該模擬判定使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性的一程序相依比例因數偏移之一值及使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性的一位置偏移之一值。
  14. 如請求項1或2之方法，其進一步包含：基於該不對稱性參數而校正自該目標之量測判定的該目標之一疊對或對準值。
  15. 一種方法，其包含：執行一目標之光學量測之一模擬以判定與自該目標之經量測值判定的該目標之一不對稱變形相關聯的一不對稱性參數之一值；分析該不對稱性參數對與該目標相關聯的一目標形成參數之改變之一敏感度(sensitivity)。
  16. 如請求項15之方法，其中該不對稱性參數包含一比例因數，該比例因數將使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性之一位置偏移與使用該目標進行之量測之歸因於該不對稱性之一程序相依比例因數偏移相關。
  17. 如請求項15或16之方法，其進一步包含：針對該不對稱性參數對該目標形成參數之改變之該敏感度之一最小值判定該光學量測之一參數之一值。
  18. 如請求項17之方法，其中該光學量測之該參數包含該光學量測之一量測光束之波長及/或偏振。
  19. 如請求項15或16之方法，其中該分析包含執行一模擬。
  20. 如請求項15或16之方法，其中該目標包含上覆週期性結構。
  21. 如請求項20之方法，其中執行該模擬包含：針對一經指定不對稱性模擬在設定為零之一橫向移位處的上覆週期性結構之該光學量測。
  22. 如請求項15或16之方法，其進一步包含：自該模擬判定用以判定使用該目標進行之一量測的歸因於該不對稱性之一程序相依比例因數偏移之一值及使用該目標進行之一量測之歸因於該不對稱性的一位置偏移之一值。
  23. 如請求項15或16之方法，其進一步包含：藉由評估自該目標之量測判定之疊對之值或自該目標之量測判定的歸因於該不對稱性的一程序相依比例因數偏移之值而判定該目標之該不對稱變形，該等值係依據該光學量測之一參數而變化。
  24. 如請求項15或16之方法，其進一步包含：基於該不對稱性參數而校正自該目標之量測判定的該目標之一疊對或對準值。
  25. 如請求項15或16之方法，其進一步包含：基於該目標之該不對稱變形之量測重新設計該目標或形成該目標。
  26. 一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用如請求項1至25中任一項之方法來評估至少一繞射量測目標(diffraction measurement target)；及根據該方法之結果而針對該等基板中之一或多者來控制該微影程序。
  27. 如請求項26之方法，其中使該至少一繞射量測目標作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上，且根據該方法之該結果而針對稍後基板來控制該微影程序。
  28. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器執行如請求項1至27中任一項之方法。
  29. 一種系統，其包含：一檢測裝置(inspection apparatus)，其經組態以將一光束提供於一基板上之一繞射量測目標上且偵測由該目標繞射之輻射以判定一微影程序之一參數；及如請求項28之非暫時性電腦程式產品。
  30. 如請求項29之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持一圖案化器件以調變一輻射光束；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變投影至一輻射敏感基板上。
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