JP2008177501A - 半導体装置の製造方法及び装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008177501A
JP2008177501A JP2007011784A JP2007011784A JP2008177501A JP 2008177501 A JP2008177501 A JP 2008177501A JP 2007011784 A JP2007011784 A JP 2007011784A JP 2007011784 A JP2007011784 A JP 2007011784A JP 2008177501 A JP2008177501 A JP 2008177501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
degree
closing
pressure control
rotary valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007011784A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4299863B2 (ja
Inventor
Kenji Yoneda
賢司 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Memory Japan Ltd
Original Assignee
Elpida Memory Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elpida Memory Inc filed Critical Elpida Memory Inc
Priority to JP2007011784A priority Critical patent/JP4299863B2/ja
Priority to US12/010,149 priority patent/US20080176412A1/en
Publication of JP2008177501A publication Critical patent/JP2008177501A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4299863B2 publication Critical patent/JP4299863B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】原子層成長（ＡＬＤ）法において、各ステップ毎にガスの流れを制御し高アスペクト構造での被覆性を向上させ、均質な成膜をウエハ全面及びシリンダー全体で得ることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、容量絶縁膜形成装置の反応室３１に複数の排気管６２〜６５を接続し、反応室内の真空度をモニターする真空計６０と、各排気管６２〜６５の真空度をモニターするための真空計６１ａ〜６１ｄと、各排気管毎に独立して排気量を調整するための圧力制御用回転式バルブ６６〜６９とを具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び装置に関し、更に詳しくは、原子層成長（以下、ＡＬＤと呼ぶ。ＡＬＤ: Atomic Layer Deposition）法を利用して、半導体装置内に容量絶縁膜を成膜する技術の改良に関する。
微細化技術の向上によりＤＲＡＭの高密度化が加速され、キャパシタに許容できる占有面積は減少している。一方、デバイス動作に必要な容量は維持する必要があり、世代が進むにつれて、シリンダ−を深くする等の構造（高アスペクト構造）が主流になっている。このような背景に対して従来のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法では、被覆性良く容量絶縁膜を形成することが困難になってきた。そこで近年、ＡＬＤ法による成膜が行われている。ＡＬＤ法は原子層毎に成膜する手法である。例えば非晶質酸化アルミニウム膜を成膜する場合には、図９に示す通り、アルミソースであるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を導入するステップ（ステップＢ）と、酸化剤であるオゾン（Ｏ３）を導入するステップ（ステップＥ）とを交互に行う。また、それぞれのガス導入ステップの間には、気相中で反応しないように、真空引きステップ（ステップＤ及びＧ）と、不活性ガス（アルゴン（Ａｒ）等）によるパージステップ（ステップＡ、Ｃ、Ｆ）とを行う。導入されたトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）は、半導体基板の表面に吸着した材料のみが酸化されるため、基板表面の吸着量を最適化することで、高アスペクト構造でも緻密で良質な容量絶縁膜を形成することが可能となる。
一方、半導体産業は価格変動が激しく、競合他社との競争に打ち勝つためには、製造コストの低減が不可欠である。このため、半導体基板の大口径化の流れが加速しているものの、半導体基板の大口径化に伴い、基板全面において一様に成膜することが困難になりつつある。特に、半導体基板全面のシリンダー底部にまで一様に成膜するために上記ＡＬＤ法を用いた場合には、シリンダー底部での気相反応物の表面吸着量を同一にする必要があり、充分過ぎるほど気相反応物を供給することで表面吸着量を飽和させるか、或いは、ガス供給が全面均一になるように制御して表面吸着量を飽和領域に達しない一定量にすることが必要である。
従来のＡＬＤ装置の一例を図１０に示す。図１０では、形成する容量絶縁膜が非晶質酸化アルミニウム膜であり、非晶質酸化アルミニウムを形成するためのアルミソースとしてトリメチルアルミニウムを（ＴＭＡ）、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）をそれぞれ用いる。トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ３）は独立した導入管３５及び３６から、シャワーヘッド３３を通って反応室（成膜室）３１内に導入される。また各々の導入管３５、３６には、配管内部及び反応室３１内を不活性ガスで置換できるように、アルゴン（Ａｒ）の導入管が接続されている。また未反応ガスや反応生成物を排出するために排気管３８が設けられ、この排気管３８は図示しない真空排気設備に接続されている。
排気管３８の途中には圧力制御用回転式バルブ３９が設置され、その開閉度を調節することで、反応室３１内の圧力は０．１３３〜１３．３Ｐａの間で調整できる。更に、反応室３１にはステージヒーター３４が設けられており、処理中の半導体基板３２はステージヒーター３４上に設置されることで成膜温度まで加熱される。成膜温度は、形成する容量絶縁膜の種類及び半導体基板の構造に合わせて、２５０〜５００℃の範囲で任意に選択できる。試料搬入口３７を通って反応室３１内に半導体基板３２が搬入された後、非晶質酸化アルミニウム膜の形成を開始する。成膜後の膜厚均一性は、真空度や成膜温度、ガス流量等を調整することで対応している。
特開昭６３−５６９１４号公報
ところで、上記ＡＬＤ処理の各ステップで供給されるガスの最適供給量が異なる場合には、ガスの流れる方向がステップ毎に異なるため、半導体基板全面で一様に成膜できない場合がある。また半導体基板表面の膜厚が均一であっても面内で膜質が異なる場合もある。更に、上述したように高アスペクト構造化が加速されている現状では、例えばシリンダー上部での膜厚、膜質は同等であっても、シリンダー底部まで充分にガスが供給されず被覆性が低下することなどが起こり得る。このような問題を解決するために、充分すぎるほどの供給飽和状態を用いる場合には、図９におけるステップＢ（又はＥ）の設定時間を数１０〜数１００秒、場合によってはそれ以上に設定する必要があり、装置処理能力を極端に低下させる。そのため、ガスの流れを全面均一になるよう制御し、供給飽和状態を用いずとも良質な膜が形成できる半導体製造装置が必要であるが、従来のＡＬＤ装置ではガスの流れを制御することは難しい。
一例として、従来のＡＬＤ装置の上面図と側面図を図１１に示す。図中矢印で示したのは、ステップＢ（又はＥ）での成膜中のガスの流れる方向であり、矢印の本数でガスの流量を示している。理想的には、反応室３１中央に排気管３８を設置し、反応室３１内部を真円にすることで、ガスは全方位均一に流れる。しかし、実際には反応室３１中央にはステージヒーター３４等、重要なユニットが存在し、排気管３８は反応室３１の中心から外れた位置に設置されることが多い。また反応室３１内部も真円とはならず様々な凹凸があるためにガスの流れに偏りが発生する。このような問題を改善するための一例として、図１２に示すように、遮蔽板５０を反応室３１に設置している装置もある。
遮蔽板５０には、反応室３１内でのガスの流れを調整するために孔径を変更した開口部が設けられ、ガスの流れを調整している。しかしながらこの構造はあくまで標準的な条件を用いた場合のみを想定しているため、標準条件から逸脱した条件を用いた場合には、やはりガスの流れに偏りが生じる。実際に遮蔽板５０が設置された装置にて標準条件（条件Ａ）で成膜した場合と、容量絶縁膜の膜質を最適にするため、標準条件から逸脱した条件（条件Ｂ）を用いた場合とについて、Ａｌ２Ｏ３膜における膜厚面内分布の傾向を測定した結果を図１３（ａ）及び（ｂ）に示す。標準条件（条件Ａ）では同心円状に膜厚が変化しており、ガスが全方位均一に流れていることがわかる。しかし膜質を重視した条件（条件Ｂ）を用いた場合には、ガスの流れの偏りを反映し膜厚が変化している。このように容量絶縁膜の膜質を向上するために最適なガス供給量に設定した場合には、面内分布の均一性が崩れることがあり、それを許容できない場合には、膜質を低下させても面内均一性を向上させる条件を適用しなければならない。
反応室内のガスの流れを均一化する技術としては、特許文献１に記載された半導体気相成長装置が知られている。該特許文献に記載の装置では、気相成長反応室に複数の排気管を設け、各排気管毎に排気量を調整するバルブを設けている。しかし、この特許文献に記載の半導体気相成長装置では、排気管に備える各バルブについての開閉度制御が成されていない。このため、この技術をＡＬＤ装置に適用すると、容量絶縁膜の膜質を向上するために最適なガス供給量に設定した場合などのように、所定の標準条件を逸脱した場合には、再度バルブの開閉度調整が不可欠である。このため、成膜の処理能力が低下する。
そこで、本発明の目的は、成膜における処理能力を低下させることなく、ＡＬＤ法を用いた成膜時に、各ステップ毎にガスの流れを制御し高アスペクト構造での被覆性を向上させ、均質な成膜をウエハ全面及びシリンダー全体で得ることができる半導体製造装置を提供することにある。
本発明の目的は、また、ＡＬＤ法において成膜時に、各ステップ毎にガスの流れを制御し、高アスペクト構造での被覆性を向上させ、均質な絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の半導体製造装置は、気相反応物を交互に反応室に送り、半導体基板上に原子層レベルで成膜を行う枚葉式原子層成長（ＡＬＤ）装置であって、
反応室内に配設され、前記半導体基板が設置されるステージと、
前記ステージの周辺に設けられ、排気量が個別に制御できる複数の排気管とを具備し、該排気管はそれぞれ、排気量を調整するためのバルブを備え、該バルブの開閉度が、該バルブの上流側に配置されて前記排気管内の真空度を計測する第１の真空計の計測値に依存して制御されることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、気相反応物を交互に反応室に送り、原子層レベルで成膜を順次に行う原子層成長（ＡＬＤ）を用いて、半導体基板上にキャパシタの容量絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法において、
上記本発明の半導体製造装置を用い、容量絶縁膜の形成時に気相反応物の流れる方向を制御することを特徴とする。
本発明の半導体製造装置及び方法によると、排気量が個別に制御できる複数の排気管によって反応室内のガスを排気することにより、標準条件を逸脱した場合にも、何れのステップにおいても、反応室内のガス流が制御できるので、半導体基板上に一様な厚みの容量絶縁膜の形成が可能になる。
本発明の半導体製造装置では、前記バルブが、圧力制御用回転式バルブであり、その開度が０度から９０度の範囲で任意の値に制御されてもよい。また、この前記圧力制御用回転式バルブの開閉度が、前記反応室内の真空度を計測する第２の真空計の計測値に更に依存して制御されてもよい。
前記第２の真空計の計測値が所定の設定値になるように制御され、且つ、各排気管に流れ込む排気量が同じになるように前記圧力制御用回転式バルブの開閉度が個別に制御されてもよい。この場合、バルブの開閉度制御が簡素化できる。
前記排気管はそれぞれ、排気量を調整するための圧力制御用回転式バルブと、前記圧力制御用回転式バルブをバイパスするバイパスラインとを具備してもよい。迅速な制御が可能になる。
前記バイパスラインは、アイソレーションバルブを具備しており、該アイソレーションバルブの開閉が、前記第２の真空計の計測値に依存して制御されてもよい。この場合、制御が単純化できる。
ＡＬＤの成膜に寄与するステップでは、前記アイソレーションバルブを閉じて圧力制御用回転式バルブにより気相反応物の流れを制御し、成膜に寄与しないステップでは、前記アイソレーションバルブを開放しバイパスラインを用いて排気してもよい。
前記アイソレーションバルブを開放しバイパスラインを用いて排気している間に圧力制御用回転式バルブの開閉度を次のステップの最適値に変更するよう制御してもよい。制御のスピードが向上する。
本発明の半導体装置の製造方法では、前記容量絶縁膜を形成するプロセス条件作成時に、ＡＬＤの各ステップで気相反応物の流れを均一にするため、圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順を実施してもよい。
また、前記圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で反応室に供給するガスは、実際の成膜に用いる気相反応物と同じであってもよい。正確な最適化が容易になる。
或いは、上記に代えて、前記圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で供給するガスは、半導体製造装置に接続されている任意のガスを用いてもよい。開閉度最適化手順が簡素化される。
また、前記容量絶縁膜形成時に圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で決定された開閉度最適値を、各ステップの開閉度設定パラメータとして使用し、各ステップの切り替わるタイミングに合わせて圧力制御用回転式バルブの開閉度を変更してもよい。
或いは、上記に代えて、前記容量絶縁膜形成時に、圧力制御用回転式バルブの開閉度を各ステップの切り替わるタイミングに合わせて、反応室に設置された真空計の計測値と、各排気管毎に設置された真空計の計測値とを用いて、開閉度を制御してもよい。
更には、前記容量絶縁膜形成時に、圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で決定された開閉度最適値を各ステップの開閉度設定パラメータとして使用し、各ステップの切り替わるタイミングに合わせて圧力制御用回転式バルブの開閉度を最適値まで変更した後、反応室に設置された真空計の計測値と各排気管毎に設置された真空計の計測値とを用いて、開閉度を制御してもよい。特に、正確な制御が可能になる。
前記容量絶縁膜形成時の圧力制御用回転式バルブの開閉度の変更は、容量絶縁膜の成膜に寄与しないステップで行ってもよい。或いは、容量絶縁膜の成膜に寄与しないステップの前後のステップで行ってもよい。この場合、前記容量絶縁膜形成時の成膜に寄与しないステップの圧力制御用回転式バルブの開閉度を完全解放に設定してもよい。
また、前記容量絶縁膜形成時の成膜に寄与しないステップの圧力制御用回転式バルブの開閉度を、次のステップのバルブ開閉度最適値に設定してもよい。この場合、制御が迅速になる。
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施の形態を以下に詳述する。なお、全図を通して、同様な要素には同様な符号を付して示している。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装置におけるＡＬＤ装置を示し、同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）は図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。本実施形態では、全ての成膜条件下においてガスの流れを全方位均一に制御できる容量絶縁膜形成が可能な半導体製造装置、特に枚様式原子層成長（ＡＬＤ）装置の構造、及び、その容量絶縁膜形成方法について述べる。
本実施形態におけるＡＬＤ装置は、同じ径の排気管を最低２つ以上（図１の例では４本）具備し、全ての排気管６２〜６５は、その内部に、排気圧力調節用の真空計６１ａ〜６１ｄと、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９とを備えている。排気管６２〜６５は、反応室３１内又は反応室３１外で、排気管３８に集約されて、図示しない真空排気設備に接続されている。このとき集約される排気管は、図に示すように１本でも良いし、或いは、複数本でもよい。また、各排気管６２〜６５が集約されずに、それぞれ単独で真空排気設備に接続されてもよい。
排気管６２〜６５の排気圧力は、各排気管に取り付けられている真空計６１ａ〜６１ｄの値が同一になるように、各圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度を調節することで制御される。このとき、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度は、０〜９０度の範囲で最適な値に設定される。例えば０度に設定されると、排気管は完全に閉塞した状態であり、９０度に設定されると、排気管は完全に開放した状態になる。図２は、図１のＡＬＤ装置の一部を模式的に示す系統図である。図２に示すように、反応室３１内の真空度は真空計６０でモニターされ、その計測値が制御装置７０に送られる。更に排気管６２の排気圧力をモニターする真空計６１ａの計測値も、同様に制御装置７０に送られる。制御装置７０は、真空計６０の計測値が予め定められた設定圧力になるように制御すると共に、真空計６１ａの計測値が他の排気管をモニターする真空計６１ｂ〜６１ｄの計測値と同じになるように、圧力制御用回転式バルブ６６の開閉度を調節する。図２では、排気管６２のみを図示しているが、他の排気管６３〜６５も、排気管６２と同様に制御装置７０を用いて制御している。
通常、ＡＬＤプロセスは、図９に示すタイミングチャートに従って処理が進められる。ステップＢ及びＥでは、ガスの流れが均一になるように制御することが重要である。一方、その他のステップでは、可能な限り速やかに反応室３１内に残留する未反応ガス又は反応生成物を排出することが重要であり、このときには、ガスの流れを制御する必要はない。また、ステップＢ及びＥでは、異なる材料を供給するため、最適なガスの流量が異なる。従って、複数の排気管を接続しても、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度を、全てのステップで同一に固定すると、ガスの流れを全方位均一にすることができない。つまり、各ステップ毎に最適バルブ開閉度に制御することが必要である。以下、同装置を用いた容量絶縁膜形成方法について詳述する。
第１の段階として、各ステップでのガスの流れを均一にするため、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度最適化を実施する。まず、容量絶縁膜の形成時に必要なパラメータ（成膜温度、反応室３１の真空度等）を設定した後に、ステップＢ（又はＥ）で供給されるガス流量の総量と同量のガスを反応室３１内に供給し、各配管の真空計６１ａ〜６１ｄの計測値が同じになるように、各排気管６２〜６５のバルブの開閉度を制御する。このとき、反応室３１に供給するガスは、実際の成膜に用いる気相反応物（ＴＭＡ又はＯ３）でもよく、或いは、アルゴンガス等の不活性ガスやＯ２等の、ＡＬＤ装置に接続されている任意のガスで実施することも可能である。
通常は、第１の段階ではアルゴンガス等の不活性ガスを用いる。また、反応室３１内の真空度は、反応室３１内をモニターする真空計６０の値が、予め設定された値になるように制御される。反応室３１内のガスの流れが均一になり、各排気管６２〜６５に取り付けられた真空計６１ａ〜６１ｄの計測値が同じになるバルブ開閉度を最適開閉度とする。図３にステップＢ及びＥの最適開閉度の一例を示す。同図（ａ）は、回転式バルブの状態を示し、また、同図（ｂ）はステップＢにおける最適開閉度を、同図（ｃ）はステップＥにおける最適開閉度を示す。図３に示す最適開閉度を決定した後に、その最適開閉度を、ステップＢ及びステップＥの圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度として、これらのステップに設定する。ガスの流れを制御しない他のステップでのバルブ開閉度は、可能な限り速やかに排気するために、完全開放に設定する。なお、完全開放の設定に代えて、次のステップの最適開閉度と同じにしても良い。
図４（ａ）は、本実施形態におけるＡＬＤプロセスのタイミングチャートの一例を示す。また、図４（ｂ）は、各ステップにおける圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度を示す。圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度変更には、約２秒程度の時間が必要であるが、開閉度変更は、成膜に影響を与えるステップＢ及びＥ以外のステップで実施するため、バルブ動作中のガスの流量が制御できない時間は、成膜特性に影響を与えない。図４（ｂ）の表中に、矢印で表記した部分はバルブ開閉動作状態を意味する。ステップＡ及びＤでは、そのステップ処理時間内の最後の２秒間でバルブ開閉度が変更される。また、ステップＣ及びＦでは、ステップ処理時間内の最初の２秒間で開閉度が変更される。なお、開閉度変更のタイミングは、成膜特性に影響を与えないステップＢ及びＥ以外の各ステップ中であれば、どの段階で実施しても構わない。
図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本実施形態におけるＡＬＤプロセスのタイミングチャートの別例、及び、その各ステップにおける圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度を示す。この例では、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度を変更することを目的としたステップ（ステップＡＡ、ＢＢ、ＤＤ、ＥＥ）を、対象とするステップの前後に追加している。先の例のように、第１の段階で最適開閉度を決定した後に、作成した成膜条件を用いて第２段階に移行し、面内均一性確認のため、半導体基板への成膜を行う。半導体基板への成膜時には、第１の段階で決定した最適開閉度の値となるように、ステップの切り替わりに同期して圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度が変更される。
なお、バルブ開閉度最適化の手順（第１の段階）を行わず、各ステップに切り替わる度に、各排気管６２〜６５に取り付けられた真空計６１ａ〜６１ｄの計測値と、反応室３１内を制御する真空計６０の計測値とを用いて、常時最適開閉度に制御することも可能である。この場合、例えば、特定の１つの圧力制御用回転式バルブの開度を固定し、他の圧力制御用回転式バルブを、各排気管の真空計の計測値に従って制御し、反応室の真空計の計測値が所望の圧力に制御できるか否かを調べる。所望の値に制御できれば、反応室の真空計の計測値が予め設定された値になるように前記特定の圧力制御用回転式バルブの開閉度を制御し、他の圧力制御用回転式バルブを、対応する真空計の計測値に従って制御する。
第１の段階を実施して得られた最適開閉度の値を基本にしながら、各排気管６２〜６５に取り付けられた真空計６１ａ〜６１ｄの計測値と反応室３１内を制御する真空計６０の計測値とを用いて、常時最適開閉度になるように微調整することも可能である。半導体基板への成膜後に膜厚や面内均一性を評価し、所望の結果が得られれば処理条件作成は完了する。また、得られた結果に問題があれば、真空度やガス流量等を変更した後に、第１の段階を再度実施し、変更後のパラメータに合わせた最適開閉度を設定する。
各排気管６２〜６５に取り付けられた真空計６１ａ〜６１ｄの計測値と反応室３１内を制御する真空計６０の計測値とを用いて、常時最適開放度に制御する場合には、各パラメータを変更して第２段階のみを実施する。上記第１及び第２段階を、所望の結果が得られるまで繰り返すことで、最終的に最適処理条件が確定する。ここで作成された処理条件を用いることで全方位均一にガスの流れを制御することが可能となる。
各ステップでのガスの流れを制御するために、具体的には枚葉式ＡＬＤ装置の反応室３１に複数の排気管を接続し、更に各排気管の排気量を調整するための真空計と圧力制御用回転式バルブ３９とを排気管毎に取り付ける。この圧力制御用回転式バルブ３９の開閉度は、各排気管に取り付けられた真空計の計測値が同じになるように、制御装置により制御され、その結果として反応室３１内のガスの流れは全方位均一にできる。
（第２の実施の形態）
図６（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置のＡＬＤ装置を示す上面図、及び、そのＢ−Ｂ線における断面を示す断面図である。複数の排気管６２〜６５が接続され、各排気管６２〜６５が排気量調節用の真空計６１ａ〜６１ｄと圧力制御用回転式バルブ６６〜６９とを具備している点は、第１の実施形態と同じである。本実施形態は、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９をバイパスするバイパスライン９０ａ〜９０ｄを具備する点において、第１の実施形態と異なる。このバイパスライン９０ａ〜９０ｄには、アイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄが取り付けられており、このバルブを開閉することで圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の完全開放と同等の効果が得られる。
図６（ｂ）の図面上では、排気管６２にのみバイパスライン９０ａが付属する旨が示されているが、実際には接続されている全ての排気管６２〜６５にバイパスライン９０ａ〜９０ｄが付属している。また、アイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄは、図面上ではバイパスライン９０ａ〜９０ｄの上流部入口付近に図示されているが、バイパスライン９０ａ〜９０ｄのどの部分に存在してもよく、或いは、複数設置することも可能である。図７は、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９及びバイパスライン９０ａ〜９０ｄに付属するアイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄの制御を示し、同図（ａ）はステップＢ（又はＥ）を、同図（ｂ）はステップＢ及びＥ以外を示す。具体的には、バイパスライン９０ａ〜９０ｄに付属するアイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄは、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の制御装置７０で制御され、ガスの流れを制御する必要がない各ステップ（ステップＡ、Ｃ、Ｄ、Ｆ、Ｇ）において、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９を制御する代わりにアイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄの開閉を制御する。
図８（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態におけるＡＬＤプロセスのタイミングチャート、及び、その各ステップにおけるバルブの開閉状態を示す表である。アイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄの開閉に必要な時間は１秒弱であり、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９の開閉度調整時間と比べて速く、開放にした後はバイパスライン９０ａ〜９０ｄ側の抵抗が小さいため、ガスはバイパスライン９０ａ〜９０ｄを通って排気される。バイパスライン９０ａ〜９０ｄのアイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄが開放されている間に、圧力制御用回転式バルブ６６〜６９は次のステップの最適開放度に調整され、アイソレーションバルブ９１ａ〜９１ｄを閉じることで、直ぐに次のステップの最適状態に移ることが可能となる。容量絶縁膜形成方法は第１の実施形態で示したものと同じである。
上記実施形態の半導体製造装置のＡＬＤプロセスでは、以下の効果が得られる。
（１） ＡＬＤ法を用いた成膜において、各ステップ毎にガスの流れを制御できるため、半導体基板全面に気相反応物を一様に供給することが可能になる。
（２） 上記（１）の効果により、気相反応物を排気する場合の排気速度が向上するため、半導体製造装置の処理能力が向上する。
（３） 上記（１）の効果により、容量絶縁膜の膜質が最適になる条件を用いることが可能になり、半導体装置（ＤＲＡＭなど）の性能が向上する。
（４） 上記（１）の効果により、容量絶縁膜の特性が面内で一様となり、半導体装置（ＤＲＡＭなど）の生産性が向上する。
本発明は、半導体装置を製造する際に使用する枚葉式ＡＬＤ装置に適用され、これによってＤＲＡＭやＤＲＡＭを含む混載ＬＳＩが製造できる。
本発明の第１の実施形態に係るＡＬＤ装置の上面図と断面図。 第１の実施形態における圧力制御用回転式バルブの制御を示す系統図。 （ａ）は、第１の実施形態におけるステップＢ（又はＥ）における圧力制御用回転式バルブの開閉度の設定を示す側面図、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、ステップＢ及びＥの最適開閉度の設定を示す表。 （ａ）は第１の実施形態におけるＡＬＤプロセスのタイミングチャート、（ｂ）はそのときの圧力制御用回転式バルブの開閉度を示す表。 （ａ）は第１の実施形態の変形例におけるＡＬＤ法のタイミングチャート、（ｂ）そのときの圧力制御用回転式バルブの開閉度を示す表。 第２の実施形態に係るＡＬＤ装置の上面図及び断面図。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第２の実施形態におけるステップＢ（又はＥ）、及び、ステップＢ・Ｅ以外における圧力制御用回転式バルブの開閉度の設定を示す側面図。 （ａ）は第２の実施形態におけるＡＬＤプロセスのタイミングチャート、（ｂ）はそのときの圧力制御用回転式バルブの開閉度を示す表。 第２の実施形態の変形例におけるＡＬＤ法のタイミングチャート。 従来のＡＬＤ装置の斜視図。 従来のＡＬＤ装置の上面図及び断面図。 遮蔽板を有する従来のＡＬＤ装置の上面図及び断面図。 Ａｌ２Ｏ３膜の膜厚の面内分布を示す線図。
符号の説明
３１：反応室
３２：半導体基板
３３：シャワーヘッド
３４：ステージヒーター
３５：トリメチルアルミニウム導入管
３６：オゾン導入管
３７：試料搬入口
３８：排気管
３９：圧力制御用回転式バルブ
５０：遮蔽板
６０：反応室用真空計
６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ：排気管モニター用真空計
６２，６３，６４，６５：排気管
６６，６７，６８，６９：圧力制御用回転式バルブ
７０：制御装置
９０ａ，９０ｂ，９０ｃ，９０ｄ：バイパスライン
９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ：アイソレーションバルブ

Claims (19)

  1. 気相反応物を交互に反応室に送り、半導体基板上に原子層レベルで成膜を行う枚葉式原子層成長（ＡＬＤ）装置であって、
    反応室内に配設され、前記半導体基板が設置されるステージと、
    前記ステージの周辺に設けられ、排気量が個別に制御できる複数の排気管とを具備し、該排気管はそれぞれ、排気量を調整するためのバルブを備え、該バルブの開閉度が、該バルブの上流側に配置されて前記排気管内の真空度を計測する第１の真空計の計測値に依存して制御されることを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記バルブが、圧力制御用回転式バルブであり、その開度が０度から９０度の範囲で任意の値に制御されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 前記圧力制御用回転式バルブの開閉度が、前記反応室内の真空度を計測する第２の真空計の計測値に更に依存して制御されることを特徴とする、請求項２に記載の半導体製造装置。
  4. 前記第２の真空計の計測値が所定の設定値になるように制御され、且つ、各排気管に流れ込む排気量が同じになるように前記圧力制御用回転式バルブの開閉度が個別に制御されることを特徴とする、請求項３に記載の半導体製造装置。
  5. 前記排気管にはそれぞれ、前記圧力制御用回転式バルブをバイパスするバイパスラインが付属することを特徴とする、請求項４に記載の半導体製造装置。
  6. 前記バイパスラインは、アイソレーションバルブを具備しており、該アイソレーションバルブの開閉が、前記第２の真空計の計測値に依存して制御されることを特徴とする、請求項５に記載の半導体製造装置。
  7. ＡＬＤの成膜に寄与するステップでは、前記アイソレーションバルブを閉じて圧力制御用回転式バルブにより気相反応物の流れを制御し、成膜に寄与しないステップでは、前記アイソレーションバルブを開放しバイパスラインを用いて排気することを特徴とする、請求項６に記載の半導体製造装置。
  8. 前記アイソレーションバルブを開放しバイパスラインを用いて排気している間に、圧力制御用回転式バルブの開閉度を次のステップの最適値に変更するよう制御することを特徴とする、請求項７に記載の半導体製造装置。
  9. 気相反応物を交互に反応室に送り、原子層レベルで成膜を順次に行う原子層成長（ＡＬＤ）を用いて、半導体基板上にキャパシタの容量絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法において、
    請求項２〜８の何れか一に記載の半導体製造装置を用い、容量絶縁膜の形成時に気相反応物の流れる方向を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 前記容量絶縁膜を形成するプロセス条件作成時に、ＡＬＤの各ステップで気相反応物の流れを均一にするため、圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順を実施することを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で反応室に供給するガスは、実際の成膜に用いる気相反応物と同じであることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で反応室に供給するガスは、半導体製造装置に接続されている任意のガスを用いることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記容量絶縁膜形成時に、圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で決定された開閉度最適値を、各ステップの開閉度設定パラメータとして使用し、各ステップの切り替わるタイミングに合わせて圧力制御用回転式バルブの開閉度を変更することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 前記容量絶縁膜形成時に、圧力制御用回転式バルブの開閉度を各ステップの切り替わるタイミングに合わせて、反応室に設置された真空計の計測値と、各排気管毎に設置された真空計の計測値とを用いて、開閉度を制御することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 前記容量絶縁膜形成時に、圧力制御用回転式バルブの開閉度最適化の手順で決定された開閉度最適値を各ステップの開閉度設定パラメータとして使用し、各ステップの切り替わるタイミングに合わせて圧力制御用回転式バルブの開閉度を最適値まで変更した後、反応室に設置された真空計の計測値と各排気管毎に設置された真空計の計測値とを用いて、開閉度を制御することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 前記容量絶縁膜形成時の圧力制御用回転式バルブの開閉度の変更は、容量絶縁膜の成膜に寄与しないステップで行うことを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 前記容量絶縁膜形成時の圧力制御用回転式バルブの開閉度の変更は、容量絶縁膜の成膜に寄与しないステップの前後のステップで行うことを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 前記容量絶縁膜形成時の成膜に寄与しないステップの圧力制御用回転式バルブの開閉度を完全解放に設定することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  19. 前記容量絶縁膜形成時の成膜に寄与しないステップの圧力制御用回転式バルブの開閉度を、次のステップのバルブ開閉度最適値に設定することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
JP2007011784A 2007-01-22 2007-01-22 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4299863B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007011784A JP4299863B2 (ja) 2007-01-22 2007-01-22 半導体装置の製造方法
US12/010,149 US20080176412A1 (en) 2007-01-22 2008-01-22 Atomic layer deposition system including a plurality of exhaust tubes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007011784A JP4299863B2 (ja) 2007-01-22 2007-01-22 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008177501A true JP2008177501A (ja) 2008-07-31
JP4299863B2 JP4299863B2 (ja) 2009-07-22

Family

ID=39641682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007011784A Expired - Fee Related JP4299863B2 (ja) 2007-01-22 2007-01-22 半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080176412A1 (ja)
JP (1) JP4299863B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011166101A (ja) * 2010-01-15 2011-08-25 Ckd Corp 真空制御システムおよび真空制御方法
JP2011248916A (ja) * 2010-01-15 2011-12-08 Ckd Corp 真空制御システムおよび真空制御方法
KR101281944B1 (ko) * 2010-01-15 2013-07-03 시케이디 가부시키가이샤 진공 제어 시스템 및 진공 제어 방법
KR101312461B1 (ko) 2009-07-22 2013-09-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 처리용의 배치 ｃｖｄ 방법과 장치 및, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP5391190B2 (ja) * 2008-03-26 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理チャンバの排気ガス流量の制御方法及び処理装置
JP2014194966A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
JP2014527286A (ja) * 2011-07-15 2014-10-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド モデルベースの制御を使用して基板を処理するための方法および装置
WO2015050172A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 Ｊｓｗアフティ株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP2015151564A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 東洋製罐グループホールディングス株式会社 原子層堆積成膜装置
JP2016505711A (ja) * 2012-11-30 2016-02-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 処理チャンバガス流装置、システム、及び方法

Families Citing this family (381)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9064740B2 (en) * 2011-04-20 2015-06-23 Koninklijke Philips N.V. Measurement device and method for vapour deposition applications
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US20140311581A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Pressure controller configuration for semiconductor processing applications
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
TWI552203B (zh) * 2013-12-27 2016-10-01 Hitachi Int Electric Inc A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a computer-readable recording medium
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
JP2016148080A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
WO2017066252A1 (en) * 2015-10-13 2017-04-20 Hyperloop Technologies, Inc. Adjustable variable atmospheric condition testing apparatus and method
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US20170207102A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10950500B2 (en) 2017-05-05 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for filling a feature disposed in a substrate
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
US20210404059A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Processing system and method of controlling conductance in a processing system
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
JP7450494B2 (ja) * 2020-08-18 2024-03-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置のガス切り替え方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806211B2 (en) * 2000-08-11 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Device and method for processing substrate
TW200408015A (en) * 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high K metal silicates
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
JP4727266B2 (ja) * 2005-03-22 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および記録媒体

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5391190B2 (ja) * 2008-03-26 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理チャンバの排気ガス流量の制御方法及び処理装置
KR101312461B1 (ko) 2009-07-22 2013-09-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 처리용의 배치 ｃｖｄ 방법과 장치 및, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR101281944B1 (ko) * 2010-01-15 2013-07-03 시케이디 가부시키가이샤 진공 제어 시스템 및 진공 제어 방법
JP2011166101A (ja) * 2010-01-15 2011-08-25 Ckd Corp 真空制御システムおよび真空制御方法
US8210196B2 (en) 2010-01-15 2012-07-03 Ckd Corporation Vacuum control system and vacuum control method
US8573560B2 (en) 2010-01-15 2013-11-05 Ckd Corporation Vacuum control valve and vacuum control system
JP2011248916A (ja) * 2010-01-15 2011-12-08 Ckd Corp 真空制御システムおよび真空制御方法
JP2014527286A (ja) * 2011-07-15 2014-10-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド モデルベースの制御を使用して基板を処理するための方法および装置
JP2016505711A (ja) * 2012-11-30 2016-02-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 処理チャンバガス流装置、システム、及び方法
JP2014194966A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
WO2015050172A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 Ｊｓｗアフティ株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP2015073019A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 Ｊｓｗアフティ株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
TWI661078B (zh) * 2013-10-03 2019-06-01 Ｊｓｗ Ａｆｔｙ股份有限公司 原子層沈積裝置及原子層沈積方法
JP2015151564A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 東洋製罐グループホールディングス株式会社 原子層堆積成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4299863B2 (ja) 2009-07-22
US20080176412A1 (en) 2008-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4299863B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230040728A1 (en) Substrate processing method and apparatus
JP7170386B2 (ja) 堆積期間にわたる基板温度を変化させることによる界面反応の抑制
KR20060021940A (ko) 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치
KR101991574B1 (ko) 성막 장치, 및 그것에 이용하는 가스 토출 부재
TWI819018B (zh) 氣體供給系統、電漿處理裝置及氣體供給系統之控制方法
JP6426893B2 (ja) コンタクト層の形成方法
TW201921607A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板裝填方法及記錄媒體
US9257278B2 (en) Method for forming TiN and storage medium
WO2006101129A1 (ja) 基板処理方法、成膜方法、成膜装置及びコンピュータプログラム
US20240003010A1 (en) Backside deposition and local stress modulation for wafer bow compensation
KR101759769B1 (ko) Ｔｉ막의 성막 방법
US9922820B2 (en) Film forming method and film forming apparatus
JP6755164B2 (ja) ＴｉＮ系膜およびその形成方法
JP6807275B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP2001257164A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び圧力制御方法
JP6988629B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
WO2016120957A1 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
KR20180054448A (ko) 성막 장치
KR102324965B1 (ko) 성막 장치
JP2005142355A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20200032395A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
TW201907046A (zh) 成膜方法及成膜裝置
KR102167237B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 제어방법
JPH01137621A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080513

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090330

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees