TWI661078B - 原子層沈積裝置及原子層沈積方法 - Google Patents

原子層沈積裝置及原子層沈積方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI661078B
TWI661078B TW103134329A TW103134329A TWI661078B TW I661078 B TWI661078 B TW I661078B TW 103134329 A TW103134329 A TW 103134329A TW 103134329 A TW103134329 A TW 103134329A TW I661078 B TWI661078 B TW I661078B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
film
exhaust
substrate
raw material
Prior art date
Application number
TW103134329A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201525180A (zh
Inventor
鷲尾圭亮
Original Assignee
Ｊｓｗ Ａｆｔｙ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｊｓｗ Ａｆｔｙ股份有限公司 filed Critical Ｊｓｗ Ａｆｔｙ股份有限公司
Publication of TW201525180A publication Critical patent/TW201525180A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI661078B publication Critical patent/TWI661078B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本發明提供一種在基板的整個區域內均勻地控制膜厚的原子層沈積裝置。本發明的原子層沈積裝置是在基板上形成薄膜，原子層沈積裝置包括：成膜容器，在內部配置有基板，並且相互隔開間隔且與基板的形成薄膜的面平行地排列設置有多個排氣口，多個排氣口用於排出內部的氣體；原料氣體供給部，將薄膜的原料氣體供給至成膜容器內；反應氣體供給部，將反應氣體供給至成膜容器內，反應氣體用於與吸附於基板上的原料氣體的成分進行反應而形成薄膜；排氣閥，與各排氣口連接；以及控制部，藉由對多個排氣閥進行控制而對來自各排氣口的排氣量進行控制。

Description

原子層沈積裝置及原子層沈積方法
本發明是有關於一種在基板上形成薄膜的原子層沈積裝置及原子層沈積方法。
作為段差覆蓋性優異而均勻地形成薄膜的技術，已知有原子層沈積法(Atomic Layer Deposition，ALD)。在ALD法中，是將以構成欲形成的薄膜的元素為主成分的2種氣體(原料氣體及反應氣體)交替地供給至基板上，在基板上以原子層為單位形成薄膜。在ALD法中，是使用表面反應的自停止作用。所謂表面反應的自停止作用，是指如下作用：在供給原料氣體的期間，僅一層或數層的原料氣體吸附於基板表面，剩餘的原料氣體不幫助成膜。因此，藉由利用ALD法以原子層為單位反覆地在基板上形成薄膜，可形成所需膜厚的薄膜。
與一般的化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法相比，ALD法的段差覆蓋性及膜厚控制性優異。因此，ALD法被用於記憶體元件的電容器或被稱為「high-k閘極」的絕緣膜的形成。
又，在ALD法中，可利用300℃以下的溫度形成絕緣膜。因此，在如液晶顯示器等般使用玻璃基板的顯示裝置中，使用ALD法來形成薄膜電晶體的閘極絕緣膜。
在ALD法中，是以脈衝方式將供給原料氣體的閥打開，噴出至處於減壓環境下的成膜容器內。當使用液體原料時，藉由氣化器而使液體原料氣體化。利用所述原料氣體來形成薄膜。
在氣體供給困難的原子層沈積裝置或需要大量的原料供給的原子層沈積裝置中，為了對將原料供給至成膜容器的供給量進行控制，有液體注入閥(liquid injection valve)供給法。在所述方法中，是打開液體注入閥固定時間而將液體原料供給至成膜容器，液體原料在噴射器(injector)內進行氣化而成為原料氣體(專利文獻1)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-167317號公報
然而，在現有的成膜容器中，排出原料氣體或反應氣體的排氣口是與基板的形成薄膜的面平行地延伸而設置，但排氣量存在越靠近排氣口的中央部越多，越靠近兩端部越少的傾向。因此，越靠近排氣口的中央部，原料氣體的流量越多，越靠近排氣口的兩端部，原料氣體的流量越少。因此，無法在基板的整個區 域內使原料氣體的流量變得均勻，在與排氣口的中央部靠近的基板的區域內膜厚變薄，從而難以使膜厚變得均勻。
本發明的目的在於在基板的整個區域內均勻地控制膜厚。
為了解決所述問題，本發明的第1實施方式是一種原子層沈積裝置，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積裝置的特徵在於包括：成膜容器，在內部配置有基板，並且相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設置有排出內部氣體的多個排氣口；原料氣體供給部，將所述薄膜的原料氣體供給至所述成膜容器內；反應氣體供給部，將反應氣體供給至所述成膜容器內，所述反應氣體用於與吸附於所述基板上的原料氣體的成分進行反應而形成所述薄膜；排氣閥，與所述各排氣口連接；以及控制部，藉由對所述多個排氣閥進行控制而對來自所述各排氣口的排氣量進行控制。
較佳為，所述原子層沈積裝置更包括：膜厚測量裝置，對成膜後的薄膜的膜厚分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜厚測量裝置的測量結果，對來自所述各排氣閥的排氣量進行控制。
較佳為，所述原子層沈積裝置更包括：膜質測量裝置，對成膜後的薄膜的膜質分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜質測量裝置的測量結果，對來自所述各排氣閥的排氣量進行控制。
較佳為，在所述成膜容器中，相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設置有多個供給口，所述多個供給口用於將所述原料氣體及所述反應氣體供給至所述成膜容器內，所述原料氣體供給部包括對供給至所述各供給口的原料氣體的供給量進行調節的多個原料氣體閥，所述反應氣體供給部包括對供給至所述各供給口的反應氣體的供給量進行調節的多個反應氣體閥，所述控制部藉由對所述多個原料氣體閥及反應氣體閥進行控制，而對來自所述多個供給口的原料氣體及反應氣體的供給量進行控制。
較佳為，更包括：膜厚測量裝置，對成膜後的薄膜的膜厚分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜厚測量裝置的測量結果，對來自所述各原料氣體閥的原料氣體的供給量及來自所述各反應氣體閥的反應氣體的供給量進行控制。
較佳為，更包括：膜質測量裝置，對成膜後的薄膜的膜質分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜質測量裝置的測量結果，對來自所述 各原料氣體閥的原料氣體的供給量及來自所述各反應氣體閥的反應氣體的供給量進行控制。
較佳為，更包括：沖洗氣體供給部，將沖洗氣體(purge gas)供給至所述各供給口，所述沖洗氣體用於將原料氣體或反應氣體自所述成膜容器內加以排出；且所述沖洗氣體供給部包括對供給至所述各供給口的沖洗氣體的供給量進行調節的多個沖洗氣體閥，所述控制部藉由對所述多個沖洗氣體閥進行控制而對所述原料氣體或所述反應氣體在所述成膜容器內的滯留時間進行控制。
較佳為，更包括：膜厚測量裝置，對成膜後的薄膜的膜厚分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜厚測量裝置的測量結果，對來自所述各沖洗氣體閥的沖洗氣體的供給量進行控制。
較佳為，更包括：膜質測量裝置，對成膜後的薄膜的膜質分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜質測量裝置的測量結果，對來自所述各沖洗氣體閥的沖洗氣體的供給量進行控制。
本發明的第2實施方式是一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體供給至成膜容器，並且自多個排氣口排出所述原料氣體，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個排氣口是相互隔開間隔且與所述基板的形成 薄膜的面平行地排列而設置於所述成膜容器內；將反應氣體供給至所述成膜容器，並且自所述多個排氣口排出所述反應氣體，所述反應氣體用於與吸附於所述基板上的原料氣體的成分進行反應而形成所述薄膜；對形成於所述基板上的薄膜的厚度在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的厚度，對來自所述多個排氣口的排氣量進行調節。
本發明的第3實施方式是一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體供給至成膜容器，並且自多個排氣口排出所述原料氣體，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個排氣口是相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設置於所述成膜容器內；將反應氣體供給至所述成膜容器，並且自所述多個排氣口排出所述反應氣體，所述反應氣體用於與吸附於所述基板上的原料氣體的成分進行反應而形成所述薄膜；對形成於所述基板上的薄膜的膜質在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的膜質，對來自所述多個排氣口的排氣量進行調節。
本發明的第4實施方式是一種原子層沈積方法，在基板 上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自多個供給口供給至成膜容器，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設置；將反應氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述反應氣體用於與所述原料氣體進行反應而形成所述薄膜；對形成於所述基板上的薄膜的厚度在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的厚度，對來自所述多個供給口的所述原料氣體及所述反應氣體的供給量進行調節。
本發明的第5實施方式是一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自多個供給口供給至成膜容器，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設置；將反應氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述反應氣體用於與所述原料氣體進行反應而形成所述薄膜；對形成於所述基板上的薄膜的膜質在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的膜質，對來自所述多個供給口的所述 原料氣體及所述反應氣體的供給量進行調節。
本發明的第6實施方式是一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自多個供給口供給至成膜容器，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設置；將沖洗氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述原料氣體自所述成膜容器內加以排出；將反應氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述反應氣體用於與所述原料氣體進行反應而形成所述薄膜；將沖洗氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述反應氣體自所述成膜容器內加以排出；對形成於所述基板上的薄膜的厚度在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的厚度，對來自所述多個供給口的所述沖洗氣體的供給量進行調節。
本發明的第7實施方式是一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自多個供給口供給至成膜容器，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與所述基板的形成薄膜的面平行地排列而設 置；將沖洗氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述原料氣體自所述成膜容器內加以排出；將反應氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述反應氣體用於與所述原料氣體進行反應而形成所述薄膜；將沖洗氣體自所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述反應氣體自所述成膜容器內加以排出；對形成於所述基板上的薄膜的膜質在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的膜質，對來自所述多個供給口的所述沖洗氣體的供給量進行調節。
根據本發明的原子層沈積裝置及原子層沈積方法，藉由將多個排氣口沿水平方向分散地設置於成膜容器內，並且對自各排氣口排出的原料氣體及反應氣體的流量進行控制，可在基板的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。藉此，可在基板的整個區域內均勻地控制膜厚。
10A、10B‧‧‧原子層沈積裝置
20‧‧‧成膜容器
30‧‧‧真空室
32‧‧‧支撐部
34‧‧‧加熱器
36‧‧‧上側電極
38‧‧‧下側電極
40‧‧‧排氣部
42‧‧‧排氣管
42a、42b、42c、42d‧‧‧排氣口
44‧‧‧頂升銷
46‧‧‧升降機構
50‧‧‧高頻電源
52‧‧‧控制部
54、54A、54B、54C、54D‧‧‧排氣閥
56‧‧‧膜厚測量裝置
57‧‧‧膜質測量裝置
60‧‧‧噴射器
60A、60B、60C、60D‧‧‧噴射器
62‧‧‧原料氣體供給口
64‧‧‧反應氣體供給口
66‧‧‧沖洗氣體供給口
70‧‧‧原料氣體供給部
71‧‧‧氣化器
72‧‧‧液體原料儲存部
74‧‧‧液壓計
76‧‧‧加壓部
78‧‧‧原料氣體閥
78A、78B、78C、78D‧‧‧原料氣體閥
80‧‧‧反應氣體供給部
82‧‧‧反應氣體儲存部
84、84A、84B、84C、84D‧‧‧反應氣體閥
90‧‧‧沖洗氣體供給部
92‧‧‧沖洗氣體儲存部
94、94A、94B、94C、94D‧‧‧沖洗氣體閥
102‧‧‧吸附層
104‧‧‧薄膜層
110‧‧‧原料氣體
112‧‧‧沖洗氣體
114‧‧‧反應氣體
S‧‧‧基板
S101~S105‧‧‧步驟
III‧‧‧箭頭
VII‧‧‧箭頭
圖1是表示實施形態的原子層沈積裝置的一例的概略圖。
圖2是表示原子層沈積裝置的一例的俯視圖。
圖3是圖2的ＩＩＩ箭視圖。
圖4是表示實施形態的原子層沈積方法的一例的流程圖。
圖5(a)~(d)是表示在基板上形成薄膜的步驟的圖。
圖6是表示原子層沈積裝置的一例的俯視圖。
圖7是圖6的VII箭視圖。
<實施形態>
(原子層沈積裝置的構成)
首先，參照圖1，對本實施形態的原子層沈積裝置的構成進行說明。圖1是表示本實施形態的原子層沈積裝置10A的一例的概略構成圖，圖2是原子層沈積裝置10A的俯視圖。本實施形態的原子層沈積裝置10A交替地供給原料氣體與反應氣體，在基板S上以原子層為單位形成薄膜。此時，為了提高反應活性，亦可使電漿產生。在本實施形態中，是使用平行平板電極來產生電漿，但並不限於所述方式。特別是在本實施形態中，是利用在常溫及常壓下為液體的原料形成薄膜。
本實施形態的原子層沈積裝置10A包括成膜容器20、排氣部40、高頻電源50、控制部52、原料氣體供給部70、反應氣體供給部80及沖洗氣體供給部90。
成膜容器20包括真空室30及噴射器60。
首先，對真空室30進行說明。真空室30包括支撐部32、上側電極36及下側電極38。在支撐部32的上表面上設置有下側電極38。此處，下側電極38為接地。基板S是自真空室30的下方 由貫通支撐部32的頂升銷(lift pin)44所支撐。頂升銷44可藉由升降機構46而沿上下方向進行升降，在頂升銷44支撐著基板S的狀態下升降機構46使頂升銷44向下移動，藉此將基板S載置於下側電極38上。
又，在支撐部32的內部設置有加熱器34，可藉由加熱器34來對基板S的溫度進行調整。例如，在電漿ALD的情況下，將基板S加熱至50℃~200℃。
上側電極36設置於基板S的上方，與高頻電源50連接。藉由高頻電源50供給規定頻率的高頻電流，而在上側電極36與下側電極38之間生成電漿。
又，高頻電源50與控制部52連接。高頻電源50將高頻電流供給至上側電極36的時序是藉由控制部52來控制。
在控制部52上，連接有膜厚測量裝置56及膜質測量裝置57。
膜厚測量裝置56對形成於基板S上的薄膜的厚度進行測量，並將測量資訊輸入至控制部52。膜厚的測量例如可藉由反射率光譜法(光干涉法(optical interferometry))等，而在基板的外周部的4個點及中央部的1個點上進行。
膜質測量裝置57對形成於基板S上的薄膜的膜質進行測量，並將測量資訊輸入至控制部52。膜質的測量是藉由在基板的外周部的4個點及中央部的1個點上，例如對薄膜的折射率進行測量來進行。例如，只要折射率高，即可評估為緻密的薄膜。
再者，在本實施形態中，是將膜厚測量裝置56設置於真空室30的外部，成膜後，對自真空室30取出的基板S上的薄膜的厚度進行測量。又，亦可將膜厚測量裝置56設置於真空室30的內部，對在真空室30內的基板S上成膜的薄膜的厚度進行測量。
控制部52生成控制訊號，並將控制訊號供給至原料氣體閥78、反應氣體閥84、排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D及沖洗氣體閥94。
其次，對噴射器60進行說明。噴射器60將原料氣體及反應氣體供給至真空室30內。圖3是自箭頭III方向觀察圖2的噴射器60的正面圖。在噴射器60上，如圖3所示，形成有在水平方向(與圖1的紙面垂直的方向)上為細長的原料氣體供給口62、在水平方向上為細長的反應氣體供給口64、以及在水平方向為細長的沖洗氣體供給口66。自原料氣體供給部70供給的原料氣體經由原料氣體供給口62而供給至成膜容器20的內部。又，自反應氣體供給部80供給的反應氣體經由反應氣體供給口64而供給至成膜容器20的內部。又，自沖洗氣體供給部90供給的沖洗氣體經由沖洗氣體供給口66而供給至成膜容器20的內部。
排氣部40將經由排氣管42而供給至成膜容器20(真空室30)內的原料氣體、反應氣體及沖洗氣體加以排出。排氣部40例如為乾式泵(dry pump)。
排氣管42與設置於真空室30內的多個排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d連接。排氣管42既可進行分支，亦 可在各排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d上分別設置排氣管42及排氣部40。
多個排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d在真空室30的與噴射器60為相反側的端部沿水平方向隔開間隔而排列成直線狀。在排氣管42的排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d側的端部，分別設置有排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D(參照圖2)。再者，在圖1中，利用1個符號54來表示排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D。
排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開合度及開合的時序分別是藉由控制部52來控制。藉由排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D根據控制部52的控制訊號以規定的開度打開，而將真空室30內的氣體經由排氣管42藉由排氣部40而排出。
藉由排氣部40對真空室30內進行排氣，即使將原料氣體、反應氣體、沖洗氣體供給至真空室30內，真空室30內的真空度亦維持在10Pa~100Pa左右。
其次，對原料氣體供給部70進行說明。原料氣體供給部70包括氣化器71、液體原料儲存部72、液壓計74、加壓部76及原料氣體閥78。
氣化器71使儲存於液體原料儲存部72內的液體原料氣化，生成對噴射器60供給的原料氣體。
液體原料儲存部72儲存用於形成薄膜的液體原料。儲存於液 體原料儲存部72內的液體原料例如為三甲基鋁(trimethyl aluminium，TMA)、三-二甲基胺基矽烷(tris-dimethyl aminosilane，TDMAS)、四乙基甲基胺基鋯(tetrakisethylmethylamino zirconium，TEMAZ)、四乙基甲基胺基鉿(tetrakisethylmethylamino hafnium，TEMAH)。
液壓計74對液體原料儲存部72的壓力進行檢測。液壓計74所檢測到的壓力的資料被發送至加壓部76。
根據液壓計74所檢測到的壓力的資料，加壓部76對液體原料進行加壓，以使儲存於液體原料儲存部72內的液體原料的壓力達到固定。加壓部76例如藉由將N2氣體或Ar氣體等惰性氣體導入至液體原料儲存部72內，而對液體原料進行加壓。
原料氣體閥78對藉由氣化器71而氣化的原料氣體流量進行調節而供給至噴射器60。原料氣體閥78例如可使用世偉洛克(Swagelok)公司製的ALD閥。
又，原料氣體閥78與控制部52連接。藉由氣化器71而氣化的原料氣體的流量是藉由利用控制部52對原料氣體閥78的開度進行調節來加以控制。
其次，對反應氣體供給部80進行說明。反應氣體供給部80包括反應氣體儲存部82及反應氣體閥84。
反應氣體儲存部82儲存用於形成薄膜的反應氣體。儲存於反應氣體儲存部82內的反應氣體例如為O2氣體、N2氣體。
反應氣體閥84與控制部52連接。反應氣體閥84的開度藉由 控制部52來控制。反應氣體閥84在停止對成膜容器20內供給原料氣體的期間打開，將反應氣體供給至成膜容器20內。
其次，對沖洗氣體供給部90進行說明。沖洗氣體供給部90包括沖洗氣體儲存部92及沖洗氣體閥94。
沖洗氣體儲存部92儲存Ar氣體等沖洗氣體。沖洗氣體閥94與控制部52連接。沖洗氣體閥94的開度是藉由控制部52來控制。
再者，亦可使用N2氣體作為沖洗氣體。當使用N2氣體作為反應氣體時，亦可使用反應氣體代替沖洗氣體，且使用反應氣體供給部80代替沖洗氣體供給部90。
以上是本實施形態的原子層沈積裝置10A的概略構成。
其次，利用圖2，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的動作進一步加以詳細說明。
當排氣管42與真空室30連接的排氣口為1個時，越靠近排氣口的中央部的附近，原料氣體及反應氣體的流量越多，越遠離排氣管42的中央部，原料氣體及反應氣體的流量越少。因此，無法在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻，在基板S的與排氣口的中央部遠離的區域內膜厚變薄，從而難以使膜厚變得均勻。
在本實施形態中，是在真空室30上沿水平方向分散地設置有多個排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d，且在與各排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d相對應的排氣管42上分別設置有排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥 54C、排氣閥54D。因此，藉由對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調整，可對自各排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d排出的原料氣體及反應氣體的流量進行控制。藉此，可在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。
例如，當藉由膜厚測量裝置56而測量到的膜厚越靠近基板S的中央部越厚，越靠近外周部越薄時，可推斷為原料氣體及反應氣體的流量越靠近基板S的中央部越多，越靠近外周部越少。此時，藉由增大沿水平方向隔開間隔呈直線狀排列的排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d之中的兩端部的排氣口42a、排氣口42d的開度，且減小中央部的排氣口42b、排氣口42c的開度，可使在基板S的外周部的原料氣體及反應氣體的流量增加至與在基板S的中央部的原料氣體及反應氣體的流量為相同量程度為止，從而在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。
又，當藉由膜厚測量裝置56而測量到的膜厚越靠近基板S的中央部越薄，越靠近外周部越厚時，藉由減小兩端部的排氣口42a、排氣口42d的開度，且增大中央部的排氣口42b、排氣口42c的開度，可使在基板S的中央部的原料氣體及反應氣體的流量增加至與在基板S的外周部的原料氣體及反應氣體的流量為相同量程度為止，從而在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。
如上所述，根據利用膜厚測量裝置56所測量到的膜厚在基板S上的分佈，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調整，藉此可在基板S上形成厚度均勻的膜。
又，當藉由膜質測量裝置57而測量到的膜質越靠近基板S的中央部越緻密(折射率越高)，越靠近外周部越疏鬆(折射率越低)時，可推斷為原料氣體及反應氣體的流量越靠近基板S的中央部越多，越靠近外周部越少。此時，藉由增大排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d之中的兩端部的排氣口42a、排氣口42d的開度，且減小中央部的排氣口42b、排氣口42c的開度，可使在基板S的外周部的原料氣體及反應氣體的流量增加至與在基板S的中央部的原料氣體及反應氣體的流量為相同量程度為止，從而在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。
又，當藉由膜質測量裝置57而測量到的膜質越靠近基板S的中央部越疏鬆(折射率越低)，越靠近外周部越緻密(折射率越高)時，藉由減小兩端部的排氣口42a、排氣口42d的開度，且增大中央部的排氣口42b、排氣口42c的開度，可使在基板S的中央部的原料氣體及反應氣體的流量增加至與在基板S的外周部的原料氣體及反應氣體的流量為相同量程度為止，從而在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。
如上所述，根據利用膜質測量裝置57所測量到的膜質在基板S上的分佈，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D 的開度進行調整，藉此可在基板S上形成膜質均勻的薄膜。
(原子層沈積方法)
其次，參照圖4、圖5(a)~圖5(d)，對利用本實施形態的原子層沈積裝置10A的原子層沈積法進行說明。圖4是表示本實施形態的原子層沈積方法的1個循環的一例的流程圖。又，圖5(a)~圖5(d)是表示在基板S上形成薄膜的步驟的圖。
首先，原料氣體供給部70將原料氣體供給至成膜容器20的內部(步驟S101)。
在步驟S101中，液壓計74對液體原料儲存部72的壓力進行檢測，根據液壓計74所檢測到的壓力的資料，加壓部76對液體原料進行加壓，以使儲存於液體原料儲存部72內的液體原料的壓力達到固定。因此，自液體原料儲存部72以固定的壓力將液體原料供給至原料氣體閥78。
氣化器71對自液體原料儲存部72供給的液體原料進行氣化，以藉由控制部52而控制的時序，自原料氣體供給口62向成膜容器20的內部供給原料氣體110。此時，以使在基板S的整個區域內原料氣體110的流量達到均勻的方式，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調節，從而排氣部40將成膜容器20的內部的氣體加以排出。
如圖5(a)所示，藉由步驟S101而對成膜容器20的內部供給原料氣體110，原料氣體110吸附於基板S上，從而形成吸附層102。
其次，沖洗氣體供給部90對成膜容器20的內部供給沖洗氣體(步驟S102)。控制部52發送將沖洗氣體閥94加以打開的控制訊號，自沖洗氣體儲存部92向成膜容器20的內部供給沖洗氣體112。例如，將沖洗氣體閥94打開0.1秒的時間，對成膜容器20的內部供給沖洗氣體112。並且，排氣部40將成膜容器20的內部的原料氣體110或沖洗氣體112加以排出。排氣部40例如將成膜容器20的內部的原料氣體110或沖洗氣體112排出2秒的時間。此時，以使在基板S的整個區域內原料氣體110的流量達到均勻的方式，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調節，從而排氣部40將成膜容器20的內部的氣體加以排出。
如圖5(b)所示，藉由步驟S102，而對成膜容器20的內部供給沖洗氣體112，將未附著於基板S上的原料氣體110自成膜容器20沖洗出來。再者，沖洗氣體112亦可在供給原料氣體110時同時供給。
其次，反應氣體供給部80對成膜容器20的內部供給反應氣體(步驟S103)。藉由利用控制部52所控制的時序，使反應氣體閥84打開，自反應氣體供給口64向成膜容器20的內部供給反應氣體114。反應氣體供給部80例如將反應氣體114向成膜容器20的內部供給1秒的時間。此時，以使在基板S的整個區域內反應氣體114的流量達到均勻的方式，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調節，從而排氣部40將成膜 容器20的內部的氣體加以排出。
如圖5(c)所示，藉由步驟S103，而對成膜容器20的內部供給反應氣體114。
又，高頻電源50對上側電極36供給規定頻率的高頻電流，使電漿在上側電極36與下側電極38之間產生(步驟S104)。高頻電源50例如使反應氣體114的電漿產生0.2秒的時間。藉由高頻電源50使反應氣體114的電漿產生，而使反應氣體114與吸附層102發生反應，從而形成薄膜層104。
再者，高頻電源50使反應氣體114的電漿產生的時序亦可與反應氣體供給部80對成膜容器20的內部供給反應氣體114的時序為同時。
又，當在不使電漿產生的條件下反應氣體114與吸附層102發生反應時，步驟S104可省略。此時，加熱器34將基板S加熱至200℃~400℃(熱ALD)，以使反應氣體114與吸附層102充分地反應。
其次，沖洗氣體供給部90對成膜容器20的內部供給沖洗氣體112(步驟S105)。沖洗氣體供給部90例如將沖洗氣體112向成膜容器20的內部供給0.1秒的時間。並且，排氣部40將成膜容器20的內部的反應氣體114或沖洗氣體112加以排出。此時，以使在基板S的整個區域內反應氣體114的流量達到均勻的方式，對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調節，從而排氣部40將成膜容器20的內部的氣體加以排 出。
如圖5(d)所示，藉由步驟S105，而對成膜容器20的內部供給沖洗氣體112，將反應氣體114自成膜容器20沖洗出來。
藉由以上所述的步驟S101~步驟S105，而在基板S上形成一原子層的薄膜層104。以下，藉由重複進行步驟S101~步驟S105，可形成所需膜厚的薄膜層104。
再者，亦可每當重複規定次數的步驟S101~步驟S105時，利用膜厚測量裝置56對膜厚進行測量，且對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調節。藉此，可在基板S的整個區域內形成厚度均勻的膜。
如以上所述，在本實施形態的原子層沈積裝置10A中，在真空室30上沿水平方向分散地設置有多個排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d，且在與各排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d相對應的排氣管42上分別設置有排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D。因此，藉由對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調整，可對自排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d排出的原料氣體及反應氣體的流量進行控制。藉此，可在基板S的整個區域內使原料氣體及反應氣體的流量變得均勻。
再者，在所述實施形態中，已對如下情況進行說明，即，藉由對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度分別進行調節，而對來自各排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、 排氣口42d的排氣量進行調整，但本發明並不限定於此，亦可藉由對排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的打開時間進行調整，而對來自各排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d的排氣量進行調整。
<變形例>
圖6是表示變形例的原子層沈積裝置10B的與圖2同樣的俯視圖。再者，關於與所述實施形態相同的構成，則標註相同的符號並且省略說明。
在本變形例中，沿水平方向隔開間隔呈直線狀排列有多個噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D，所述多個噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D用於將原料氣體、反應氣體及沖洗氣體供給至真空室30。在噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D上，分別連接有供給原料氣體、反應氣體或沖洗氣體的配管。所述配管既可進行分支，亦可分別設置於噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D上。
在對噴射器60A供給原料氣體、反應氣體、沖洗氣體的各配管上，設置有原料氣體閥78A、反應氣體閥84A、沖洗氣體閥94A。在對噴射器60B供給原料氣體、反應氣體、沖洗氣體的各配管上，設置有原料氣體閥78B、反應氣體閥84B、沖洗氣體閥94B。在對噴射器60C供給原料氣體、反應氣體、沖洗氣體的各配管上，設置有原料氣體閥78C、反應氣體閥84C、沖洗氣體閥94C。在對噴射器60D供給原料氣體、反應氣體、沖洗氣體的各配管上， 設置有原料氣體閥78D、反應氣體閥84D、沖洗氣體閥94D。
圖7是自箭頭VII方向觀察圖6的噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D的正面圖。如圖7所示，在各噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D上，如圖3所示，形成有在水平方向(與圖1的紙面垂直的方向)上為細長的原料氣體供給口62、在水平方向上為細長的反應氣體供給口64、以及在水平方向上為細長的沖洗氣體供給口66。
在本變形例中，藉由對原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D的開度進行調整，可對自各原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D供給的原料氣體的流量進行控制。
例如，當藉由膜厚測量裝置56而測量到的膜厚越靠近基板S的中央部越厚，越靠近外周部越薄時，或當藉由膜質測量裝置57而測量到的膜質越靠近基板S的中央部越緻密(折射率越高)，越靠近外周部越疏鬆(折射率越低)時，可推斷為原料氣體及反應氣體的流量越靠近基板S的中央部越多，越靠近外周部越少。
此時，在原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D之中，藉由增大對兩端部的噴射器60A、噴射器60D供給原料氣體的原料氣體閥78A、原料氣體閥78D的開度，且減小對中央部的噴射器60B、噴射器60C供給原料氣體的原料氣體閥78B、原料氣體閥78C的開度，可使在基板S的外周部的原料氣體的流量增加至與在基板S的中央部的原料氣體的流量為 相同量程度為止，從而在基板S的整個區域內使原料氣體的流量變得均勻，所述原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D用於對沿水平方向隔開間隔呈直線狀排列的噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D供給原料氣體。
又，藉由對反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D的開度進行調整，可對自各反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D供給的反應氣體的流量進行控制。
例如，在反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D之中，藉由增大對兩端部的噴射器60A、噴射器60D供給反應氣體的反應氣體閥84A、反應氣體閥84D的開度，且減小對中央部的噴射器60B、噴射器60C供給反應氣體的反應氣體閥84B、反應氣體閥84C的開度，可使在基板S的外周部的反應氣體的流量增加至與在基板S的中央部的原料氣體的流量為相同量程度為止，從而在基板S的整個區域內使反應氣體的流量變得均勻，所述反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D用於對沿水平方向隔開間隔呈直線狀排列的噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D供給反應氣體。
此外，藉由對沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C、沖洗氣體閥94D的開度進行調整，可在基板S的整 個區域內使原料氣體及反應氣體的滯留時間變得均勻。
例如，在沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C、沖洗氣體閥94D之中，藉由增大對中央部的噴射器60B、噴射器60C供給沖洗氣體的沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C的開度，且減小對兩端部的噴射器60A、噴射器60D供給沖洗氣體的沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94D的開度，可使在基板S的外周部的原料氣體及反應氣體的滯留時間延長至與在基板S的中央部的原料氣體及反應氣體的滯留時間為相同程度為止，從而在基板S的整個區域內形成厚度均勻的膜，所述沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C、沖洗氣體閥94D用於對沿水平方向隔開間隔呈直線狀排列的噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D供給沖洗氣體。
如上所述，根據利用膜厚測量裝置56所測量到的膜厚在基板S上的分佈，對原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D、反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D、沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C、沖洗氣體閥94D、排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度進行調整，藉此可在基板S上形成厚度均勻的膜。
再者，在所述實施形態中，已對如下情況進行說明，即，藉由對原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D的開度分別進行調節，而對來自各噴射器60A、噴射 器60B、噴射器60C、噴射器60D的原料氣體的供給量進行調整，但本發明並不限定於此，亦可藉由對原料氣體閥78A、原料氣體閥78B、原料氣體閥78C、原料氣體閥78D的打開時間進行調整，而對來自各噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D的原料氣體的供給量進行調整。
又，在所述實施形態中，已對如下情況進行說明，即，藉由對反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D的開度分別進行調節，而對來自各噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D的反應氣體的供給量進行調整，但本發明並不限定於此，亦可藉由對反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D的打開時間進行調整，而對來自各噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D的反應氣體的供給量進行調整。
又，在所述實施形態中，已對如下情況進行說明，即，藉由對沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C、沖洗氣體閥94D的開度分別進行調節，而對來自各噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D的沖洗氣體的供給量進行調整，但本發明並不限定於此，亦可藉由對沖洗氣體閥94A、沖洗氣體閥94B、沖洗氣體閥94C、沖洗氣體閥94D的打開時間進行調整，而對來自各噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D的沖洗氣體的供給量進行調整。
再者，原料氣體、反應氣體、沖洗氣體的供給口的數量 亦可與排氣口的數量不同，但較佳為供給口的數量與排氣口的數量相同。其原因在於，若供給口的數量與排氣口的數量相同，則可使供給量的調整與排氣量的調整同步進行。
又，供給口及排氣口較佳為如圖6所示，設置成其間夾著基板S而相對向。其原因在於，藉由使供給口與排氣口相對向，可防止自供給口向排氣口在基板S上流動的原料氣體流、反應氣體流、沖洗氣體流成為層流，從而防止亂流的產生。
<實施例>
與圖6所示同樣，利用包含4個噴射器60A、噴射器60B、噴射器60C、噴射器60D及4個排氣口42a、排氣口42b、排氣口42c、排氣口42d的成膜裝置，在1100mm×1300mm的G5玻璃基板上形成有AlON的薄膜。使用TMA(三甲基鋁)作為液體原料(Al源)，使用氧氣及氮氣作為反應氣體。
當供給原料氣體時，藉由對控制訊號的脈衝長度進行調整，而將原料氣體閥78A、原料氣體閥78D的打開時間設為0.5秒，將原料氣體閥78B、原料氣體閥78C的打開時間設為0.1秒。又，當供給反應氣體時，藉由對控制訊號的脈衝長度進行調整，而將所有的反應氣體閥84A、反應氣體閥84B、反應氣體閥84C、反應氣體閥84D的打開時間均設為1秒。
排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的開度均設為100%(全開)。藉由重複600次與圖4所示同樣的循環，而形成有AlON的薄膜。利用反射率光譜法在基板的外周部的4 個點及中央部的1個點上對膜厚進行測量後獲知，平均膜厚為100nm，偏差為±4%。
<比較例>
利用僅包含1個噴射器及1個排氣口的成膜裝置，在1100mm×1300mm的G5玻璃基板上形成有AlON的薄膜。使用TMA(三甲基鋁)作為液體原料(Al源)，使用氧氣及氮氣作為反應氣體。
當供給原料氣體及反應氣體時，藉由對控制訊號的脈衝長度進行調整，而將原料氣體閥的打開時間設為0.3秒。將反應氣體閥的打開時間設為1秒。排氣閥的開度設為100%(全開)。藉由重複進行600次與圖4所示同樣的循環，而形成有AlON的薄膜。利用反射率光譜法在基板的外周部的4個點及中央部的1個點上對膜厚進行測量後獲知，平均膜厚為100nm，偏差為±15%。
以上，已對本發明的原子層沈積裝置及原子層沈積方法進行詳細說明，但本發明並不限定於所述實施形態。並且，當然，亦可在不脫離本發明的主旨的範圍內進行各種改良或變更。
例如，在所述實施形態及變形例中，是對使用4個排氣閥54A、排氣閥54B、排氣閥54C、排氣閥54D的情況進行說明，但本發明並不限定於此，而可使用2個以上的任意數量的排氣閥。例如，亦可使用2個、8個、16個、32個等2的乘方個(2n個，指數n為自然數)排氣閥。
同樣地，在所述變形例中，是對使用4個噴射器60A、噴射 器60B、噴射器60C、噴射器60D的情況進行說明，但本發明並不限定於此，而可使用2個以上的任意數量的噴射器。例如，亦可使用2個、8個、16個、32個等2的乘方個(2n個，指數n為自然數)噴射器。

Claims (12)

  1. 一種原子層沈積裝置，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積裝置的特徵在於包括：成膜容器，在所述成膜容器內部配置有基板，以在所述基板上形成薄膜，並且相互隔開間隔且與配置的所述基板的上表面平行地排列而設置有多個排氣口，所述多個排氣口用於排出內部的氣體；原料氣體供給部，將所述薄膜的原料氣體供給至所述成膜容器內；反應氣體供給部，將反應氣體供給至所述成膜容器內，所述反應氣體用於與吸附於所述基板上的原料氣體的成分進行反應而形成所述薄膜；進而，在所述成膜容器內，相互隔開間隔且與配置的所述基板的上表面平行地排列而設置有多個供給口，所述多個供給口用於將所述原料氣體及所述反應氣體供給至所述成膜容器內，所述原料氣體供給部包括對供給至所述各供給口的原料氣體的供給量進行調節的多個原料氣體閥，所述反應氣體供給部包括對供給至所述各供給口的反應氣體的供給量進行調節的多個反應氣體閥；排氣閥，與所述各排氣口連接；以及控制部，藉由對所述多個原料氣體閥及反應氣體閥進行控制而對來自所述多個供給口的原料氣體及反應氣體的供給量進行控制，且藉由對所述多個排氣閥進行控制而對來自所述各排氣口的排氣量進行控制。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：膜厚測量裝置，對成膜後的薄膜的膜厚分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜厚測量裝置的測量結果，對來自所述各排氣閥的排氣量進行控制。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：膜質測量裝置，對成膜後的薄膜的膜質分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜質測量裝置的測量結果，對來自所述各排氣閥的排氣量進行控制。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：膜厚測量裝置，對成膜後的薄膜的膜厚分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜厚測量裝置的測量結果，對來自所述各原料氣體閥的原料氣體的供給量及來自所述各反應氣體閥的反應氣體的供給量進行控制。
  5. 如申請專利範圍第1項或第3項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：膜質測量裝置，對成膜後的薄膜的膜質分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜質測量裝置的測量結果，對來自所述各原料氣體閥的原料氣體的供給量及來自所述各反應氣體閥的反應氣體的供給量進行控制。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：沖洗氣體供給部，將沖洗氣體供給至所述各供給口，所述沖洗氣體用於將原料氣體或反應氣體自所述成膜容器內加以排出；且所述沖洗氣體供給部包括對供給至所述各供給口的沖洗氣體的供給量進行調節的多個沖洗氣體閥，所述控制部藉由對所述多個沖洗氣體閥進行控制而對所述原料氣體或所述反應氣體在所述成膜容器內的滯留時間進行控制。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：膜厚測量裝置，對成膜後的薄膜的膜厚分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜厚測量裝置的測量結果，對來自所述各沖洗氣體閥的沖洗氣體的供給量進行控制。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的原子層沈積裝置，其中更包括：膜質測量裝置，對成膜後的薄膜的膜質分佈進行測量；且所述控制部根據所述膜質測量裝置的測量結果，對來自所述各沖洗氣體閥的沖洗氣體的供給量進行控制。
  9. 一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自設置於成膜容器的多個供給口供給至所述成膜容器，並且自多個排氣口排出所述原料氣體，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置，所述多個排氣口是相互隔開間隔且與於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置於所述成膜容器；將反應氣體自設置於所述成膜容器的所述多個供給口供給至所述成膜容器，並且自所述多個排氣口排出所述反應氣體，所述反應氣體用於與吸附於所述基板上的原料氣體的成分進行反應而形成所述薄膜，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置；對形成於所述基板上的薄膜的厚度在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的厚度，對來自所述多個供給口中的所述原料氣體及所述反應氣體的供給量、以及來自所述多個排氣口的排氣量進行調節。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的原子層沈積方法，其特徵在於重複進行如下步驟：將沖洗氣體自設置於成膜容器的所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述原料氣體自所述成膜容器內加以排出，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置；將沖洗氣體自設置於成膜容器的所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述反應氣體自所述成膜容器內加以排出，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置；對形成於所述基板上的薄膜的厚度在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的厚度，對來自所述多個供給口的各自的所述沖洗氣體的供給量進行調節。
  11. 一種原子層沈積方法，在基板上形成薄膜，所述原子層沈積方法的特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自設置於成膜容器的多個供給口供給至所述成膜容器，並且自多個排氣口排出所述原料氣體，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置，所述多個排氣口是相互隔開間隔且與於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置於所述成膜容器；將反應氣體自設置於所述成膜容器的所述多個供給口供給至所述成膜容器，並且自所述多個排氣口排出所述反應氣體，所述反應氣體用於與吸附於所述基板上的原料氣體的成分進行反應而形成所述薄膜，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置；對形成於所述基板上的薄膜的膜質在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的膜質，對來自所述多個供給口中的所述原料氣體及所述反應氣體的供給量、以及來自所述多個排氣口的排氣量進行調節。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的原子層沈積方法，其特徵在於重複進行如下步驟：將原料氣體自設置於成膜容器的多個供給口供給至成膜容器，所述原料氣體是將作為所述薄膜的原料的液體原料加以氣化而成，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置；將沖洗氣體自設置於成膜容器的所述多個供給口供給至所述成膜容器，所述沖洗氣體用於將所述反應氣體自所述成膜容器內加以排出，所述多個供給口是相互隔開間隔且與配置於所述成膜容器內的所述基板的上表面平行地排列而設置；對形成於所述基板上的薄膜的膜質在多個部位進行測量；以及根據所測量到的薄膜的膜質，對來自所述多個供給口的各自的所述沖洗氣體的供給量進行調節。
TW103134329A 2013-10-03 2014-10-02 原子層沈積裝置及原子層沈積方法 TWI661078B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013208177A JP6334880B2 (ja) 2013-10-03 2013-10-03 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP2013-208177 2013-10-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201525180A TW201525180A (zh) 2015-07-01
TWI661078B true TWI661078B (zh) 2019-06-01

Family

ID=52778760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103134329A TWI661078B (zh) 2013-10-03 2014-10-02 原子層沈積裝置及原子層沈積方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160258063A1 (zh)
EP (1) EP3048639A4 (zh)
JP (1) JP6334880B2 (zh)
KR (1) KR20160067117A (zh)
TW (1) TWI661078B (zh)
WO (1) WO2015050172A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012213095A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-30 Roth & Rau Ag Gasseparation
JP5990626B1 (ja) 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6050860B1 (ja) 2015-05-26 2016-12-21 株式会社日本製鋼所 プラズマ原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6794184B2 (ja) * 2016-08-31 2020-12-02 株式会社日本製鋼所 プラズマ原子層成長装置
JP6309598B2 (ja) * 2016-11-24 2018-04-11 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6298141B2 (ja) * 2016-11-29 2018-03-20 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP6760833B2 (ja) * 2016-12-20 2020-09-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
TW202129061A (zh) * 2019-10-02 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 環繞式閘極輸入/輸出工程
KR102361065B1 (ko) * 2020-02-27 2022-02-09 고려대학교 산학협력단 리텐션 밸브를 이용한 원자층 증착 공정의 흐름 정체 시스템
KR102474890B1 (ko) * 2020-10-27 2022-12-05 고려대학교 산학협력단 고분자 전해질막 연료전지의 전극 촉매층 제조 방법 및 시스템과 이를 통해 제조된 전극 촉매층

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593736B (en) * 2001-05-31 2004-06-21 Samsung Electronics Co Ltd Method of forming a thin film using atomic layer deposition
US20060156979A1 (en) * 2004-11-22 2006-07-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
TW200710266A (en) * 2005-05-09 2007-03-16 Asm Genitech Korea Ltd Multiple inlet atomic layer deposition reactor
JP2008177501A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法及び装置
TW200937516A (en) * 2007-10-16 2009-09-01 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method for using same
US20110308453A1 (en) * 2008-01-31 2011-12-22 Applied Materials, Inc. Closed loop mocvd deposition control

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05306468A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Nec Yamaguchi Ltd プラズマ気相成長装置
JPH0677142A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Fujitsu Ltd 気相成長装置
JP3741861B2 (ja) * 1998-05-13 2006-02-01 株式会社フジクラ Ｃｖｄ反応装置
JP3002448B1 (ja) * 1998-07-31 2000-01-24 国際電気株式会社 基板処理装置
WO2005124859A2 (en) * 2004-06-10 2005-12-29 Avansys, Inc. Methods and apparatuses for depositing uniform layers
US8334015B2 (en) * 2007-09-05 2012-12-18 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
JP2010153467A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5658463B2 (ja) * 2009-02-27 2015-01-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5243519B2 (ja) * 2010-12-22 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2012167317A (ja) 2011-02-14 2012-09-06 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593736B (en) * 2001-05-31 2004-06-21 Samsung Electronics Co Ltd Method of forming a thin film using atomic layer deposition
US20060156979A1 (en) * 2004-11-22 2006-07-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
TW200710266A (en) * 2005-05-09 2007-03-16 Asm Genitech Korea Ltd Multiple inlet atomic layer deposition reactor
JP2008177501A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法及び装置
TW200937516A (en) * 2007-10-16 2009-09-01 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method for using same
US20110308453A1 (en) * 2008-01-31 2011-12-22 Applied Materials, Inc. Closed loop mocvd deposition control

Also Published As

Publication number Publication date
JP6334880B2 (ja) 2018-05-30
JP2015073019A (ja) 2015-04-16
WO2015050172A1 (ja) 2015-04-09
EP3048639A4 (en) 2017-09-27
EP3048639A1 (en) 2016-07-27
KR20160067117A (ko) 2016-06-13
TW201525180A (zh) 2015-07-01
US20160258063A1 (en) 2016-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI661078B (zh) 原子層沈積裝置及原子層沈積方法
KR101804597B1 (ko) 성막 장치
US7927662B2 (en) CVD method in vertical CVD apparatus using different reactive gases
CN103966576B (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序
US20150275368A1 (en) Film Forming Apparatus Using Gas Nozzles
WO2013054652A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、および記録媒体
KR102121482B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP2011210872A (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR102164942B1 (ko) 가스 공급부, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2015073020A (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
KR102142813B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
US20130309401A1 (en) Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method
JP2015073021A (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
KR20200115208A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
TW201512447A (zh) 成膜裝置、成膜方法及非暫時性記憶媒體
JP2012175055A (ja) 原子層堆積装置
JP6773711B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2014210946A (ja) 原子層堆積装置
JP2011198885A (ja) 原子層堆積装置及び原子層堆積方法
JP4854794B2 (ja) 薄膜形成装置
JPWO2020189205A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル
TWI817029B (zh) 基板處理裝置，基板支撐具及半導體裝置的製造方法
TW202109798A (zh) 用於供應氣體的裝置及使用其處理基板的裝置
KR101027754B1 (ko) 원자층 증착장치 및 이를 이용한 원자층 증착방법
TWI818311B (zh) 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees